JP5742597B2 - 水素を生成する方法 - Google Patents
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Description
以下を具備する水素生成装置を用意する工程(a)、
陰極室(302)、
陽極室(305)、および
固体電解質膜(306)、ここで
前記陰極室(302)はカソード電極(301)を具備し、
前記カソード電極(301)は白金を主成分とする材料で構成され、
前記陽極室(305)はアノード電極(304)を具備し、
前記アノード電極(304)は光照射によって機能する光化学電極であって、
前記アノード電極はアンドープの窒化アルミニウムガリウム層(組成式:AlxGa1−xN(0<x≦1)と不純物元素が添加されたn形窒化ガリウム層(組成式:GaN)を積層した窒化物半導体からなる領域を具備し、さらに
前記アノード電極を構成する窒化アルミニウムガリウム層表面の少なくとも一部を、少なくともニッケルを主成分とする金属微粒子あるいは金属酸化物微粒子で被覆した構成であり、
前記陰極室(302)の内部には第1電解液(307)が保持され、
前記陽極室(305)の内部には第2電解液(308)が保持され、
前記カソード電極(301)は前記第1電解液(307)に接しており、
前記アノード電極(304)は前記第2電解液(308)に接しており、
前記固体電解質膜(306)は前記陰極室(302)および前記陽極室(305)との間に挟まれ、
前記カソード電極(301)は前記アノード電極(304)と導線(311)を介して、電気的に接続されており、ここで、カソード電極(301)とアノード電極(304)との間には、外部電源が含まれておらず、
前記アノード電極(304)は、前記第2電解液に接する側から、前記アンドープの窒化アルミニウムガリウム層および前記不純物元素が添加されたn形窒化ガリウム層がこの順に配置されており、
前記陽極室(305)内に配置されたアノード電極(304)に、少なくとも350ナノメートル以下の波長を有する光を照射して、前記第2電解液(308)に含まれる水を酸化すると共に、電気的に接続された前記カソード電極(301)の作用により、前記第
1電解液(307)に含有されている水を還元して水素を生成する工程(b)。
図1は、本発明に係るアノード電極304の構成例を示す概略図である。図1(a)は、基板103上に窒化物半導体層を形成した構成を表しており、光吸収領域であるアンドープの窒化アルミニウムガリウム層101、n形窒化ガリウム層102、前記窒化物半導体層を形成するために用いられる基板103(例えば、サファイア基板)、当該アノード電極を電気的に接続するための電極部104、および前記窒化アルミニウムガリウム層表面に形成された表面被覆層105からなる。
(水素生成するための装置)
図3は、実施の形態1における水素生成するための装置を示す。当該装置は陰極室302、陽極室305、および固体電解質膜306を具備する。
次に、上述された装置を用いて水素を生成する方法を説明する。
以下の実施例を参照して、本発明をより詳細に説明する。
サファイヤ基板上にシリコンを不純物元素としてドープしたn形低抵抗窒化ガリウム薄膜(膜厚:2.5ミクロン)、およびノンドープの窒化アルミニウムガリウム薄膜(膜厚:100ナノメートル、アルミニウム組成:11%)を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させた。そして、窒化アルミニウムガリウム層の一部を除去して、n形窒化ガリウム層上にチタン/アルミニウム/金からなる電極を形成した。さらに溶液反応を用いて、窒化アルミニウムガリウム表面の一部に、ニッケル微粒子および酸化ニッケル微粒子を含有する層を薄く形成し、図1(c)に示すようなアノード電極(実施例1)を作製した。また比較として、サファイヤ基板上にn形低抵抗窒化ガリウム薄膜(膜厚:2.5ミクロン)のみを形成し、その上にニッケル微粒子および酸化ニッケル微粒子を含有する層を薄く形成した試料(比較例1)も作製した。
当該アノード電極(光化学電極)304を用いて、図3に示す水素生成するための装置を形成した。当該装置の詳細は以下の通りである。
カソード電極 : 白金板
第1電解液 : 0.5mol/Lの濃度を有する炭酸水素カリウム水溶液
第2電解液 : 1.0mol/Lの濃度を有する水酸化ナトリウム水溶液
固体電解質膜 : ナフィオン膜(デュポン社より入手、商品名:ナフィオン117)
光源 : キセノンランプ(出力:300W)
光源は350ナノメートル以下の波長を有するブロードなスペクトルを有する光を発光した。
(水素の生成)
陽極室305に配された光照射窓(図示せず)を介して、光源303からの光をアノード電極に照射した。
102、202:窒化ガリウム層
103、203:基板
104、204:電極部
105、205:表面被覆層(少なくともニッケルを主成分とする金属微粒子あるいは金属酸化物微粒子を含んだ層)
106、206:少なくともニッケルを主成分とする金属微粒子あるいは金属酸化物微粒子
301:カソード電極
302:陰極室
303:光源
304:アノード電極(光化学電極)
305:陽極室
306:固体電解質膜
307:第1電解液
308:第2電解液
309、310:電極端子
311:導線
Claims (5)
- 水素生成装置を用いて水素を生成する方法であって、以下の工程を具備する:
以下を具備する水素生成装置を用意する工程(a)、
陰極室(302)、
陽極室(305)、および
固体電解質膜(306)、ここで
前記陰極室(302)はカソード電極(301)を具備し、
前記カソード電極(301)は白金を主成分とする材料で構成され、
前記陽極室(305)はアノード電極(304)を具備し、
前記アノード電極(304)は光照射によって機能する光化学電極であって、
前記アノード電極はアンドープの窒化アルミニウムガリウム層(組成式:AlxGa1−xN(0<x≦1)と不純物元素が添加されたn形窒化ガリウム層(組成式:GaN)を積層した窒化物半導体からなる領域を具備し、さらに
前記アノード電極を構成する窒化アルミニウムガリウム層表面の少なくとも一部を、少なくともニッケルを主成分とする金属微粒子あるいは金属酸化物微粒子で被覆した構成であり、
前記陰極室(302)の内部には第1電解液(307)が保持され、
前記陽極室(305)の内部には第2電解液(308)が保持され、
前記カソード電極(301)は前記第1電解液(307)に接しており、
前記アノード電極(304)は前記第2電解液(308)に接しており、
前記固体電解質膜(306)は前記陰極室(302)および前記陽極室(305)との間に挟まれ、
前記カソード電極(301)は前記アノード電極(304)と導線(311)を介して、電気的に接続されており、ここで、カソード電極(301)とアノード電極(304)との間には、外部電源が含まれておらず、
前記アノード電極(304)は、前記第2電解液に接する側から、前記アンドープの窒化アルミニウムガリウム層および前記不純物元素が添加されたn形窒化ガリウム層がこの順に配置されており、
前記陽極室(305)内に配置されたアノード電極(304)に、少なくとも350ナノメートル以下の波長を有する光を照射して、前記第2電解液(308)に含まれる水を酸化すると共に、電気的に接続された前記カソード電極(301)の作用により、前記第
1電解液(307)に含有されている水を還元して水素を生成する工程(b)。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記アノード電極を構成する窒化アルミニウムガリウム層の組成(組成式:AlxGa1−xN(0<x≦1))が0<x≦0.25の範囲である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1電解液は炭酸水素カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液、塩化カリウム水溶液、硫酸カリウム水溶液、またはリン酸カリウム水溶液である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第2電解液は水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液である。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記工程(b)において、前記水素生成装置は室温かつ大気圧下におかれる。
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