JP5227729B2 - 圧力センサ - Google Patents

Description

本発明は、圧力センサに関し、特に詳しくは、ダイアフラムを有する圧力センサに関するものである。

半導体のピエゾ抵抗効果を利用した圧力センサが、小型、軽量、高感度であることから、工業計測、医療などの分野で広く利用されている。このような圧力センサでは、半導体基板上にダイアフラムが形成されている。そして、ダイアフラムに歪ゲージが形成されている。ダイアフラムに加わる圧力によって、歪ゲージが変形する。ピエゾ抵抗効果による歪ゲージの抵抗変化を検出して、圧力を測定している。

また、クロストークを低減するために、静圧検出用のゲージを最適位置に設けた圧力センサが開示されている（特許文献１）。特許文献１の圧力センサでは、センサチップと台座との接合部の外側に、静圧検出用ゲージを設けている。具体的には、センサチップの中央に、正方形の差圧用ダイアフラムを形成している。そして、差圧用ダイアフラムの周縁部又は中心部に差圧検出用ゲージを設けている。差圧用ダイアフラムの外側に静圧検出用ゲージを設けている。

さらに、半導体基板上に、静圧検出用のダイアフラムを設けたものが開示されている（特許文献２）。特許文献２の圧力センサでは、円形の差圧用ダイアフラムの外周に、円輪状の静圧用ダイアフラムが形成されている。そして、静圧用ダイアフラムには、４つの静圧用ゲージが形成されている。周方向において、４つの静圧用ゲージは等間隔に配置されている。すなわち、２つの静圧用ゲージが差圧用ダイアフラムを挟んで対向するように配置されている。静圧用ダイアフラムを形成することで、静圧の感度を向上することができる。

上記のように、歪によって抵抗が変化するピエゾ抵抗素子がゲージとして用いられている。すなわち、圧力によって生じた半導体基板の歪に応じて、ピエゾ抵抗素子の抵抗が変化する。ブリッジ回路によって抵抗の変化量を検出することで、圧力を測定することができる。

特開２００２―２７７３３７号公報 特開平６−２１３７４６号公報

ピエゾ抵抗素子は、測定雰囲気温度によって影響を受けてしまう。例えば、半導体基板とガラス台座などの熱膨張係数の違いによって、熱応力が発生する。この熱応力によって、半導体基板上のゲージに歪が生じる。従って、測定雰囲気温度が異なる場合、測定誤差の原因となってしまう。

また、圧力センサにおいて、小型化を図るためには、ダイアフラムを小さくする必要がある。しかしながら、ダイアフラムを小さくすると、測定感度が低下してしまう。例えば、静圧検出用ダイアフラムのアスペクト比（縦横比）を一定にすれば、応力のピーク値は一定となる。しかしながら、アスペクト比を一定としても、ダイアフラムを小さくすると、応力のピーク幅が小さくなる。このため、感度を十分に取ることが困難になってしまう。換言すると、測定感度を高くするためにダイアフラムを大きくすると、圧力センサの小型化を図ることが困難になってしまう。

このように、小型で高性能な圧力センサを実現することが困難であるという問題点がある。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、小型で高性能な圧力センサを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様にかかる圧力センサは、基板と、前記基板の中央部に設けられた差圧用ダイアフラムと、前記差圧用ダイアフラムに設けられた差圧用ゲージと、前記差圧用ダイアフラムの外周部に設けられた静圧用ダイアフラムと、前記差圧用ダイアフラムを挟んで配置された２つの静圧用ゲージを有し、前記静圧用ダイアフラムの端部に形成された第１の静圧用ゲージペアと、前記差圧用ダイアフラムを挟んで配置された２つの静圧用ゲージを有し、記静圧用ダイアフラムの中央部に形成された第２の静圧用ゲージペアと、を備えたものである。これにより、圧力センサを小型化した場合でも、測定感度の低下を抑制することができる。また、温度変化による測定誤差を抑制することができる。よって、小型で高性能な圧力センサを実現することができる。

本発明の第２の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記第１の静圧用ゲージペアを結ぶ直線と、前記第２の静圧用ゲージペアを結ぶ直線とが直交するように配置するものである。これにより、圧力センサを小型化した場合でも、測定感度の低下を抑制することができる。また、温度変化による測定誤差を抑制することができる。よって、小型で高性能な圧力センサを実現することができる。

本発明の第３の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記第１の静圧用ゲージペアを結ぶ直線と、前記第２の静圧用ゲージペアを結ぶ直線とが一致するように配置するものである。これにより、圧力センサを小型化した場合でも、測定感度の低下を抑制することができる。また、温度変化による測定誤差を抑制することができる。よって、小型で高性能な圧力センサを実現することができる。

本発明の第４の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記第１の静圧用ゲージペアに含まれる２つの静圧用ゲージが、前記静圧用ダイアフラムの基板中心側の端部、又は基板端側の端部に形成されているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第５の態様にかかる圧力センサは、上記の第２の態様にかかる圧力センサであって、前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージに対応して、前記静圧用ダイアフラムが４つ設けられており、前記差圧用ダイアフラムの中心に対する径方向に沿って、４つの前記静圧検出ダイアフラムの短手方向が配置されているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第６の態様にかかる圧力センサは、上記の第３の態様にかかる圧力センサであって、前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージに対応して、前記静圧用ダイアフラムが２つ設けられており、前記差圧用ダイアフラムの中心に対する径方向に沿って、２つの前記静圧検出ダイアフラムの短手方向が配置されているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第７の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージが、前記静圧用ダイアフラムの短手方向と垂直な方向に沿って形成されているものである。これにより、測定感度を向上することができる。

本発明の第８の態様にかかる圧力センサは、上記の第５又は６の態様にかかる圧力センサであって、前記静圧用ダイアフラムが、長方形であることを特徴とするものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第９の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記静圧用ダイアフラムが、前記差圧用ダイアフラムを囲むような円輪状に形成され、前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージが、円輪状の前記静圧用ダイアフラムの周方向において、形成されているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第１０の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記差圧用ダイアフラムが円形になっているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第１１の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、円輪状の前記静圧用ダイアフラムと円形の前記差圧用ダイアフラムとが、同心円状に配置されているものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明の第１２の態様にかかる圧力センサは、上記の圧力センサであって、前記基板が円形であることを特徴とするものである。これにより、測定感度、及び温度特性を向上することができる。

本発明によれば、小型で高性能な圧力センサを提供することができる。

発明の実施の形態１．
以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本実施の形態にかかる圧力センサに用いられているセンサチップの構成を示す上面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図であり、図３は、ＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。本実施の形態にかかる圧力センサは、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力センサである。

圧力センサは、半導体基板からなるセンサチップ１０を有している。センサチップ１０は、正方形状になっている。図1に示すように、正方形状のセンサチップ１０の各頂点をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする。図１に示すように、左上の角を角Ａ、右下の角を角Ｂ、右上の角を角Ｃ、左下の角を角Ｄとする。角Ａと角Ｂとを結ぶ対角線を対角線ＡＢとする。角Ｃと角Ｄとを結ぶ対角線を対角線ＣＤとする。センサチップ１０は、正方形であるため、対角線ＡＢと対角線ＣＤは直交する。

図２に示すように、センサチップ１０は、基台となる第１半導体層１、絶縁層２、及び第２半導体層３の３層構造になっている。例えば、センサチップ１０として、第１半導体層１と、０．５μｍ程度の厚さの絶縁層２、及び第２半導体層３からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。第１半導体層１及び第２半導体層３は、例えば、ｎ型単結晶シリコン層から構成されている。絶縁層２は、例えば、ＳｉＯ_２層から構成されている。第１半導体層１の上に、絶縁層２が形成されている。また、絶縁層２の上に、第２半導体層３が形成されている。従って、第１半導体層１と第２半導体層３の間に、絶縁層２が配設されている。絶縁層２は、第１半導体層１をエッチングする際に、エッチングストッパとして機能する。第２半導体層３は、差圧用ダイアフラム４を構成している。図２に示すように、差圧用ダイアフラム４はチップの中央部分に配設されている。

センサチップ１０の中央部には、差圧を検出するための差圧用ダイアフラム４が設けられている。図２に示すように、第１半導体層１が除去されることで、差圧用ダイアフラム４が形成される。すなわち、差圧用ダイアフラム４では、センサチップ１０が薄くなっている。ここでは、図１に示すように、差圧用ダイアフラム４は、正方形状に形成されている。また、差圧用ダイアフラム４の中心と、センサチップ１０の中心は一致している。すなわち、センサチップ１０の中心点は、対角線ＡＢと対角線ＣＤの交点上にある。そして、差圧用ダイアフラム４は、正方形状のセンサチップ１０に対して、４５°傾いて配置されている。従って、対角線ＡＢは、差圧用ダイアフラム４の対向する２辺の中心を垂直に通る。また、対角線ＣＤは、差圧用ダイアフラム４の対向する他の２辺の中心を垂直に通る。

差圧用ダイアフラム４の表面には、差圧用ゲージ５ａ〜５ｄが設けられている。これらの４つの差圧用ゲージ５ａ〜５ｄをまとめて差圧用ゲージ５と称する。差圧用ゲージ５が、差圧用ダイアフラム４の端部に設けられている。すなわち、差圧用ゲージ５は差圧用ダイアフラム４の周縁部上に形成されている。ここで、正方形の差圧用ダイアフラム４の各辺に、１つずつ差圧用ゲージ５が設けられている。差圧用ゲージ５は、差圧用ダイアフラム４の各辺の中央に設けられている。従って、差圧用ダイアフラム４の中心と角Ａの間には、差圧用ゲージ５ａが配置されている。差圧用ダイアフラム４の中心と角Ｂの間には、差圧用ゲージ５ｂが配置され、差圧用ダイアフラム４の中心と角Ｃの間には、差圧用ゲージ５ｃが配置され、差圧用ダイアフラム４の中心と角Ｄの間には、差圧用ゲージ５ｄが配置されている。差圧用ゲージ５ａと差圧用ゲージ５ｂは、センサチップ１０の中心を挟んで対向する。差圧用ゲージ５ｃと差圧用ゲージ５ｄは、センサチップ１０の中心を挟んで対向する。

差圧用ゲージ５はピエゾ抵抗効果を有する歪ゲージである。従って、センサチップ１０が歪むと、各差圧用ゲージ５ａ〜５ｄの抵抗が変化する。なお、センサチップの上面には、各差圧用ゲージ５ａ〜５ｄと接続される配線（不図示）が形成される。例えば、各差圧用ゲージ５ａ〜５ｄの両端に配線が接続されている。この配線によって、４つの差圧用ゲージ５がブリッジ回路に結線されている。差圧用ダイアフラム４によって隔てられた空間の圧力差によって、差圧用ダイアフラム４が変形する。差圧用ゲージ５は、差圧用ダイアフラム４の変形量に応じて抵抗が変化する。この抵抗変化を検出することで、圧力を測定することができる。差圧用ゲージ５は、図２、及び図３に示すように、センサチップ１０の表面に形成されている。

４つの差圧用ゲージ５ａ〜５ｄは、互いに平行に配置されている。すなわち、４つの差圧用ゲージ５ａ〜５ｄの長手方向は対角線ＡＢに沿って設けられている。そして差圧用ゲージ５ａ〜５ｄの長手方向の両端に、配線（不図示）が接続される。差圧用ゲージ５は、センサチップ１０の結晶面方位（１００）において、ピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行に形成される。

さらに、センサチップ１０には、４つの静圧用ダイアフラム１７ａ〜１７ｄが設けられている。これら４つの静圧用ダイアフラム１７ａ〜１７ｄをまとめて静圧用ダイアフラム１７と称する。図２に示すように、第１半導体層１が除去されることで、静圧用ダイアフラム１７が形成される。すなわち、静圧用ダイアフラム１７では、センサチップ１０が薄くなっている。静圧用ダイアフラム１７は、差圧用ダイアフラム４の外周部に配置されている。すなわち、差圧用ダイアフラム４の外側に、静圧用ダイアフラム１７が配置されている。４つの静圧用ダイアフラム１７ａ〜１７ｄは、センサチップ１０の中心に対して点対称に配置されている。

従って、静圧用ダイアフラム１７ａと静圧用ダイアフラム１７ｂは、差圧用ダイアフラム４を挟んで対向するように配置されている。そして、静圧用ダイアフラム１７ａと静圧用ダイアフラム１７ｂは、対角線ＡＢ上に配置されている。同様に、静圧用ダイアフラム１７ｃと静圧用ダイアフラム１７ｄは、差圧用ダイアフラム４を挟んで対向するように配置されている。そして、静圧用ダイアフラム１７ｃと静圧用ダイアフラム１７ｄは、対角線ＣＤ上に配置されている。そして、センサチップ１０の中心から各静圧用ダイアフラム１７ａ〜１７ｄまでの距離が等しくなっている。

差圧用ゲージ５ａと角Ａとの間に、静圧用ダイアフラム１７ａが配置される。同様に、差圧用ゲージ５ｂと角Ｂとの間に、静圧用ダイアフラム１７ｂが配置され、差圧用ゲージ５ｃと角Ｃとの間に、静圧用ダイアフラム１７ｃが配置され、差圧用ゲージ５ｄと角Ｄとの間に、静圧用ダイアフラム１７ｄが配置される。静圧用ダイアフラム１７ａ〜１７ｄは同じ大きさ、形状になっている。

静圧用ダイアフラム１７は長方形状に形成されている。従って、静圧用ダイアフラム１７の長辺と短辺とが直交している。すなわち、静圧用ダイアフラム１７には、長手方向と短手方向が存在する。ここで、センサチップ１０の中心から外側に向かって延びる方向を径方向（ｒ方向）とする。すなわち、センサチップ１０の中心点からセンサチップ１０の端に向かう方向が径方向となる。センサチップ１０と差圧用ダイアフラム４の中心は一致しているため、この径方向は、差圧用ダイアフラム４の中心に対する径方向となる。そして、径方向と直交する方向を周方向（θ方向）とする。周方向は、センサチップ１０の中心を中心とする円の接線方向に対応する。静圧用ダイアフラム１７の短辺は径方向と平行なっている。

静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂの短辺は、対角線ＡＢと平行になっており、静圧用ダイアフラム１７ｃ、１７ｄの短辺は、対角線ＣＤと平行になっている。このように、対向する２つの静圧用ダイアフラム（例えば、静圧用ダイアフラム１７ａと静圧用ダイアフラム１７ｂ）では、短手方向が平行になっている。そして、周方向における隣の静圧用ダイアフラム１７（例えば、静圧用ダイアフラム１７ａと静圧用ダイアフラム１７ｃ）では、短手方向が垂直になっている。また、対角線ＡＢ、及び対角線ＣＤ上では、静圧用ダイアフラム１７の長手方向と周方向が平行になっている。４つの静圧用ダイアフラム１７は、周方向において等間隔に配置されている。

静圧用ダイアフラム１７ａ上には、静圧用ゲージ１５ａが形成されている。同様に、静圧用ダイアフラム１７ｂ上には、静圧用ゲージ１５ｂが形成され、静圧用ダイアフラム１７ｃ上には、静圧用ゲージ１６ｃが形成され、静圧用ダイアフラム１７ｄ上には、静圧用ゲージ１６ｄが形成されている。ここで、２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂを静圧用ゲージペア１５とする。同様に、２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄを静圧用ゲージペア１６とする。

静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄは、差圧用ゲージ５と同様の歪ゲージである。従って、センサチップ１０が歪むと、ピエゾ抵抗効果によって、各静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄ抵抗が変化する。静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄは、差圧用ゲージ５と同様にブリッジ回路に接続されている。これにより、静圧を測定することができる。なお、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄは、図２、及び図３に示すように、センサチップ１０の表面に形成されている。静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄの長手方向の両端に、配線（不図示）が接続される。そして、差圧用ゲージ５と同様に、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄは、ブリッジ回路に結線される。

静圧用ゲージペア１５に含まれる２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは、差圧用ダイアフラム４を挟んで対向するよう配置されている。静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは、対角線ＡＢ上に形成されている。静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは、センサチップ１０の中心に対して対称に配置されている。センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１５ａまでの距離は、センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１５ｂまでの距離と等しくなっている。

静圧用ゲージペア１６に含まれる２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄは、差圧用ダイアフラム４を挟んで対向するよう配置されている。静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄは、対角線ＣＤ上に形成されている。静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄは、センサチップ１０の中心に対して対称に配置されている。すなわち、センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１６ｃまでの距離は、センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１６ｄまでの距離と等しくなっている。

静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは、それぞれ、静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂの端部に配置されている。すなわち、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂの周縁と重複している。一方、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄは、それぞれ静圧用ダイアフラム１７ｃ、１７ｄの中央部に配置されている。すなわち、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄは静圧用ダイアフラム１７ｃ、１７ｄの周縁と重複していない。センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１５ａ（又は静圧用ゲージ１５ｂ）までの距離は、センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１６ｃ（又は静圧用ゲージ１６ｄ）までの距離と異なっている。

ここでは、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂは、静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂのセンサチップ端側の周縁上に形成されている。すなわち、静圧用ゲージ１５ａは、静圧用ダイアフラム１７ａの角Ａ側の長辺上に配置されている。同様に、静圧用ゲージ１５ｂは、静圧用ダイアフラム１７ｂの角Ｂ側の長辺上に配置されている。センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１５ａ又は静圧用ゲージ１５ｂまでの距離は、センサチップ１０の中心から静圧用ゲージ１６ｃ又は静圧用ゲージ１６ｄまでの距離よりも長くなっている。なお、静圧用ゲージ１５ａ、静圧用ゲージ１５ｂを、それぞれセンサチップ１０の中心側の長辺上に配置してもよい。すなわち、本実施例では、静圧用ゲージペア１５に含まれる２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂを静圧用ダイアフラムの長辺上に形成したが、長辺上に限らず静圧用ダイアフラムのチップ中心側の端部、又はチップ端側の端部近傍で最大応力が発生する箇所に形成されていればよい。

このように、第１静圧用ゲージペア１５と第２静圧用ゲージペア１６とで、静圧用ダイアフラム１７上における静圧用ゲージの配置位置を変える。すなわち、対向する２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂを静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂの端部に配置し、対向する２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄを静圧用ダイアフラム１７ｃ、１７ｄの中央部に配置する。このようにすることで、センサチップ１０を小型化した場合でも、測定感度の低下を防ぐことができる。さらに、測定環境の温度変化による測定誤差を抑制することができる。すなわち、圧力センサの温度特性を向上することができる。上記の構成によって、小型で高性能な圧力センサを実現することができる。

まず、測定感度の低下を防ぐことができる理由について、図４、及び図５を用いて説明する。図４は、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄによって構成されるブリッジ回路とその抵抗変動を示す概念図である。図４に示すように、４つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄが抵抗素子となって、例えば、ホイートストーンブリッジ回路を構成する。図５は、３．５ＭＰａを印加した時の、センサチップ１０の中心からの応力分布を示す図である。なお、図５は、対角線ＣＤ上における応力のシミュレーション結果を示している。シミュレーションによる解析には、有限要素法（Ｆｉｎｉｔｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ：ＦＥＭ）を用いている。図５において、横軸はセンサチップ１０の中心からの距離を示し、縦軸は応力を示している。図５において、左側の矢印が、静圧用ダイアフラム１７の中央の位置に対応し、右側の矢印が静圧用ダイアフラム１７の外側のエッジに対応している。

静圧用ダイアフラム１７の中央部と端部では、圧力印加時に発生する応力の向きが反対になる。例えば、３．５ＭＰａを印加したときは、図５に示すように、静圧用ダイアフラム１７の中央部（左側矢印）で応力が負になり、端部（右側矢印）で応力が正になる。すなわち、静圧用ダイアフラム１７の中央部で、応力が負のピークとなり、端部で、正のピークとなる。

ここで、図４に示すように、規定となる圧力における静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄの抵抗値をＲとする。圧力印加で生じた歪みに起因する静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂの抵抗変動の絶対値をΔＲ１とし、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄの抵抗変動の絶対値をΔＲ２とする。すると、静圧用ダイアフラム１７の端部に配置された静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂでは、抵抗値がＲ−ΔＲ１となる。一方、静圧用ダイアフラム１７の中央部に配置された静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄでは、抵抗値がＲ＋ΔＲ２となる。なお、ΔＲ１、及びΔＲ２はそれぞれ正の値になっている。すなわち、圧力を印加すると、第１静圧用ゲージペア１５に含まれる２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂでは抵抗値が下がり、第２静圧用ゲージペア１６に含まれる２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄでは、抵抗値が上がる。

このように、規定の圧力から変化するとブリッジ回路の抵抗バランスがくずれる。対向配置された２つの静圧用ゲージの抵抗変動が同じ方向になっている。さらに、第１静圧用ゲージペア１５、及び第２静圧用ゲージペア１６で、抵抗変動値の符号が反対になる。すなわち、第１静圧用ゲージペア１５、及び第２静圧用ゲージペア１６の一方で抵抗変動が正になり、他方で抵抗変動が負になる。これにより、ブリッジ出力が大きくなり、静圧に対する測定感度を向上することができる。

さらに、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄが静圧用ダイアフラム１７の長辺に沿って形成されている。図４に示すように、静圧用ダイアフラム１７のエッジ、及び中央で、発生応力がピークとなる。そして、このエッジ又は中央において、静圧用ダイアフラム１７の長手方向に沿った静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄが形成されている。ブリッジ回路で検出される抵抗値変化は、この長手方向に沿って積分された値となる。従って、発生応力を効率よく抵抗値変化に変換することができる。よって、測定感度を高くすることができる。

次に、測定環境の温度変化による測定誤差を抑制することができる理由について、図６図７を用いて説明する。図６は、図４と同様に、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄによって構成されるブリッジ回路とその抵抗変動を示す概念図である。図７は、−４０℃を印加した時の、センサチップ１０の中心からの応力分布を示す図である。なお、図７は、対角線ＣＤ上における応力のシミュレーション結果を示している。シミュレーションによる解析には、ＦＥＭ（Ｆｉｎｉｔｅ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ）を用いている。図７において、横軸は、センサチップ１０の中心からの距離を示し、縦軸は応力を示している。図７において、左側の矢印が、静圧用ダイアフラム１７の中央の位置に対応し、右側の矢印が静圧用ダイアフラム１７の外側のエッジに対応している。

温度変化時に発生する応力に起因する抵抗値変化が同じ方向になる。すなわち、図７に示すように、静圧用ダイアフラム１７のエッジと中央で、応力が同じ方向に発生する。例えば、温度変化によって、静圧用ダイアフラム１７のエッジに圧縮応力が発生した場合、静圧用ダイアフラム１７の中央にも圧縮応力が発生する。温度変化によって静圧用ダイアフラム１７のエッジに引っ張り応力が発生した場合、静圧用ダイアフラム１７の中央にも引っ張り応力が発生する。従って、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂの抵抗値はＲ＋ΔＲ１となり、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄの抵抗値はＲ＋ΔＲ２となる。なお、ΔＲ１とΔＲ２は正の数である。従って、温度が変化した場合でも、ブリッジ出力が小さくなる。すなわち、温度変化による出力の変動が抑制される。よって、温度変化による測定誤差を抑制することができる。これにより、温度特性を向上することができる。

第１静圧用ゲージペア１５、第２静圧用ゲージペア１６、及び静圧用ダイアフラム１７を上記のように配置することによって、小型で、高性能な圧力センサを実現することができる。また、上記の説明では、静圧用ダイアフラム１７を長方形として説明したが、静圧用ダイアフラム１７の形状は長方形に限られるものではない。例えば、静圧用ダイアフラムを楕円形などにしてもよい。さらに、上記の説明では、静圧用ダイアフラム１７を第１静圧用ゲージペア１５と第２静圧用ゲージペア１６に対応する箇所にのみ設けたが、周方向に連続するように円輪状や多角形状などで形成してもよい。例えば、図８（ａ）に示すように、静圧用ダイアフラム１７を四角形の額縁状にする。すなわち、差圧用ダイアフラム１４を囲む溝を形成して静圧用ダイアフラム１７とすることができる。換言すれば、静圧用ダイアフラム１７は、長手方向と短手方向を有している形状であればよい。そして、長手方向と直交する短手方向を径方向に沿って配置すればよい。静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄの長手方向を静圧用ダイアフラムの長手方向に沿って配置する。すなわち、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄの長手方向が周方向に沿って配置される。上記の説明では、基板及び差圧用ダイアフラム４を正方形としたが、これに限られるものではなく、円形などにしてもよい。
また、上記の説明では、静圧用ゲージ１５ａと静圧用ゲージ１５ｂを結ぶ直線と、静圧用ゲージ１６ｃと静圧用ゲージ１６ｄを結ぶ直線とが直交するように静圧用ゲージを形成したが、これに限定されるものではない。直交しない構成であっても、直交する構成と比較して特性は劣るものの適応可能である。
例えば、図８（ｂ）に示すように、静圧用ゲージ１５ａと静圧用ゲージ１５ｂとを結ぶ直線と、静圧用ゲージ１５ａと静圧用ゲージ１５ｂとを結ぶ直線とを一致させるようにしてもよい。図８（ｂ）では、差圧用ダイアフラム４を円形とし、静圧用ダイアフラム１７を円輪状としている。そして、静圧用ダイアフラム１７が差圧用ダイアフラム４の周りを囲んでいる。静圧用ゲージ１６ｃ、１５ａが角Ｃの近傍に配置され、静圧用ゲージ１６ｄ、１５ｂが角Ｄの近傍に配置されている。したがって、静圧用ゲージ１５ａと静圧用ゲージ１５ｂの間に、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄが配置されている。ここで、２つの静圧用ゲージを結ぶ直線とは、２つの静圧用ゲージの中心を結ぶ直線を示している。なお、差圧用ゲージの配置については、図１に示す構成と同様であるため、図８では、図示を省略している。

次に、圧力センサの製造方法について、図９、及び図１０を用いて説明する。図９は、圧力センサの製造方法を示す図であり、センサチップ１０を上から見た構成を示している。図１０は、圧力センサの製造方法を示す工程断面図であり、図９のＸ−Ｘ断面の構成を示している。

まず、第１半導体層１と、０．５μｍ程度の厚さの絶縁層２、及び第２半導体層３からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハを用意する。このＳＯＩウエハを作製するには、Ｓｉ基板中に酸素を注入してＳｉＯ₂ 層を形成するＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）技術を用いてもよいし、２枚のＳｉ基板を貼り合わせるＳＤＢ（Silicon Direct Bonding）技術を用いてもよいし、その他の方法を用いてもよい。なお、第２半導体層３を、平坦化及び薄膜化してもよい。例えば、ＣＣＰ（Computer Controlled Polishing ）と呼ばれる研磨法等により、所定の厚さまで、第２半導体層３を研磨する。

第２半導体層３の上面に、不純物拡散あるいはイオン打ち込み法によってｐ型Ｓｉからなる差圧用ゲージ５ａ〜５ｄ、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄを形成する。これにより、図９（ａ）、及び図１０（ａ）に示す構成となる。各ゲージは、図１等で示したように、各ダイアフラムとなる箇所の所定の位置に形成されている。なお、差圧用ゲージ５ａ〜５ｄ、静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂと、静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄを、下記に示すダイアフラムの形成工程の後に形成してもよい。もちろん、差圧用ゲージ５を静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂ、１６ｃ、１６ｄと違う特性にしてもよい。

このようにして形成されたＳＯＩウエハの下面にレジスト９を形成する。レジスト９のパターンは、公知のフォトリソグラフィー工程によって、第１半導体層１上に形成される。すなわち、感光性樹脂膜を塗布し、露光、現像することで、レジスト９のパターンが形成される。レジスト９は、感圧領域（ダイアフラムが形成される領域）に相当する部分に開口部を有している。すなわち、ダイアフラムを形成する部分では、第１半導体層１が露出している。これにより、図１０（ｂ）に示す構成となる。

そして、レジスト９をマスクとして、第１半導体層１をエッチングする。これにより、図９（ｂ）、及び図１０（ｃ）に示す構成となる。例えば、公知のＩＣＰエッチングなどのドライエッチングを用いて、第１半導体層１をエッチングすることができる。もちろん、ＫＯＨやＴＭＡＨ等の溶液を用いたウェットエッチングにより、第１半導体層１をエッチングしてもよい。第１半導体層１をエッチングすると、差圧用ダイアフラム４、及び静圧用ダイアフラム１７が形成される。ここで、絶縁層２がエッチングストッパとして機能している。従って、レジスト９の開口部からは、絶縁層２が露出している。

そして、レジスト９を除去すると、図１０（ｄ）に示す構成となる。この後、第１静圧用ゲージペア１５、第２静圧用ゲージペア１６、差圧用ゲージ５と電気的接続を得るための配線（不図示）を蒸着する。これにより、センサチップ１０が完成する。なお、配線を形成する工程は、図１０（ｄ）よりも前に行われてもよい。例えば、図１０（ａ）の前に、配線を作成してもよく、図１０（ａ）〜図１０（ｃ）の間に、配線を作成してもよい。また、上記のように、第１静圧用ゲージペア１５、第２静圧用ゲージペア１６、差圧用ゲージ５の形成を図１０（ｄ）の後に行ってもよく、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）の間に行ってもよい。すなわち、配線の形成工程と、歪ゲージの形成工程の順番は特に限定されるものではない。

このセンサチップ１０を台座に接合する。これにより、台座は、パイレックス（登録商標）ガラスやセラミックで形成されている。例えば、陽極接合によって台座がセンサチップ１０の第１半導体層１に接合される。台座の中心には、差圧用ダイアフラム４に到達する貫通孔が形成されている。貫通孔が差圧用ダイアフラム４に連通している。また、静圧用ダイアフラム１７が形成される箇所が非接合部となるように、台座の中央部には凸部が形成され、外周部には凹部が形成されている。従って、台座の凸部と凹部の境界は、差圧用ダイアフラム４と静圧用ダイアフラム１７の間に配置される。こうして圧力センサの作製が終了する。このように作成された圧力センサは、小型で高性能のものとなる。

なお、上記の説明では、静圧用ダイアフラム１７と差圧用ダイアフラム４の形成を同時に行ったが、これらを別々に行ってもよい。すなわち、異なるエッチング工程で、差圧用ダイアフラム４と、静圧用ダイアフラム１７とを形成してもよい。この製造工程について、図１１、図１２を用いて説明する。

図１１は、圧力センサの他の製造方法を示す図であり、センサチップ１０を上から見た構成を示している。図１２は、圧力センサの他の製造方法を示す工程断面図であり、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ断面の構成を示している。なお、図９、及び図１０を用いて説明した内容と同様の内容については、説明を省略する。

図１１（ａ）、及び図１２（ａ）に示すようにセンサチップとなるウエハを用意する。このウエハは、図９（ａ）のものと同様のものである。そして、レジスト９のパターンを第１半導体層１上に形成する。これにより図１２（ｂ）に示す構成となる。ここで、レジスト９は、差圧用ダイアフラム４が形成される部分が露出するように、開口部を有している。すなわち、静圧用ダイアフラム１７が形成される箇所は、レジスト９で覆われている。

そして、レジスト９をマスクとして、第１半導体層１をエッチングする。これにより、図１２（ｃ）に示す構成となる。ここでは、上記のように、絶縁層２がエッチングストッパとなっている。そして、レジスト９を除去すると、図１２（ｄ）、及び図１１（ｂ）に示す構成となる。ここでは、差圧用ダイアフラム４が形成される。なお、この段階では、静圧用ダイアフラム１７となる箇所は、レジスト９で覆われている。従って、静圧用ダイアフラム１７は形成されていない。そして、レジスト９を除去すると、図１１（ｂ）、及び図１２（ｄ）に示す構成となる。

次に、レジスト１９のパターンを第１半導体層１上に形成する。これにより、図１２（ｅ）に示す構成となる。このレジスト１９は、静圧用ダイアフラム１７となる箇所に開口部を有している。すなわち、静圧用ダイアフラム１７が形成されている領域では、第１半導体層１が露出している。一方、差圧用ダイアフラム４が形成された領域では、絶縁層２がレジスト１９で覆われている。このレジスト１９をマスクとして、第１半導体層１をエッチングする。これにより、静圧用ダイアフラム１７が形成されて、図１２（ｆ）に示す構成となる。ここでは、絶縁層２がエッチングストッパとして用いられている。

そして、レジスト１９を除去すると、図１１（ｃ）、及び図１２（ｇ）に示す構成となる。これにより、センサチップ１０が完成する。

このように、静圧用ダイアフラム１７と差圧用ダイアフラム４とを別々のエッチング工程で形成してもよい。これにより、静圧用ダイアフラム１７の厚さと差圧用ダイアフラム４の厚さを変えることができる。すなわち、静圧用ダイアフラム１７の厚さと差圧用ダイアフラム４の厚さの制御を容易に行うことができる。例えば、差圧用ダイアフラム４と静圧用ダイアフラム１７の厚さをそれぞれ最適化することができる。よって、それぞれのダイアフラムの厚さが最適化された圧力センサを用意に製造することができる。すなわち、差圧用ダイアフラム４と静圧用ダイアフラム１７とで、厚さが異なる圧力センサを製造することができる。この場合、少なくとも一方のエッチング工程では、絶縁層２が露出する前でエッチングを終了する。
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる圧力センサの構成について、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施の形態にかかる圧力センサに用いられるセンサチップ１０の上面図である。本実施の形態では、図１３（ａ）に示すように、静圧用ゲージが２点配置となっている。すなわち、センサチップ１０の角Ｃと角Ｄの近傍に、それぞれ２つの静圧用ゲージが配置されている。なお、これら以外の構成については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

図１３（ａ）に示すように、１つの静圧用ダイアフラム１７ｃに静圧用ゲージ１５ａ、１６ｃが形成されている。また、静圧用ダイアフラム１７ｄに２つの静圧用ゲージ１５ｂ、及び静圧用ゲージ１６ｄが配置されている。そして、静圧用ゲージ１５ａが静圧用ダイアフラム１７ｃの端部に配置され、静圧用ゲージ１６ｃが静圧用ダイアフラム１７ｄの中央部に配置されている。静圧用ゲージ１５ｂが静圧用ダイアフラム１７ｄの端部に配置され、静圧用ゲージ１６ｄが静圧用ダイアフラム１７ｄの中央部に配置されている。なお、図１３（ａ）に示す構成では、静圧用ダイアフラム１７ａ、１７ｂが不要となる。このような構成であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

また、図１３（ｂ）に示すように、静圧用ダイアフラム１７を円輪状にすることも可能である。なお、図１３（ｂ）では、図８（ｂ）の差圧用ダイアフラム４が正方形状となった構成を有している。その他の構成については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

本実施の形態においても、径方向において、静圧用ダイアフラム１５ａ、１５ｂは、静圧用ダイアフラム１７の端部に配置され、静圧用ダイアフラム１６ｃ、１６ｄは、静圧用ダイアフラム１７の中央部に配置される。したがって、静圧用ダイアフラム１５ａからセンサチップ１０の中心までの距離は、静圧用ダイアフラム１５ｂからセンサチップ１０の中心までの距離と等しくなっている。静圧用ダイアフラム１６ｄからセンサチップ１０の中心までの距離は、静圧用ダイアフラム１６ｃからセンサチップ１０の中心までの距離と等しくなっている。そして、静圧用ダイアフラム１５ａからセンサチップの中心までの距離が、静圧用ダイアフラム１６ｃからセンサチップの中心までの距離よりも長くなっている。このような構成であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。なお、実施の形態では、静圧用ゲージ１５ａと静圧用ゲージ１５ｂを結ぶ直線と、静圧用ゲージ１６ｃと静圧用ゲージ１６ｄを結ぶ直線が一致する。

発明の実施の形態３．
本実施の形態にかかる圧力センサの構成について、図１４を用いて説明する。図１４は、圧力センサに用いられるセンサチップ１０の上面図である。なお、本実施の形態にかかる圧力センサは、実施の形態１で示した圧力センサのセンサチップ形状、及びダイアフラム形状が異なっている。具体的には、センサチップ１０、及び差圧用ダイアフラム４を円形とし、静圧用ダイアフラム１７を円輪状としている。なお、これら以外の基本的構成は実施の形態１で示したセンサチップ１０と同じであるため、説明を省略する。すなわち、特に説明がない箇所については、実施の形態１と同様になっている。また、製造工程についても、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

本実施の形態では、センサチップ１０が円形になっている。円形のセンサチップ１０の中心を通る直線を線ＥＦ、及び線ＧＨとする。この線ＥＦ、及び線ＧＨは、互いに直交している。線ＥＦ、及び線ＧＨは、実施の形態１で示した対角線ＡＢ，及び対角線ＣＤに対応する。そして、このセンサチップ１０の中央部に差圧用ダイアフラム４が形成されている。

差圧用ダイアフラム４は、円形になっている。差圧用ダイアフラム４は、センサチップ１０と同心円になっている。従って、差圧用ダイアフラム４の中心は、線ＥＦと線ＧＨの交点と一致している。実施の形態１と同様に、差圧用ダイアフラム４の周縁に、差圧用ゲージ５が形成される。

さらに、差圧用ダイアフラム４の外周部には、静圧用ダイアフラム１７が設けられている。本実施の形態では、円輪状の静圧用ダイアフラム１７が１つだけ設けられている。すなわち、実施の形態１で示した４つの静圧用ダイアフラム１７の代わりに、リング状の静圧用ダイアフラム１７が１つだけ設けられている。センサチップ１０に、円輪状の溝を設けることで、静圧用ダイアフラム１７が形成される。静圧用ダイアフラム１７は、差圧用ダイアフラム４を囲むように配置されている。円輪状の静圧用ダイアフラム１７は、センサチップ１０、及び差圧用ダイアフラム４と同心円状になっている。すなわち、静圧用ダイアフラム１７の外縁、及び内縁が円形となっており、その円の中心が線ＥＦと線ＧＨの交点と一致している。

そして、静圧用ダイアフラム１７には、第１静圧用ゲージペア１５、及び第２静圧用ゲージペア１６が設けられている。第１静圧用ゲージペア１５は、線ＥＦ上に配置され、静圧用ゲージペア１６は線ＧＨ上に配置されている。第１静圧用ゲージペア１５に含まれる２つの静圧用ゲージを静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆとし、第２静圧用ゲージペア１６に含まれる２つの静圧用ゲージを静圧用ゲージ１６ｇ、１６ｈとする。静圧用ゲージ１５ｅと静圧用ゲージ１５ｆとは差圧用ダイアフラム４を挟んで対向配置されている。静圧用ゲージ１６ｇと静圧用ゲージ１６ｈとは差圧用ダイアフラム４を挟んで対向配置されている。

静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆは、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成されている。ここでは、静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆは、静圧用ダイアフラム１７の外縁上に形成されている。静圧用ゲージ１６ｇ、１６ｈは、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成されている。そして、静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆ、１６ｇ、１６ｈは、円輪の幅方向と垂直な方向に沿って形成されている。すなわち、静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆ、１６ｇ、１６ｈの長手方向が周方向と一致している。従って、静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆは静圧用ゲージ１６ｇ、１６ｈの間隔と異なっている。

対向配置された静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆが静圧用ダイアフラム１７のエッジ上に形成され、対向配置された静圧用ゲージ１６ｇ、１６ｈが静圧用ダイアフラム１７の中心上に形成されている。そして、静圧用ゲージ１５ｅ、１５ｆ、１６ｇ、１６ｈの長辺が、静圧用ダイアフラム１７の径方向と垂直になっている。

このような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。すなわち、実施の形態１で説明したように、圧力印加時に、対向配置された２つの静圧用ゲージの抵抗変動が同じ方向になっている。さらに、第１静圧用ゲージペア１５、及び第２静圧用ゲージペア１６で、抵抗変動値の符号が反対になる。すなわち、第１静圧用ゲージペア１５、及び第２静圧用ゲージペア１６の一方で抵抗変動が正になり、他方で抵抗変動が負になる。これにより、ブリッジ出力が大きくなり、静圧に対する測定感度を向上することができる。
なお、本実施例では第１静圧用ゲージペア１５を線ＥＦ上に、第２静圧用ゲージペア１６を線ＧＨ上に配置したが、周方向に均等に配置する必要はなく、第１静圧用ゲージペア１５と第２静圧用ゲージペア１６とをそれぞれ円輪状の静圧用ダイアフラムのエッジ上又は中心上に形成すれば同様の効果を得ることができる。

また、温度変化時に発生する応力に起因する抵抗値変化が同じ方向になる。すなわち、静圧用ダイアフラム１７のエッジと中央とで、応力が同じ方向に発生する。抵抗値が正方向に変化する。従って、温度が変化した場合でも、ブリッジ出力が小さくなる。よって、温度変化による測定誤差を抑制することができる。これにより、温度特性を向上することができる。

第１静圧用ゲージペア１５、第２静圧用ゲージペア１６、及び静圧用ダイアフラム１７を上記のように配置することによって、小型で、高性能な圧力センサを実現することができる。

なお、図１４では、差圧用ダイアフラム４、静圧用ダイアフラム１７の外縁、及び静圧用ダイアフラム１７の内縁を、円形状としたが、多角形状にしてもよい。この場合、円形に近い正多角形とすることが好ましい。正多角形の角の数を偶数とし、さらに２^ｎとすることが好ましい。なお、ｎは３以上の自然数である。具体的には、正８角形以上の正多角形とすることが好ましい。さらに、正１６角形以上の正多角形とすることがより好ましい。例えば、正１６角形、正３２角形、正６４角形などと角の数を増やしてもよい。多角形の全ての角で、センサチップ１０の中心からの距離が等しくなっている。もちろん、差圧用ダイアフラム４と静圧用ダイアフラム１７の一方を多角形状として、他方を円形状としてもよい。

例えば、図１５に示すように、差圧用ダイアフラム４を正８角形状として、静圧用ダイアフラム１７を円形状としてもよい。すなわち、静圧用ダイアフラム１７の内縁、及び外縁を円形とする。反対に、差圧用ダイアフラム４を円形状として、静圧用ダイアフラム１７を正多角形状としてもよい。

さらには、図１６に示すように、差圧用ダイアフラム４、及び静圧用ダイアフラム１７の両方を正多角形状としてもよい。図１６では、差圧用ダイアフラム４、及び静圧用ダイアフラム１７の両方を正１６角形状にしている。従って、静圧用ダイアフラム１７の内縁、及び外縁が正１６角形になっている。この場合、差圧用ダイアフラム４に対して静圧用ダイアフラム１７を４５°傾ける。このように、ダイアフラムを多角形状にしても、ほぼ同様の効果を得ることができる。また、センサチップ１０を、差圧用ダイアフラム４や静圧用ダイアフラム１７と同様に、正多角形状としてもよい。なお、それぞれの実施形態を適宜組み合わせてもよい。

本発明の実施の形態１にかかる圧力センサの構成を示す上面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。 静圧用ゲージによって構成されるブリッジ回路と、その抵抗変動を示す概念図である。 圧力印加時における、センサチップの中心からの応力分布図である。 静圧用ゲージによって構成されるブリッジ回路と、その抵抗変動を示す概念図である。 温度印加時における、センサチップの中心からの応力分布図である。 本発明の実施の形態１にかかる圧力センサの別の構成例を示す上面図である。 圧力センサの製造工程を示す図である。 圧力センサの製造工程を示す工程断面図である。 圧力センサの他の製造工程を示す図である。 圧力センサの他の製造工程を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２にかかる圧力センサの構成を示す上面図である。 本発明の実施の形態３にかかる圧力センサの構成を示す上面図である。 本発明の実施の形態３にかかる圧力センサの他の構成を示す上面図である。 本発明の実施の形態３にかかる圧力センサの他の構成を示す上面図である。

符号の説明

１ 第１半導体層
２ 絶縁層
３ 第２半導体層
４ 差圧用ダイアフラム
５ 差圧用ゲージ
５ａ 差圧用ゲージ
５ｂ 差圧用ゲージ
５ｃ 差圧用ゲージ
５ｄ 差圧用ゲージ
９ レジスト
１０ センサチップ
１５ 第１静圧用ゲージペア
１５ａ 静圧用ゲージ
１５ｂ 静圧用ゲージ
１５ｅ 静圧用ゲージ
１５ｆ 静圧用ゲージ
１６ 第２静圧用ゲージペア
１６ｃ 静圧用ゲージ
１６ｄ 静圧用ゲージ
１６ｇ 静圧用ゲージ
１６ｈ 静圧用ゲージ
１７ 静圧用ダイアフラム
１７ａ 静圧用ダイアフラム
１７ｂ 静圧用ダイアフラム
１７ｃ 静圧用ダイアフラム
１７ｄ 静圧用ダイアフラム
１９ レジスト

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板の中央部に設けられた差圧用ダイアフラムと、
   前記差圧用ダイアフラムに設けられた差圧用ゲージと、
   前記差圧用ダイアフラムの外周部に設けられた静圧用ダイアフラムと、
   前記差圧用ダイアフラムを挟んで配置された２つの静圧用ゲージを有し、前記静圧用ダイアフラムの端部に形成された第１の静圧用ゲージペアと、
   前記差圧用ダイアフラムを挟んで配置された２つの静圧用ゲージを有し、前記静圧用ダイアフラムの中央部に形成された第２の静圧用ゲージペアと、を備え、
   前記第１の静圧用ゲージペアを結ぶ直線と、前記第２の静圧用ゲージペアを結ぶ直線とが直交し、
   前記第１の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向が、前記第２の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向と直交するように配置され、
   前記第１の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向、及び前記第２の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向が、前記差圧用ダイアフラムの中心に対する周方向に沿って配置され、
   前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージに対応して、前記静圧用ダイアフラムが４つ設けられており、
   前記第１及び第２の静圧用ゲージペアに含まれる４つの静圧用ゲージの長手方向が、対応する前記静圧用ダイアフラムの短手方向と垂直な方向に配置されている圧力センサ。
2. 前記差圧用ダイアフラムには、４つの前記差圧用ゲージが設けられ、
   第１の前記差圧用ゲージと第２の前記差圧用ゲージが前記第１の静圧用ゲージペアを結ぶ直線上に配置され、
   前記４つの差圧用ゲージのうちの残りの２つが前記第２の静圧用ゲージペアを結ぶ直線上に配置され、
   前記第１及び第２の差圧用ゲージの長手方向が前記第１の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向と直交しており、
   前記第３及び第４の差圧用ゲージの長手方向が前記第２の静圧用ゲージペアの２つの静圧用ゲージの長手方向と平行である請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記第１の静圧用ゲージペアに含まれる２つの静圧用ゲージが、前記静圧用ダイアフラムの基板中心側の端部、又は基板端側の端部に形成されている請求項１、又は２に記載の圧力センサ。
4. 前記静圧用ダイアフラムが、長方形であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧力センサ。

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