JP5236124B1 - 二酸化炭素を還元する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下を具備する二酸化炭素還元装置を用意する工程(a)、
陰極室、
陽極室、
固体電解質膜、
カソード電極、および
アノード電極、ここで
前記カソード電極は、銅または銅化合物を具備し、
前記アノード電極は、AlxGa1-xN層(0<x≦1)およびGaN層が積層された窒化物半導体層からなる領域を具備し、
前記陰極室の内部には、第1電解液が保持され、
前記陽極室の内部には、第2電解液が保持され、
前記カソード電極は前記第1電解液に接しており、
前記アノード電極は前記第2電解液に接しており、
前記固体電解質膜は前記陰極室および前記陽極室との間に挟まれ、
前記第1電解液は前記二酸化炭素を含有しており、および
前記カソード電極は前記アノード電極に電気的に接続されており、
前記アノード電極に350ナノメートル以下の波長を有する光を照射して、前記第1電解液に含有されている二酸化炭素を前記カソード電極上で還元する工程(b)。
まず、本発明の基礎となった知見について説明する。
次に、本発明の実施態様について説明する。
以下を具備する二酸化炭素還元装置を用意する工程(a)、
陰極室、
陽極室、
固体電解質膜、
カソード電極、および
アノード電極、ここで
前記カソード電極は、銅または銅化合物を具備し、
前記アノード電極は、AlxGa1-xN層(0<x≦1)およびGaN層が積層された窒化物半導体層からなる領域を具備し、
前記陰極室の内部には、第1電解液が保持され、
前記陽極室の内部には、第2電解液が保持され、
前記カソード電極は前記第1電解液に接しており、
前記アノード電極は前記第2電解液に接しており、
前記固体電解質膜は前記陰極室および前記陽極室との間に挟まれ、
前記第1電解液は前記二酸化炭素を含有しており、および
前記カソード電極は前記アノード電極に電気的に接続されており、
前記アノード電極に350ナノメートル以下の波長を有する光を照射して、前記第1電解液に含有されている二酸化炭素を前記カソード電極上で還元する工程(b)。
以下、本発明の実施形態を説明する。
図1A〜図1Dは、本発明に係るアノード電極(光化学電極)の構成例を示す概略図である。図1Aは、アノード電極10aの基本構成を表しており、光が照射されるAlxGa1-xN層11(0<x≦1)、GaN層12、前記窒化物半導体を形成するために用いられる基板13(例えば、サファイア基板)、およびアノード電極10aを電気的に接続するための電極部14から構成されている。
図3は二酸化炭素を還元するための装置の一例の概略図を示す。装置300は陰極室302、陽極室305、および固体電解質膜306を具備する。
次に、上述された装置を用いて、二酸化炭素を還元する方法を説明する。
(実施例1)
サファイヤ基板上にシリコンをドープしたn形低抵抗GaN薄膜(膜厚:2.5ミクロン)、およびノンドープのAlxGa1-xN(0<x≦1)薄膜(膜厚:90ナノメートル、アルミニウム組成:11%(x=0.11))を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させた。そして、AlxGa1-xN層(0<x≦1)の一部を除去して、低抵抗GaN層上にチタン/アルミニウム/金からなる電極を形成した。このようにして図1Aに示すような、基板に形成されたn形GaN層上にAlxGa1-xN層(0<x≦1)が積層されたアノード電極を得た。
実施例1のアノード電極と同じ構成の電極に対し、溶液反応を用いて該アノード電極のAlxGa1-xN層(0<x≦1)上にニッケル微粒子および酸化ニッケル微粒子を含有する層を薄く形成し、図1Dに示すような、表面の一部が被覆されたAlxGa1-xN層(0<x≦1)を具備するアノード電極を作製した。
また比較例1として、サファイヤ基板上にシリコンをドープしたn形低抵抗GaN薄膜(膜厚:2.5ミクロン)のみを成長させた試料を作製した。
上記実施例及び上記比較例のアノード電極(光化学電極)を用いて、図3に示す二酸化炭素を還元するための装置を作製した。装置の詳細は以下の通りである。
第1電解液:0.5mol/Lの濃度を有する炭酸水素カリウム水溶液
第2電解液:1.0mol/Lの濃度を有する水酸化ナトリウム水溶液
固体電解質膜:ナフィオン膜(デュポン社製、ナフィオン117)
光源:キセノンランプ(出力:300W)
ガス導入管309を通じて、二酸化炭素ガスを30分間、第1電解液307にバブリングにより供給した。陽極室305は光照射窓(図示せず)を具備しており、当該光照射窓を介して、光源303からの光をAlxGa1-xN層(0<x≦1)とGaNを積層したアノード電極に照射した。光源303からは、350ナノメートル以下の波長を有するブロードなスペクトルを有する光を照射した。
形成するAlxGa1-xN層(0<x≦1)のアルミニウム含有量を19%(x=0.19)まで増加した以外は、実施例1と同様にアノード電極を作製し、上記の実験を行った。
窒化物半導体を形成する基板に単結晶のn形GaN基板を用い、図2Aの構成と同様のアノード電極をエピタキシャル成長によって作製した以外は、実施例1と同様にして上記の実験を行った。
AlxGa1-xN層(0<x≦1)とGaN層を積層したアノード電極(光化学電極)の代わりに単結晶n形チタニア基板を光化学電極に用いて、実施例1と同様の実験を行った。
四橋聡史ら、「GaN光電極を用いた二酸化炭素還元」、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a−ZE−3、日本国、応用物理学会、2011年08月16日発行、第15巻、第217頁
Claims (11)
- 二酸化炭素を還元するための装置を用いて二酸化炭素を還元する方法であって、以下の工程を具備する:
以下を具備する二酸化炭素還元装置を用意する工程(a)、
陰極室、
陽極室、
固体電解質膜、
カソード電極、および
アノード電極、ここで
前記カソード電極は、銅または銅化合物を具備し、
前記アノード電極は、AlxGa1-xN層(0<x≦1)およびGaN層が積層された窒化物半導体層からなる領域を具備し、
前記陰極室の内部には、第1電解液が保持され、
前記陽極室の内部には、第2電解液が保持され、
前記カソード電極は前記第1電解液に接しており、
前記アノード電極は前記第2電解液に接しており、
前記固体電解質膜は前記陰極室および前記陽極室との間に挟まれ、
前記第1電解液は前記二酸化炭素を含有しており、および
前記カソード電極は前記アノード電極に電気的に接続されており、
前記アノード電極に350ナノメートル以下の波長を有する光を照射して、前記第1電解液に含有されている二酸化炭素を前記カソード電極上で還元する工程(b)。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アノード電極を構成するAlxGa1-xN層(0<x≦1)が0<x≦0.25の範囲である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アノード電極を構成するGaN層がn形あるいはn+形である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アノード電極を構成するAlxGa1-xN層(0<x≦1)の表面あるいは表面の一部を、少なくともニッケルを主成分とする金属微粒子あるいはニッケルを主成分とする金属酸化物微粒子で被覆する。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1電解液は炭酸水素カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、塩化カリウム水溶液、硫酸カリウム水溶液、またはリン酸カリウム水溶液である。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記第1電解液は炭酸水素カリウム水溶液である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第2電解液は水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記工程(b)において、前記二酸化炭素還元装置は室温かつ大気圧下におかれる。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記工程(b)において、蟻酸が得られる。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記工程(b)において、一酸化炭素が得られる。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記工程(b)において、炭化水素が得られる。
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