JPH0559562A - 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法 - Google Patents
酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 チタン有機化合物、水、酸およびアルコール
を含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.1〜2mo
l/l、水/チタンのモル比が0.1〜10、水/酸の
当量比が2〜40である。)を基板面に塗布、焼成を繰
り返すことにより得られる酸化チタン薄膜の1回の塗
布,焼成により形成する膜厚を0.05〜0.1μmとす
ることを特徴とする酸化チタン薄膜の製法。 【効果】 光エネルギーの吸収効率がよい酸化チタン薄
膜が得られるため変換効率のよい光化学反応器を提供す
ることができる。
を含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.1〜2mo
l/l、水/チタンのモル比が0.1〜10、水/酸の
当量比が2〜40である。)を基板面に塗布、焼成を繰
り返すことにより得られる酸化チタン薄膜の1回の塗
布,焼成により形成する膜厚を0.05〜0.1μmとす
ることを特徴とする酸化チタン薄膜の製法。 【効果】 光エネルギーの吸収効率がよい酸化チタン薄
膜が得られるため変換効率のよい光化学反応器を提供す
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光エネルギーを利用した
光化学反応器、特に炭酸ガス変換セルのアノードに適し
た酸化チタン薄膜の製法および該薄膜を用いた光化学反
応器の製法に関する。
光化学反応器、特に炭酸ガス変換セルのアノードに適し
た酸化チタン薄膜の製法および該薄膜を用いた光化学反
応器の製法に関する。
【0002】
【従来の技術】光エネルギーを利用した炭酸ガス変換セ
ルは、光エネルギーを吸収して水を分解する光触媒で構
成されたアノードと、炭酸ガスを還元する触媒で構成さ
れたカソードとを組合せて構成される。
ルは、光エネルギーを吸収して水を分解する光触媒で構
成されたアノードと、炭酸ガスを還元する触媒で構成さ
れたカソードとを組合せて構成される。
【0003】前記アノードに用いる光触媒としては、酸
化物半導体、硫化物半導体、炭化物半導体等がある。酸
化物半導体の一種である酸化チタンは、光化学反応に対
して比較的安定で、これを用いた光電極は単結晶法およ
び化学蒸着法で作製することができる。しかし、これら
の方法では面積の大きな電極の作製には難点がある。一
方、チタン有機化合物を出発原料とし、これに酸、水、
アルコールを加えて加水分解と縮合脱水反応により酸化
チタン薄膜を形成するいわゆるゾル−ゲル法は大面積化
が可能であり、有望な電極の作製方法である。この方法
は、チタン有機化合物をアルコール溶液とし、加水分解
に必要な水と触媒となる酸を加えてゾルとし、これを反
応させてゲル化し、得られるゲルを加熱して結晶性の酸
化チタン薄膜を得る。
化物半導体、硫化物半導体、炭化物半導体等がある。酸
化物半導体の一種である酸化チタンは、光化学反応に対
して比較的安定で、これを用いた光電極は単結晶法およ
び化学蒸着法で作製することができる。しかし、これら
の方法では面積の大きな電極の作製には難点がある。一
方、チタン有機化合物を出発原料とし、これに酸、水、
アルコールを加えて加水分解と縮合脱水反応により酸化
チタン薄膜を形成するいわゆるゾル−ゲル法は大面積化
が可能であり、有望な電極の作製方法である。この方法
は、チタン有機化合物をアルコール溶液とし、加水分解
に必要な水と触媒となる酸を加えてゾルとし、これを反
応させてゲル化し、得られるゲルを加熱して結晶性の酸
化チタン薄膜を得る。
【0004】窯業協会誌;95巻(No.2)にチタン
イソプロポキシド、塩酸、水、エタノール(チタン濃度
を2.15モル/l、チタンに対する水のモル比を1、
塩酸に対する水の当量比を12.5)から作製した酸化
チタン薄膜の光電極が記載されている。
イソプロポキシド、塩酸、水、エタノール(チタン濃度
を2.15モル/l、チタンに対する水のモル比を1、
塩酸に対する水の当量比を12.5)から作製した酸化
チタン薄膜の光電極が記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記の方法では、酸化
チタン薄膜の膜厚が厚くなると光電流が飽和する傾向が
あり、膜厚を厚くするにも限界があった。これは有機化
合物の分解あるいは薄膜中の残留炭素、残留塩素等の不
純物による影響と考えられ、特に、酸化チタン薄膜内に
残留する炭素化合物が原因と考えられる。
チタン薄膜の膜厚が厚くなると光電流が飽和する傾向が
あり、膜厚を厚くするにも限界があった。これは有機化
合物の分解あるいは薄膜中の残留炭素、残留塩素等の不
純物による影響と考えられ、特に、酸化チタン薄膜内に
残留する炭素化合物が原因と考えられる。
【0006】本発明の目的は、光エネルギーを利用した
光化学反応器の電極等に適した酸化チタン薄膜の製法を
提供することにある。
光化学反応器の電極等に適した酸化チタン薄膜の製法を
提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、アノード電極に前記
酸化チタン薄膜を用いた光化学反応器を提供することに
ある。
酸化チタン薄膜を用いた光化学反応器を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【0009】(1) チタン有機化合物、水、酸および
アルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.
1〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1〜1
0、水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面に塗
布,焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜
の1回の塗布,焼成により形成する膜厚を0.05〜0.
1μmとすることを特徴とする酸化チタン薄膜の製法。
アルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.
1〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1〜1
0、水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面に塗
布,焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜
の1回の塗布,焼成により形成する膜厚を0.05〜0.
1μmとすることを特徴とする酸化チタン薄膜の製法。
【0010】(2) 酸化チタン薄膜を導電性基材に形
成してなる光電極をアノード、金属銅をカソードとする
光化学反応器の前記光電極が、チタン有機化合物、水、
酸およびアルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃
度が0.1〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1
〜10、水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面
に塗布,焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン
薄膜で形成され、該薄膜の1回の塗布,焼成により形成
する膜厚を0.05〜0.1μmとすることを特徴とする
光化学反応器の製法。
成してなる光電極をアノード、金属銅をカソードとする
光化学反応器の前記光電極が、チタン有機化合物、水、
酸およびアルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃
度が0.1〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1
〜10、水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面
に塗布,焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン
薄膜で形成され、該薄膜の1回の塗布,焼成により形成
する膜厚を0.05〜0.1μmとすることを特徴とする
光化学反応器の製法。
【0011】前記光化学反応器としての代表的なものと
しては炭酸ガス変換セルまたは水分解セルがある。
しては炭酸ガス変換セルまたは水分解セルがある。
【0012】前記チタンゾル中のチタン濃度を0.1〜
2モル/lにすることにより、1回のコーティングによ
り形成されるチタンゾルの膜厚を薄くすることができ、
焼成時の該ゾル中の有機物の分解が促進されて酸化チタ
ン薄膜内の炭素化合物等の不純物が減少し、光電流を向
上することができる。特に、1回のコーティングによっ
て形成される酸化チタン薄膜の膜厚は0.05〜0.1μ
mが望ましい。
2モル/lにすることにより、1回のコーティングによ
り形成されるチタンゾルの膜厚を薄くすることができ、
焼成時の該ゾル中の有機物の分解が促進されて酸化チタ
ン薄膜内の炭素化合物等の不純物が減少し、光電流を向
上することができる。特に、1回のコーティングによっ
て形成される酸化チタン薄膜の膜厚は0.05〜0.1μ
mが望ましい。
【0013】また、前記チタンゾルの水/チタンのモル
比を0.1〜10、水/酸の当量比を2〜40とするこ
とにより、チタン酸化物またはチタン水酸化物の沈殿お
よびゲルの生成を防止できるので透明なチタンゾルが得
られる。
比を0.1〜10、水/酸の当量比を2〜40とするこ
とにより、チタン酸化物またはチタン水酸化物の沈殿お
よびゲルの生成を防止できるので透明なチタンゾルが得
られる。
【0014】前記チタン有機化合物としては、チタンア
ルコキシドがあるが、特に、チタンイソプロポキシドが
好ましい。また、前記酸としては塩酸、硫酸、硝酸、酢
酸等が用いられるが塩酸が好ましい。
ルコキシドがあるが、特に、チタンイソプロポキシドが
好ましい。また、前記酸としては塩酸、硫酸、硝酸、酢
酸等が用いられるが塩酸が好ましい。
【0015】前記酸化チタン薄膜を形成する導電性基材
としては、加熱による抵抗変化の少ない酸化スズが少な
くとも表面層に形成されたものが好ましい。
としては、加熱による抵抗変化の少ない酸化スズが少な
くとも表面層に形成されたものが好ましい。
【0016】本発明の酸化チタン薄膜を形成した導電性
基材(光電極)をアノードとし、他の金属をカソードと
することにより、水の分解による水素の製造あるいは炭
酸ガスを還元する変換セルとして使用することができ
る。この場合、アノード(酸化チタン薄膜光電極)側で
は水の酸化反応が起こり、カソード(他の金属電極)側
ではプロトンまたは炭酸ガスの還元反応が起こる。
基材(光電極)をアノードとし、他の金属をカソードと
することにより、水の分解による水素の製造あるいは炭
酸ガスを還元する変換セルとして使用することができ
る。この場合、アノード(酸化チタン薄膜光電極)側で
は水の酸化反応が起こり、カソード(他の金属電極)側
ではプロトンまたは炭酸ガスの還元反応が起こる。
【0017】上記変換セルにおいて、炭酸ガスの還元反
応を促進するものとしては、金属銅もしくは金属銅の表
面にIIb族金属、例えば、亜鉛、カドミウム等の第2金
属を分散させて形成したカソード電極を、前記アノード
の酸化チタン薄膜光電極と組合せて変換セルを構成する
のがよい。また、水分解セルとして用いる場合は、カソ
ードを白金で構成したセルがよい。
応を促進するものとしては、金属銅もしくは金属銅の表
面にIIb族金属、例えば、亜鉛、カドミウム等の第2金
属を分散させて形成したカソード電極を、前記アノード
の酸化チタン薄膜光電極と組合せて変換セルを構成する
のがよい。また、水分解セルとして用いる場合は、カソ
ードを白金で構成したセルがよい。
【0018】前記炭酸ガスの還元反応は、外部エネルギ
ーを与えないと反応は進行しない。こうした外部エネル
ギー源としては太陽光がある。前記本発明の酸化チタン
薄膜光電極に太陽光を照射することにより還元反応を行
なうことができる。また、電気エネルギーを上記変換セ
ルの両電極間に供給しても、同様に炭酸ガスの還元反応
を行うことができる。該電気エネルギーとして太陽電池
を用いて行うことができるのは云うまでもない。
ーを与えないと反応は進行しない。こうした外部エネル
ギー源としては太陽光がある。前記本発明の酸化チタン
薄膜光電極に太陽光を照射することにより還元反応を行
なうことができる。また、電気エネルギーを上記変換セ
ルの両電極間に供給しても、同様に炭酸ガスの還元反応
を行うことができる。該電気エネルギーとして太陽電池
を用いて行うことができるのは云うまでもない。
【0019】
【作用】本発明において、酸化チタン薄膜の光エネルギ
ーの吸収効率がよいのは、1回のコーティングによって
形成される酸化チタン薄膜の膜厚を0.05〜0.1μm
としたことにより、該膜中の残留炭素化合物量が著しく
低下することができるためと考える。
ーの吸収効率がよいのは、1回のコーティングによって
形成される酸化チタン薄膜の膜厚を0.05〜0.1μm
としたことにより、該膜中の残留炭素化合物量が著しく
低下することができるためと考える。
【0020】
【実施例】本発明を実施例に基づき説明する。
【0021】〔実施例1および比較例1〕チタンイソプ
ロポキシドとエタノールを混合して、チタン濃度を0.
5モル/lにしたエタノール溶液を50ml調製した。
これに濃度35%の塩酸2.2mlをエタノール22.8
mlに混合した溶液を2.5ml滴下し混合した。水/
チタンのモル比を0.26、水/酸の当量比を2.6にな
るようにチタンゾルを調製した。
ロポキシドとエタノールを混合して、チタン濃度を0.
5モル/lにしたエタノール溶液を50ml調製した。
これに濃度35%の塩酸2.2mlをエタノール22.8
mlに混合した溶液を2.5ml滴下し混合した。水/
チタンのモル比を0.26、水/酸の当量比を2.6にな
るようにチタンゾルを調製した。
【0022】比較例1として、チタンイソプロポキシド
濃度が3モル/lで、チタンに対する水のモル比を0.
26、酸に対する水の当量比を2.6にしてチタンゾル
(比較例1)を調製した。
濃度が3モル/lで、チタンに対する水のモル比を0.
26、酸に対する水の当量比を2.6にしてチタンゾル
(比較例1)を調製した。
【0023】前記チタンゾルをそれぞれ酸化スズコーテ
ィングガラス基板にディッピング法でコーティング後、
500℃、5分間加熱することを15回繰り返し、最後
に500℃、20分間加熱して酸化チタン薄膜を作製し
た。該薄膜の膜厚は0.8μmである。
ィングガラス基板にディッピング法でコーティング後、
500℃、5分間加熱することを15回繰り返し、最後
に500℃、20分間加熱して酸化チタン薄膜を作製し
た。該薄膜の膜厚は0.8μmである。
【0024】上記酸化チタン薄膜を用いて、図1に示す
ような光透過窓6を設けた炭酸ガス変換セルを構成し
た。酸化チタン薄膜をアノード2、白金板をカソード
4、Ag/AgClを参照極7とし、前記アノード2と
カソード4とを陽イオン交換膜3で仕切って電解液5
(0.1モル/lの水酸化ナトリウム水溶液)を注入し
たセル1を用い、100W水銀ランプを光源9とする光
をアノード2に照射し、両電極間に流れる光電流を測定
した。測定結果を図2に示す。
ような光透過窓6を設けた炭酸ガス変換セルを構成し
た。酸化チタン薄膜をアノード2、白金板をカソード
4、Ag/AgClを参照極7とし、前記アノード2と
カソード4とを陽イオン交換膜3で仕切って電解液5
(0.1モル/lの水酸化ナトリウム水溶液)を注入し
たセル1を用い、100W水銀ランプを光源9とする光
をアノード2に照射し、両電極間に流れる光電流を測定
した。測定結果を図2に示す。
【0025】チタン濃度0.5モル/lのチタンゾル
(実施例1)で作成した酸化チタン薄膜光電極を用いた
ものは、チタン濃度3モル/lのチタンゾル(比較例
1)で作成したものに比べ、膜厚1μm付近においては
光電流が約2倍と大きい値を示している。
(実施例1)で作成した酸化チタン薄膜光電極を用いた
ものは、チタン濃度3モル/lのチタンゾル(比較例
1)で作成したものに比べ、膜厚1μm付近においては
光電流が約2倍と大きい値を示している。
【0026】〔実施例2および比較例2〕チタンイソプ
ロポキシドとエタノールを混合して、チタン濃度を1.
0モル/lにしたエタノール溶液を50ml調製した。
これに濃度35%の塩酸2.2mlと水7.7mlとをエ
タノール15.1mlに混合した溶液を適量滴下混合
し、水/チタンのモル比が1.0、水/酸の当量比が2
0のチタンゾルを調製した。
ロポキシドとエタノールを混合して、チタン濃度を1.
0モル/lにしたエタノール溶液を50ml調製した。
これに濃度35%の塩酸2.2mlと水7.7mlとをエ
タノール15.1mlに混合した溶液を適量滴下混合
し、水/チタンのモル比が1.0、水/酸の当量比が2
0のチタンゾルを調製した。
【0027】比較例2として、上記の水/チタンのモル
比のみを20としたチタンゾルを調製した。
比のみを20としたチタンゾルを調製した。
【0028】前記チタンゾルをそれぞれ酸化スズコーテ
ィングガラス基板を用いて実施例1と同様にしてディッ
ピング法でコーティングし酸化チタン薄膜を作製した。
該薄膜の膜厚は1.0μmである。
ィングガラス基板を用いて実施例1と同様にしてディッ
ピング法でコーティングし酸化チタン薄膜を作製した。
該薄膜の膜厚は1.0μmである。
【0029】上記酸化チタン薄膜の光電極を用いて実施
例1と同様のセルを作成し、100W水銀ランプ光を照
射して光電流を測定したところ、電位1VvsNHEに
おいて、実施例2の酸化チタン薄膜光電極は15mA、
比較例2の酸化チタン薄膜光電極は5mAであった。な
お、比較例2の酸化チタン薄膜光電極は乳白色で透明度
が低い。
例1と同様のセルを作成し、100W水銀ランプ光を照
射して光電流を測定したところ、電位1VvsNHEに
おいて、実施例2の酸化チタン薄膜光電極は15mA、
比較例2の酸化チタン薄膜光電極は5mAであった。な
お、比較例2の酸化チタン薄膜光電極は乳白色で透明度
が低い。
【0030】〔実施例 3〕チタンイソプロポキシドと
エタノールを混合して、チタン濃度を1.5モル/lに
したエタノール溶液を50ml調製した。これに濃度3
5%の塩酸6.7mlと水10mlとをエタノール8.3
mlに混合した溶液を2.5ml滴下し混合した。水/
チタンのモル比が1.0、水/酸の当量比が10のチタ
ンゾルを調製した。これを酸化スズコーティングガラス
基板に実施例1と同様にしてにディッピング法でコーテ
ィングし酸化チタン薄膜を作製した。該薄膜の膜厚は1
μmである。
エタノールを混合して、チタン濃度を1.5モル/lに
したエタノール溶液を50ml調製した。これに濃度3
5%の塩酸6.7mlと水10mlとをエタノール8.3
mlに混合した溶液を2.5ml滴下し混合した。水/
チタンのモル比が1.0、水/酸の当量比が10のチタ
ンゾルを調製した。これを酸化スズコーティングガラス
基板に実施例1と同様にしてにディッピング法でコーテ
ィングし酸化チタン薄膜を作製した。該薄膜の膜厚は1
μmである。
【0031】実施例1と同様なセルを構成して酸化チタ
ン薄膜をアノード、金属銅または金属銅に亜鉛を第2金
属成分として平均膜厚50Åになるように電析させた電
極をカソード、Ag/AgClを参照極とし、両極間を
陽イオン交換膜で仕切り、電解液として0.1モル/l
の重炭酸カリウム水溶液を入れ、室温でアノード側に5
00Wキセノンランプ光を照射し、両極間に出力2Wの
太陽電池を接続して炭酸ガスの還元を行なった。
ン薄膜をアノード、金属銅または金属銅に亜鉛を第2金
属成分として平均膜厚50Åになるように電析させた電
極をカソード、Ag/AgClを参照極とし、両極間を
陽イオン交換膜で仕切り、電解液として0.1モル/l
の重炭酸カリウム水溶液を入れ、室温でアノード側に5
00Wキセノンランプ光を照射し、両極間に出力2Wの
太陽電池を接続して炭酸ガスの還元を行なった。
【0032】カソード電極に金属銅を組合せた場合、電
流効率7.1%でメタン、同1.5%でエチレン、同1.
1%でメタノールが生成した。また、亜鉛を電析させた
金属銅を組合せた場合は電流効率19%でメタン、同
5.1%でエチレン、同2.0%でメタノールが生成し
た。
流効率7.1%でメタン、同1.5%でエチレン、同1.
1%でメタノールが生成した。また、亜鉛を電析させた
金属銅を組合せた場合は電流効率19%でメタン、同
5.1%でエチレン、同2.0%でメタノールが生成し
た。
【0033】亜鉛を電析させた金属銅を組合せることに
より、上記メタン,エタンおよびメタノールの電流効率
が向上し、変換効率がアップした。
より、上記メタン,エタンおよびメタノールの電流効率
が向上し、変換効率がアップした。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、光エネルギーの吸収効
率がよい酸化チタン薄膜が得られるため、変換効率のよ
い光化学反応器を提供することができる。
率がよい酸化チタン薄膜が得られるため、変換効率のよ
い光化学反応器を提供することができる。
【図1】本発明の一実施例である炭酸ガス変換セルの模
式断面図である。
式断面図である。
【図2】図1の炭酸ガス変換セルに組込まれた酸化チタ
ン薄膜アノードの電流とその膜厚との関係を示すグラフ
である。
ン薄膜アノードの電流とその膜厚との関係を示すグラフ
である。
1…セル、2…アノード、3…陽イオン交換膜、4…カ
ソード、5…電解液、6…光透過窓、…7参照極、8…
電流測定器、9…光源。
ソード、5…電解液、6…光透過窓、…7参照極、8…
電流測定器、9…光源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 利克 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 飛田 紘 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 宮寺 博 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (9)
- 【請求項1】チタン有機化合物、水、酸およびアルコー
ルを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.1〜2m
ol/l、水/チタンのモル比が0.1〜10、水/酸
の当量比が2〜40である。)を基板面に塗布,焼成を
繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜の1回の塗
布,焼成により形成する膜厚を0.05〜0.1μmとす
ることを特徴とする酸化チタン薄膜の製法。 - 【請求項2】前記チタン有機化合物がチタンイソプロポ
キシド、酸が塩酸、アルコールがエタノールであるチタ
ンゾルを用いることを特徴とする請求項1に記載の酸化
チタン薄膜の製法。 - 【請求項3】前記酸化チタン薄膜を形成する基板に少な
くとも表面層が酸化スズである基板を用いることを特徴
とする請求項1または2に記載の酸化チタン薄膜の製
法。 - 【請求項4】酸化チタン薄膜を導電性基材に形成してな
る光電極をアノード、金属をカソードとする光化学反応
器の前記光電極が、チタン有機化合物、水、酸およびア
ルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.1
〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1〜10、
水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面に塗布,
焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜で形
成され、該薄膜の1回の塗布,焼成により形成する膜厚
を0.05〜0.1μmとすることを特徴とする光化学反
応器の製法。 - 【請求項5】前記チタン有機化合物がチタンイソプロポ
キシド、酸が塩酸、アルコールがエタノールであるチタ
ンゾルを用いることを特徴とする請求項4に記載の光化
学反応器の製法。 - 【請求項6】前記酸化チタン薄膜を形成する導電性基材
の少なくとも表面層が酸化スズである基板を用いること
を特徴とする請求項4または5に記載の光化学反応器の
製法。 - 【請求項7】前記カソードが表面にIIb族元素が分散さ
れた金属銅を用いることを特徴とする請求項4,5また
は6に記載の光化学反応器の製法。 - 【請求項8】酸化チタン薄膜を導電性基材に形成してな
る光電極をアノード、金属銅をカソードとする炭酸ガス
変換セルの前記光電極が、チタン有機化合物、水、酸お
よびアルコールを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が
0.1〜2mol/l、水/チタンのモル比が0.1〜1
0、水/酸の当量比が2〜40である。)を基板面に塗
布,焼成を繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜
で形成され、該薄膜の1回の塗布,焼成により形成する
膜厚を0.05〜0.1μmとすることを特徴とする炭酸
ガス変換セルの製法。 - 【請求項9】酸化チタン薄膜を導電性基材に形成してな
る光電極をアノード、白金をカソードとする水分解セル
の前記光電極が、チタン有機化合物、水、酸およびアル
コールを含むチタンゾル(但し、チタン濃度が0.1〜
2mol/l、水/チタンのモル比が0.1〜10、水
/酸の当量比が2〜40である。)を基板面に塗布,焼
成を繰り返すことにより得られる酸化チタン薄膜で形成
され、該薄膜の1回の塗布,焼成により形成する膜厚を
0.05〜0.1μmとすることを特徴とする水分解セル
の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3219992A JPH0559562A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3219992A JPH0559562A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0559562A true JPH0559562A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16744233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3219992A Pending JPH0559562A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0559562A (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995015816A1 (fr) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Toto, Ltd. | Substance multifonction a effet photocatalytique et procede de production |
JPH0866635A (ja) * | 1993-12-14 | 1996-03-12 | Toto Ltd | 光触媒薄膜及びその形成方法 |
JPH08267646A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Toto Ltd | 防汚性部材 |
JPH09100140A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-04-15 | Toshiba Lighting & Technol Corp | ガラス成形体、照明器具およびガラス成形体の製造方法 |
JPH09186949A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 映像装置 |
JPH1147609A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-23 | Sharp Corp | 光触媒体およびその製造方法 |
JPH1192946A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Shinto Paint Co Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
JPH11144772A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた光電池 |
JPH11176382A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | 光触媒付光源 |
JP2001121643A (ja) * | 2000-08-17 | 2001-05-08 | Toto Ltd | 防汚性部材 |
US6252156B1 (en) | 1997-06-24 | 2001-06-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photosensitive semiconductor electrode, method of manufacturing photosensitive semiconductor electrode, and photoelectric converter using photosensitive semiconductor |
JP2007239048A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Univ Of Electro-Communications | 光エネルギー変換装置及び半導体光電極 |
WO2012046374A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
WO2012091045A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 光化学反応デバイス |
WO2012120571A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
WO2013031063A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
WO2013031062A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
US8414758B2 (en) | 2011-03-09 | 2013-04-09 | Panasonic Corporation | Method for reducing carbon dioxide |
JP2015147707A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 国立大学法人北海道大学 | アンモニア発生装置及びアンモニア発生方法 |
CN107188222A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-22 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种酸催化溶胶凝胶法制备纳米二氧化钛的方法 |
JPWO2018066363A1 (ja) * | 2016-10-04 | 2019-06-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 構造体、電極部材、および構造体の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3219992A patent/JPH0559562A/ja active Pending
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268050B1 (en) | 1993-10-12 | 2001-07-31 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocatalytic functions and method of manufacturing same |
US6294247B1 (en) | 1993-10-12 | 2001-09-25 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocatalytic functions and method of manufacturing same |
US6294246B1 (en) | 1993-12-10 | 2001-09-25 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocatalytic functions and method of manufacturing same |
US5853866A (en) * | 1993-12-10 | 1998-12-29 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocalytic functions and method of manufacturing same |
US6210779B1 (en) | 1993-12-10 | 2001-04-03 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocatalytic functions and method of manufacturing same |
US6027797A (en) * | 1993-12-10 | 2000-02-22 | Toto Ltd. | Multi-functional material with photocatalytic functions and method of manufacturing same |
WO1995015816A1 (fr) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Toto, Ltd. | Substance multifonction a effet photocatalytique et procede de production |
JPH0866635A (ja) * | 1993-12-14 | 1996-03-12 | Toto Ltd | 光触媒薄膜及びその形成方法 |
JPH08267646A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-15 | Toto Ltd | 防汚性部材 |
JPH09100140A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-04-15 | Toshiba Lighting & Technol Corp | ガラス成形体、照明器具およびガラス成形体の製造方法 |
JPH09186949A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 映像装置 |
US6252156B1 (en) | 1997-06-24 | 2001-06-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photosensitive semiconductor electrode, method of manufacturing photosensitive semiconductor electrode, and photoelectric converter using photosensitive semiconductor |
JPH1147609A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-23 | Sharp Corp | 光触媒体およびその製造方法 |
JPH1192946A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Shinto Paint Co Ltd | 金属酸化物膜の形成方法 |
JPH11144772A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた光電池 |
JPH11176382A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | 光触媒付光源 |
JP2001121643A (ja) * | 2000-08-17 | 2001-05-08 | Toto Ltd | 防汚性部材 |
JP2007239048A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Univ Of Electro-Communications | 光エネルギー変換装置及び半導体光電極 |
WO2012046374A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
CN103038394A (zh) * | 2010-10-06 | 2013-04-10 | 松下电器产业株式会社 | 还原二氧化碳的方法 |
JP6024900B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2016-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
CN103038394B (zh) * | 2010-10-06 | 2015-07-29 | 松下电器产业株式会社 | 还原二氧化碳的方法 |
US8696883B2 (en) | 2010-10-06 | 2014-04-15 | Panasonic Corporation | Method for reducing carbon dioxide |
JPWO2012091045A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-06-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 光化学反応デバイス |
WO2012091045A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 株式会社豊田中央研究所 | 光化学反応デバイス |
JP5173080B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2013-03-27 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
US8414758B2 (en) | 2011-03-09 | 2013-04-09 | Panasonic Corporation | Method for reducing carbon dioxide |
WO2012120571A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
JP5236125B1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
JP5236124B1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
US8709227B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Panasonic Corporation | Method for reducing carbon dioxide |
US8709228B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Panasonic Corporation | Method for reducing carbon dioxide |
WO2013031062A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
WO2013031063A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 二酸化炭素を還元する方法 |
JP2015147707A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 国立大学法人北海道大学 | アンモニア発生装置及びアンモニア発生方法 |
JPWO2018066363A1 (ja) * | 2016-10-04 | 2019-06-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 構造体、電極部材、および構造体の製造方法 |
CN107188222A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-22 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种酸催化溶胶凝胶法制备纳米二氧化钛的方法 |
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