JP5217884B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。以下で示される半導体装置は、例えばインバータ装置などの電力変換装置に適用されるものである。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図4は、本実施形態に係る放熱配線シート50および第1冷却器10の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、本実施形態に係る放熱配線シート50は、第1金属板51と、第2金属板52と、各金属板51、52に挟まれた第2絶縁層40とによって構成されている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図5は、本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、本実施形態では、放熱配線シート50を構成する第1、第3絶縁物53、55それぞれは、第1冷却器10、第1絶縁層30、放熱配線シート50、半導体実装体60、第2絶縁層40、第2冷却器20が積層された方向に延びた位置決め部57、58を備えている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図6は、本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、半導体実装体60において、モールド樹脂72は、第1、第2放熱板61、62が露出した面に、該面が第3放熱板63側に凹んだ溝部74を有している。この溝部74は、第1放熱板61と第2放熱板62との間に設けられている。一方、放熱配線シート50の第2絶縁物54は、半導体実装体60側に突出した凸部59を有している。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図7は、本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、第1冷却器10は、第1冷却面11が凹んだ第1凹部12および第2凹部13を有している。第1凹部12は、第1冷却面11の上に半導体実装体60が配置されたときに第1放熱板61が第1冷却面11に投影された場所に設けられている。同様に、第2凹部13は、第1冷却面11の上に半導体実装体60が配置されたときに第2放熱板62が第1冷却面11に投影された場所に設けられている。
本実施形態では、第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図8は、本実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図1のA−A断面に相当する図である。この図に示されるように、図7に示された第1絶縁層30に半導体実装体60側に突出した凸部31が設けられている。一方、半導体実装体60のモールド樹脂72には、第1放熱板61と第2放熱板62とが露出した面に、第1放熱板61と第2放熱板62との間が凹んだ溝部74が設けられている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図9は、本実施形態に係る半導体装置の一部の側面図である。また、図10は図9のC−C断面図、図11は図9のD−D矢視図である。以下、図9〜図11を参照して説明する。
上記各実施形態では、半導体実装体60を両面で冷却する構造について説明したが、これは一例を示したものであり、他の構造であっても良い。例えば、半導体実装体60に第1放熱板61および第2放熱板62のみが備えられた片面放熱構造でも良い。この場合は、各半導体素子64〜67の接続は、ワイヤボンドやリボン状の超音波接合でも良いし、封止方法は金型に露出させたい放熱板を当接させて成形すれば良い。
11 第1冷却面
12 第1凹部
13 第2凹部
20 第2冷却器
21 第2冷却面
30 第1絶縁層
31 第1絶縁層の凸部
51、52 金属板
53〜55 絶縁物
57、58 位置決め部
59 第2絶縁物の凸部
60 半導体実装体
61〜63 放熱板
61a、62a 端部
64〜67 半導体素子
72 モールド樹脂
74 溝部
80、90 連結部
Claims (9)
- 冷却に寄与する第1冷却面(11)が設けられた第1冷却器(10)と、
前記第1冷却面(11)の上に配置された第1絶縁層(30)と、
前記第1絶縁層(30)の上に配置された金属板(51、52)と、
半導体素子(64〜67)と、前記半導体素子(64〜67)に熱的および電気的に接続された放熱板(61、62)と、前記放熱板(61、62)のうち前記半導体素子(64〜67)が接続された面とは反対側の面が露出するように、前記半導体素子(64〜67)および前記放熱板(61、62)を封止したモールド樹脂(72)とを備えて構成された複数の半導体実装体(60)とを備え、
前記複数の半導体実装体(60)それぞれは、前記金属板(51、52)の上に配置されると共に前記放熱板(61、62)それぞれが前記金属板(51、52)に接触させられており、
前記放熱板(61、62)それぞれは前記金属板(51、52)および前記第1絶縁層(30)を介して前記第1冷却面(11)によって冷却されると共に、前記金属板(51、52)が前記放熱板(61、62)に対する共通の配線とされて前記放熱板(61、62)それぞれに電気的に接続されており、
前記第1冷却器(10)は前記第1冷却面(11)の反対側にも第1冷却面(11)を有し、一方の第1冷却面(11)の上および他方の第1冷却面(11)の上に前記第1絶縁層(30)がそれぞれ配置されており、
前記金属板(51、52)はU字状に折り曲げられ、前記U字状の金属板(51、52)の一方の先端部が前記一方の第1冷却面(11)の上の第1絶縁層(30)の上に配置され、前記U字状の金属板(51、52)の他方の先端部が前記他方の第1冷却面(11)の上の第1絶縁層(30)の上に配置されることで、前記第1冷却器(10)の前記各第1冷却面(11)に前記第1絶縁層(30)がそれぞれ配置されたものが前記U字状の金属板(51、52)の両先端部に挟まれていることを特徴とする半導体装置。 - 冷却に寄与する第1冷却面(11)が設けられた第1冷却器(10)と、
前記第1冷却面(11)の上に配置された第1絶縁層(30)と、
前記第1絶縁層(30)の上に配置された金属板(51、52)と、
半導体素子(64〜67)と、前記半導体素子(64〜67)に熱的および電気的に接続された放熱板(61、62)と、前記放熱板(61、62)のうち前記半導体素子(64〜67)が接続された面とは反対側の面が露出するように、前記半導体素子(64〜67)および前記放熱板(61、62)を封止したモールド樹脂(72)とを備えて構成された複数の半導体実装体(60)とを備え、
前記複数の半導体実装体(60)それぞれは、前記金属板(51、52)の上に配置されると共に前記放熱板(61、62)それぞれが前記金属板(51、52)に接触させられており、
前記放熱板(61、62)それぞれは前記金属板(51、52)および前記第1絶縁層(30)を介して前記第1冷却面(11)によって冷却されると共に、前記金属板(51、52)が前記放熱板(61、62)に対する共通の配線とされて前記放熱板(61、62)それぞれに電気的に接続されており、
前記半導体素子(64〜67)には、一方の面に前記放熱板(61、62)が接続されると共に他方の面にも放熱板(63)が熱的および電気的に接続され、前記半導体素子(64〜67)の一方の面に接合された前記放熱板(61、62)の反対側の面と、前記他方の面に接合された前記放熱板(63)の反対側の面とがそれぞれ露出するように、前記モールド樹脂(72)によって前記半導体素子(64〜67)および前記各放熱板(61〜63)がそれぞれ封止されており、
前記半導体実装体(60)のうち、前記半導体素子(64〜67)の他方の面に接続された前記放熱板(63)が露出する面の上に配置された第2絶縁層(40)と、
冷却に寄与する第2冷却面(21)を有し、この第2冷却面(21)が前記第2絶縁層(40)に接触させられた第2冷却器(20)とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 冷却に寄与する第1冷却面(11)が設けられた第1冷却器(10)と、
前記第1冷却面(11)の上に配置された第1絶縁層(30)と、
前記第1絶縁層(30)の上に配置された金属板(51、52)と、
半導体素子(64〜67)と、前記半導体素子(64〜67)に熱的および電気的に接続された放熱板(61、62)と、前記放熱板(61、62)のうち前記半導体素子(64〜67)が接続された面とは反対側の面が露出するように、前記半導体素子(64〜67)および前記放熱板(61、62)を封止したモールド樹脂(72)とを備えて構成された複数の半導体実装体(60)とを備え、
前記複数の半導体実装体(60)それぞれは、前記金属板(51、52)の上に配置されると共に前記放熱板(61、62)それぞれが前記金属板(51、52)に接触させられており、
前記放熱板(61、62)それぞれは前記金属板(51、52)および前記第1絶縁層(30)を介して前記第1冷却面(11)によって冷却されると共に、前記金属板(51、52)が前記放熱板(61、62)に対する共通の配線とされて前記放熱板(61、62)それぞれに電気的に接続されており、
前記複数の半導体実装体(60)それぞれは、
前記半導体素子(64〜67)として第1半導体素子(64、65)と第2半導体素子(66、67)とを備え、
前記放熱板(61、62)として、前記第1半導体素子(64、65)が熱的および電気的に接続された第1放熱板(61)と、前記第2半導体素子(66、67)が熱的および電気的に接続された第2放熱板(62)とを備え、
前記第1放熱板(61)のうち前記第1半導体素子(64、65)が接続された面とは反対側の面と前記第2放熱板(62)のうち前記第2半導体素子(66、67)が接続された面とは反対側の面とが同一平面に配置されると共に露出するように、前記モールド樹脂(72)によって前記第1半導体素子(64、65)、前記第2半導体素子(66、67)、前記第1放熱板(61)、および前記第2放熱板(62)が封止されており、
さらに、前記金属板(51、52)として、第1金属板(51)と第2金属板(52)とを有し、前記第1金属板(51)および前記第2金属板(52)はそれぞれ離間して前記第1絶縁層(30)の上に配置され、
前記複数の半導体実装体(60)それぞれは、前記第1金属板(51)および前記第2金属板(52)の上に配置されると共に前記第1放熱板(61)が前記第1金属板(51)に接触させられ、前記第2放熱板(62)が前記第2金属板(52)に接触させられており、
前記第1放熱板(61)は前記第1金属板(51)および前記第1絶縁層(30)を介して前記第1冷却面(11)によって冷却されると共に、前記第2放熱板(62)は前記第2金属板(52)および前記第1絶縁層(30)を介して前記第1冷却面(11)によって冷却され、
前記第1金属板(51)が前記第1放熱板(61)に対する共通の配線とされて前記第1放熱板(61)それぞれに電気的に接続され、前記第2金属板(52)が前記第2放熱板(62)に対する共通の配線とされて前記第2放熱板(62)それぞれに電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1金属板(51)は第1絶縁物(53)と第2絶縁物(54)とに挟まれており、前記第2金属板(52)は前記第2絶縁物(54)と第3絶縁物(55)とに挟まれていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁物(53)および前記第3絶縁物(55)それぞれは、前記第1冷却器(10)、前記第1絶縁層(30)、および前記半導体実装体(60)の積層方向と同方向に延びた位置決め部(57、58)をそれぞれ備えており、
前記第1冷却器(10)、前記第1絶縁層(30)、および前記半導体実装体(60)は、前記第1絶縁物(53)の位置決め部(57)と前記第3絶縁物(55)の位置決め部(58)との間に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記モールド樹脂(72)は、前記第1放熱板(61)と前記第2放熱板(62)とが露出した面に、前記第1放熱板(61)と前記第2放熱板(62)との間が凹んだ溝部(74)を有し、
前記第2絶縁物(54)は、前記半導体実装体(60)側に突出した凸部(59)を有しており、
前記第2絶縁物(54)の凸部(59)が前記モールド樹脂(72)の溝部(74)に嵌め合わされていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。 - 前記第1冷却器(10)は、前記第1冷却面(11)が凹んだ第1凹部(12)および第2凹部(13)を有し、
前記第1絶縁層(30)は前記第1冷却面(11)の前記第1凹部(12)および前記第2凹部(13)に沿って前記第1冷却面(11)の上に配置され、
前記第1金属板(51)は前記第1絶縁層(30)を介して前記第1凹部(12)に配置され、前記第2金属板(52)は前記第1絶縁層(30)を介して前記第2凹部(13)に配置されており、
前記半導体実装体(60)それぞれは、前記第1金属板(51)および前記第2金属板(52)の上に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記モールド樹脂(72)は、前記第1放熱板(61)と前記第2放熱板(62)とが露出した面に、前記第1放熱板(61)と前記第2放熱板(62)との間が凹んだ溝部(74)を有し、
前記第1絶縁層(30)は、前記半導体実装体(60)側に突出した凸部(31)を有しており、
前記第1絶縁層(30)の凸部(31)が前記モールド樹脂(72)の溝部(74)に嵌め合わされていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記半導体実装体(60)は電力変換器を構成するものであり、
前記半導体実装体(60)に備えられた前記第1放熱板(61)および前記第2放熱板(62)のうちの一方が前記電力変換器の直流電源の陽極の電位とされ、他方が前記電力変換器の直流電源の陰極の電位とされることを特徴とする請求項3ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置。
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