JP5236127B1 - 電力半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明にかかる電力半導体装置の実施の形態1の構成を示す分解斜視図である。図2は、実施の形態1にかかる電力半導体装置の断面図である。実施の形態1にかかる電力半導体装置100は、モールド部1と、放熱フィン2と、金属板3とを有する。
実施の形態2にかかる電力半導体装置は、実施の形態1と同様であり、図1、図2に示したようにモールド部1と、放熱フィン2と、金属板3とを有する。モールド部1は、図3に示したように、電力半導体素子11と、電力半導体素子11を搭載するベース板12と、電力半導体素子11を封止するモールド樹脂13とを備えている。図8は、本発明にかかる電力半導体装置の実施の形態2の金属板の平面図である。金属板3は、開口31が切除部として切り取られており、開口31には凸部121を挿入可能である。開口31の四辺の縁には、金属箔34が貼り付けられている。金属箔34としては、銅箔やアルミ箔などの展性に優れ、金属板3よりも軟質の金属を材料とした箔を適用可能である。
Claims (3)
- 電力半導体素子と、一方の面に前記電力半導体素子が載置され、複数の溝を有する凸部が他方の面に形成されたベース板と、前記凸部が露出するように前記電力半導体素子を封止するモールド樹脂とを有するモールド部と、
前記複数の溝の各々に挿入されてかしめにより前記ベース板に固着された複数の放熱フィンと、
前記凸部が挿入される切除部を有し、該切除部に前記凸部を挿入して前記モールド部と前記複数の放熱フィンとの間に配置される金属板とを備えた電力半導体装置であって、
前記金属板は、前記切除部の縁から突出し、前記凸部を前記切除部に挿入した際に前記凸部の側面に食い込む突起を有することを特徴とする電力半導体装置。 - 前記切除部は、矩形状であり、前記突起は、前記切除部の対向する2辺の縁に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電力半導体装置。
- 電力半導体素子と、一方の面に前記電力半導体素子が載置され、複数の溝を有する凸部が他方の面に形成されたベース板と、前記凸部が露出するように前記電力半導体素子を封止するモールド樹脂とを有するモールド部と、
前記複数の溝の各々に挿入されてかしめにより前記ベース板に固着された複数の放熱フィンと、
前記凸部が挿入される切除部を有し、該切除部に前記凸部を挿入して前記モールド部と前記複数の放熱フィンとの間に配置される金属板とを備えた電力半導体装置であって、
前記金属板は、前記切除部の縁に配置され、前記凸部を前記切除部に挿入した際に、前記凸部と前記切除部との間に挟持される金属箔を有することを特徴とする電力半導体装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015046040A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 三菱電機株式会社 | かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール |
CN106170855A (zh) * | 2013-12-05 | 2016-11-30 | 三菱电机株式会社 | 电力半导体装置 |
CN109156093A (zh) * | 2016-04-04 | 2019-01-04 | 康普技术有限责任公司 | 用于高功率密度emi屏蔽的电子器件的热管理的系统和方法 |
US11152280B2 (en) | 2016-11-24 | 2021-10-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012105110A1 (de) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Montageträger und Verfahren zur Montage eines Montageträgers auf einem Anschlussträger |
JP6818039B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2021-01-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN113454773A (zh) * | 2019-02-26 | 2021-09-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置 |
CN114342069B (zh) * | 2019-08-29 | 2023-03-24 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004303866A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 放熱フィンを備えたヒートシンクおよび放熱フィンの固定方法 |
JP2006237149A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 電子機器の放熱装置 |
JP2009081157A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Funai Electric Co Ltd | 放熱板取付構造 |
JP2012049167A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5566052A (en) * | 1995-06-08 | 1996-10-15 | Northern Telecom Limited | Electronic devices with electromagnetic radiation interference shields and heat sinks |
JP3552047B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2004-08-11 | 古河電気工業株式会社 | ヒートシンク、その製造方法、および、押圧治具 |
JP3828036B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-09-27 | 三菱電機株式会社 | 樹脂モールド型デバイスの製造方法及び製造装置 |
SE527405C2 (sv) | 2004-07-26 | 2006-02-28 | Volvo Constr Equip Holding Se | Arrangemang och förfarande för styrning av ett arbetsfordon |
CN1953646A (zh) * | 2005-10-18 | 2007-04-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 能防电磁干扰的散热装置 |
KR101186781B1 (ko) * | 2008-06-12 | 2012-09-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력 반도체 회로 장치 및 그 제조 방법 |
JP5418601B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-02-19 | 三菱電機株式会社 | 放熱機器及び放熱機器の製造方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004303866A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 放熱フィンを備えたヒートシンクおよび放熱フィンの固定方法 |
JP2006237149A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 電子機器の放熱装置 |
JP2009081157A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Funai Electric Co Ltd | 放熱板取付構造 |
JP2012049167A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015046040A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 三菱電機株式会社 | かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール |
CN105580134A (zh) * | 2013-09-27 | 2016-05-11 | 三菱电机株式会社 | 铆接散热器及散热器一体型功率模块 |
JP6091633B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-03-08 | 三菱電機株式会社 | かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法 |
JPWO2015046040A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法 |
US9892992B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-02-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Swaged heat sink and heat sink integrated power module |
CN105580134B (zh) * | 2013-09-27 | 2018-09-18 | 三菱电机株式会社 | 铆接散热器、散热器一体型功率模块、及它们的制造方法 |
DE112014004421B4 (de) | 2013-09-27 | 2021-07-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Verpresster Kühlkörper und Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper |
CN106170855A (zh) * | 2013-12-05 | 2016-11-30 | 三菱电机株式会社 | 电力半导体装置 |
CN106170855B (zh) * | 2013-12-05 | 2018-11-13 | 三菱电机株式会社 | 电力半导体装置 |
CN109156093A (zh) * | 2016-04-04 | 2019-01-04 | 康普技术有限责任公司 | 用于高功率密度emi屏蔽的电子器件的热管理的系统和方法 |
US10772245B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-09-08 | Commscope Technologies Llc | Systems and methods for thermal management for high power density EMI shielded electronic devices |
US11152280B2 (en) | 2016-11-24 | 2021-10-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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Publication number | Publication date |
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