JP2573540Y2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2573540Y2 JP2573540Y2 JP1993031577U JP3157793U JP2573540Y2 JP 2573540 Y2 JP2573540 Y2 JP 2573540Y2 JP 1993031577 U JP1993031577 U JP 1993031577U JP 3157793 U JP3157793 U JP 3157793U JP 2573540 Y2 JP2573540 Y2 JP 2573540Y2
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- Japan
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- gauge
- differential pressure
- semiconductor
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- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は差圧あるいは圧力を検出
する半導体圧力センサに関する。
する半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体圧力センサとして
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体結晶からなる基板（以下半導体基板とい
う）の表面に不純物の拡散もしくはイオン打ち込み技術
によりピエゾ抵抗領域として作用するゲージを形成する
と共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成し、裏面の一
部をエッチングによって除去することにより厚さ２０μ
ｍ〜５０μｍ程度の薄肉部、すなわちダイヤフラム部を
形成して構成したもので、ダイヤフラム部の表裏面に測
定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラム部の変形に伴
いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に伴う出
力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するものであ
る。
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体結晶からなる基板（以下半導体基板とい
う）の表面に不純物の拡散もしくはイオン打ち込み技術
によりピエゾ抵抗領域として作用するゲージを形成する
と共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成し、裏面の一
部をエッチングによって除去することにより厚さ２０μ
ｍ〜５０μｍ程度の薄肉部、すなわちダイヤフラム部を
形成して構成したもので、ダイヤフラム部の表裏面に測
定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラム部の変形に伴
いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に伴う出
力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するものであ
る。
【０００３】図２および図３はこのような半導体圧力セ
ンサの従来例を示す平面図および断面図で、半導体基板
１は（１００）面のｎ型単結晶Ｓｉからなり、エッチン
グによりその裏面中央部を除去されることにより差圧ま
たは圧力に感応する薄肉円板状の感圧ダイヤフラム部２
を備え、またこのダイヤフラム部２の表面側にピエゾ領
域として作用し差圧または圧力を検出する差圧検出用ゲ
ージ３（３Ａ，３Ｂ）が設けられ、バックプレート４上
に静電接合されている。バックプレート４は、半導体基
板１と熱膨張係数が近似したパイレックスガラス、セラ
ミックス等によって形成され、中央には前記半導体基板
１の裏面に形成された凹陥部５を介してダイヤフラム部
２の裏面側に測定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 のうちの一方
（Ｐ1 ）を導く貫通孔６が形成されている。
ンサの従来例を示す平面図および断面図で、半導体基板
１は（１００）面のｎ型単結晶Ｓｉからなり、エッチン
グによりその裏面中央部を除去されることにより差圧ま
たは圧力に感応する薄肉円板状の感圧ダイヤフラム部２
を備え、またこのダイヤフラム部２の表面側にピエゾ領
域として作用し差圧または圧力を検出する差圧検出用ゲ
ージ３（３Ａ，３Ｂ）が設けられ、バックプレート４上
に静電接合されている。バックプレート４は、半導体基
板１と熱膨張係数が近似したパイレックスガラス、セラ
ミックス等によって形成され、中央には前記半導体基板
１の裏面に形成された凹陥部５を介してダイヤフラム部
２の裏面側に測定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 のうちの一方
（Ｐ1 ）を導く貫通孔６が形成されている。
【０００４】前記差圧検出用ゲージ３は、前記感圧ダイ
ヤフラム部２の表面で差圧または圧力の印加時にダイヤ
フラム部２に発生する半径方向と周方向の応力が最大と
なる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によって
４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに結線
されることでダイヤフラム部２の表裏面に加えられた測
定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧信号を差動的に出力す
る。測定差圧または圧力はそれぞれ最大１４０Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，４２０Ｋｇｆ／ｃｍ2 程度である。また、４つ
の差圧検出用ゲージ３のうち半径方向の２つの差圧検出
用ゲージ３Ａは、折り返しゲージを形成することで、低
濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定のシート抵抗を有
し、結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係数が最
大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行な２つのゲージ
部３ａ，３ａと、ゲージ部３ａ，３ａの一端を互いに連
結する連結部３ｂと、ゲージ部３ａ，３ａの他端にそれ
ぞれ接続された２つのリードアウト部３ｃ，３ｃとから
なり、連結部３ｂとリードアウト部３ｃ，３ｃがゲージ
部３ａ，３ａに対するこれらの影響を除くため一般に高
濃度（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体
物質領域を形成している。一方、接線方向の２つの差圧
検出用ゲージ３Ｂは、折り返しゲージを形成せず、低濃
度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定のシート抵抗を有し、
結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係数が最大と
なる＜１１０＞の結晶軸方向と平行な１つのゲージ部３
ａと、ゲージ部３ａの端部にそれぞれ接続され高濃度
（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質
領域を形成する２つのリードアウト部３ｃ，３ｃとで構
成されている。
ヤフラム部２の表面で差圧または圧力の印加時にダイヤ
フラム部２に発生する半径方向と周方向の応力が最大と
なる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によって
４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに結線
されることでダイヤフラム部２の表裏面に加えられた測
定すべき圧力Ｐ1 ，Ｐ2 の差圧信号を差動的に出力す
る。測定差圧または圧力はそれぞれ最大１４０Ｋｇｆ／
ｃｍ2 ，４２０Ｋｇｆ／ｃｍ2 程度である。また、４つ
の差圧検出用ゲージ３のうち半径方向の２つの差圧検出
用ゲージ３Ａは、折り返しゲージを形成することで、低
濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定のシート抵抗を有
し、結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係数が最
大となる＜１１０＞の結晶軸方向と平行な２つのゲージ
部３ａ，３ａと、ゲージ部３ａ，３ａの一端を互いに連
結する連結部３ｂと、ゲージ部３ａ，３ａの他端にそれ
ぞれ接続された２つのリードアウト部３ｃ，３ｃとから
なり、連結部３ｂとリードアウト部３ｃ，３ｃがゲージ
部３ａ，３ａに対するこれらの影響を除くため一般に高
濃度（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体
物質領域を形成している。一方、接線方向の２つの差圧
検出用ゲージ３Ｂは、折り返しゲージを形成せず、低濃
度（１０19 個／ｃｍ3 ）で所定のシート抵抗を有し、
結晶面方位（１００）においてピエゾ抵抗係数が最大と
なる＜１１０＞の結晶軸方向と平行な１つのゲージ部３
ａと、ゲージ部３ａの端部にそれぞれ接続され高濃度
（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質
領域を形成する２つのリードアウト部３ｃ，３ｃとで構
成されている。
【０００５】差圧検出用ゲージ３のピエゾ抵抗係数はｐ
型、ｎ型共に半導体基板１への不純物のドーピング量が
多くなるにつれて低下する。このため、差圧検出用ゲー
ジ３の比抵抗の変化率を大きくして、圧力に対する感度
を上げ大きな出力電圧を得るには不純物濃度を低く設定
する。また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異な
り、ｐ型のほうがより大きく、このためｎ型半導体上に
ｐ型抵抗層を設けるのが一般的である。
型、ｎ型共に半導体基板１への不純物のドーピング量が
多くなるにつれて低下する。このため、差圧検出用ゲー
ジ３の比抵抗の変化率を大きくして、圧力に対する感度
を上げ大きな出力電圧を得るには不純物濃度を低く設定
する。また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異な
り、ｐ型のほうがより大きく、このためｎ型半導体上に
ｐ型抵抗層を設けるのが一般的である。
【０００６】差圧検出用ゲージ３の出力電圧は、ダイヤ
フラム部２の形状、肉厚、差圧検出用ゲージ３の形成位
置、ゲージ自体の向き等によっても異なる。例えば、向
きについていえば、結晶面方位（００１）のＳｉ上にゲ
ージを設ける場合、ピエゾ抵抗係数が最大になる向きは
＜１１０＞の結晶軸方向であるため、この方向に差圧検
出用ゲージ３を形成することが望ましい。但し、接線方
向の差圧検出用ゲージ３Ｂについてみれば、１本の細長
い帯状体に形成されているので、図２から明らかなよう
にダイヤフラム部２の中心０からゲージ部中央までの半
径Ｒと、ゲージ部端までの半径Ｒ1 とでは異なり（Ｒ1
＞Ｒ）、そのため半径Ｒ1 とＲの位置ではゲージ部３ａ
に加わる応力も異なっている。なお、半径方向の差圧検
出用ゲージ３Ａについても前記中心０から各端部までの
距離が異なるので、接線方向のゲージ３Ｂと全く同様で
ある。
フラム部２の形状、肉厚、差圧検出用ゲージ３の形成位
置、ゲージ自体の向き等によっても異なる。例えば、向
きについていえば、結晶面方位（００１）のＳｉ上にゲ
ージを設ける場合、ピエゾ抵抗係数が最大になる向きは
＜１１０＞の結晶軸方向であるため、この方向に差圧検
出用ゲージ３を形成することが望ましい。但し、接線方
向の差圧検出用ゲージ３Ｂについてみれば、１本の細長
い帯状体に形成されているので、図２から明らかなよう
にダイヤフラム部２の中心０からゲージ部中央までの半
径Ｒと、ゲージ部端までの半径Ｒ1 とでは異なり（Ｒ1
＞Ｒ）、そのため半径Ｒ1 とＲの位置ではゲージ部３ａ
に加わる応力も異なっている。なお、半径方向の差圧検
出用ゲージ３Ａについても前記中心０から各端部までの
距離が異なるので、接線方向のゲージ３Ｂと全く同様で
ある。
【０００７】図４は接線方向の差圧検出用ゲージ３の応
力分布を示す図で、σr は半径方向の応力、σθは円周
方向の応力である。この図からも明らかなようにゲージ
部中央とゲージ部端に加わる応力は異なり、応力分布に
広がりをもっている。出力電圧は応力の差｜σr −σθ
｜に比例し、応力分布の広がりが小さい程大出力が得ら
れる。
力分布を示す図で、σr は半径方向の応力、σθは円周
方向の応力である。この図からも明らかなようにゲージ
部中央とゲージ部端に加わる応力は異なり、応力分布に
広がりをもっている。出力電圧は応力の差｜σr −σθ
｜に比例し、応力分布の広がりが小さい程大出力が得ら
れる。
【０００８】なお、図１において７ａ，７ｂは蒸着によ
って形成されたアルミニウムからなるリードで、これら
リード７ａ，７ｂの一端は各リードアウト部３ｃ，３ｃ
にそれぞれ接続されている。８は差圧信号取出し用端子
部、９は差圧検出用電源端子部である。
って形成されたアルミニウムからなるリードで、これら
リード７ａ，７ｂの一端は各リードアウト部３ｃ，３ｃ
にそれぞれ接続されている。８は差圧信号取出し用端子
部、９は差圧検出用電源端子部である。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
圧力センサにおいて、差圧検出用ゲージ３は圧力に感応
するよう結晶面方位（００１）におけるピエゾ抵抗係数
が最大となる結晶軸方向（＜１１０＞）に揃えて形成さ
れている。しかしながら、ダイヤフラム部２の中心０か
ら差圧検出用ゲージ３のゲージ部中央までの半径Ｒと、
ゲージ部端までの半径Ｒ1 とでは異なる（Ｒ1 ＞Ｒ）の
で、応力が広い範囲にわたって分布し、最大出力を得る
ことができないという不都合があった。
圧力センサにおいて、差圧検出用ゲージ３は圧力に感応
するよう結晶面方位（００１）におけるピエゾ抵抗係数
が最大となる結晶軸方向（＜１１０＞）に揃えて形成さ
れている。しかしながら、ダイヤフラム部２の中心０か
ら差圧検出用ゲージ３のゲージ部中央までの半径Ｒと、
ゲージ部端までの半径Ｒ1 とでは異なる（Ｒ1 ＞Ｒ）の
で、応力が広い範囲にわたって分布し、最大出力を得る
ことができないという不都合があった。
【００１０】したがって、本考案は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、ゲージ部の各部における応力を略等しくすること
ができ、最大出力を得ることができるようにした半導体
圧力センサを提供することにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、ゲージ部の各部における応力を略等しくすること
ができ、最大出力を得ることができるようにした半導体
圧力センサを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
本考案は、半導体結晶からなる基板の裏面に凹陥部を形
成することにより薄肉部を形成し、この薄肉部の主面に
半径方向および接線方向にそれぞれ一対のピエゾ抵抗素
子を設けた半導体圧力センサにおいて、前記ピエゾ抵抗
素子の夫々を複数の微少な線分に分割し、これら線分を
前記薄肉部を中心とする略同一半径上に配列したもので
ある。
本考案は、半導体結晶からなる基板の裏面に凹陥部を形
成することにより薄肉部を形成し、この薄肉部の主面に
半径方向および接線方向にそれぞれ一対のピエゾ抵抗素
子を設けた半導体圧力センサにおいて、前記ピエゾ抵抗
素子の夫々を複数の微少な線分に分割し、これら線分を
前記薄肉部を中心とする略同一半径上に配列したもので
ある。
【００１２】
【作用】ピエゾ抵抗素子を形成する複数の微少な線分
は、応力が生じるとそれに応じた出力信号を生じる。こ
れら線分に加わる応力は、これら線分が薄肉部を中心と
する略同一半径上に配列されていることから略等しく、
したがって、略等しい出力信号を生じ、結果として最大
出力を得ることができる。
は、応力が生じるとそれに応じた出力信号を生じる。こ
れら線分に加わる応力は、これら線分が薄肉部を中心と
する略同一半径上に配列されていることから略等しく、
したがって、略等しい出力信号を生じ、結果として最大
出力を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本考案に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図である。なお、図２および図３
と同一構成部材のものに対しては同一符号をもって示
し、その説明を省略する。本実施例はダイヤフラム部２
の外周寄りにそれぞれ２つずつ配設される半径および接
線方向の差圧検出用ゲージ（ピエゾ抵抗素子）３Ａ，３
Ｂの各ゲージ部３ａを複数、例えば４つの微少な線分３
０ａ〜３０ｄにそれぞれ分離分割し、これら線分３０ａ
〜３０ｄをダイヤフラム部２の中心０から略同一の半径
Ｒ上に配列すると共に、これら線分間を連結部３ｂで接
続して構成したものである。線分３０ａ〜３０ｄの向き
は、結晶面方位（００１）のＳｉ上に差圧検出用ゲージ
３Ａ，３Ｂを設ける場合、ピエゾ抵抗係数が最大になる
向き、すなわち＜１１０＞の結晶軸方向と全て一致して
いる。各線分３０ａ〜３０ｄの長さは、略等しいことが
望ましいが、かならずしもこれに限定されるものではな
く、これら線分３０ａ〜３０ｄの全長が図２に示した従
来のゲージにおけるゲージ部の全長と略等しいものであ
ればよい。なお、その他の構成は図２および図３に示し
た従来の半導体圧力センサと同様である。
詳細に説明する。図１は本考案に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図である。なお、図２および図３
と同一構成部材のものに対しては同一符号をもって示
し、その説明を省略する。本実施例はダイヤフラム部２
の外周寄りにそれぞれ２つずつ配設される半径および接
線方向の差圧検出用ゲージ（ピエゾ抵抗素子）３Ａ，３
Ｂの各ゲージ部３ａを複数、例えば４つの微少な線分３
０ａ〜３０ｄにそれぞれ分離分割し、これら線分３０ａ
〜３０ｄをダイヤフラム部２の中心０から略同一の半径
Ｒ上に配列すると共に、これら線分間を連結部３ｂで接
続して構成したものである。線分３０ａ〜３０ｄの向き
は、結晶面方位（００１）のＳｉ上に差圧検出用ゲージ
３Ａ，３Ｂを設ける場合、ピエゾ抵抗係数が最大になる
向き、すなわち＜１１０＞の結晶軸方向と全て一致して
いる。各線分３０ａ〜３０ｄの長さは、略等しいことが
望ましいが、かならずしもこれに限定されるものではな
く、これら線分３０ａ〜３０ｄの全長が図２に示した従
来のゲージにおけるゲージ部の全長と略等しいものであ
ればよい。なお、その他の構成は図２および図３に示し
た従来の半導体圧力センサと同様である。
【００１４】このような構成からなる半導体圧力センサ
において、各差圧検出用ゲージ３Ａ，３Ｂのゲージ部３
ａを形成する４つの線分３０ａ〜３０ｄは、応力が生じ
た場合、それに応じて抵抗値が変化し出力信号をそれぞ
れ生じる。この場合、これら線分３０ａ〜３０ｄの長さ
が全て等しいとすると、線分３０ａ〜３０ｄに加わる応
力は、これら線分がダイヤフラム部２の中心０から略同
一半径Ｒ上に配列されていることから全て等しく、した
がって、等しい出力信号を生じ、結果として、半径Ｒ上
の圧力センサとして最大の出力を得ることができる。
において、各差圧検出用ゲージ３Ａ，３Ｂのゲージ部３
ａを形成する４つの線分３０ａ〜３０ｄは、応力が生じ
た場合、それに応じて抵抗値が変化し出力信号をそれぞ
れ生じる。この場合、これら線分３０ａ〜３０ｄの長さ
が全て等しいとすると、線分３０ａ〜３０ｄに加わる応
力は、これら線分がダイヤフラム部２の中心０から略同
一半径Ｒ上に配列されていることから全て等しく、した
がって、等しい出力信号を生じ、結果として、半径Ｒ上
の圧力センサとして最大の出力を得ることができる。
【００１５】なお、上記実施例はゲージ部３ａを４つの
微少な線分３０ａ〜３０ｄに分割した例を示したが、本
考案はこれに何等特定されるものではなく、２つ、３
つ、４つ以上等適宜数に分割することが可能である。ま
た、上記実施例は半導体基板１をｎ型シリコン、ピエゾ
抵抗領域であるゲージ部３ａをｐ型シリコンによって構
成した場合について説明したが、これはｐ型シリコンか
らなるピエゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力
−抵抗のリニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大と
なる（００１）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称
性の良好な正逆両方向の出力が取り出せるからである
が、本考案はこれに何等特定されるものではなく、ｐ型
の基板にｎ型のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論
である。
微少な線分３０ａ〜３０ｄに分割した例を示したが、本
考案はこれに何等特定されるものではなく、２つ、３
つ、４つ以上等適宜数に分割することが可能である。ま
た、上記実施例は半導体基板１をｎ型シリコン、ピエゾ
抵抗領域であるゲージ部３ａをｐ型シリコンによって構
成した場合について説明したが、これはｐ型シリコンか
らなるピエゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力
−抵抗のリニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大と
なる（００１）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称
性の良好な正逆両方向の出力が取り出せるからである
が、本考案はこれに何等特定されるものではなく、ｐ型
の基板にｎ型のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論
である。
【００１６】
【考案の効果】以上説明したように本考案に係る半導体
圧力センサは、ダイヤフラムを形成する薄肉部の外周寄
りに配設されるピエゾ抵抗素子の夫々を複数個の線分に
分割し、これら線分を前記薄肉部を中心とする略同一半
径上に配列したので、各線分に加わる応力を等しくする
ことができる。したがって、応力分布に広がりがなく、
最大出力を得ることができ、センサの検出感度を向上さ
せることができる。
圧力センサは、ダイヤフラムを形成する薄肉部の外周寄
りに配設されるピエゾ抵抗素子の夫々を複数個の線分に
分割し、これら線分を前記薄肉部を中心とする略同一半
径上に配列したので、各線分に加わる応力を等しくする
ことができる。したがって、応力分布に広がりがなく、
最大出力を得ることができ、センサの検出感度を向上さ
せることができる。
【図１】本考案に係る半導体圧力センサの一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】半導体圧力センサの従来例を示す平面図であ
る。
る。
【図３】同センサの断面図である。
【図４】ゲージ部の応力分布を示す図である。
１ 半導体基板 ２ ダイヤフラム部（薄肉部） ３Ａ 半径方向の差圧検出用ゲージ ３Ｂ 接線方向の差圧検出用ゲージ ３ａ ゲージ部 ３ｂ 連結部 ３ｃ リードアウト部 ４ バックプレート ５ 凹陥部 ３０ａ〜３０ｄ 線分
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体結晶からなる基板の裏面に凹陥部
を形成することにより薄肉部を形成し、この薄肉部の主
面に半径方向および接線方向にそれぞれ一対のピエゾ抵
抗素子を設けた半導体圧力センサにおいて、 前記ピエゾ抵抗素子の夫々を複数の微少な線分に分割
し、これら線分を前記薄肉部を中心とする略同一半径上
に配列したことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993031577U JP2573540Y2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993031577U JP2573540Y2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0686045U JPH0686045U (ja) | 1994-12-13 |
| JP2573540Y2 true JP2573540Y2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=12335045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993031577U Expired - Fee Related JP2573540Y2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573540Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5866496B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-02-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体圧力センサ |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP1993031577U patent/JP2573540Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0686045U (ja) | 1994-12-13 |
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