JP4604954B2 - 半導体モジュールの絶縁構造 - Google Patents
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Description
上記絶縁材を挟んで対向配置された上記半導体モジュールの当接面と、上記導電性構造体の当接面とのうち、いずれか一方は他方よりも所定の荷重に対する変形量が小さい材料からなる難変形当接面であり、他方は該難変形当接面よりも前記所定の荷重に対する変形量が大きい材料からなる易変形当接面であり、
上記難変形当接面の外周の全ての角部は、上記易変形当接面の外周よりも外側に配されていることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造にある(請求項1)。
上記難変形当接面の外周の全ての角部は、上記易変形当接面の外周よりも外側に配されている。そのため、易変形当接面の外周よりも難変形当接面の外周が外側に配された部分においては、応力の集中を防ぎ、易変形当接面の変形を防ぐことができる。それ故、絶縁材に曲げの力が働くことを防止し、絶縁材の破損を防ぐことができる。その結果、半導体モジュールと導電性構造体との間における電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。
上記難変形当接面の外周の中でも特に角部が易変形当接面の表面に当接すると、この角部において応力が特に集中しやすく、易変形当接面が変形し、絶縁材破損の原因となりやすい。そこで、難変形当接面における全ての角部を易変形当接面の外周の外側に配することにより、絶縁材の破損を効果的に防ぐことができる。
また、上記絶縁材としては、例えば熱伝導性に優れたセラミック板等を用いることができる。また、絶縁材の厚みは、例えば、0.1〜1.0mmとすることができる。
また、上記導電性構造体としては、例えば、後述する冷却器の他、ヒートシンク、ケース、他の電子部品等がある。
また、上記難変形当接面の外周及び上記易変形当接面の外周は、例えば、矩形等の多角形、或いは、円形、楕円形、その他種々の形状とすることができる。
この場合には、難変形当接面と易変形当接面との当接構造において応力が集中する部分を無くすことができるため、絶縁材の破損を一層効果的に防ぐことができる。
この場合には、半導体モジュールを効率的に冷却することができると共に、半導体モジュールと冷却器との間の電気的絶縁性を確保することができる。
即ち、半導体モジュールの発熱を冷却器へ充分に放熱するためには、半導体モジュールと冷却器とを充分に加圧密着させる必要がある。そうすると、半導体モジュールと冷却器との間の絶縁材には大きな加圧力がかかることとなる。そこで、本発明を適用して応力集中を緩和することにより、半導体モジュールと冷却器との間に全体として大きな加圧力をかけたとしても、絶縁材の破損を効果的に防ぎ、電気的絶縁性を確保することができる。
このように、半導体モジュールの冷却効率の確保と電気的絶縁性の低下の防止との両立を図ることができる。
この場合には、導電性構造体である冷却器の易変形当接面が変形することを防いで、絶縁材の破損を防ぐことができる。
冷媒流路の形成方向と直交する方向について、上記半導体モジュールの上記難変形当接面の外周が、上記導電性構造体の上記易変形当接面よりも外側に配されていることとすることができる(請求項5)。
この場合には、半導体モジュールの冷却効率を向上させることができると共に、半導体モジュールと導電性構造体との配置を容易に行うことができる。
この場合には、組付け性に優れた半導体モジュールの絶縁構造を得ることができる。
なお、上記絶縁膜としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコン系樹脂等の樹脂膜とすることができる。或いは、PVD(物理的気相蒸着法)やCVD(化学的気相蒸着法)によって成膜した炭素系皮膜、窒化アルミニウム皮膜、窒化珪素皮膜等の絶縁薄膜を用いることもできる。
本発明の実施例に係る半導体モジュールの絶縁構造につき、図1、図2を用いて説明する。
本例の半導体モジュールの絶縁構造は、半導体素子11を内蔵した半導体モジュール1と、該半導体モジュール1に接触配置した絶縁材2と、半導体モジュール1との間に絶縁材2を挟むように該絶縁材2に接触配置した導電性構造体としての冷却器3とが、互いに加圧密着してなる。
本例においては、半導体モジュール1が難変形当接面15を有し、冷却器3が易変形当接面35を有する。
そして、難変形当接面15の外周151の少なくとも一部は、易変形当接面35の外周351よりも外側に配されている。
冷却器3の易変形当接面35はアルミからなり、半導体モジュール1の難変形当接面15は、銅からなる。
なお、難変形当接面15は、同一面を形成していれば、同一材料によって構成されていなくてもよい。例えば、銅とその周囲に形成されたモールド材のように、異種材料によって同一面を形成し、上記難変形当接面15とすることもできる。
そして、図2の矢印Fに示すごとく、冷却器3が半導体モジュール1に向かって加圧された状態で組み付けられている。
また、半導体モジュール1と絶縁材2との間、及び絶縁材2と冷却器3との間は、それぞれ放熱グリスが充填されている。ただし、放熱グリスを充填せずに、半導体モジュール1と絶縁材2、及び絶縁材2と冷却器3とを直接接触させてもよい。或いは接着剤を介在させてもよい。
上記難変形当接面15の外周151の少なくとも一部は、上記易変形当接面35の外周351よりも外側に配されている。そのため、少なくとも、易変形当接面35の外周351よりも難変形当接面15の外周151が外側に配された部分においては、応力の集中を防ぎ、易変形当接面35の変形を防ぐことができる。それ故、絶縁材2に曲げの力が働くことを防止し、絶縁材2の破損を防ぐことができる。その結果、半導体モジュール1と冷却器3との間における電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。
難変形当接面15の外周151の中でも特に角部152が易変形当接面35の表面に当接すると、この角部152において応力が特に集中しやすく、易変形当接面35が変形し、絶縁材2破損の原因となりやすい。そこで、難変形当接面15における全ての角部152を易変形当接面35の外周351の外側に配することにより、絶縁材2の破損を効果的に防ぐことができる。
即ち、半導体モジュール1の発熱を冷却器3へ充分に放熱するためには、半導体モジュール1と冷却器3とを充分に加圧密着させる必要がある。そうすると、半導体モジュール1と冷却器3との間の絶縁材2には大きな加圧力がかかることとなる。そこで、本発明を適用して応力集中を緩和することにより、半導体モジュール1と冷却器3との間に全体として大きな加圧力をかけたとしても、絶縁材2の破損を効果的に防ぎ、電気的絶縁性を確保することができる。
このように、半導体モジュール1の冷却効率の確保と電気的絶縁性の低下の防止との両立を図ることができる。
本例は、図3に示すごとく、半導体モジュール1の両面にそれぞれ絶縁材2を介して導電性構造体としての冷却器3を加圧密着させた絶縁構造の例である。
即ち、本例の半導体モジュール1は、両面冷却型の半導体モジュールであって、放熱板150を両面に有する。そして、各放熱板150の表面である難変形当接面15に対して、絶縁材2を介して冷却器3を加圧密着させている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図4に示すごとく、難変形当接面15の全外周151を、易変形当接面35の外周351よりも外側に配した例である。
即ち、半導体モジュール1の放熱板150の表面である難変形当接面15の外周151の全てが、導電性構造体である冷却器3の易変形当接面35の外周よりも外側に配されている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図5に示すごとく、導電性構造体としての冷却器3の内部に冷却媒体を流通させる冷媒流路31を形成した例である。
そして、冷媒流路31の形成方向と直交する方向について、半導体モジュール1の難変形当接面15の外周151が、冷却器3の易変形当接面35よりも外側に配されている。「冷媒流路31の形成方向」は図5における紙面に垂直な方向であり、「冷媒流路31の形成方向と直交する方向」は図5における左右の方向である。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図6〜図9に示すごとく、冷媒流路31を有する冷却器3を導電性構造体として、半導体モジュール1の両面に配置した例である。
また、図8、図9に示すごとく、冷却器3の易変形当接面35は他の部分よりも突出して形成されている。これにより、半導体モジュール1の難変形当接面15の外周151の全てを、易変形当接面35の外周351よりも外側に配置できるようにしている。
以上により、本例は、上記実施例2〜4を組合わせた態様としている。
即ち、半導体モジュール1を両面から冷却することができるため、半導体モジュール1の冷却効率を向上させることができる。また、難変形当接面15と易変形当接面35との当接構造において応力が集中する部分を無くすことができるため、絶縁材2の破損を一層効果的に防ぐことができる。更には、冷却媒体を用いて半導体モジュール1を冷却することができるため、半導体モジュール1の冷却効率を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図10に示すごとく、難変形当接面15である半導体モジュール1の放熱板150の表面に密着した絶縁膜を、半導体モジュール1と冷却器3との間の絶縁材2とした例である。
上記絶縁膜としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコン系樹脂等の樹脂膜とすることができる。或いは、PVD(物理的気相蒸着法)やCVD(化学的気相蒸着法)によって成膜した炭素系皮膜、窒化アルミニウム皮膜、窒化珪素皮膜等の絶縁薄膜を用いることもできる。
また、本例においては、導電性構造体としての冷却器3に冷媒流路31を設けている。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図11に示すごとく、易変形当接面35である導電性構造体としての冷却器3の表面に密着した絶縁膜を、半導体モジュール1と冷却器3との間の絶縁材2とした例である。
絶縁膜(絶縁材2)は、冷却器3の全周を覆うように形成されている。
その他は、実施例6と同様である。
本例の場合にも、実施例6と同様に、組付け性に優れた半導体モジュールの絶縁構造を得ることができる。
また、上記実施例においては、難変形当接面を構成する材料として銅を、易変形当接面を構成する材料としてアルミを用いたが、難変形当接面を易変形当接面よりも、所定の荷重に対する変形量が小さい材料で構成すれば、上記の材料に限らず、種々の材料を用いることができる。
11 半導体素子
15 難変形当接面
151 外周
2 絶縁材
3 冷却器
35 易変形当接面
351 外周
Claims (7)
- 半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接触配置した絶縁材と、上記半導体モジュールとの間に上記絶縁材を挟むように該絶縁材に接触配置して上記半導体モジュールを冷却する導電性構造体とが、互いに加圧密着してなり、
上記絶縁材を挟んで対向配置された上記半導体モジュールの当接面と、上記導電性構造体の当接面とのうち、いずれか一方は他方よりも所定の荷重に対する変形量が小さい材料からなる難変形当接面であり、他方は該難変形当接面よりも前記所定の荷重に対する変形量が大きい材料からなる易変形当接面であり、
上記難変形当接面の外周の全ての角部は、上記易変形当接面の外周よりも外側に配されていることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。 - 請求項1において、上記難変形当接面の全外周は、上記易変形当接面の外周よりも外側に配されていることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
- 請求項1又は2において、上記導電性構造体は、上記半導体モジュールを冷却する冷却器であることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
- 請求項3において、上記半導体モジュールが上記難変形当接面を有し、上記導電性構造体が上記易変形当接面を有することを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
- 請求項4において、上記導電性構造体は、内部に冷却媒体を流通させる冷媒流路を形成してなり、該冷媒流路の形成方向と直交する方向について、上記半導体モジュールの上記難変形当接面の外周が、上記導電性構造体の上記易変形当接面よりも外側に配されていることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
- 請求項1〜5のいずれか一項において、上記絶縁材は、上記難変形当接面又は上記易変形当接面のいずれか一方又は双方に密着した絶縁膜からなることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
- 請求項1〜6のいずれか一項において、上記難変形当接面は銅からなり、上記易変形当接面はアルミニウムからなることを特徴とする半導体モジュールの絶縁構造。
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