JP4935220B2 - パワーモジュール装置 - Google Patents
パワーモジュール装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4935220B2 JP4935220B2 JP2006199269A JP2006199269A JP4935220B2 JP 4935220 B2 JP4935220 B2 JP 4935220B2 JP 2006199269 A JP2006199269 A JP 2006199269A JP 2006199269 A JP2006199269 A JP 2006199269A JP 4935220 B2 JP4935220 B2 JP 4935220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- semiconductor chip
- power module
- radiator
- module device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 77
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
なお、このベースは、絶縁材料からなるシート、ブロック等の他、放熱体表面に形成した被覆、放熱体を覆うカバー等も含むものとする。
また、前記放熱体として、導電性流体が流通される冷媒管であり、流路の内周面に絶縁被膜が形成されている構成とすることによっても、同様に、流体の取扱いを容易にすることができる。
このような構成とすることにより、半導体チップで発生する熱はヒートパイプによって吸収され、該ヒートパイプから冷媒管に伝達して移送される。この場合、ヒートパイプと冷媒管との間には絶縁材料からなるベースが介在しているが、半導体チップの熱は、絶縁材を介することなく、ヒートパイプによって吸収してしまうので、ヒートパイプの熱容量やベースの肉厚等を適宜に設定することにより、速やかな熱放散を可能にすることができる。また、冷媒管は半導体チップに対して電気的絶縁状態とされるので、その外部への固定等を容易にすることができる。
このような構成とすることにより、放熱体との間の電気的な絶縁状態を確保してポンプが取り付けられることになる。
(第1参考形態)
図1から図3は、第1参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置1は、半導体チップ2が例えばアルミニウム合金製の放熱体3の上に導電性グリース等の導電性接合材4を介して直接搭載されるとともに、この放熱体3が、内部に絶縁性流体が流通される冷媒管とされている構成である。この放熱体3としての冷媒管は、アルミニウム合金等の押し出し成形等により、比較的薄肉で扁平なブロック状に形成されるとともに、その幅方向に並んで複数の流路5が相互に平行に形成された構成とされている。また、図2に示すように、放熱体3は絶縁性材料からなるベース6上に固定されており、該ベース6には、半導体チップ2を上方から押圧する板状ばね部材からなる押圧部材7が設けられ、半導体チップ2と放熱体3とを密着させている。
そして、図3に示すように、この放熱体3の両端に、ゴム、合成樹脂等の絶縁材料からなる絶縁性管15が循環路を形成するように接続され、この絶縁性管15の途中にポンプ16、熱交換器17等が設けられる。
また、半導体チップ2の電流経路の一方の電極であるドレイン電極を導電性接合材4を介して放熱体3に接続しているから、半導体チップ2にリード線を直接接続する場合に比べて、そのリード線による発熱の影響も少なくすることができる。
(第2参考形態)
図4は第2参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置21は、半導体チップ2が金属製放熱体3の上に導電性接合材4を介して直接搭載されるとともに、この放熱体3が、内部に絶縁性流体が流通される冷媒管とされている構成である点、及び半導体チップ2のドレイン電極が導電性接合材4を介して放熱体3に接続され、該放熱体3に外部接続用リード線13が接続されている点等は、第1参考形態のものと同様であるが、放熱体3において半導体チップ2が搭載されている表面に、半導体チップ2と並んで二つの中継基板22・23が搭載され、これら中継基板22・23に、半導体チップ2のソース電極8及びゲート電極9がそれぞれ接続されている点が異なる構成である。
この第2参考形態のパワーモジュール装置21は、半導体チップ2から直接リード線を外部に引き回せない場合等に有効であり、中継基板22・23を放熱体3上の配線し易い適宜の位置に配置することにより、外部への接続を容易にすることができる。
図5は第3参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置31は、第1参考形態のパワーモジュール装置1が放熱体3に絶縁性流体を流通させていたのに対して、水等の非絶縁性の流体が流通され、放熱体32の流路33の内周面に絶縁被膜34が形成されている点が異なるものであり、その他の構成は第1参考形態のものと同じである。
この第3参考形態のパワーモジュール装置31においては、放熱体32内を流通させられる冷媒として水を使用することができ、流体としての取扱いが容易になる。
図6は第4参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置41は、第1参考形態のパワーモジュール装置1におけるものに比べて、放熱体42の厚さ、特に流路5と半導体チップ2との間の部分の厚さを大きくしたものであり、その部分を熱拡散部43として機能させたものである。
したがって、この第4参考形態のパワーモジュール装置41においては、半導体チップ2で発生した熱は、導電性接合材4を介して放熱体42に伝わり、この放熱体42の熱拡散部43において厚さ方向のみならず面方向にも速やかに伝導し、該放熱体42内の各流路5に分散して吸収されるので、放熱効果に優れるものである。
図7は第5参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置45は、第3参考形態のものと同様、放熱体46の流路33の内周面に絶縁被膜34が形成されるとともに、この放熱体46における流路33と半導体チップ2との間の部分の厚さが第4参考形態のもののように大きく形成され、その部分が熱拡散部43として機能させられたものである。
したがって、この第5参考形態のパワーモジュール装置45においても、放熱体46の熱拡散部43において熱が面方向にも速やかに伝達して、各流路33に分散させることができ、放熱効果に優れるものである。
図8は本発明の第6実施形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置51は、今までの第1参考形態から第5参考形態では放熱体が冷媒管であったのに対して、放熱体52がヒートパイプとされたものである。この放熱体52であるヒートパイプは、薄肉のブロック状に形成され、その一端部が蒸発部(熱吸収部)53、他端部が凝縮部(放熱部)54とされ、蒸発部53の上面に前記各参考形態の冷媒管と同様に導電性接合材4を介して半導体チップ2が搭載されるとともに、凝縮部54の表裏両面に、それぞれセラミックス板等の絶縁材55を介して冷媒管56が接合されている。そして、半導体チップ2のドレイン電極が導電性接合材4を介して放熱体としてのヒートパイプ52に接続され、該ヒートパイプ52に外部接続用リード線13が接続されている。
図9は本発明の第7実施形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置61は、図8の第6実施形態のパワーモジュール装置51が多段に積層された構成とされている。すなわち、第1半導体チップ2の裏面が導電性接合材4を介して第1放熱体(ヒートポンプ)52の蒸発部53に接合されるとともに、該第1放熱体52の凝縮部54の表裏両面に絶縁材55を介して冷媒管56が接合され、一方、第1半導体チップ2の上面に第2放熱体(ヒートポンプ)62の蒸発部63が導電性接合材4を介して接合され、該第2放熱体62の蒸発部63に第2半導体チップ64が導電性接合材4を介して接合され、第2放熱体62の凝縮部65の表裏両面に絶縁材55を介して冷媒管56が接合された構成とされている。
図10は本発明の第8実施形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置71は、二つの半導体チップ2・64が導電性接合材4を介してヒートパイプからなる第1放熱体52に並べて搭載されるとともに、これら半導体チップ2・64の上面に同じく導電性接合材4を介してヒートパイプからなる第2放熱体62が接合されている。この場合、両放熱体52・62は厚肉のブロック状に形成されており、その側面間に半導体チップ2・64を挟むように保持している。また、各放熱体52・62の表裏両面に絶縁材55を介して冷媒管32がそれぞれ接合されている。
図10の例では、冷媒管32の内周部に絶縁被膜34が形成されているため、絶縁材55は必ずしも必要ないが、この絶縁材55を介在させる場合には、冷媒管として絶縁被覆34を有しないものを使用してもよい。
図11は第9参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置75は、半導体チップ2の両面に導電性接合材4を介して放熱体32・32としての冷媒管が接合され、裏面側の放熱体32にドレイン電極が接続され、表面側の放熱体32にソース電極8が接続され、ゲート電極9は絶縁被覆65がされた状態で両放熱体32の間を通って外部に引き出されている。この図9の例では、図5の例と同様に、放熱体32・32の各流路33の内周面に絶縁被覆34がされ、非絶縁性流体が流通される構成である。
図12は第10参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置81は、第9参考形態と同じように積層された放熱体32、半導体チップ2、放熱体32が絶縁性樹脂からなる樹脂封止体82により一体に封止された構成されている。この場合、図3に示した例と同様に、両放熱体32・32の両端部には絶縁性材料からなる絶縁性管が循環路を形成するように接続されるが、樹脂封止体82は、これら放熱体32・32の両端部を露出させた状態として、その露出端部に絶縁性管を接続する構成としてもよいし、絶縁性管の接続部も含めて樹脂封止する構成としてもよい。
図13は第11参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置85は、放熱体32としての冷媒管と、半導体チップ2とを複数直列状態に積層してなるものであり、その最下層の放熱体32にドレイン電極からの外部接続用リード線13が引き出され、最上層の放熱体32にソース電極8からの外部接続用リード線11が引き出され、各放熱体32の間から各半導体チップ2のゲート電極9に接続された外部接続用リード線12が引き出されている。
図14は第12参考形態のパワーモジュール装置を示しており、このパワーモジュール装置91は、四つの半導体チップ2が並列に並べられ、その両面に放熱体32としての冷媒管がそれぞれ導電性接合材4を介して接合された構成である。下側の放熱体32には、各半導体チップ2のドレイン電極に接続される外部接続用リード線13が引き出され、上側の放熱体32には、各半導体チップ2のソース電極8に接続される外部接続用リード線11が引き出され、両放熱体32の間からは、各半導体チップ2のゲート電極9に接続された外部接続用リード線12が引き出されている。
本発明において、絶縁材料からなるベースには、前記実施形態及び参考形態におけるベース6、樹脂封止体82、絶縁材55のいずれも含むものとする。
さらに、冷媒流体としては液体以外にも気体も適用可能であり、また、放熱体を管の構造とせずにブロック状として、その外側に気体の冷媒を吹き付ける構成とするなど、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
Claims (1)
- 導電性材料からなる放熱体は、一端部が蒸発部、他端部が凝縮部とされたヒートパイプからなり、
前記蒸発部の表面に導電性接合材を介して半導体チップが搭載されるとともに、前記凝縮部の表裏両面に、それぞれ絶縁材を介して冷媒管が接続されており、
該半導体チップの電流経路における一方の電極が前記導電性接合材を介して放熱体に電気的に接続状態とされていることを特徴するパワーモジュール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006199269A JP4935220B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | パワーモジュール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006199269A JP4935220B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | パワーモジュール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008028163A JP2008028163A (ja) | 2008-02-07 |
JP4935220B2 true JP4935220B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39118487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006199269A Expired - Fee Related JP4935220B2 (ja) | 2006-07-21 | 2006-07-21 | パワーモジュール装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4935220B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5489911B2 (ja) | 2010-08-18 | 2014-05-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JP2012059857A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
WO2013069277A1 (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-16 | ダイキン工業株式会社 | 半導体装置 |
DE102015214928A1 (de) | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Bauteilmodul und Leistungsmodul |
JP6711098B2 (ja) | 2016-04-15 | 2020-06-17 | オムロン株式会社 | 半導体装置の放熱構造 |
EP3249686A1 (en) | 2016-05-24 | 2017-11-29 | Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. | A power module |
DE102016114303A1 (de) | 2016-08-02 | 2018-02-08 | Infineon Technologies Ag | Packung mit teilweise gekapseltem Kühlkanal zum Kühlen eines gekapselten Chips |
CN107170714B (zh) * | 2017-06-14 | 2020-01-14 | 扬州国扬电子有限公司 | 一种低寄生电感功率模块及双面散热低寄生电感功率模块 |
JP6527931B1 (ja) * | 2017-12-18 | 2019-06-12 | 株式会社三社電機製作所 | 水冷式変圧器 |
CN111540717B (zh) * | 2020-05-06 | 2022-09-27 | 晏新海 | 一种功率模块 |
JP7560276B2 (ja) * | 2020-06-18 | 2024-10-02 | 日本発條株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000243886A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子の冷却体 |
JP4015975B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2007-11-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2005123265A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パワーデバイス冷却装置及びモータ駆動用インバータユニット |
JP4360624B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2009-11-11 | 古河電気工業株式会社 | 半導体素子冷却用ヒートシンク |
-
2006
- 2006-07-21 JP JP2006199269A patent/JP4935220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008028163A (ja) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4935220B2 (ja) | パワーモジュール装置 | |
US8324720B2 (en) | Power semiconductor module assembly with heat dissipating element | |
JP6217756B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US8391011B2 (en) | Cooling device | |
KR101017452B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
US20070236883A1 (en) | Electronics assembly having heat sink substrate disposed in cooling vessel | |
US20060087015A1 (en) | Thermally enhanced molded package for semiconductors | |
WO2015064197A1 (ja) | 半導体モジュール | |
WO2007145303A1 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP5217884B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2007007602A1 (ja) | 放熱装置およびパワーモジュール | |
JP5965687B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2008060172A (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2017130512A1 (ja) | パワーモジュール | |
JP5392196B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7163583B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2000156439A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2009021445A (ja) | インバータ装置 | |
JP2002164485A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2008124187A (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP6738193B2 (ja) | 伝熱構造体、絶縁積層材、絶縁回路基板およびパワーモジュール用ベース | |
JP2010021410A (ja) | サーモモジュール | |
JP3855726B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP4482824B2 (ja) | 両面冷却型半導体装置 | |
JP5621812B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4935220 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |