KR102475932B1 - Mems 압저항 압력센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 물질을 기반으로 하는 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 접합공정을 사용하지 않고 챔버를 형성할 수 있으며, 멤브레인의 두께가 균일하고 재현성이 있으며, 제조공정이 반도체 제조라인에 적합하다.
특히, 본 발명은 접합공정을 사용하지 않고 챔버를 형성할 수 있으며, 멤브레인의 두께가 균일하고 재현성이 있으며, 제조공정이 반도체 제조라인에 적합하다.
Description
본 발명은 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 물질을 기반으로 하는 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 압력센서, 특히 절대압력을 측정하는 압력센서는 기준압력과 비교하여 대상압력을 측정하며, 일반적으로 기준압력으로서 진공을 이용한다.
예를 들면, 진공이 형성되어 있는 밀봉된 챔버(Chamber) 상에 멤브레인(Membrane)을 형성하고, 대상압력인 외부의 압력에 의한 멤브레인의 휘어짐을 감지하여 대상압력을 산정한다. 만약 대상압력이 진공이면 멤브레인의 휘어짐은 발생하지 않지만, 대상압력이 증가할수록 멤브레인은 더욱 휘어지게 되므로 대상압력을 산정할 수 있게 되는 것이다.
압저항 압력센서는 멤브레인이 휘어질 때 응력이 집중되는 멤브레인 엣지(Edge)에 응력에 비례하여 저항이 변화하는 압저항(Piezoresistive)을 형성함으로써 멤브레인의 휘어짐을 측정하게 된다. 즉, 압저항의 저항값의 변화를 감지함으로써 대상 압력을 산정할 수 있게 되는 것이다.
이와 같은 진공분위기의 챔버와 멤브레인, 그리고 멤브레인 엣지에 위치하는 압저항은 MEMS(Micro Electro Mechanical System)기술을 사용하여 형성이 가능하므로 많은 압저항 압력센서가 MEMS 기술로 제작되고 있는 실정이다.
도 1은 통상적인 MEMS 압저항 압력센서의 단면과 평면구조를 나타낸 도면으로서, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이 실리콘기판(Silicon Substrate) 하부의 일부 영역을 식각하여 실리콘기판 상부에 멤브레인을 형성하고, 멤브레인의 엣지에는 p타입 압저항을 형성하며, 실리콘기판과 유리기판을 진공분위기에서 접합하여 실리콘기판이 식각된 영역을 진공분위기의 챔버로 형성한다. 평면적으로, 도 1의 (b)와 같이 멤브레인의 엣지에는 통상적으로 응력증가에 따라 저항이 증가하는 p타입 압저항과 저항이 감소하는 p타입 압저항을 형성하고, 금속선으로 연결하여 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge) 회로를 형성함으로써 차동(Differential)으로 저항의 변화를 측정한다.
그러나, 실리콘과 유리 간의 접합공정(Bonding Process)은 매우 까다롭고 복잡하여 공정의 재현성이 낮고, 400℃ 정도의 고온에서 실리콘기판과 유리기판 간의 접합이 이루어지므로 챔버 내에서 발생되는 아웃개싱(Out-gassing)에 의해 챔버의 장기적인 진공도 신뢰성이 불량하며, 실리콘기판과 유리기판 간의 열팽창률(Coefficient of Thermal Expansion) 차이에 의해 온도변화에 따른 응력이 실리콘기판에 발생하여 멤브레인의 기계적 특성에 영향을 주는 문제가 있다.
또한, 수백 ㎛의 두꺼운 실리콘기판을 식각하여 10㎛ 두께 내외의 얇은 멤브레인을 형성해야 하므로 초기부터 불균일한 실리콘기판 두께의 영향을 받아 멤브레인의 정확한 두께 조절이 어려울 뿐만 아니라, 매번 가공시마다 멤브레인 두께가 달라지는 문제가 있다.
또한, 두꺼운 실리콘기판을 후면으로부터 식각하여 챔버를 형성하므로 챔버의 면적이 넓어져 초소형으로 제작하기 어렵고, 무엇보다도 실리콘기판 상부에 형성되어 있는 압저항의 위치에 정확하게 멤브레인의 위치가 정렬되지 못하는 문제가 발생된다.
또한, 챔버의 높이가 크므로 매우 큰 압력이 발생할 시 멤브레인의 변형이 제한되지 못하여 멤브레인이 파손되는 문제가 있다.
결국, 기존의 접합공정을 사용하는 MEMS 압저항 압력센서는 특성과 신뢰성이 불량하고, 제조단가가 높으며, 경박단소로 제작하기 어렵다는 문제점이 있는 것이다.
이러한 문제를 해결하기 위한 기술의 일예가 하기 문헌 1에 개시되어 있다.
특허문헌 1에는 접합공정을 사용하지 않는 MEMS 압저항 압력센서에 대하여 개시되어 있으며, 상기 MEMS 압저항 압력센서는 도 2의 (a)와 같이 실리콘기판을 수직 식각하여 다수의 실리콘 미세기둥을 형성한 후에, 도 2의 (b)와 같이 에피택셜 실리콘(Epitaxial Silicon)을 성장시키고, 도 2의 (c)와 같이 고온에서 어닐링(Annealing)을 하면 실리콘 미세기둥이 용융되어 접합공정을 사용하지 않으면서 실리콘기판 내에 진공이 형성된 챔버가 형성되는 동시에 멤브레인이 형성된다. 마지막으로 도 2의 (d)와 같이 멤브레인의 엣지에 p타입 압저항을 형성하고, 금속선(미도시)으로 연결하여 휘트스톤 브리지 회로를 형성하면 압저항 압력센서가 완성된다.
결국, 이러한 기술을 사용한 압력센서는 접합공정을 사용하는 압력센서에 비해 특성과 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 경박단소하고 가격이 낮다는 장점이 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 기술은 실리콘을 미세하게 수직 식각하기 위한 장비가 매우 고가이며, 실리콘 미세기둥을 용융하기 위한 온도가 1190℃로 매우 높아 멤브레인에 미세결함이 발생되거나 멤브레인이 변형되어 다이어프램의 기계적, 전기적 특성이 열화될 수 있다. 또한, 용융된 실리콘 미세기둥이 다이어프램으로 다량으로 붙느냐 소량으로 붙느냐에 따라 최종적인 다이어프램의 두께가 달라져 제품 간의 특성이 불균일하고, 공정의 재현성이 낮다는 문제가 있다.
한편, 비특허문헌 1에는 도 3의 (a)와 같이 실리콘기판의 일정 영역에 다공성 실리콘(Porous Silicon)을 형성한 후에, 도 3의 (b)와 같이 에피택셜 실리콘을 성장시키고, 도 3의 (c)와 같이 고온에서 어닐링을 하여 다공성 실리콘을 용융함으로써 접합공정을 사용하지 않으면서도 실리콘기판 내에 진공이 형성된 챔버를 형성하는 동시에 멤브레인을 형성하는 기술이 소개되어 있다. 도 3의 (d)와 같이 멤브레인 엣지에 p타입 압저항을 형성하고, 금속선(미도시)으로 휘트스톤 브리지 회로를 형성하는 기술을 이용하여 압저항 압력센서를 제작할 수 있게 된다. 이러한 기술을 이용한 압력센서 또한 접합공정을 사용하는 압력센서에 비해 특성과 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 경박단소하고, 가격이 낮다는 장점이 있다.
그러나, 다공성 실리콘 형성공정이 통상적인 반도체 제조라인에서 사용할 수 없고, 다공성 실리콘을 용융하기 위하여 높은 온도의 어닐링이 필요하며, 용융된 다공성 실리콘이 다이어프램으로 다량 붙느냐 소량 붙느냐에 따라 최종적인 다이어프램의 두께가 달라지는 문제가 있다.
A novel micromachining process for the fabrication of monocrystalline Si-membranes using porous silicon (TRANSDUCERS, Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 12th International Conference on, 2003)
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 접합공정을 사용하지 않고 챔버를 형성할 수 있는 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 멤브레인의 두께가 균일하고 재현성이 있으며, 제조공정이 반도체 제조라인에 적합한 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 초고온의 어닐링이 필요하지 않은 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 MEMS 압저항 압력센서는 실리콘기판(100) 상에 형성되며, 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 진공상태의 챔버(200); 상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300); 평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120); 및 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400);을 포함하며, 상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘이며, 단결정 실리콘인 경우 상기 챔버(200) 벽면의 일정 깊이 또는 챔버(200) 벽면의 일정 깊이와 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 압저항 압력센서는 실리콘기판(100) 상에 형성되며, 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 챔버(200); 상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300); 평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120); 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400); 및 평면적으로 상기 챔버(200) 내에 형성되고, 상기 실리콘기판(100)을 관통하여 챔버(200)와 연통되는 기판홀(500);을 포함하며, 상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘이며, 단결정 실리콘인 경우 상기 챔버(200) 벽면의 일정 깊이 또는 챔버(200) 벽면의 일정 깊이와 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘이며, 단결정 실리콘인 경우 상기 챔버(200) 벽면의 일정 깊이 또는 챔버(200) 벽면의 일정 깊이와 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 챔버(200)의 높이는 두께가 1~5㎛인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인(300)은 평면 형상이 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나이고, 면적이 0.01~10㎟이며, 두께가 2~50㎛이고, n타입의 도핑농도 1×1017/㎤ 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 멤브레인(300)의 하부에는 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛이며, 깊이가 0.01~1㎛인 홈(310)이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법은 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130) 및 단결정 실리콘 박막(140)이 적층된 SOI 기판에 보호막(150)을 형성하는 단계; 상기 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140)과 매몰산화막(130)을 제거하여 감지영역(110)을 형성하는 단계; LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 다결정 실리콘 또는 에피택셜 실리콘 성장법으로 후막 실리콘(600)을 성장하는 단계; 상기 후막 실리콘(600)을 평탄화하는 단계; 선택적으로 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 상기 보호막(150)의 두께 이상으로 식각하는 단계; 상기 감지영역(110)에 관통홀(160)을 형성하는 단계; 상기 관통홀(160)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거하는 단계; 에피택셜 실리콘(700)을 성장하여 멤브레인(300)과 챔버(200)를 형성하는 단계; 어닐링을 행하여 챔버(200) 내부를 진공으로 형성하는 단계; 및 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법은 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130) 및 단결정 실리콘 박막(140)이 적층된 SOI 기판에 보호막(150)을 형성하는 단계; 상기 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140)과 매몰산화막(130)을 제거하여 감지영역(110)을 형성하는 단계; LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 다결정 실리콘 또는 에피택셜 실리콘 성장법으로 후막 실리콘(600)을 성장하는 단계; 상기 후막 실리콘(600)을 평탄화하는 단계; 선택적으로 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 상기 보호막(150)의 두께 이상으로 식각하는 단계; 상기 보호막(150)을 제거하고, 에피택셜 실리콘(700)을 성장하는 단계; 상기 감지영역(110)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)을 형성하는 단계; 평면적으로 감지영역(110)에 포함되도록 상기 실리콘기판(100)의 밑면으로부터 매몰산화막(130)까지 식각하여 기판홀(500)을 형성하는 단계; 및 상기 기판홀(500)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거함으로써 챔버(200)와 멤브레인(300)을 동시에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 관통홀(160)은 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛에서 형성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법은 실리콘 미세기둥 또는 다공성 실리콘의 사용으로 인하여 고온의 용융온도와 공정 정밀도를 필요로 하는 기존의 기술과 달리, 보다 단순한 제조공정을 통해 제품 특성과 공정 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 균일성과 재현성이 우수하며, 경박단소하고 가격이 저렴하다는 효과가 있다.
도 1 내지 도 3은 종래의 기술을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 단면을 도시한 구성도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조공정을 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 후막 실리콘 성장 시 발생하는 국부 다결정 실리콘을 도시하기 위한 참고도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 단면을 도시한 구성도.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조공정을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 단면을 도시한 구성도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조공정을 도시한 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 후막 실리콘 성장 시 발생하는 국부 다결정 실리콘을 도시하기 위한 참고도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 단면을 도시한 구성도.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조공정을 도시한 단면도.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 MEMS 압저항 압력센서는 실리콘기판(100) 상에 형성되되 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 진공상태의 챔버(200)와, 상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, n타입 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300)이 형성된다.
또한, MEMS 압저항 압력센서는 평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120)과, 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)이 형성된다.
상기 실리콘기판(100)은 판상이며, 단결정 실리콘으로 이루어진다.
상기 감지영역(110)은 평면 형상이 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나로 이루어지고, 면적이 0.01~10㎟이다.
상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘으로 이루어진다.
도 4에서는 상기 주변영역(120)이 멤브레인(300)에 비해서 상측으로 돌출되어 있는데, 도 5a 내지 도 5c에 의해 후술하겠지만, 주변영역(120)은 멤브레인(300)과 동일 평면상에 놓이거나 멤브레인(300)에 비하여 하측으로 함몰될 수도 있다. 다만, 돌출되는 높이 및 함몰되는 깊이는 1㎛ 이내가 바람직하다.
또한, 도 4에는 도시되지 않았지만, 상기 주변영역(120)이 실리콘기판(100) 상에서 단결정 실리콘으로 이루어지는 경우라 할지라도 도 5a 내지 도 5c 및 도 6에서 설명하는 공정에 의해 챔버(200) 벽면 및 챔버(200)의 벽면과 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재할 수 있다.
상기 챔버(200)는 멤브레인(300)의 외부에 가해지는 대상압력의 절대값을 측정하기 위한 기준압력 값을 제공한다.
상기 챔버(200)의 높이는 1~5㎛로 이루어지는 것이 바람직하며, 이러한 높이의 범위는 도 1에 도시된 기존의 압력센서의 챔버 높이가 실리콘기판의 두께인 것과 비교하여 훨씬 작으므로, 멤브레인에 과다 압력이 가해지는 경우 멤브레인의 과도한 변형을 억제하여 멤브레인이 파손되는 것을 방지한다.
상기 멤브레인(300)은 평면 형상이 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나이고, 면적이 0.01~10㎟이다.
또한, 상기 멤브레인(300)은 두께가 2~50㎛이고, n타입의 도핑농도 1×1016/㎤ 이하이다.
한편, 상기 멤브레인(300)의 하부에는 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛이며, 깊이가 0.01~1㎛인 홈(310)이 형성된다.
이와 같은 구성을 통해 멤브레인(300)에 외부 압력에 상응하는 정도의 변형과 이로 인한 응력이 발생되게 되고, 이와 같이 발생된 멤브레인(300)의 응력변화에 의해 멤브레인(300) 엣지에 형성된 압저항(400)의 저항값이 변화되게 된다. 그리고, 압저항(400)의 저항값 변화를 검출하여 외부로부터 인가되는 압력을 산출하게 되는 것이다.
상기 압저항(400)은 통상적으로 응력증가에 따라 저항이 증가하는 p타입 압저항과 저항이 감소하는 p타입 압저항이 형성되며, 금속선(미도시)으로 연결되어 휘트스톤 브리지 회로로 구성된다.
한편, 상기 주변영역(120) 상에는 외부와의 전기적 연결을 위한 금속배선 및 패드(미도시)가 형성되며, 필요시 신호처리를 위한 회로가 형성될 수도 있다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 진공상태를 제로(0)값으로 하는 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서로서 동작하는 것이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 MEMS 압저항 압력센서는 실리콘기판(100) 상에 형성되되 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 챔버(200)와, 상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, n타입 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300)이 형성된다.
또한, MEMS 압저항 압력센서는 평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120)이 형성된다. 또한, 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)이 형성된다. 또한, 평면적으로 상기 챔버(200) 내에 형성되고, 상기 실리콘기판(100)을 관통하여 챔버(200)와 연통되는 기판홀(500)이 형성된다.
상기 실리콘기판(100)은 판상이며, 단결정 실리콘으로 이루어진다.
상기 감지영역(110)은 평면 형상이 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나로 이루어지고, 면적이 0.01~10㎟이다.
도 7에서는 상기 주변영역(120)이 멤브레인(300)에 비해서 상측으로 돌출되어 있는데, 도 5a 내지 도 5c에서 설명하는 바와 같이, 주변영역(120)은 멤브레인(300)과 동일 평면상에 놓이거나 멤브레인(300)에 비하여 하측으로 함몰될 수도 있다. 다만, 돌출되는 높이 및 함몰되는 깊이는 1㎛ 이내가 바람직하다.
또한, 도 7에는 도시되지 않았지만, 상기 주변영역(120)이 실리콘기판(100) 상에서 단결정 실리콘으로 이루어지는 경우라 할지라도 도 5a 내지 도 5c 및 도 6에서 설명하는 바와 같이 챔버(200) 벽면 및 챔버(200)의 벽면과 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재할 수 있다.
상기 챔버(200)의 높이는 1~5㎛로 이루어지는 것이 바람직하며, 이러한 높이의 범위는 기존의 압력센서의 챔버 높이가 실리콘기판의 두께인 것과 비교하여 훨씬 작으므로, 멤브레인에 과다 압력이 가해지는 경우 멤브레인의 과도한 변형을 억제하여 멤브레인이 파손되는 것을 방지한다.
상기 멤브레인(300)은 두께가 2~50㎛로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 압저항(400)은 통상적으로 응력증가에 따라 저항이 증가하는 p타입 압저항과 저항이 감소하는 p타입 압저항이 형성되며, 금속선(미도시)으로 연결되어 휘트스톤 브리지 회로로 구성된다.
한편, 상기 주변영역(120) 상에는 외부와의 전기적 연결을 위한 배선 및 패드(미도시)가 형성되며, 필요시 신호처리를 위한 회로가 형성될 수도 있다.
이러한 구성을 통해 기판홀(500)에 연통된 챔버(200)의 압력과 멤브레인(300) 외부의 압력 차에 상응하는 정도의 변형과 이로 인한 응력이 발생되게 되고, 이와 같이 발생된 멤브레인(300)의 응력변화에 의해 멤브레인(300) 엣지에 형성된 압저항(400)의 저항값이 변화되게 된다. 그리고, 압저항(400)의 저항값 변화를 검출하여 챔버(200)와 외부의 압력차를 산출하게 되는 것이다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서로서 동작하는 것이다.
이하, 본 발명에 따른 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법은 보호막 형성단계, 주변영역 식각단계, 후막 실리콘 성장단계, 평탄화 단계, 관통홀 형성단계, 매몰산화막 제거단계, 에피택셜 실리콘 성장단계, 진공상태의 챔버 형성단계 및 압저항 형성단계를 포함한다.
먼저, 상기 보호막 형성단계에서는 도 5a의 (1)에서와 같이 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130) 및 단결정 실리콘 박막(140)이 적층된 SOI(Silicon On Insulator) 기판에 도 5a의 (2)에서와 같이 보호막(150)을 형성하는 것이다.
여기서, 상기 매몰산화막(130)의 두께는 1~5㎛이고, 단결정 실리콘 박막(140)의 두께는 0.5~2㎛로 이루어지는 것이 바람직하다.
특히, 모든 결정성 재료는 방향에 따라 원자배열이 다르게 보이므로 방향을 표시하게 되며, 상기 실리콘기판(100)과 단결정 실리콘 박막(140)의 결정방향은 통상적으로 <100>방향이 주로 사용된다.
상기 매몰산화막(130)은 최종적으로 진공상태의 챔버(200)를 형성하므로 매몰산화막(130)의 두께가 클수록 진공상태의 챔버(200)의 부피가 커짐에 따라 매몰산화막(130)의 두께는 가급적 큰 것이 바람직하다. 상기 단결정 실리콘 박막(140)은 n타입이 바람직하지만, 도 5c의 (8)에서 수행되는 n타입 에피택셜 실리콘의 성장 두께가 크다면 p타입이어도 문제되지는 않는다.
상기 단결정 실리콘 박막(140)이 너무 얇으면 기계적으로 취약하여 도 5b의 (7)에서 수행되는 매몰산화막(130)의 제거 시 파손될 가능성이 있고, 너무 두꺼우면 도 5b의 (6)에서 수행되는 관통홀(160)이 깊어져 매몰산화막(130)의 제거가 원활하지 않게 되므로 단결정 실리콘 박막(140)의 두께는 0.5~2㎛가 바람직하다.
상기 보호막(150)은 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 방법으로 증착된 산화실리콘 또는 단결정 실리콘 박막을 열적산화한 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 보호막(150)은 산화실리콘 상에 LPCVD 방법으로 증착된 질화실리콘으로 이루어질 수도 있다. 상기 보호막(150)의 두께는 0.1~1㎛로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 주변영역 식각단계에서는 도 5a의 (3)에서와 같이 최종적으로 챔버(200) 및 멤브레인(300)이 형성될 감지영역(110)을 제외하고는 상기 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140) 및 매몰산화막(130)을 순차적으로 제거한다. 상기 감지영역(110)의 평면적 형상은 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나이며, 면적은 통상적으로 0.01~10㎟에서 설계된다.
상기 후막 실리콘 성장단계에서는 도 5a의 (4)에서와 같이 웨이퍼 전체에 실리콘을 두껍게 성장시킨다. 성장은 LPCVD 방법을 이용하여 다결정 실리콘을 증착하거나, 에피택셜 성장법을 이용하여 단결정 실리콘으로 증착할 수 있다. 다만, 에피택셜 성장법을 사용하는 경우에는 주변영역(120)은 단결정인 실리콘 기판위에서 단결정 실리콘이 성장되지만, 비정질인 보호막 위에서는 다결정 실리콘이 성장된다. 또한, 도 6의 (1)에 도시한 바와 같이 비정질인 보호막 측면 방향으로 일정 깊이(통상적으로 보호막 두께의 3배 이내), 그리고 비정질인 매몰산화막(130) 측면의 방향으로 일정 깊이(통상적으로 매몰산화막 두께의 3배 이내)에서는 다결정 실리콘이 형성되는데, 본 발명에서는 이를 국부 다결정 실리콘이라고 칭한다.
한편, 후막 실리콘 증착두께는 매몰산화막(130)과 단결정 실리콘 박막(140)과 보호막(150)의 두께를 합한 것 보다 큰 것이 바람직하나, 매몰산화막(130)과 단결정 실리콘 박막(140)과 보호막(150)의 두께를 합한 것보다 1㎛ 이내로 작아도 무방하다.
상기 평탄화 단계에서는 화학기계연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing)법을 사용하여 보호막 상의 후막 실리콘을 제거하여 보호막(150)을 노출시키는 동시에 주변영역(120) 및 보호막(150)의 상부면 높이를 일치하도록 한다. 단, 증착된 후막 실리콘(600)의 두께가 매몰산화막(130)과 단결정 실리콘 박막(140)과 보호막(150)의 두께를 합한 것 보다 큰 경우에는 주변영역(120)의 상부면과 보호막(150)의 상부면의 높이가 일치하게 되지만, 후막 실리콘(600)의 두께가 매몰산화막(130)과 단결정 실리콘 박막(140)과 보호막(150)의 두께를 합한 것 보다 작은 경우에는 주변영역(120)은 연마되지 않으므로 상부면이 보호막(150)의 상부면보다 낮은 상태로 있게 된다.
평탄화 후에 주변영역(120)의 상부면과 보호막(150)의 상부면의 높이가 일치하는 경우, 도 5b의 (7)단계에서 보호막(150)이 제거되면 주변영역(120)이 감지영역(110)보다 보호막 두께만큼 높아지게 된다. 이 경우, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘이라 할지라도 도 6의 (2)에 도시된 바와 같이 보호막(150) 측면에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하게 된다. 그러나, 평탄화 단계 직후(즉, 도 5b의 (6) 직전)에 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 보호막 두께만큼 식각하게 되면, 보호막(150) 제거 후에 주변영역(120)과 감지영역(110)의 높이를 동일하게 할 수 있다. 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘인 경우, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 보호막 두께만큼 또는 그 이상으로 식각하면 도 6의 (3)에 도시한 바와 같이 보호막(150) 측면에 존재하는 국부 다결정 실리콘(170)은 식각되어 제거되므로 매몰산화막(130) 측면에만 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하게 된다. 이와 같이 존재하는 국부 다결정 실리콘(170)은 본 압력센서 공정이 완료되더라도 최종까지 구조에 남게 된다.
상기 관통홀 형성단계에서는 도 5b의 (6)에서와 같이 상기 감지영역(110)에 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140)을 순차적으로 관통하는 다수개의 관통홀(160)을 형성하는 것이다. 공정을 달리하여, 상기 보호막(150)을 먼저 제거하고, 상기 단결정 실리콘 박막(140)에만 관통홀(160)을 형성하는 것도 가능하다.
상기 관통홀(160)은 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛인 것이 바람직하다.
상기 관통홀(160)의 직경이 0.5㎛ 미만이면 도 5b의 (7)에서 수행되는 매몰산화막(130)의 제거가 어렵고, 2㎛를 초과하면 도 5c의 (9)에서 수행되는 에피택셜 실리콘 성장 시 관통홀(160)의 막힘이 원활하지 않거나 관통홀(160)을 통하여 반응가스가 공급되어 매몰산화막(130)이 제거된 공간 내에서 실리콘이 성장하면서 멤브레인(300)의 두께와 챔버(200)의 높이가 설계값과 달라질 수 있는 문제가 발생할 수 있다.
상기 관통홀(160)은 RIE(Reactive Ion Etching)공정을 이용하여 깊이에 관계없이 거의 일정한 직경이 유지되도록 형성할 수 있다.
상기 매몰산화막 제거단계에서는 도 5b의 (7)에서와 같이 상기 관통홀(160)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거하는 것이다.
상기 매몰산화막(130)은 단결정 실리콘, 비결정 실리콘, 다결정 실리콘, LPCVD 질화실리콘, LPCVD 탄화실리콘은 거의 식각하지 않는 반면, 산화실리콘은 빠른 속도로 식각하는 불화수소 수용액(HF Solution) 또는 BOE(Buffered Oxide Etchant) 또는 불화수소 증기(HF Vapor)를 사용하여 제거하게 된다. 불화수소 수용액 및 BOE를 사용하는 경우 습식으로 매몰산화막이 제거되며, 불화수소 증기를 사용하면 매몰산화막을 건식으로 제거할 수 있다. 한편, 보호막이 산화실리콘인 경우에는 매몰산화막과 함께 제거된다.
상기 에피택셜 실리콘 성장단계에서는 도 5c의 (8)에서와 같이 에피택셜 실리콘(700)을 성장하여 멤브레인(300)과 챔버(200)를 동시에 형성하는 것이다.
에피택셜 실리콘(700)을 성장시키면 단결정 실리콘 상에는 단결정 실리콘이, 다결정 실리콘 상에는 다결정 실리콘이 성장하게 된다. 따라서, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘으로 형성된 경우에는 에피택셜 실리콘 성장 시 단결정 실리콘이 성장되지만, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 다결정 실리콘으로 형성된 경우에는 다결정 실리콘이 성장하게 된다. 반면, 감지영역(110)의 단결정 실리콘 박막(140) 상에는 오직 단결정 실리콘이 성장하게 된다.
상기 관통홀(160)이 비교적 좁고 깊게 형성되므로, 에피택셜 실리콘(700)에 의해 관통홀(160)이 막히면서 매몰산화막(130)이 제거된 공간 내부에서는 거의 성장하지 못하게 되어 최종적인 멤브레인(300)의 두께와 챔버(200)의 높이는 도 2와 도 3에 도시된 기존의 압력센서가 제공하는 멤브레인 및 챔버에 비해서 훨씬 균일하고 정확하게 형성된다.
한편, 상기 관통홀(160)이 막히면서 멤브레인(300)의 하부에는 다수의 홈(310)이 형성된다.
상기 에피택셜 실리콘(700)은 압력센서의 사용압력범위(Operating Pressure Range)에 적합하도록 단결정 실리콘 박막의 두께를 더하여 2~50㎛이고, 도핑농도가 1017/㎤ 이하인 n타입의 단결정 실리콘으로 성장시킨다.
상기 진공상태의 챔버 형성단계에서는 도 5c의 (9)에서와 같이 어닐링을 행하여 챔버(200)를 진공으로 형성하는 것이다.
상기 에피택셜 실리콘(700)의 성장 이후, 고온에서 어닐링을 수행하면 챔버(200) 내에 잔류하는 산소, 수소, 습기, 에피택셜 실리콘 성장 시의 반응가스 등 여러 가지 기체들이 멤브레인(300)을 통해 확산되어 빠져나오거나 또는 실리콘기판(100)에 흡수되거나 또는 챔버(200) 내부의 실리콘 표면과 반응하여 제거되므로 챔버(200)는 결국 진공상태로 된다.
어닐링의 온도가 높을수록 챔버(200)의 진공도가 우수해지고, 멤브레인(300) 표면의 거칠기가 작아지지만, 온도가 너무 높으면 멤브레인(300)에 미세결함이 발생되거나 기계적 변형이 발생될 수 있다. 통상적으로 어닐링은 진공 또는 질소 및 아르곤 분위기에서 1000~1150℃ 범위로 30분 이상 처리해주는 것이 바람직하다.
한편, 어닐링 동안 실리콘 원자의 이동으로 인하여 어닐링 후에는 멤브레인(300)의 하부에 형성된 홈(310)이 좀 더 부드럽고 얕게 변환된다. 관통홀(160)의 직경과 깊이 그리고 에피택셜 실리콘(700)의 성장 조건 및 어닐링의 조건에 따라 대체로 멤브레인(300)의 하부에 형성된 홈(310)은 최종적으로 0.01~1㎛의 깊이를 갖게 된다.
또한, 멤브레인(300)의 상부면 높이는 보호막(150)의 두께와 후막 실리콘(600)의 두께, 그리고 평탄화 후 후막 실리콘(600) 식각 여부에 따라 주변영역(120)의 상부면과 ±1㎛ 차이 이내일 수 있다
만약, 에피택셜 실리콘(700) 성장 시의 온도가 1000℃ 이상으로 높다면, 에피택셜 실리콘(700)의 성장 동안 어닐링이 이루어지므로 별도의 어닐링 공정은 생략할 수도 있다.
상기 압저항 형성단계에서는 도 5c의 (10)에서 같이 상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항이 변화하는 압저항(400)을 형성하는 것이다. 본 발명에서는 웨이퍼 윗면에서 멤브레인(300)에 정렬하여 압저항(400)을 형성하므로 정확한 위치에 압저항(400)을 형성할 수 있게 된다. 통상적으로, 응력이 증가할수록 저항이 증가하는 p타입 압저항과 저항이 감소되는 압저항을 함께 형성하고, 금속선(미도시)으로 연결하여 휘트스톤 브리지 회로로 구성한다. 또한, 주변영역 상부에 외부 회로와의 전기적 연결을 위한 패드(미도시)를 형성하면 최종적으로 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서가 제작되는 것이다.
본 발명에서는 설명하지 않았지만, 필요에 따라 금속선 및 패드의 형성 전에 추가적인 반도체회로 제작공정을 수행하여 주변영역에 신호처리회로를 함께 형성할 수도 있다.
구체적인 실시예로서, 압력 측정범위가 1기압인 절대압력을 측정하는 압력센서를 제작하는 경우, <100>방향의 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130)이 2㎛의 두께로 형성되고, <100>방향의 n타입으로서 도핑농도가 1×1015/㎤이고, 두께가 2㎛인 단결정 실리콘 박막(140)이 형성된 SOI기판을 준비하고, 감지영역(110)은 0.5mm×0.5㎜의 정사각형 형상으로 하며, 후막 실리콘(600)은 에피택셜 실리콘(700)으로 5㎛ 성장시키고, 챔버(200)의 높이는 매몰산화막(130)의 두께와 유사한 2㎛로 형성하며, 에피택셜 실리콘(700)은 n타입의 도핑농도가 5×1016/㎤이고, 두께가 8㎛로서 최종 멤브레인(300)의 두께가 10㎛가 되도록 한다.
또한, 매몰산화막(130)은 불화수소 증기로 제거하고, 어닐링은 1100℃에서 1시간동안 진공상태에서 실시한다. p타입 압저항은 붕소(Boron)를 이온주입(Ion Implantation)하여 평균 1×1018/㎤의 도핑농도가 되도록 형성하여 저항값이 2kΩ이 되도록 한다.
본 발명의 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서는 챔버(200)가 접합공정 없이 형성되므로 신뢰성이 우수하고, 챔버(200)에 정확하게 정렬하여 압저항(400)이 형성되므로 성능이 우수하다. 또한, 실리콘이 용융되어 챔버(200)가 형성되는 것이 아니므로 멤브레인(300)의 두께가 항상 일정하여 균일성과 재현성이 우수하며, 챔버(200)의 높이가 낮으므로 큰 압력이 발생하는 경우에도 멤브레인(300)의 변형이 챔버(200) 바닥에 제한되어 멤브레인(300)이 파손되지 않으며, 챔버(200)를 소형으로 제작할 수 있으므로 소형의 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서를 구현할 수 있다.
또한, 배선을 제외한 감지영역(110) 및 주변영역(120)이 모두 실리콘으로 이루어져 있으므로, 열팽창률이 동일하여 온도변화에 따른 응력이 거의 발생하지 않는다는 장점이 있다.
결국, 기존의 압력센서에 비하여 본 발명의 절대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서는 특성과 신뢰성이 우수하고, 균일성이 우수하며, 경박단소하고 가격이 저렴하다는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 8a 내지 8c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법은 보호막 형성단계, 주변영역 식각단계, 후막 실리콘 성장단계, 평탄화 단계, 보호막 제거단계, 에피택셜 실리콘 성장단계, 압저항 형성단계, 기판홀 형성단계 및 매몰산화막 제거단계를 포함한다.
이 중에서 도 8a의 (1)에 도시된 보호막 형성단계부터 도 8b의 (5)에 도시된 평탄화 단계는 도 5a의 (1)에 도시된 보호막 형성단계부터 도 5b의 (5)에 도시된 평탄화 단계와 순서 및 방법이 동일하다.
또한, 평탄화 후에 주변영역(120)의 상부면과 보호막(150)의 상부면의 높이가 일치하는 경우, 보호막(150)이 제거되면 주변영역(120)이 감지영역(110)보다 보호막(150) 두께만큼 높아지게 되며, 이 경우 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘이라 할지라도 도 6의 (2)에 도시된 바와 같이 보호막(150) 측면에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하게 된다. 그러나, 평탄화 단계 직후에 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 보호막(150) 두께만큼 식각하게 되면 보호막(150) 제거 후에 주변영역(120)과 감지영역(110)의 높이를 동일하게 할 수 있다. 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘인 경우, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 보호막(150) 두께만큼 또는 그 이상으로 식각하면 도 6의 (3)에 도시한 바와 같이 보호막(150) 측면에 존재하는 국부 다결정 실리콘(170)은 식각되어 제거되므로 매몰산화막(130) 측면에만 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하게 된다. 이와 같이 존재하는 국부 다결정 실리콘(170)은 본 압력센서 공정이 완료되더라도 최종까지 구조에 남게 된다.
평탄화 단계 후 도 8b의 (6)에서와 같이 보호막(150)을 제거한 후, 도 8b의 (7)에서와 같이 에피택셜 실리콘(700)을 성장한다. 에피택셜 실리콘(700)을 성장시키면 단결정 실리콘 상에는 단결정 실리콘이, 다결정 실리콘 상에는 다결정 실리콘이 성장하게 된다. 따라서, 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)이 단결정 실리콘으로 형성된 경우에는 에피택셜 실리콘 성장 시 단결정으로 성장하지만, 다결정 실리콘으로 형성된 경우에는 다결정 실리콘으로 성장하게 된다. 반면, 감지영역(110)의 단결정 실리콘 박막(140) 상에는 오직 단결정 실리콘이 성장하게 된다.
상기 에피택셜 실리콘(700)은 압력센서의 사용압력범위(Operating Pressure Range)에 적합하도록 단결정 실리콘 박막(140)의 두께를 더하여 2~50㎛이고, 도핑농도가 1017/㎤ 이하인 n 타입의 단결정 실리콘으로 성장시킨다.
상기 압저항 형성단계에서는 도 8c의 (8)에서와 같이 최종적으로 멤브레인(300)이 형성될 감지영역(110)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항이 변화하는 압저항(400)을 형성하는 것이다. 통상적으로, 응력이 증가할수록 저항이 증가하는 p타입 압저항과 저항이 감소되는 압저항을 함께 형성하고, 금속선(미도시)으로 연결하여 휘트스톤 브리지 회로로 구성한다. 또한, 단결정 실리콘 후막 상부에 외부 회로와의 전기적 연결을 위한 패드(미도시)를 형성한다.
본 발명에서는 설명하지 않았지만, 필요에 따라 금속선 및 패드형성 전에 추가적인 반도체회로 제작공정을 수행하여 단결정 실리콘 후막에 신호처리회로를 함께 형성할 수도 있다.
상기 기판홀 형성단계에서는 도 8c의 (9)에 도시된 바와 같이 상기 실리콘기판(100)의 밑면으로부터 매몰산화막(130)까지 도달하는 기판홀(500)을 형성하는 것이다.
상기 기판홀(500)은 통상적으로 실리콘 RIE 공정을 이용하여 형성하며, 평면적으로 챔버(200) 내에 포함되기만 하면 그 위치는 본 압력센서의 특성에 영향을 주지 않는다.
상기 매몰산화막 제거단계에서는 도 8c의 (10)에 도시된 바와 같이 상기 기판홀(500)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거하여 챔버(200) 및 멤브레인(300)을 동시에 형성하는 것이다. 매몰산화막(130)은 불화수소 수용액 또는 BOE(Buffered Oxide Etchant) 또는 불화수소 증기를 사용하여 제거한다.
최종적인 멤브레인(300)의 상부면의 높이는 보호막(150)의 두께와 후막 실리콘(600)의 두께, 그리고 평탄화 후 후막 실리콘(600)의 식각 여부에 따라 주변영역(120)의 상부면과 ±1㎛ 차이 이내일 수 있다.
구체적인 실시예로서, 압력 측정범위가 1기압인 상대압력을 측정하는 압력센서를 제작하는 경우, <100>방향의 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130)이 2㎛의 두께로 형성되고, <100>방향의 n타입으로서 도핑농도가 1×1015/㎤이고, 두께가 2㎛인 단결정 실리콘 박막(140)이 형성된 SOI기판을 준비하고, 감지영역(110)은 0.5mm×0.5㎜의 정사각형 형상으로 하며, 후막 실리콘(600)은 에피택셜 실리콘(700)으로 5㎛ 성장시키고, 챔버(200)의 높이는 매몰산화막(130)의 두께와 유사한 2㎛로 형성하며, 에피택셜 실리콘(700)은 n타입의 도핑농도가 5×1016/㎤이고, 두께가 8㎛로서 최종 멤브레인(300)의 두께가 10㎛가 되도록 한다.
또한, p타입 압저항은 붕소(Boron)를 이온주입(Ion Implantation)하여 평균 1×1018/㎤의 도핑농도가 되도록 형성하여 각 저항값이 2kΩ이 되도록 한다.
또한, 기판홀(500)의 직경은 200㎛이고, 매몰산화막(130)은 BOE로 제거한다.
본 발명에 따른 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서는 챔버(200)가 접합공정 없이 형성되므로 신뢰성이 우수하고, 챔버(200)에 정확하게 정렬하여 압저항(400)이 형성되므로 성능이 우수하다. 또한, 실리콘이 용융되어 챔버(200)가 형성되는 것이 아니므로 멤브레인(300)의 두께가 항상 일정하여 균일성과 재현성이 우수하며, 챔버(200)의 높이가 낮으므로 큰 압력이 발생하는 경우에도 멤브레인(300)의 변형이 챔버(200) 바닥에 제한되어 멤브레인(300)이 파손되지 않으며, 챔버(200)를 소형으로 제작할 수 있으므로 소형의 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서를 구현할 수 있다.
또한, 배선을 제외한 감지영역(110) 및 주변영역(120)이 모두 실리콘으로 이루어져 있으므로, 열팽창률이 동일하여 온도변화에 따른 응력이 거의 발생하지 않는다는 장점이 있다.
결국, 기존의 압력센서에 비하여 본 발명의 상대압력을 측정하는 MEMS 압저항 압력센서는 특성과 신뢰성이 우수하고, 균일성이 우수하며, 경박단소하고 가격이 저렴하다는 장점이 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 다양한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.
100 : 실리콘기판 110 : 감지영역
120 : 주변영역 130 : 매몰산화막
140 : 단결정 실리콘 박막 150 : 보호막
160 : 관통홀 170 : 국부 다결정 실리콘
200 : 챔버 300 : 멤브레인
310 : 홈 400 : 압저항
500 : 기판홀 600 : 후막 실리콘
700 : 에피텍셜 실리콘
120 : 주변영역 130 : 매몰산화막
140 : 단결정 실리콘 박막 150 : 보호막
160 : 관통홀 170 : 국부 다결정 실리콘
200 : 챔버 300 : 멤브레인
310 : 홈 400 : 압저항
500 : 기판홀 600 : 후막 실리콘
700 : 에피텍셜 실리콘
Claims (8)
- 실리콘기판(100) 상에 형성되며, 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 진공상태의 챔버(200);
상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300);
평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120); 및
상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400);을 포함하며,
상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘이며, 단결정 실리콘인 경우 상기 챔버(200) 벽면의 일정 깊이 또는 챔버(200) 벽면의 일정 깊이와 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서.
- 실리콘기판(100) 상에 형성되며, 평면적으로 상기 실리콘기판(100)의 감지영역(110)에 형성된 챔버(200);
상기 챔버(200)의 상부에 위치하며, 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(300);
평면적으로 상기 감지영역(110)의 바깥쪽에 위치하며, 상부의 수직적 위치가 상기 멤브레인(300)의 상부의 수직적 위치와 동일하거나 또는 각각 ±1㎛ 차이 이내로 형성되는 주변영역(120);
상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 형성되어 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400); 및
평면적으로 상기 챔버(200) 내에 형성되고, 상기 실리콘기판(100)을 관통하여 챔버(200)와 연통되는 기판홀(500);을 포함하며,
상기 주변영역(120)의 실리콘기판(100) 상부는 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘이며, 단결정 실리콘인 경우 상기 챔버(200) 벽면의 일정 깊이 또는 챔버(200) 벽면의 일정 깊이와 멤브레인(300) 엣지의 내부와 주변영역(120) 간의 경계에 국부 다결정 실리콘(170)이 존재하는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 챔버(200)의 높이는 두께가 1~5㎛인 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 멤브레인(300)은 평면 형상이 정사각형, 직사각형, 정육면체, 정팔면체, 원형 중에서 선택된 하나이고, 면적이 0.01~10㎟이며, 두께가 2~50㎛이고, n타입의 도핑농도 1×1017/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서.
- 청구항 1에 있어서,
상기 멤브레인(300)의 하부에는 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛이며, 깊이가 0.01~1㎛인 홈(310)이 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서.
- 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130) 및 단결정 실리콘 박막(140)이 적층된 SOI 기판에 보호막(150)을 형성하는 단계;
상기 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140)과 매몰산화막(130)을 제거하여 감지영역(110)을 형성하는 단계;
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 다결정 실리콘 또는 에피택셜 실리콘 성장법으로 후막 실리콘(600)을 성장하는 단계;
상기 후막 실리콘(600)을 평탄화하는 단계;
선택적으로 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 상기 보호막(150)의 두께 이상으로 식각하는 단계;
상기 감지영역(110)에 관통홀(160)을 형성하는 단계;
상기 관통홀(160)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거하는 단계;
에피택셜 실리콘(700)을 성장하여 멤브레인(300)과 챔버(200)를 형성하는 단계;
어닐링을 행하여 챔버(200) 내부를 진공으로 형성하는 단계; 및
상기 멤브레인(300)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법.
- 실리콘기판(100) 상에 매몰산화막(130) 및 단결정 실리콘 박막(140)이 적층된 SOI 기판에 보호막(150)을 형성하는 단계;
상기 보호막(150)과 단결정 실리콘 박막(140)과 매몰산화막(130)을 제거하여 감지영역(110)을 형성하는 단계;
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 다결정 실리콘 또는 에피택셜 실리콘 성장법으로 후막 실리콘(600)을 성장하는 단계;
상기 후막 실리콘(600)을 평탄화하는 단계;
선택적으로 주변영역(120)의 후막 실리콘(600)을 상기 보호막(150)의 두께 이상으로 식각하는 단계;
상기 보호막(150)을 제거하고, 에피택셜 실리콘(700)을 성장하는 단계;
상기 감지영역(110)의 엣지 부분에 응력변화에 따라 저항값이 변화되는 압저항(400)을 형성하는 단계;
평면적으로 감지영역(110)에 포함되도록 상기 실리콘기판(100)의 밑면으로부터 매몰산화막(130)까지 식각하여 기판홀(500)을 형성하는 단계; 및
상기 기판홀(500)을 통하여 매몰산화막(130)을 제거함으로써 챔버(200)와 멤브레인(300)을 동시에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,
상기 관통홀(160)은 직경이 0.5~2㎛이고, 간격이 1~20㎛에서 형성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 압저항 압력센서의 제조방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020210091833A KR102475932B1 (ko) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | Mems 압저항 압력센서 및 그 제조방법 |
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| KR1020210091833A KR102475932B1 (ko) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | Mems 압저항 압력센서 및 그 제조방법 |
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| JPH11142270A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-05-28 | St Microelectron Srl | 多結晶性半導体材料のダイアフラムを有する集積ピエゾ抵抗性圧力センサおよびその製造方法 |
| US20050208696A1 (en) | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Stmicroelectronics S.R.L | Method for manufacturing a semiconductor pressure sensor |
| JP2021025966A (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-22 | ローム株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
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2021
- 2021-07-13 KR KR1020210091833A patent/KR102475932B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |