JP5227730B2 - 圧力センサ - Google Patents
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Description
以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施の形態にかかる圧力センサに用いられているセンサチップの構成を示す上面図である。図2は、図1のII−II断面図であり、図3は、III−III断面図である。本実施の形態にかかる圧力センサは、半導体のピエゾ抵抗効果を利用した半導体圧力センサである。
本実施の形態にかかる圧力センサについて図8を用いて説明する。図8は、圧力センサに用いられるセンサチップの構成を示す上面図である。本実施の形態では、静圧用ゲージ15a〜15dの配置が実施の形態1と異なっている。また静圧用ダイアフラム17c、17dが正方形状となった構成を有している。これらの配置以外の構成については、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。そして、図8(a)〜図8(c)では、静圧用ゲージ15a〜15dがそれぞれ異なる配置になっている。
2 絶縁層
3 第2半導体層
4 差圧用ダイアフラム
5 差圧用ゲージ
5a 差圧用ゲージ
5b 差圧用ゲージ
5c 差圧用ゲージ
5d 差圧用ゲージ
9 レジスト
10 センサチップ
11 台座
15 静圧用ゲージ
15a 静圧用ゲージ
15b 静圧用ゲージ
15c 静圧用ゲージ
15d 静圧用ゲージ
17 静圧用ダイアフラム
17c 静圧用ダイアフラム
17d 静圧用ダイアフラム
18 貫通孔
19 レジスト
29 マスク
Claims (4)
- 基板と、
前記基板の中央部に設けられた差圧用ダイアフラムと、
前記差圧用ダイアフラムの周縁部に設けられ、前記差圧用ダイアフラムの中心に対する径方向に沿って形成された第1の差圧用ゲージと、
前記第1の差圧用ゲージと前記差圧用ダイアフラムを挟んで対向する位置に配置され、前記差圧用ダイアフラムの周縁部において前記径方向と垂直な周方向に沿って形成された第2の差圧用ゲージと、
前記差圧用ダイアフラムの周縁部において前記第1の差圧用ゲージの近傍に設けられ、前記周方向に沿って設けられた第3の差圧用ゲージと、
前記第3の差圧用ゲージと前記差圧用ダイアフラムを挟んで対向する位置に配置され、前記差圧用ダイアフラムの周縁部において前記径方向に沿って形成された第4の差圧用ゲージと、
前記差圧用ダイアフラムの外側に設けられ、周方向における位置が前記第3の差圧用ゲージと前記第4の差圧用ゲージとの間にある第1の静圧用ダイアフラムと、
前記差圧用ダイアフラムの外側に設けられ、前記第1の静圧用ダイアフラムと前記差圧用ダイアフラムを挟んで対向する位置に配置された第2の静圧用ダイアフラムと、
前記基板と接合された台座と、を備え、
前記差圧用ダイアフラムの前記差圧用ゲージの設けられた対向する2辺から前記基板の端までの間に、前記台座と前記基板との非接合領域が形成されている圧力センサ。 - 前記第1及び第2の静圧用ダイアフラムは、前記径方向に配置する端辺が前記周方向に配置する端辺より短い形状であり、
前記第1及び第2の静圧用ダイアフラムの中央部と前記周方向に配置する端部に、それぞれ前記差圧用ダイアフラムを挟んで対向して形成された静圧用ゲージを備えることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記第1及び第2の静圧用ダイアフラムが、長方形であることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記第1及び第2の静圧用ダイアフラムは、正方形状であり、
前記第1及び第2の静圧用ダイアフラムの隣接する2つの端部に、前記静圧用ダイアフラム毎に配列方向を揃えて形成された静圧用ゲージを備えることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。
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