JP3151014B2 - ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 - Google Patents
ウエーハ端面のエッチング方法とその装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェーハな
どの半導体ウエーハに施される各種デバイスを得るため
のプロセスにおいて、ウエーハに付着するパーティクル
を低減するためのウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に係り、フッ素化合物ガスを大気圧下でグロープラ
ズマ励起させて活性化したエッチングガスにより、ウエ
ーハ端面に成膜されたあるいは付着した絶縁材や金属な
どを完全に除去して、プロセスでの端面部の接触による
発塵を防止できるウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に関する。
どの半導体ウエーハに施される各種デバイスを得るため
のプロセスにおいて、ウエーハに付着するパーティクル
を低減するためのウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に係り、フッ素化合物ガスを大気圧下でグロープラ
ズマ励起させて活性化したエッチングガスにより、ウエ
ーハ端面に成膜されたあるいは付着した絶縁材や金属な
どを完全に除去して、プロセスでの端面部の接触による
発塵を防止できるウエーハ端面のエッチング方法とその
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日の半導体集積回路は高密度化が著し
く、すでに１μｍ以下のパターニングにて製造されるも
のが実用化されており、製造に際して基板となる半導体
ウエーハに付着するパーティクルの寸法とその個数が製
造歩留りに大きく影響する。
く、すでに１μｍ以下のパターニングにて製造されるも
のが実用化されており、製造に際して基板となる半導体
ウエーハに付着するパーティクルの寸法とその個数が製
造歩留りに大きく影響する。
【０００３】各種のデバイスにおける欠陥は、その最小
パターニング幅の１０分の１程度のパーティクルでも発
生するため、１μｍ以下のパターニングでは０．１μｍ
程度のパーティクルが付着しないように空気や水のクリ
ーン度を向上させている。
パターニング幅の１０分の１程度のパーティクルでも発
生するため、１μｍ以下のパターニングでは０．１μｍ
程度のパーティクルが付着しないように空気や水のクリ
ーン度を向上させている。
【０００４】また、今日の各種のデバイスは高集積化に
伴い多層膜配線構造が採用されるため、ウエーハ端面に
もポリシリコン 等の半導体、窒化シリコンなどの絶縁
材、アルミニウム、タングステンなどの金属膜、レジス
ト等が積層されている。
伴い多層膜配線構造が採用されるため、ウエーハ端面に
もポリシリコン 等の半導体、窒化シリコンなどの絶縁
材、アルミニウム、タングステンなどの金属膜、レジス
ト等が積層されている。
【０００５】しかし、かかるプロセスにおいて、半導体
ウエーハは研摩や成膜などを繰り返すため、キャリアケ
ースや治具などとウエーハ端面が接触して端面に積層さ
れた各種の薄膜が剥離して、パーティクルを発生してこ
れが付着して欠陥の原因となっていた。
ウエーハは研摩や成膜などを繰り返すため、キャリアケ
ースや治具などとウエーハ端面が接触して端面に積層さ
れた各種の薄膜が剥離して、パーティクルを発生してこ
れが付着して欠陥の原因となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、ウエーハ端面
からのパーティクルの発生を防止するため、端面の薄膜
等を除去することが行われているが、いずれもエッチン
グ液に浸漬してエッチングするかあるいはさらに液中で
研削する方法（特開昭６３−３０７２００号、特開平２
−１００３１９号、特開平２−１１４５２９号公報）が
実施されていた。
からのパーティクルの発生を防止するため、端面の薄膜
等を除去することが行われているが、いずれもエッチン
グ液に浸漬してエッチングするかあるいはさらに液中で
研削する方法（特開昭６３−３０７２００号、特開平２
−１００３１９号、特開平２−１１４５２９号公報）が
実施されていた。
【０００７】エッチング液に浸漬してエッチングするに
は、所要の端面のみを露出させて他部分をマスキングし
て行うか所要の保護膜を設けて行うなど、プロセス中で
の実施可能時が限定されて、プロセス中の必要時に任意
に実施することができず、また、マスキングを施しても
エッチング液の浸食作用や浸食に伴う界面への液の残留
により必要な多層膜を剥離させてしまう問題があった。
は、所要の端面のみを露出させて他部分をマスキングし
て行うか所要の保護膜を設けて行うなど、プロセス中で
の実施可能時が限定されて、プロセス中の必要時に任意
に実施することができず、また、マスキングを施しても
エッチング液の浸食作用や浸食に伴う界面への液の残留
により必要な多層膜を剥離させてしまう問題があった。
【０００８】この発明は、ウエーハ端面からのパーティ
クル発生防止のために行う端面の薄膜等の除去に際し
て、エッチング液を使用することなく、端面の所要部位
の薄膜だけを容易にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部
に何らの影響も与えないウエーハ端面のエッチング方法
とエッチング装置の提供を目的としている。
クル発生防止のために行う端面の薄膜等の除去に際し
て、エッチング液を使用することなく、端面の所要部位
の薄膜だけを容易にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部
に何らの影響も与えないウエーハ端面のエッチング方法
とエッチング装置の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、大気圧近傍
に保持される放電部内にフッ素化合物ガスを不活性ガス
のキャリアガスで搬送導入して、励起されたグロープラ
ズマにて活性化するグロープラズマ発生手段にて得たエ
ッチングガスを、前記プラズマ発生手段外に配置された
チャッキング手段にて半導体ウエーハの両主面を被覆支
持して露出させた円周端面部へ移送し、同部を該エッチ
ングガスにてエッチングすることを特徴とするウエーハ
端面のエッチング方法である。
に保持される放電部内にフッ素化合物ガスを不活性ガス
のキャリアガスで搬送導入して、励起されたグロープラ
ズマにて活性化するグロープラズマ発生手段にて得たエ
ッチングガスを、前記プラズマ発生手段外に配置された
チャッキング手段にて半導体ウエーハの両主面を被覆支
持して露出させた円周端面部へ移送し、同部を該エッチ
ングガスにてエッチングすることを特徴とするウエーハ
端面のエッチング方法である。
【００１０】また、この発明は、半導体ウエーハの両主
面を被覆支持して所要の円周端面を露出させるチャッキ
ング手段と、リング状の一対の石英板が所要放電空隙を
介して対向配置され、各石英板裏面側に電極を設けた円
環状放電室を有し、該放電室の外周側からフッ素化合物
ガスと不活性ガスのキャリアガスを導入し、グロープラ
ズマを励起して活性化したエッチングガスを得る大気圧
近傍グロープラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段と
前記チャッキング手段のとの間に形成された半導体ウエ
ーハの円周端面が露出された円環状反応室内に、前記エ
ッチングガスを移送し、反応室内でウエーハ端面に接触
させた後に排気するガスの給排気手段を有することを特
徴とするウエーハ端面のエッチング装置である。
面を被覆支持して所要の円周端面を露出させるチャッキ
ング手段と、リング状の一対の石英板が所要放電空隙を
介して対向配置され、各石英板裏面側に電極を設けた円
環状放電室を有し、該放電室の外周側からフッ素化合物
ガスと不活性ガスのキャリアガスを導入し、グロープラ
ズマを励起して活性化したエッチングガスを得る大気圧
近傍グロープラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段と
前記チャッキング手段のとの間に形成された半導体ウエ
ーハの円周端面が露出された円環状反応室内に、前記エ
ッチングガスを移送し、反応室内でウエーハ端面に接触
させた後に排気するガスの給排気手段を有することを特
徴とするウエーハ端面のエッチング装置である。
【００１１】さらに、この発明は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円環状反応室内に
露出させるチャッキング手段と、石英製の内管と外管間
に所要放電空隙通路を設けて内管の内周面と外管の外周
面に電極を設けて電源に接続した円筒状放電室の一方側
からフッ素化合物ガスと不活性ガスのキャリアガスを供
給し、グロープラズマを励起して活性化したエッチング
ガスを該放電室の他方側に導出する大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、前記放電室の他方側から前記チャッ
キング手段の円環状反応室に前記エッチングガスを移送
し、反応室内でウエーハ端面に接触させた後に排気する
ガスの給排気手段を有することを特徴とするウエーハ端
面のエッチング装置である。
主面を被覆支持して所要の円周端面を円環状反応室内に
露出させるチャッキング手段と、石英製の内管と外管間
に所要放電空隙通路を設けて内管の内周面と外管の外周
面に電極を設けて電源に接続した円筒状放電室の一方側
からフッ素化合物ガスと不活性ガスのキャリアガスを供
給し、グロープラズマを励起して活性化したエッチング
ガスを該放電室の他方側に導出する大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、前記放電室の他方側から前記チャッ
キング手段の円環状反応室に前記エッチングガスを移送
し、反応室内でウエーハ端面に接触させた後に排気する
ガスの給排気手段を有することを特徴とするウエーハ端
面のエッチング装置である。
【００１２】
【作用】この発明は、大気圧近傍でフッ素化合物ガスを
不活性ガスのキャリアガスにて供給し、石英材を対向配
置させて所要電源を印加できる放電室でグロープラズマ
を励起して活性化したエッチングガスを用いることを特
徴とし、別途配置するプラズマ発生装置で生成させたエ
ッチングガスを移送して、チャッキングして露出させた
半導体ウエーハの所要円周端面に前記エッチングガスを
作用させて、同部に成膜されている種々材質からなる単
層または多層の膜などを除去するもので、従来のエッチ
ング液による膜除去に比較して、エッチング液の残留な
どがなく、必要な薄膜部に何らの影響も与えずに、不要
部のみ確実に除去できる。
不活性ガスのキャリアガスにて供給し、石英材を対向配
置させて所要電源を印加できる放電室でグロープラズマ
を励起して活性化したエッチングガスを用いることを特
徴とし、別途配置するプラズマ発生装置で生成させたエ
ッチングガスを移送して、チャッキングして露出させた
半導体ウエーハの所要円周端面に前記エッチングガスを
作用させて、同部に成膜されている種々材質からなる単
層または多層の膜などを除去するもので、従来のエッチ
ング液による膜除去に比較して、エッチング液の残留な
どがなく、必要な薄膜部に何らの影響も与えずに、不要
部のみ確実に除去できる。
【００１３】好ましい実施態様 この発明において、放電部は、電極表面に誘電体を被着
あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成される
放電空間を単数または複数配置された構成であれば、公
知のいずれの構成からなる放電装置も利用できる。例え
ば、電極形状は平行対向、円周対向等、等間隔対向であ
ればよく、誘電体材料にはセラミックス、ホーロー、ガ
ラス、雲母等が利用できるが、実施例に示す如く、エッ
チングされ難く、パーティクルの発生が少ないリング状
や筒状の高純度の石英材料が望ましい、また放電空間ギ
ャップは０．５ｍｍ〜１５ｍｍが望ましく、ガス量増大
には対向電極の積層により対処してもよい。
あるいは対向させた高圧電極と接地電極間に形成される
放電空間を単数または複数配置された構成であれば、公
知のいずれの構成からなる放電装置も利用できる。例え
ば、電極形状は平行対向、円周対向等、等間隔対向であ
ればよく、誘電体材料にはセラミックス、ホーロー、ガ
ラス、雲母等が利用できるが、実施例に示す如く、エッ
チングされ難く、パーティクルの発生が少ないリング状
や筒状の高純度の石英材料が望ましい、また放電空間ギ
ャップは０．５ｍｍ〜１５ｍｍが望ましく、ガス量増大
には対向電極の積層により対処してもよい。
【００１４】さらに、実施例に示す如く、電極に金網ま
たはカーボン繊維などの導電性材料からなる導電性網電
極、金属箔、導電性ペースト等を用いて誘電体の石英管
などに接触させる構成とすることができ、給電配線に冷
却水を通した銅管を用いて誘電体を冷却するなど、放電
部の冷却を実施することが望ましい。
たはカーボン繊維などの導電性材料からなる導電性網電
極、金属箔、導電性ペースト等を用いて誘電体の石英管
などに接触させる構成とすることができ、給電配線に冷
却水を通した銅管を用いて誘電体を冷却するなど、放電
部の冷却を実施することが望ましい。
【００１５】グロープラズマ励起に要する電源は、高電
圧の印加により行うが、印加する交流電圧は、誘電体上
に交番電圧を誘起させるためであり、数十ＨｚからＧＨ
ｚレベルの高周波電圧を用いることができ、放電空間や
ガスによって適宜選定されるが、１〜１０ｋＶ、商用周
波数〜３０ＧＨｚ、１０Ｗ〜数ｋＷの範囲が好ましく、
特にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）、１０ｋＨｚの高周波を
使用することが望ましい。
圧の印加により行うが、印加する交流電圧は、誘電体上
に交番電圧を誘起させるためであり、数十ＨｚからＧＨ
ｚレベルの高周波電圧を用いることができ、放電空間や
ガスによって適宜選定されるが、１〜１０ｋＶ、商用周
波数〜３０ＧＨｚ、１０Ｗ〜数ｋＷの範囲が好ましく、
特にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）、１０ｋＨｚの高周波を
使用することが望ましい。
【００１６】グロープラズマを励起して活性化させるガ
スには、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素化合物ガスを使用し、
キャリアガスにはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスの単
体または混合物を適宜用いることができ、フッ素化合物
ガスとキャリアガスの混合比は、大気圧近傍で安定した
グロー放電を維持できる範囲で要求されるエッチング能
力に応じて適宜選定される。また、この発明において、
大気圧近傍とは大気圧下、弱減圧下あるいは加圧下の雰
囲気であり、グロー放電可能な雰囲気をいい、例えば４
００Ｔｏｒｒ前後の弱減圧下、また数気圧下でも活性化
したエッチングガスを得ることができる。
スには、ＣＦ4、ＳＦ6等のフッ素化合物ガスを使用し、
キャリアガスにはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスの単
体または混合物を適宜用いることができ、フッ素化合物
ガスとキャリアガスの混合比は、大気圧近傍で安定した
グロー放電を維持できる範囲で要求されるエッチング能
力に応じて適宜選定される。また、この発明において、
大気圧近傍とは大気圧下、弱減圧下あるいは加圧下の雰
囲気であり、グロー放電可能な雰囲気をいい、例えば４
００Ｔｏｒｒ前後の弱減圧下、また数気圧下でも活性化
したエッチングガスを得ることができる。
【００１７】この発明のエッチング装置において、半導
体ウエーハのチャッキング手段は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させることができれば、いずれの構成も採用でき、
例えば所要の半径のＯリングパッキンを円周部に配置し
た円盤部材で半導体ウエーハを挟み、その内部に不活性
パージガスを流すことにより、露出させた所要の円周端
面部のみをエッチングでき、さらに上記構成で一方面側
を減圧吸着することもできる。
体ウエーハのチャッキング手段は、半導体ウエーハの両
主面を被覆支持して所要の円周端面を円周状反応室内に
露出させることができれば、いずれの構成も採用でき、
例えば所要の半径のＯリングパッキンを円周部に配置し
た円盤部材で半導体ウエーハを挟み、その内部に不活性
パージガスを流すことにより、露出させた所要の円周端
面部のみをエッチングでき、さらに上記構成で一方面側
を減圧吸着することもできる。
【００１８】この発明のエッチング装置において、大気
圧近傍グロープラズマ発生手段は、上述の各部構成を有
し、石英製誘電体間に所要放電空隙通路を設け、各誘電
体に電極を設けて電源部に接続し、円周状反応室内に連
通可能に配置した円周状や円筒状からなる放電室が好ま
しい。
圧近傍グロープラズマ発生手段は、上述の各部構成を有
し、石英製誘電体間に所要放電空隙通路を設け、各誘電
体に電極を設けて電源部に接続し、円周状反応室内に連
通可能に配置した円周状や円筒状からなる放電室が好ま
しい。
【００１９】また、この発明のエッチング装置におい
て、ガスの給排気手段は、フッ素化合物ガスとキャリア
ガスを放電室の一方側から供給し、グロープラズマを励
起して活性化したエッチングガスを反応室に移送させ、
反応室内でウエーハ端面に接触させた後に所要の排気タ
ンクへ排気できる通路構成であれば、加圧送給方式、減
圧吸気式あるいはこれらの併用式など、装置の構造や各
部の配置などに応じて適宜選定される。
て、ガスの給排気手段は、フッ素化合物ガスとキャリア
ガスを放電室の一方側から供給し、グロープラズマを励
起して活性化したエッチングガスを反応室に移送させ、
反応室内でウエーハ端面に接触させた後に所要の排気タ
ンクへ排気できる通路構成であれば、加圧送給方式、減
圧吸気式あるいはこれらの併用式など、装置の構造や各
部の配置などに応じて適宜選定される。
【００２０】
【実施例】実施例1 図1、図2に示すエッチング装置は、円環状の大気圧近傍
グロープラズマ発生装置を装着した例である。円盤型エ
ッチング装置1は、チャッキング手段を構成する上下ホ
ルダー2,3と、上下ホルダー2,3の外周部に配置されカッ
プ状フレーム4,5を介して周設する円環状放電部11と、
これらの各部材間に配置された給排気通路から構成され
ている。
グロープラズマ発生装置を装着した例である。円盤型エ
ッチング装置1は、チャッキング手段を構成する上下ホ
ルダー2,3と、上下ホルダー2,3の外周部に配置されカッ
プ状フレーム4,5を介して周設する円環状放電部11と、
これらの各部材間に配置された給排気通路から構成され
ている。
【００２１】半導体ウェーハ１０を挟むチャッキング手
段の上下ホルダー２，３は、それぞれ最外周円部にフッ
素樹脂製のＯリングパッキン６，７を配置して対向させ
た円盤部材からなり、軸中心に貫通孔８，９が設けら
れ、下ホルダー３の貫通孔９は減圧ポンプＶＰに接続さ
れて半導体ウェーハ１０を吸着し、上ホルダー２の貫通
孔８にはＮ2ガス配管に接続されて半導体ウェーハ１０
表面をＮ2ガスパージする。
段の上下ホルダー２，３は、それぞれ最外周円部にフッ
素樹脂製のＯリングパッキン６，７を配置して対向させ
た円盤部材からなり、軸中心に貫通孔８，９が設けら
れ、下ホルダー３の貫通孔９は減圧ポンプＶＰに接続さ
れて半導体ウェーハ１０を吸着し、上ホルダー２の貫通
孔８にはＮ2ガス配管に接続されて半導体ウェーハ１０
表面をＮ2ガスパージする。
【００２２】上下ホルダー2,3はそれぞれカップ状フレ
ーム4,5の中心孔部に着脱可能にナット部材で螺着さ
れ、また、上下ホルダー2,3とカップ状フレーム4,5の内
周端部間には、それぞれ円環状放電部11を形成するリン
グ部材12,13が対向配置してあり、カップ状フレーム4,5
に各々ボルト止めされる。リング部材12,13の対向面に
は円周溝が設けられ、銅管14,15が内蔵されて対向面に
はそれぞれ石英板からなる平板のリング状誘電体16,17
がパッキンを介して固着されている。銅管14,15は電源
のR.Fユニットに接続されて13.56MHzの高周波電圧が印
加され、また、図2に図示する如く管内には冷却水配管2
0により冷却水が導入出する構成であり、さらに、リン
グ状誘電体16,17とは誘電体に塗布された導電性ペース
ト18と金属箔19を介して電気的接続が取られている。従
って、所要の空隙を介して対向し、銅管14,15と接続さ
れてR.Fユニットの電源が印加されるリング状誘電体16,
17によって、円環状放電部11が形成されている。
ーム4,5の中心孔部に着脱可能にナット部材で螺着さ
れ、また、上下ホルダー2,3とカップ状フレーム4,5の内
周端部間には、それぞれ円環状放電部11を形成するリン
グ部材12,13が対向配置してあり、カップ状フレーム4,5
に各々ボルト止めされる。リング部材12,13の対向面に
は円周溝が設けられ、銅管14,15が内蔵されて対向面に
はそれぞれ石英板からなる平板のリング状誘電体16,17
がパッキンを介して固着されている。銅管14,15は電源
のR.Fユニットに接続されて13.56MHzの高周波電圧が印
加され、また、図2に図示する如く管内には冷却水配管2
0により冷却水が導入出する構成であり、さらに、リン
グ状誘電体16,17とは誘電体に塗布された導電性ペース
ト18と金属箔19を介して電気的接続が取られている。従
って、所要の空隙を介して対向し、銅管14,15と接続さ
れてR.Fユニットの電源が印加されるリング状誘電体16,
17によって、円環状放電部11が形成されている。
【００２３】円環状放電部11への反応ガス供給は、リン
グ部材13とカップ状フレーム5に設けた溝部を供給路と
して円環状放電部11外周側から内周側へ送られ、上ホル
ダー2の外周部に固着した密封用部材により、下側リン
グ部材13、下ホルダー3、カップ状フレーム5の各外周面
にて形成される円環状の反応室21を経て、下ホルダー3
に設けた排気孔22を通ってガススクラバー50へ導出され
る構成からなる。
グ部材13とカップ状フレーム5に設けた溝部を供給路と
して円環状放電部11外周側から内周側へ送られ、上ホル
ダー2の外周部に固着した密封用部材により、下側リン
グ部材13、下ホルダー3、カップ状フレーム5の各外周面
にて形成される円環状の反応室21を経て、下ホルダー3
に設けた排気孔22を通ってガススクラバー50へ導出され
る構成からなる。
【００２４】半導体ウエーハ10は上下ホルダー2,3に挟
まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤部材
より突出した所要の円周端面が円環状反応室21内に露出
する。例えば、CF4ガスをArまたはHeガスをキャリアガ
スとして円環状放電部11に供給して高周波電圧が印加す
ることにより、大気圧でグロープラズマを励起して活性
化し、エッチングガスとなり円環状反応室21に入り、露
出した半導体ウエーハ10の円周端面に作用して所要のエ
ッチングが行われ、該端面の膜等が除去され排気ガスと
ともに排出される。
まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤部材
より突出した所要の円周端面が円環状反応室21内に露出
する。例えば、CF4ガスをArまたはHeガスをキャリアガ
スとして円環状放電部11に供給して高周波電圧が印加す
ることにより、大気圧でグロープラズマを励起して活性
化し、エッチングガスとなり円環状反応室21に入り、露
出した半導体ウエーハ10の円周端面に作用して所要のエ
ッチングが行われ、該端面の膜等が除去され排気ガスと
ともに排出される。
【００２５】実施例２ 図４、図５に示すエッチング装置は、円筒型の大気圧近
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。板材間
に４本の脚を立設して各部材を支持する装置枠体３０の
中央部には、半導体ウエーハ１０のチャッキング装置を
構成する下ホルダー３２が中心脚３１及び板材にて固着
してあり、また、下ホルダー３２と対をなす円盤型の上
ホルダー３３は４本脚をガイドに上下動自在にした板材
に固着してある。
傍グロープラズマ発生装置を装着した例である。板材間
に４本の脚を立設して各部材を支持する装置枠体３０の
中央部には、半導体ウエーハ１０のチャッキング装置を
構成する下ホルダー３２が中心脚３１及び板材にて固着
してあり、また、下ホルダー３２と対をなす円盤型の上
ホルダー３３は４本脚をガイドに上下動自在にした板材
に固着してある。
【００２６】下ホルダー３２は外周側にＯリングパッキ
ン３４を配置し半導体ウエーハ１０を載置するための円
盤型の中心部３５と、これに空隙を介して配置するリン
グ状の外周部３６とからなり、空隙上面が円周状の反応
室３７を形成し、中心部３５と外周部３６との間が反応
室３７に連通するガス供給通路３８を形成しており、ま
た中心部３５には半導体ウエーハ１０を載置して吸着す
るため、吸引用の減圧ポンプＶＰに接続される貫通孔３
９を設けてある。また、下ホルダー３２には反応室３４
に連通するガス排気孔４０が配設してある。
ン３４を配置し半導体ウエーハ１０を載置するための円
盤型の中心部３５と、これに空隙を介して配置するリン
グ状の外周部３６とからなり、空隙上面が円周状の反応
室３７を形成し、中心部３５と外周部３６との間が反応
室３７に連通するガス供給通路３８を形成しており、ま
た中心部３５には半導体ウエーハ１０を載置して吸着す
るため、吸引用の減圧ポンプＶＰに接続される貫通孔３
９を設けてある。また、下ホルダー３２には反応室３４
に連通するガス排気孔４０が配設してある。
【００２７】上ホルダー３３には半導体ウエーハ１０と
相似形の凹部４１を設けて残る内周端面部にはパッキン
４２を設け、下ホルダー３２に載置した半導体ウエーハ
１０の円周端面を除くウエーハ主面にパージ用Ｎ2ガス
を供給する構成からなる。
相似形の凹部４１を設けて残る内周端面部にはパッキン
４２を設け、下ホルダー３２に載置した半導体ウエーハ
１０の円周端面を除くウエーハ主面にパージ用Ｎ2ガス
を供給する構成からなる。
【００２８】下ホルダー３２の下面には石英製の内管４
３に絶縁部材４４を介して外管４５が同軸配置され、内
管４３と外管４５の上端でその円周状の空隙とガス供給
通路３８が連通し、また、外管４５の下端側で反応ガス
供給管４６と接続されている。内管４３の内周面には導
電性ペーストからなる電極４８と金網からなる電極４７
が配置され、外管４５の外周面には導電性ペーストから
なる電極４８が設けてあり、Ｒ．Ｆユニットに接続して
ある。従って、石英製誘電体からなる内管４３と外管
４，５を同軸配置して、その管間に所要の放電空隙を形
成して反応ガスを供給して、各管の電極４７，４８間に
高周波電源を印加することができる円筒状放電部４９を
形成してある。
３に絶縁部材４４を介して外管４５が同軸配置され、内
管４３と外管４５の上端でその円周状の空隙とガス供給
通路３８が連通し、また、外管４５の下端側で反応ガス
供給管４６と接続されている。内管４３の内周面には導
電性ペーストからなる電極４８と金網からなる電極４７
が配置され、外管４５の外周面には導電性ペーストから
なる電極４８が設けてあり、Ｒ．Ｆユニットに接続して
ある。従って、石英製誘電体からなる内管４３と外管
４，５を同軸配置して、その管間に所要の放電空隙を形
成して反応ガスを供給して、各管の電極４７，４８間に
高周波電源を印加することができる円筒状放電部４９を
形成してある。
【００２９】下ホルダー３２上に半導体ウエーハ１０を
載置して吸着し、さらに上ホルダー３３を載せた後、円
筒状放電部４９に反応ガス 供給管４６から、例えばＣ
Ｆ4ガスをＡｒまたはＨｅガスをキャリアガスとして供
給して高周波電圧が印加すると、大気圧でグロープラズ
マを励起して活性化し、これがエッチングガスとして上
昇し、反応室３７にて露出した半導体ウエーハ１０の円
周端面に作用して所要のエッチングを行うことにより、
該端面の膜等が除去され排気ガスとともに排出される。
載置して吸着し、さらに上ホルダー３３を載せた後、円
筒状放電部４９に反応ガス 供給管４６から、例えばＣ
Ｆ4ガスをＡｒまたはＨｅガスをキャリアガスとして供
給して高周波電圧が印加すると、大気圧でグロープラズ
マを励起して活性化し、これがエッチングガスとして上
昇し、反応室３７にて露出した半導体ウエーハ１０の円
周端面に作用して所要のエッチングを行うことにより、
該端面の膜等が除去され排気ガスとともに排出される。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、フッ素化合物ガスを大気圧
下でグロープラズマ励起させて活性化したエッチングガ
スにより、ウエーハ端面に成膜されたあるいは付着した
絶縁材や金属などを完全に除去できるため、プロセスで
の端面部の接触による発塵を防止できる。従来のエッチ
ング 液に浸漬してウエーハ端面の膜を除去する方法に
比較して、エッチング力が強く、またエッチング液の残
留にともなう過度のエッチングがなく、さらに、デバイ
スプロセスの任意の工程で実施できるため、半導体ウエ
ーハの発塵防止に極めて有利である。
下でグロープラズマ励起させて活性化したエッチングガ
スにより、ウエーハ端面に成膜されたあるいは付着した
絶縁材や金属などを完全に除去できるため、プロセスで
の端面部の接触による発塵を防止できる。従来のエッチ
ング 液に浸漬してウエーハ端面の膜を除去する方法に
比較して、エッチング力が強く、またエッチング液の残
留にともなう過度のエッチングがなく、さらに、デバイ
スプロセスの任意の工程で実施できるため、半導体ウエ
ーハの発塵防止に極めて有利である。
【図１】この発明による円周型エッチング装置の構成を
示す縦断説明図である。
示す縦断説明図である。
【図２】この発明による円周型エッチング装置の放電部
の構成を示す一部破断斜視説明図である。
の構成を示す一部破断斜視説明図である。
【図３】この発明による円周型エッチング装置のガスの
給排気構成を示すブロック説明図である。
給排気構成を示すブロック説明図である。
【図４】この発明による円筒型エッチング装置の構成を
示す斜視説明図である。
示す斜視説明図である。
【図５】この発明による円筒型エッチング装置の要部の
構成を示す縦断説明図である。
構成を示す縦断説明図である。
1 円盤型エッチング装置 2 上ホルダー 3 下ホルダー 4,5 カップ状フレーム 6,7 Oリングパッキン 8,9 貫通孔 10 半導体ウェーハ 11 円環状放電部 12,13 リング部材 14,15 銅管 16,17 リング状誘電体 18 導電性ペースト 19 金属箔 20 冷却水配管 21 反応室 22 排気孔 30 装置枠体 31 中心脚 32 下ホルダー 33 上ホルダー 34 Oリングパッキン 35 中心部 36 外周部 37 反応室 38 ガス供給通路 39 貫通孔 40 ガス排気孔 41 凹部 42 パッキン 43 内管 44 絶縁部材 45 外管 46 反応ガス供給管 47,48 電極 49 円筒状放電部 50 ガススクラバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−281730（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−97869（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/304 645 H05H 1/46
Claims (3)
- 【請求項１】 大気圧近傍に保持される放電部内にフッ
素化合物ガスを不活性ガスのキャリアガスで搬送導入し
て、励起されたグロープラズマにて活性化するグロープ
ラズマ発生手段にて得た前記ガスからなるエッチングガ
スを、前記プラズマ発生手段外に配置されたチャッキン
グ手段にて半導体ウエーハの両主面を被覆支持して露出
させた外周端面部へ移送し、同部を該エッチングガスに
てエッチングするウエーハ端面のエッチング方法。 - 【請求項２】 半導体ウエーハの両主面を被覆支持して
所要の円周端面を露出させるチャッキング手段と、リン
グ状の一対の石英板が所要放電空隙を介して対向配置さ
れ、各石英板裏面側に電極を設けた円環状放電室を有
し、該放電室の外周側からフッ素化合物ガスと不活性ガ
スのキャリアガスを導入して、グロープラズマを励起し
て活性化したエッチングガスを得る大気圧近傍グロープ
ラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段と前記チャッキ
ング手段のとの間に形成された半導体ウエーハの円周端
面が露出された円環状反応室内に、前記エッチングガス
を移送し、反応室内でウエーハ端面に接触させた後に排
気するガスの給排気手段を有するウエーハ端面のエッチ
ング装置。 - 【請求項３】 半導体ウエーハの両主面を被覆支持して
所要の円周端面を円環状反応室内に露出させるチャッキ
ング手段と、石英製の内管と外管間に所要放電空隙通路
を設けて内管の内周面と外管の外周面に電極を設けて電
源に接続した円筒状放電室の一方側からフッ素化合物ガ
スと不活性ガスのキャリアガスを供給し、グロープラズ
マを励起して活性化したエッチングガスを該放電室の他
方側に導出する大気圧近傍グロープラズマ発生手段と、
前記放電室の他方側から前記チャッキング手段の円環状
反応室に前記エッチングガスを移送し、反応室内でウエ
ーハ端面に接触させた後に排気するガスの給排気手段を
有するウエーハ端面のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014991A JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014991A JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582478A JPH0582478A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3151014B2 true JP3151014B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17482229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27014991A Expired - Fee Related JP3151014B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | ウエーハ端面のエッチング方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3151014B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101905093B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-10-05 | 영남강철 주식회사 | 이층침대 |
| KR102146262B1 (ko) | 2016-06-07 | 2020-08-21 | 이래에이엠에스 주식회사 | 프레스 앤 피트 방식 체결기구 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
| JP3312377B2 (ja) * | 1993-12-09 | 2002-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | ろう材による接合方法及び装置 |
| US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
| JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
| JP3521587B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
| WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
| JP3598602B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2004-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマエッチング方法、液晶表示パネルの製造方法、及びプラズマエッチング装置 |
| JPH09233862A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-09-05 | Seiko Epson Corp | 圧電体を用いた発電方法、発電装置および電子機器 |
| JPH09312545A (ja) | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置 |
| US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
| DE19860163B4 (de) * | 1998-02-18 | 2005-12-29 | Sez Ag | Verfahren zum Trockenätzen eines Wafers |
| JP4714384B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-06-29 | 株式会社アルバック | ウエハエッジ部分の処理方法及びプラズマ処理装置 |
| EP1610368A4 (en) | 2003-03-06 | 2008-12-03 | Sekisui Chemical Co Ltd | APPARATUS AND PROCESS FOR PLASMA PROCESSING |
| JP4772399B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-09-14 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周の処理方法及び処理装置 |
| KR101218114B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2013-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
| US20070068623A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-29 | Yunsang Kim | Apparatus for the removal of a set of byproducts from a substrate edge and methods therefor |
| US7909960B2 (en) | 2005-09-27 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer |
| JP2007220890A (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 塗布現像処理装置における基板周縁処理方法 |
| JP4410771B2 (ja) | 2006-04-28 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法 |
| US8580078B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with vacuum chuck |
| US7943007B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-05-17 | Lam Research Corporation | Configurable bevel etcher |
| US8398778B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
| US7858898B2 (en) | 2007-01-26 | 2010-12-28 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with gap control |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP27014991A patent/JP3151014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102146262B1 (ko) | 2016-06-07 | 2020-08-21 | 이래에이엠에스 주식회사 | 프레스 앤 피트 방식 체결기구 |
| KR101905093B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-10-05 | 영남강철 주식회사 | 이층침대 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0582478A (ja) | 1993-04-02 |
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