JPH0786617A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0786617A JPH0786617A JP5227590A JP22759093A JPH0786617A JP H0786617 A JPH0786617 A JP H0786617A JP 5227590 A JP5227590 A JP 5227590A JP 22759093 A JP22759093 A JP 22759093A JP H0786617 A JPH0786617 A JP H0786617A
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- JP
- Japan
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- diaphragm
- thin film
- silicon thin
- polycrystalline silicon
- pressure sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多結晶シリコン薄膜抵抗を用いたシリコンオ
ンインシュレータ構造の圧力センサの出力及び感度を向
上する。 【構成】 単結晶シリコン基板１に設けた長方形ダイア
フラム２の上面中心部Ｃと端部Ｄに多結晶シリコン薄膜
抵抗７，８を配置し、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の
電流の方向を長方形ダイアフラムの短辺に平行に沿うよ
うにする。
ンインシュレータ構造の圧力センサの出力及び感度を向
上する。 【構成】 単結晶シリコン基板１に設けた長方形ダイア
フラム２の上面中心部Ｃと端部Ｄに多結晶シリコン薄膜
抵抗７，８を配置し、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の
電流の方向を長方形ダイアフラムの短辺に平行に沿うよ
うにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はダイアフラム等の起歪
部に半導体歪検出素子を設けた半導体圧力センサに関す
る。
部に半導体歪検出素子を設けた半導体圧力センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、流体の圧力を測定するために半
導体圧力センサが広く用いられている。これはダイアフ
ラムの変位量又は歪量を電気信号に変換して圧力を検出
するものであり、その代表的なものとして拡散型圧力セ
ンサがある。これは、図３及び図４に例示する如く＜１
００＞面の単結晶シリコン基板１に異方性エッチングに
より起歪部となるダイアフラム２を形成し、ダイアフラ
ム２となる単結晶シリコン上面に不純物が拡散によって
ドープされ、歪検出素子となる拡散抵抗層３ａ，３ｂ，
４ａ，４ｂを形成する。この単結晶シリコン基板１は安
価に入手でき、しかも異方性エッチングにより容易に矩
形ダイアフラム２が得られることから一般に普及してい
る。
導体圧力センサが広く用いられている。これはダイアフ
ラムの変位量又は歪量を電気信号に変換して圧力を検出
するものであり、その代表的なものとして拡散型圧力セ
ンサがある。これは、図３及び図４に例示する如く＜１
００＞面の単結晶シリコン基板１に異方性エッチングに
より起歪部となるダイアフラム２を形成し、ダイアフラ
ム２となる単結晶シリコン上面に不純物が拡散によって
ドープされ、歪検出素子となる拡散抵抗層３ａ，３ｂ，
４ａ，４ｂを形成する。この単結晶シリコン基板１は安
価に入手でき、しかも異方性エッチングにより容易に矩
形ダイアフラム２が得られることから一般に普及してい
る。
【０００３】従来の拡散型圧力センサは、その拡散抵抗
層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを図３に示すようにダイアフ
ラム２の中心部と端部とにそれぞれ２本ずつ配置し、図
５に示す如くフルブリッジ接続する。すなわち、ダイア
フラム２の端部と中央部に設けた２つの拡散抵抗層３
ｂ，４ｂを直列に接続するとともに、ダイアフラム２の
端部と中央部に設けた２つの拡散抵抗層３ａ，４ａを直
列に接続することによって、図５に示す如きホイートス
トーンブリッヂを構成する。これとともに、各拡散抵抗
層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは、ダイアフラム２の長辺ｂ
に対して平行にするとともに、図に示した下記方向、
層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂを図３に示すようにダイアフ
ラム２の中心部と端部とにそれぞれ２本ずつ配置し、図
５に示す如くフルブリッジ接続する。すなわち、ダイア
フラム２の端部と中央部に設けた２つの拡散抵抗層３
ｂ，４ｂを直列に接続するとともに、ダイアフラム２の
端部と中央部に設けた２つの拡散抵抗層３ａ，４ａを直
列に接続することによって、図５に示す如きホイートス
トーンブリッヂを構成する。これとともに、各拡散抵抗
層３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは、ダイアフラム２の長辺ｂ
に対して平行にするとともに、図に示した下記方向、
【０００４】
【数１】 以下、本明細書中上記表示を［１１０］と記載する。こ
の方向に対して平行となるように配置して構成するのが
普通である。
の方向に対して平行となるように配置して構成するのが
普通である。
【０００５】このように拡散抵抗層３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂを配置するのは、次の理由による。まず、その配置
場所に関しては、第１に、ダイアフラム形成面方向から
圧力を印加した場合の長方形ダイアフラム２の応力の状
態は図６にその中心Ｃから端部Ｄまでの状態を示す如く
なり、その応力の方向はダイアフラム２の中心部Ｃで引
張応力となり、ダイアフラム２の端部Ｄで圧縮応力とな
る。
４ｂを配置するのは、次の理由による。まず、その配置
場所に関しては、第１に、ダイアフラム形成面方向から
圧力を印加した場合の長方形ダイアフラム２の応力の状
態は図６にその中心Ｃから端部Ｄまでの状態を示す如く
なり、その応力の方向はダイアフラム２の中心部Ｃで引
張応力となり、ダイアフラム２の端部Ｄで圧縮応力とな
る。
【０００６】さらに、σy はＣ位置からＤ位置にかけて
ゆるやかに変化する特性をもつのに対し、σx はＣ位置
からＤ位置にかけて強い引張応力から強い圧縮応力まで
より大きく変化することが解る。
ゆるやかに変化する特性をもつのに対し、σx はＣ位置
からＤ位置にかけて強い引張応力から強い圧縮応力まで
より大きく変化することが解る。
【０００７】第２にダイアフラム形成面方向から圧力を
印加した場合の長方形ダイアフラム２の応力は、引張応
力はダイアフラム２の中心部Ｃで最大となり、圧縮応力
は図３の中心を通る［１１０］方向の線Ａ−Ｂ部と長辺
が交差する端部Ｄが最大となる。
印加した場合の長方形ダイアフラム２の応力は、引張応
力はダイアフラム２の中心部Ｃで最大となり、圧縮応力
は図３の中心を通る［１１０］方向の線Ａ−Ｂ部と長辺
が交差する端部Ｄが最大となる。
【０００８】これより、拡散抵抗層３ａ，３ｂ，４ａ，
４ｂは長方形ダイアフラム２の引張および圧縮応力の最
も大きい部分である中心部Ｃと端部Ｄに配置することが
検出出力を大きくできるのである。
４ｂは長方形ダイアフラム２の引張および圧縮応力の最
も大きい部分である中心部Ｃと端部Ｄに配置することが
検出出力を大きくできるのである。
【０００９】また、その配置方向に関しては、第３の条
件としてシリコン基板１を使用した拡散抵抗層の感度
は、図７の拡散抵抗層の面＜１００＞のピエゾ抵抗効果
の状態図に示す如く、拡散抵抗層（シリコン基板）の結
晶軸の方向に対する応力の方向により異なり、図の［１
１０］方向の応力に対して最大となる。
件としてシリコン基板１を使用した拡散抵抗層の感度
は、図７の拡散抵抗層の面＜１００＞のピエゾ抵抗効果
の状態図に示す如く、拡散抵抗層（シリコン基板）の結
晶軸の方向に対する応力の方向により異なり、図の［１
１０］方向の応力に対して最大となる。
【００１０】第４に長方形ダイアフラム２の応力は、図
６に示すように、短辺ａに対し平行な方向の応力σx と
直交方向の応力σy とを比較すると、平行方向の応力σ
x の方が大きい。これより拡散抵抗層を図３の線Ａ−Ｂ
と直交するように（長方形ダイアフラム２の短辺ａと垂
直となるように）配置してダイアフラム２の短辺ａに対
し平行な方向の応力σx と直交する方向の応力σy との
差を検出することにより圧力を測定するようにしてい
る。
６に示すように、短辺ａに対し平行な方向の応力σx と
直交方向の応力σy とを比較すると、平行方向の応力σ
x の方が大きい。これより拡散抵抗層を図３の線Ａ−Ｂ
と直交するように（長方形ダイアフラム２の短辺ａと垂
直となるように）配置してダイアフラム２の短辺ａに対
し平行な方向の応力σx と直交する方向の応力σy との
差を検出することにより圧力を測定するようにしてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】半導体圧力センサとし
て、上述のようなダイアフラムに歪検出素子として上述
のような拡散抵抗層を設けたものの他に、歪検出素子と
して多結晶シリコン薄膜抵抗を利用したいわゆるＳＯＩ
（sillcon On Insulator) 構造の半導体圧力センサが考
えられる。
て、上述のようなダイアフラムに歪検出素子として上述
のような拡散抵抗層を設けたものの他に、歪検出素子と
して多結晶シリコン薄膜抵抗を利用したいわゆるＳＯＩ
（sillcon On Insulator) 構造の半導体圧力センサが考
えられる。
【００１２】しかし、多結晶シリコン薄膜抵抗を歪検出
素子として利用したＳＯＩ構造の圧力センサにおいて、
ダイアフラムに対し多結晶シリコン薄膜抵抗を前述した
拡散抵抗と同等に配置して構成したところ充分な出力が
得られず満足できる圧力の測定ができないという問題が
あった。
素子として利用したＳＯＩ構造の圧力センサにおいて、
ダイアフラムに対し多結晶シリコン薄膜抵抗を前述した
拡散抵抗と同等に配置して構成したところ充分な出力が
得られず満足できる圧力の測定ができないという問題が
あった。
【００１３】これは、図３に示す拡散抵抗体の配置と同
様に多結晶シリコン薄膜抵抗体を長方形ダイアフラム２
の引っ張りおよび圧縮応力の最も大きい部分に配置した
としても、その感度は拡散抵抗体とは異なり、電流の向
きに平行な応力に対する感度と直交する応力に対する感
度との比は２０〜３０：１程度となるために、σx と比
較して応力の変化特性が少ないσy を主なる検出対象と
することとなるので、十分な検出出力が得られないため
である。
様に多結晶シリコン薄膜抵抗体を長方形ダイアフラム２
の引っ張りおよび圧縮応力の最も大きい部分に配置した
としても、その感度は拡散抵抗体とは異なり、電流の向
きに平行な応力に対する感度と直交する応力に対する感
度との比は２０〜３０：１程度となるために、σx と比
較して応力の変化特性が少ないσy を主なる検出対象と
することとなるので、十分な検出出力が得られないため
である。
【００１４】本発明は上述の点に鑑み、ＳＯＩ構造の圧
力センサとに多結晶シリコン薄膜抵抗を用いて構成した
ものでも充分な検出出力が得られ、満足のいく測定を可
能とする半導体圧力センサを新たに提供することを目的
とする。
力センサとに多結晶シリコン薄膜抵抗を用いて構成した
ものでも充分な検出出力が得られ、満足のいく測定を可
能とする半導体圧力センサを新たに提供することを目的
とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体圧力セン
サは、単結晶シリコン基板の一部を肉薄にしてダイアフ
ラムを形成し、このダイアフラムの引張応力と圧縮応力
の最も大きい中心部と端部とに多結晶シリコン薄膜抵抗
を配置するとともに、この多結晶シリコン薄膜抵抗の電
流の方向がダイアフラムの応力の大きい方向に一致する
よう端部に設けた多結晶シリコン薄膜抵抗の電流の方向
をダイアフラムの中心を通り、ダイアフラムの側辺に平
行で、多結晶シリコン薄膜抵抗を設けた端部に近接する
側辺と垂直をなす方向と平行になるようにし、この方向
に対して中心部に設けたものの電流の方向を合致させる
よう構成したことを特徴とする。
サは、単結晶シリコン基板の一部を肉薄にしてダイアフ
ラムを形成し、このダイアフラムの引張応力と圧縮応力
の最も大きい中心部と端部とに多結晶シリコン薄膜抵抗
を配置するとともに、この多結晶シリコン薄膜抵抗の電
流の方向がダイアフラムの応力の大きい方向に一致する
よう端部に設けた多結晶シリコン薄膜抵抗の電流の方向
をダイアフラムの中心を通り、ダイアフラムの側辺に平
行で、多結晶シリコン薄膜抵抗を設けた端部に近接する
側辺と垂直をなす方向と平行になるようにし、この方向
に対して中心部に設けたものの電流の方向を合致させる
よう構成したことを特徴とする。
【００１６】
【作用】上述のように構成することにより、ダイアフラ
ムに働く応力の中でも大きい応力を測定できるようにす
るとともに、多結晶シリコン薄膜抵抗の電流の向きと平
行な方向の応力を検出するようにして多結晶シリコン薄
膜抵抗が高い感度を発揮できるようにするという作用を
奏する。
ムに働く応力の中でも大きい応力を測定できるようにす
るとともに、多結晶シリコン薄膜抵抗の電流の向きと平
行な方向の応力を検出するようにして多結晶シリコン薄
膜抵抗が高い感度を発揮できるようにするという作用を
奏する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の半導体圧力センサの一実施例
を図１及び図２によって説明する。なお、この図１及び
図２において、前述した図３ないし図７に対応するもの
には同一符号を付すこととし、その詳細な説明を省略す
る。
を図１及び図２によって説明する。なお、この図１及び
図２において、前述した図３ないし図７に対応するもの
には同一符号を付すこととし、その詳細な説明を省略す
る。
【００１８】図１は本実施例に用いる単結晶シリコン基
板上の歪検出素子の配置説明図、図２は本実施例の図１
Ａ−Ｂ線による縦断面図であり、図で１は単結晶シリコ
ン基板、２は長方形ダイアフラムである。
板上の歪検出素子の配置説明図、図２は本実施例の図１
Ａ−Ｂ線による縦断面図であり、図で１は単結晶シリコ
ン基板、２は長方形ダイアフラムである。
【００１９】本例では図２に示す如く単結晶シリコン基
板１の一方の面の所定箇所にシリコン異方性エッチング
手段により長方矩形凹部状のダイアフラム２を形成す
る。このダイアフラム２の長方形は長辺と短辺の比を
１．６程度とすることが感度を増す上で望ましい。この
ダイアフラム２の凹部状の下部には測定体の圧力を導入
する圧力導入口Ｐinを設ける。
板１の一方の面の所定箇所にシリコン異方性エッチング
手段により長方矩形凹部状のダイアフラム２を形成す
る。このダイアフラム２の長方形は長辺と短辺の比を
１．６程度とすることが感度を増す上で望ましい。この
ダイアフラム２の凹部状の下部には測定体の圧力を導入
する圧力導入口Ｐinを設ける。
【００２０】単結晶シリコン基板１のダイアフラム２側
の面のダイアフラム２を形成した部分以外の表面、及び
ダイアフラム２の反対側の表面にはそれぞれ絶縁膜とし
てのシリコン酸化膜５，６を形成する。
の面のダイアフラム２を形成した部分以外の表面、及び
ダイアフラム２の反対側の表面にはそれぞれ絶縁膜とし
てのシリコン酸化膜５，６を形成する。
【００２１】単結晶シリコン基板１におけるダイアフラ
ム２側と反対側のシリコン酸化膜５上の所定２箇所に
は、それぞれピエゾ抵抗としての多結晶シリコン薄膜抵
抗７，８を設ける。さらに、単結晶シリコン基板１上に
は多結晶シリコン薄膜抵抗７，８に対する電極用アルミ
膜９を設けるとともに保護層としてのシリコン窒化膜１
０を形成し、ＳＯＩ構造を構成する。
ム２側と反対側のシリコン酸化膜５上の所定２箇所に
は、それぞれピエゾ抵抗としての多結晶シリコン薄膜抵
抗７，８を設ける。さらに、単結晶シリコン基板１上に
は多結晶シリコン薄膜抵抗７，８に対する電極用アルミ
膜９を設けるとともに保護層としてのシリコン窒化膜１
０を形成し、ＳＯＩ構造を構成する。
【００２２】単結晶シリコン基板１上における多結晶シ
リコン薄膜抵抗７，８は、図１の如く配置するもので、
多結晶シリコン薄膜抵抗７，８方向が長方形ダイアフラ
ム２の中心を通る直線であってダイアフラム２の短辺ａ
に平行な線Ａ−Ｂに沿って平行となるように構成する。
これにより、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の電流の方
向は図１のＡ−Ｂ線方向に設定される。これとともに、
多結晶シリコン薄膜抵抗７，８をダイアフラム２の中心
部Ｃと端部Ｄとに配置する。
リコン薄膜抵抗７，８は、図１の如く配置するもので、
多結晶シリコン薄膜抵抗７，８方向が長方形ダイアフラ
ム２の中心を通る直線であってダイアフラム２の短辺ａ
に平行な線Ａ−Ｂに沿って平行となるように構成する。
これにより、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の電流の方
向は図１のＡ−Ｂ線方向に設定される。これとともに、
多結晶シリコン薄膜抵抗７，８をダイアフラム２の中心
部Ｃと端部Ｄとに配置する。
【００２３】すなわち、ダイアフラム２の一つの長辺ｂ
に対し、近接する端部Ｄの多結晶シリコン薄膜抵抗８を
垂直方向に配設し、かつ中心部の多結晶シリコン薄膜抵
抗７も同じく長辺ｂに垂直な方向に配設して構成する。
に対し、近接する端部Ｄの多結晶シリコン薄膜抵抗８を
垂直方向に配設し、かつ中心部の多結晶シリコン薄膜抵
抗７も同じく長辺ｂに垂直な方向に配設して構成する。
【００２４】このように構成するのは多結晶シリコン薄
膜抵抗７，８の感度が単結晶の拡散抵抗３，４と異な
り、薄膜抵抗中の電流の方向の影響を受けることによ
る。すなわち、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の感度は
電流の向きに対して平行な応力と電流の向きに対して直
交する応力では大きく異なり、その比は２０〜３０（平
行）：１（直交）程度となる。よって、多結晶シリコン
薄膜抵抗７，８の電流の向きを短辺ａに平行な線Ａ−Ｂ
と平行に、かつ長辺ｂに垂直方向に配置すれば、線Ａ−
Ｂと平行な方向の大きい応力σx を高感度で検出でき、
圧力センサの出力を大きくできる。
膜抵抗７，８の感度が単結晶の拡散抵抗３，４と異な
り、薄膜抵抗中の電流の方向の影響を受けることによ
る。すなわち、多結晶シリコン薄膜抵抗７，８の感度は
電流の向きに対して平行な応力と電流の向きに対して直
交する応力では大きく異なり、その比は２０〜３０（平
行）：１（直交）程度となる。よって、多結晶シリコン
薄膜抵抗７，８の電流の向きを短辺ａに平行な線Ａ−Ｂ
と平行に、かつ長辺ｂに垂直方向に配置すれば、線Ａ−
Ｂと平行な方向の大きい応力σx を高感度で検出でき、
圧力センサの出力を大きくできる。
【００２５】上述の如く構成した場合には、従来の拡散
型圧力センサの拡散抵抗層３，４の配置のように多結晶
シリコン薄膜抵抗７，８を線Ａ−Ｂに直交するように配
置した場合に比べ、その圧力センサ装置の出力を２〜３
倍に大きくする事ができる。
型圧力センサの拡散抵抗層３，４の配置のように多結晶
シリコン薄膜抵抗７，８を線Ａ−Ｂに直交するように配
置した場合に比べ、その圧力センサ装置の出力を２〜３
倍に大きくする事ができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の半導体圧力
センサによれば、単結晶シリコン基板の一部を肉薄にし
てダイアフラムを形成し、このダイアフラムの引張応力
と圧縮応力の最も大きい中心部と端部とに多結晶シリコ
ン薄膜抵抗を配置するとともに、この多結晶シリコン薄
膜抵抗の電流の方向がダイアフラムの応力の大きい方向
に一致するよう端部に設けた多結晶シリコン薄膜抵抗の
電流の方向をダイアフラムの中心を通り、ダイアフラム
の側辺に平行で、多結晶シリコン薄膜抵抗を設けた端部
に近接する側辺と垂直をなす方向と平行になるように
し、この方向に対して中心部に設けたものの電流の方向
を合致させるよう構成したので、ダイアフラムに働く大
きい応力を測定できるとともに、多結晶シリコン薄膜抵
抗の電流の向きに対して平行な応力を測定できることに
なり、高い感度で検出できるので、この半導体圧力セン
サの出力を大きくし、良好に圧力を測定できるようにす
るという効果がある。
センサによれば、単結晶シリコン基板の一部を肉薄にし
てダイアフラムを形成し、このダイアフラムの引張応力
と圧縮応力の最も大きい中心部と端部とに多結晶シリコ
ン薄膜抵抗を配置するとともに、この多結晶シリコン薄
膜抵抗の電流の方向がダイアフラムの応力の大きい方向
に一致するよう端部に設けた多結晶シリコン薄膜抵抗の
電流の方向をダイアフラムの中心を通り、ダイアフラム
の側辺に平行で、多結晶シリコン薄膜抵抗を設けた端部
に近接する側辺と垂直をなす方向と平行になるように
し、この方向に対して中心部に設けたものの電流の方向
を合致させるよう構成したので、ダイアフラムに働く大
きい応力を測定できるとともに、多結晶シリコン薄膜抵
抗の電流の向きに対して平行な応力を測定できることに
なり、高い感度で検出できるので、この半導体圧力セン
サの出力を大きくし、良好に圧力を測定できるようにす
るという効果がある。
【図１】本発明の半導体圧力センサの一実施例を説明す
るための単結晶シリコン基板における歪検出素子の配置
説明である。
るための単結晶シリコン基板における歪検出素子の配置
説明である。
【図２】図１のＡ−Ｂ線による縦断面図である。
【図３】従来の半導体圧力センサの単結晶シリコン基板
を例示する歪検出素子である拡散抵抗層の配置説明図で
ある。
を例示する歪検出素子である拡散抵抗層の配置説明図で
ある。
【図４】上記従来例の単結晶シリコン基板の縦断面図で
ある。
ある。
【図５】上記従来例に用いるホイートストーンブリッヂ
の回路説明図である。
の回路説明図である。
【図６】上記従来例の長方形ダイアフラムにおける中心
から端部までの応力線図である。
から端部までの応力線図である。
【図７】上記従来例におけるＰ型拡散抵抗層の単結晶シ
リコン基板の面のピエゾ抵抗効果説明線図である。
リコン基板の面のピエゾ抵抗効果説明線図である。
１…単結晶シリコン基板 ２…ダイアフラム ５，６…シリコン酸化膜 ７，８…多結晶シリコン薄膜抵抗 ９…電極用アルミ膜 １０…シリコン窒化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶シリコン基板の一部平面長方形状
に肉薄にしたダイアフラムを形成し、当該ダイアフラム
面上に歪検出素子としての多結晶シリコン薄膜抵抗を配
した半導体圧力センサにおいて、 前記多結晶シリコン薄膜抵抗を前記長方形ダイアフラム
面上の中心部と、その長辺中間近くとにそれぞれ配置
し、 前記多結晶シリコン薄膜抵抗に流れる電流の方向を前記
長方形ダイアフラムの短辺と平行に沿うよう構成したこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 前記多結晶シリコン薄膜抵抗の長さ方向
を前記長方形ダイアフラムの短辺と平行に沿うよう構成
したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227590A JPH0786617A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227590A JPH0786617A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786617A true JPH0786617A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16863308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227590A Pending JPH0786617A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786617A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870170A2 (en) * | 1995-12-24 | 1998-10-14 | Dan Haronian | Micro-electro-mechanics systems (mems) |
| JP2010091384A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
| JP2015200549A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP5227590A patent/JPH0786617A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870170A2 (en) * | 1995-12-24 | 1998-10-14 | Dan Haronian | Micro-electro-mechanics systems (mems) |
| EP0870170A4 (en) * | 1995-12-24 | 2000-01-12 | Dan Haronian | MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) |
| JP2010091384A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Yamatake Corp | 圧力センサ |
| JP2015200549A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
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