JP2021025966A - Memsセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、本発明の目的は、従来に比べてピエゾ抵抗の特性を向上させることができるMEMSセンサを提供することである。
また、キャビティが、シリコンダイヤフラムではなく、シリコンダイヤフラムよりも肉厚なシリコン基板に形成されている。そのため、キャビティを高精度で、かつ容易に形成することができる。また、MEMSセンサが、シリコン基板とシリコンダイヤフラムのSi−Si直接接合によって形成されている。つまり、基板とダイヤフラムの線膨張係数が同じであるため、温度変化に起因して接合界面に応力が発生することを抑制することができる。これらの結果、ピエゾ抵抗の特性を安定化させることができる。
まず、本発明の実施形態を列記して説明する。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサは、第1面およびその反対側の第2面を有し、前記第1面にキャビティを有するシリコン基板と、第1面およびその反対側の第2面を有し、当該第2面が前記シリコン基板の前記第1面に直接接合されたシリコンダイヤフラムと、前記シリコンダイヤフラムの前記第1面に形成されたピエゾ抵抗とを含み、前記シリコン基板の前記第1面の面方位と、前記シリコンダイヤフラムの前記第1面の面方位とが互いに異なっている。
また、キャビティが、シリコンダイヤフラムではなく、シリコンダイヤフラムよりも肉厚なシリコン基板に形成されている。そのため、キャビティを高精度で、かつ容易に形成することができる。また、MEMSセンサが、シリコン基板とシリコンダイヤフラムのSi−Si直接接合によって形成されている。つまり、基板とダイヤフラムの線膨張係数が同じであるため、温度変化に起因して接合界面に応力が発生することを抑制することができる。これらの結果、ピエゾ抵抗の特性を安定化させることができる。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記ピエゾ抵抗は、<111>軸方向に延びる長手形状に形成されていてもよい。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記キャビティは、平面視四角形状に形成されており、前記ピエゾ抵抗は、平面視において、前記キャビティの各辺に配置された複数のピエゾ抵抗を含み、前記複数のピエゾ抵抗は、それぞれ、<111>軸方向に延びる長手形状に形成されていてもよい。
また、キャビティの各辺にピエゾ抵抗が配置されている。これにより、シリコンダイヤフラムが振動したときに、キャビティの互いに対向する一対の第1辺および第3辺に配置されたピエゾ抵抗は長手方向に引っ張られて抵抗が増加する。一方、キャビティの互いに対向する一対の第2辺および第4辺に配置されたピエゾ抵抗は幅方向に引っ張られて抵抗が減少する。その結果、第1辺および第3辺のピエゾ抵抗と、第2辺および第4辺のピエゾ抵抗との間に大きな抵抗値の差を形成することができる。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記シリコンダイヤフラムは、一定の厚さを有していてもよい。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記キャビティは、前記シリコンダイヤフラムによって密閉されていてもよい。
この構成によれば、シリコン基板とシリコンダイヤフラムのSi−Si直接接合によって形成されているため、これらの間に酸化膜が形成されていない。その結果、ヘリウム(He)や水素(H2)等の原子半径の小さいガス環境下でMEMSセンサが使用される場合でも、酸化膜を介してキャビティにガスが侵入することを防止することができる。その結果、キャビティ内の真空度を保持することができるため、MEMSセンサの特性変動を防止することができる。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記キャビティは、平面視四角形状に形成されており、前記シリコンダイヤフラムは、平面視において、前記キャビティの各角部に形成され、前記キャビティに連通する複数の貫通孔を有していてもよい。
本発明の一実施形態に係るMEMSセンサでは、前記第2キャビティは、平面視において、前記キャビティの周縁に沿って環状に形成されていてもよい。
この構成によれば、シリコン基板とシリコンダイヤフラムのSi−Si直接接合によって形成されているため、これらの間に酸化膜が形成されていない。その結果、ヘリウム(He)や水素(H2)等の原子半径の小さいガス環境下でMEMSセンサが使用される場合でも、酸化膜を介してキャビティにガスが侵入することを防止することができる。その結果、キャビティ内の真空度を保持することができるため、MEMSセンサの特性変動を防止することができる。
<本発明の実施形態の詳細な説明>
次に、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
MEMSセンサ1は、たとえば、気圧センサ、圧力センサ等の各種センサに適用できる。MEMSセンサ1は、シリコン基板2と、シリコンダイヤフラム3とを含む。
また、シリコン基板2の厚さは、たとえば、100μm〜775μmである。シリコン基板2は、第1面4に形成されたキャビティ7を有している。キャビティ7の深さは、たとえば、5μm〜20μmである。キャビティ7は、図1に示すように、平面視略四角形状に形成されている。より具体的には、キャビティ7は、平面視において、それぞれに丸みが設けられた4つの第1角部46A、第2角部46B、第3角部46Cおよび第4角部46Dを有する四角形状に形成されている。したがって、キャビティ7は、平面視において、第1辺7A、第2辺7B、第3辺7Cおよび第4辺7Dを有している。
接合界面10は、この実施形態では、キャビティ7を取り囲む閉環状に形成されており、これにより、キャビティ7はシリコンダイヤフラム3によって密閉されている。また、平面視において、接合界面10の幅W1は、たとえば、50μm〜500μmである。接合界面10の幅W1は、キャビティ7の周縁11(第1〜第4辺7A〜7D)からシリコン基板2の端面6までの距離によって定義されていてもよい。
ピエゾ抵抗R1〜R4は、シリコンダイヤフラム3にボロン(B)等の不純物を導入することによりシリコンダイヤフラム3の第1面8に形成された拡散抵抗であり、「ゲージ」と称してもよい。この実施形態では、シリコンダイヤフラム3は、キャビティ7に対向してキャビティ7の圧力変動に伴って動く可動部21と、シリコン基板2に接合された固定部22とを含む。
第1中継配線23は、4つの第1ピエゾ抵抗R1を直列に接続している。第1中継配線23は、各第1ピエゾ抵抗R1の長手方向一端部に接続されており、第1中継配線23のいくつか(この実施形態では、2つ)は、シリコンダイヤフラム3の可動部21に形成され、第1中継配線23の残りは、シリコンダイヤフラム3の固定部22に形成されている。第1中継配線23は、シリコンダイヤフラム3にボロン(B)等の不純物を高濃度に導入することによりシリコンダイヤフラム3の第1面8に形成された拡散配線(p+型領域)である。
第3中継配線25は、各第3ピエゾ抵抗R3の長手方向一端部に接続されており、第3中継配線25のいくつか(この実施形態では、2つ)は、シリコンダイヤフラム3の可動部21に形成され、第3中継配線25の残りは、シリコンダイヤフラム3の固定部22に形成されている。第3中継配線25は、シリコンダイヤフラム3にボロン(B)等の不純物を高濃度に導入することによりシリコンダイヤフラム3の第1面8に形成された拡散配線(p+型領域)である。
第2中継配線24は、4つの第2ピエゾ抵抗R2を直列に接続している。第2中継配線24は、各第2ピエゾ抵抗R2の長手方向一端部に接続されており、第2中継配線24の全て(この実施形態では、3つ)は、シリコンダイヤフラム3の可動部21に形成されている。第2中継配線24は、シリコンダイヤフラム3にボロン(B)等の不純物を高濃度に導入することによりシリコンダイヤフラム3の第1面8に形成された拡散配線(p+型領域)である。
第4中継配線26は、各第4ピエゾ抵抗R4の長手方向一端部に接続されており、第4中継配線26の全て(この実施形態では、3つ)は、シリコンダイヤフラム3の可動部21に形成されている。第4中継配線26は、シリコンダイヤフラム3にボロン(B)等の不純物を高濃度に導入することによりシリコンダイヤフラム3の第1面8に形成された拡散配線(p+型領域)である。
具体的には、第1金属配線17は、第1ピエゾ抵抗R1と第2ピエゾ抵抗R2とを固定部22で接続し、かつ第1金属端子12に接続されている。第2金属配線18は、第2ピエゾ抵抗R2と第3ピエゾ抵抗R3とを固定部22で接続し、かつ第2金属端子13に接続されている。第3金属配線19は、第3ピエゾ抵抗R3と第4ピエゾ抵抗R4とを固定部22で接続し、かつ第3金属端子14に接続されている。第4金属配線20は、第4ピエゾ抵抗R4と第1ピエゾ抵抗R1とを固定部22で接続し、かつ第4金属端子15に接続されている。
図3A〜図3Fは、本発明の第1実施形態に係るMEMSセンサ1の製造工程の一部を示す図である。図4は、図3Bの工程の変形例を示す図である。
MEMSセンサ1を製造するには、たとえば、図3Aに示すように、シリコン基板2が準備され、シリコン基板2にキャビティ7が形成される。キャビティ7は、シリコン基板2の第1面4を選択的にドライエッチングすることによって形成されてもよい。
なお、シリコン基板2に接合される基板は、図4に示すように、第2シリコン基板43であってもよい。たとえば、第2シリコン基板43の厚さは、625μm〜775μmであってもよい。第2シリコン基板43は、第1面44およびその反対側の第2面45を有している。この実施形態では、第2シリコン基板43の第1面44が(110)面であり、第2面45が(110)面である。この場合、第2シリコン基板43を上下反転させ、第2シリコン基板43の第1面44がシリコン基板2の第1面4と接するように、第2シリコン基板43をシリコン基板2上にボンディングし、第2シリコン基板43とシリコン基板2とを接合すればよい。
次に、図3Cに示すように、SOI基板35の支持基板36およびBOX層37が除去される。支持基板36およびBOX層37は、たとえば、研削、エッチング等によって除去することができる。その後、活性層38が、所望の厚さ(シリコンダイヤフラム3の厚さ)になるまで加工される。活性層38の薄化は、たとえば、研削、エッチング、研磨等によって行ってもよい。また、予め、SOI基板35の段階で所望の厚さで活性層38を形成しておけば、BOX層37の除去後、活性層38の薄化処理を省略することもできる。これにより、活性層38からなるシリコンダイヤフラム3が形成される。
次に、図3Dに示すように、シリコンダイヤフラム3の第1面8に選択的に不純物イオン(この実施形態では、ボロン(B))が注入され、アニール処理される。これにより、シリコンダイヤフラム3に、ピエゾ抵抗R1〜R4が形成される。
MEMSセンサ1では、シリコンダイヤフラム3の可動部21が第1面8側から圧力(たとえば、気体圧力)を受けると、キャビティ7の内部と外部との間に差圧が生じることによって可動部21がシリコンダイヤフラム3の厚さ方向に変位する。その変位により、ピエゾ抵抗R1〜R4を構成するシリコン結晶が歪んで、ピエゾ抵抗R1〜R4の抵抗値が変化する。
このMEMSセンサ1では、シリコン基板2とシリコンダイヤフラム3のSi−Si直接接合によって形成されているため、これらの間に酸化膜が形成されていない。その結果、ヘリウム(He)や水素(H2)等の原子半径の小さいガス環境下でMEMSセンサ1が使用される場合でも、酸化膜を介してキャビティ7にガスが侵入することを防止することができる。その結果、キャビティ7内の真空度を保持することができるため、MEMSセンサ1の特性変動を防止することができる。
図5Aと図5Bとを比較すると、図5Bの横ピエゾ抵抗係数が、図5Aの横ピエゾ抵抗係数に比べて若干小さくなっている。したがって、横ピエゾ抵抗係数に関して言えば、ピエゾ抵抗R1〜R4は、(110)面よりも(100)面に形成した方が好ましい。しかしながら、図5Aおよび図5Bの縦ピエゾ抵抗係数を比べると、図5Bの縦ピエゾ抵抗係数が、図5Aの縦ピエゾ抵抗係数よりも遥かに大きくなっている。つまり、縦ピエゾ抵抗係数の増加量を考慮すれば、総合的には、横ピエゾ抵抗係数は若干劣るが、ピエゾ抵抗R1〜R4は、(100)面よりも(110)面に形成した方が好ましい。
このMEMSセンサ51においても、シリコン基板2の第1面4の面方位と、シリコンダイヤフラム3の第1面4の面方位とが互いに異なっている。これにより、シリコン基板2の第1面4の面方位に縛られず、シリコンダイヤフラム3の第1面4の面方位として、ピエゾ抵抗R1〜R4の特性が最適となる面方位を採用することができる。その結果、ピエゾ抵抗R1〜R4の特性を安定化させることができる。
図8A〜図8Gは、本発明の第2実施形態に係るMEMSセンサ51の製造工程の一部を示す図である。
MEMSセンサ51を製造するには、たとえば、図8Aに示すように、シリコン基板2が準備され、シリコン基板2にキャビティ7が形成される。キャビティ7は、シリコン基板2の第1面4を選択的にドライエッチングすることによって形成されてもよい。
なお、シリコン基板2に接合される基板は、図4に示すように、第2シリコン基板43であってもよい。この場合、第2シリコン基板43に、複数の貫通孔52A〜52Dに対応する凹部を形成しておけばよい。この凹部は、第2シリコン基板43の薄化時に、第2シリコン基板43の第2面45が凹部の底部まで達することによって、複数の貫通孔52A〜52Dとなる。
次に、図8Fに示すように、シリコンダイヤフラム3の第1面8に選択的に不純物イオン(この実施形態では、ボロン(B))が注入され、アニール処理される。これにより、シリコンダイヤフラム3に、ピエゾ抵抗R1〜R4が形成される。第1〜第4中継配線23〜26、第1〜第4コンタクト配線27〜30、および第5配線32の拡散配線34が形成される。
図9は、本発明の第3実施形態に係るMEMSセンサ61の平面図である。図10は、本発明の第3実施形態に係るMEMSセンサ61の断面図であって、図9のX−X断面を示す図である。なお、第3実施形態では、第1実施形態と主に異なる部分のみを説明し、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第2キャビティ62は、この実施形態では、平面視において、キャビティ7の周縁11に沿って環状に形成されている。これにより、シリコンダイヤフラム3の第2面9には、第2キャビティ62に取り囲まれた凸部63が形成されている。なお、第2キャビティ62は、環状である必要はなく、たとえば、シリコンダイヤフラム3の可動部21の全体が凹んだ構成であってもよい。また、第2キャビティ62の深さは、たとえば、0.1μm〜25μmである。
キャビティ64は、シリコン基板2の厚さ方向において、第1の寸法T1を有する第1部分65と、第1の寸法T1よりも大きな第2の寸法T2を有する第2部分66とを一体的に含む。第1部分65は、キャビティ7の底面と凸部63の頂部とに挟まれた部分である。第2部分66は、キャビティ7の底面と第2キャビティ62の底面とに挟まれた部分である。
このMEMSセンサ61においても、シリコン基板2の第1面4の面方位と、シリコンダイヤフラム3の第1面4の面方位とが互いに異なっている。これにより、シリコン基板2の第1面4の面方位に縛られず、シリコンダイヤフラム3の第1面4の面方位として、ピエゾ抵抗R1〜R4の特性が最適となる面方位を採用することができる。その結果、ピエゾ抵抗R1〜R4の特性を安定化させることができる。
図11A〜図11Gは、本発明の第3実施形態に係るMEMSセンサ61の製造工程の一部を示す図である。
一方、図11Bに示すように、SOI基板35が準備され、SOI基板35の活性層38に第2キャビティ62が形成される。第2キャビティ62は、たとえば、活性層38の第2面42から活性層38の厚さ方向途中まで、活性層38を選択的にドライエッチングすることによって形成されてもよい。
なお、シリコン基板2に接合される基板は、図4に示すように、第2シリコン基板43であってもよい。この場合、第2シリコン基板43の第1面44に第2キャビティ62を形成しておけばよい。
次に、図11Fに示すように、シリコンダイヤフラム3の第1面8に選択的に不純物イオン(この実施形態では、ボロン(B))が注入され、アニール処理される。これにより、シリコンダイヤフラム3に、ピエゾ抵抗R1〜R4が形成される。第1〜第4中継配線23〜26、第1〜第4コンタクト配線27〜30、および第5配線32の拡散配線34が形成される。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
この実施例では、シリコン基板2とシリコンダイヤフラム3のSi−Si直接接合によって、原子半径の小さいガスのキャビティ7内への侵入がどの程度防げるかどうかを検証した。具体的には、図12A〜図12Cに示す構造1〜構造3のMEMSセンサを用いて検証した。
図13は、約2.5気圧のHe雰囲気中に構造1〜3のMEMSセンサを保存し、0h(初期値)、24hおよび72h経過したときの、MEMSセンサのキャビティ77,81(貫通孔72)内の圧力の変動量を測定した結果を示している。
2 シリコン基板
3 シリコンダイヤフラム
4 (シリコン基板)第1面
5 (シリコン基板)第2面
6 (シリコン基板)端面
7 キャビティ
7A (キャビティ)第1辺
7B (キャビティ)第2辺
7C (キャビティ)第3辺
7D (キャビティ)第4辺
8 (シリコンダイヤフラム)第1面
9 (シリコンダイヤフラム)第2面
10 接合界面
11 (キャビティ)周縁
17 第1金属配線
18 第2金属配線
19 第3金属配線
20 第4金属配線
46A (キャビティ)第1角部
46B (キャビティ)第2角部
46C (キャビティ)第3角部
46D (キャビティ)第4角部
51 MEMSセンサ
52A 貫通孔
52B 貫通孔
52C 貫通孔
52D 貫通孔
61 MEMSセンサ
62 第2キャビティ
R1 第1ピエゾ抵抗
R2 第2ピエゾ抵抗
R3 第3ピエゾ抵抗
R4 第4ピエゾ抵抗
Claims (14)
- 第1面およびその反対側の第2面を有し、前記第1面にキャビティを有するシリコン基板と、
第1面およびその反対側の第2面を有し、当該第2面が前記シリコン基板の前記第1面に直接接合されたシリコンダイヤフラムと、
前記シリコンダイヤフラムの前記第1面に形成されたピエゾ抵抗とを含み、
前記シリコン基板の前記第1面の面方位と、前記シリコンダイヤフラムの前記第1面の面方位とが互いに異なっている、MEMSセンサ。 - 前記シリコン基板の前記第1面の面方位が(100)面であり、前記シリコンダイヤフラムの前記第1面の面方位が(110)面である、請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記ピエゾ抵抗は、<111>軸方向に延びる長手形状に形成されている、請求項2に記載のMEMSセンサ。
- 前記キャビティは、平面視四角形状に形成されており、
前記ピエゾ抵抗は、平面視において、前記キャビティの各辺に配置された複数のピエゾ抵抗を含み、
前記複数のピエゾ抵抗は、それぞれ、<111>軸方向に延びる長手形状に形成されている、請求項2に記載のMEMSセンサ。 - 前記複数のピエゾ抵抗は、第1ピエゾ抵抗、第2ピエゾ抵抗、第3ピエゾ抵抗および第4ピエゾ抵抗を含み、
前記第1〜第4ピエゾ抵抗に電気的に接続され、前記第1〜第4ピエゾ抵抗を含むブリッジ回路を形成する配線を含む、請求項4に記載のMEMSセンサ。 - 前記シリコンダイヤフラムは、一定の厚さを有している、請求項1〜5のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記シリコンダイヤフラムは、3μm〜30μmの厚さを有している、請求項6に記載のMEMSセンサ。
- 前記キャビティは、前記シリコンダイヤフラムによって密閉されている、請求項6または7に記載のMEMSセンサ。
- 前記シリコンダイヤフラムは、前記キャビティに連通する貫通孔を有している、請求項1〜7のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記キャビティは、平面視四角形状に形成されており、
前記シリコンダイヤフラムは、平面視において、前記キャビティの各角部に形成され、前記キャビティに連通する複数の貫通孔を有している、請求項1〜3のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。 - 前記シリコンダイヤフラムは、前記シリコンダイヤフラムの前記第2面に形成され、前記キャビティに対向する第2キャビティを有している、請求項1〜5のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
- 前記第2キャビティは、平面視において、前記キャビティの周縁に沿って環状に形成されている、請求項11に記載のMEMSセンサ。
- 前記キャビティは、前記シリコンダイヤフラムによって密閉されている、請求項11または12に記載のMEMSセンサ。
- 平面視において、前記キャビティの周縁から前記シリコン基板の端面までの距離によって定義された前記シリコン基板と前記シリコンダイヤフラムとの接合界面の幅は、50μm〜500μmである、請求項1〜13のいずれか一項に記載のMEMSセンサ。
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