JP5866496B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Description
(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1に係る半導体圧力センサの構成を示す図であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線に沿った断面図である。図1において、本発明の実施形態1となる半導体圧力センサ11は、図1(a),(b)に示すように、矩形形状の薄肉化されたダイヤフラム部12が形成された、例えば単結晶のシリコン基板からなる半導体基板13と、ダイヤフラム部12の各辺内側の半導体基板13の表面領域に形成されたピエゾ抵抗素子R1〜R4とを備える。
(実施形態2)
図4は本発明の実施形態2に係る半導体圧力センサの構成を示す図であり、先の実施形態1の図3に対応した図である。なお、各ピエゾ抵抗素子R1〜R4の構造や配置は先の実施形態1の図1、図2と同様であるので、その説明は省略する。
(実施形態3)
図5は本発明の実施形態3に係る半導体圧力センサの構成を示す図であり、先の実施形態1の図3に対応した図である。なお、各ピエゾ抵抗素子R1〜R4の構造や配置は先の実施形態1の図1、図2と同様であるので、その説明は省略する。
12…ダイヤフラム部
13…半導体基板
21…絶縁体薄膜層
22…シールド薄膜層
31,32…配線
R1〜R4…ピエゾ抵抗素子
r1,r2…抵抗
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一部であって、前記半導体基板が薄肉化されたダイヤフラム部と、
第1,第2,第3,第4の検出部と、
を備える半導体圧力センサにおいて、
前記第1,第2,第3,第4の検出部はそれぞれ、
第1の端と、
第2の端と、
前記第1の端から第1の方向に延びる第1の部分と、
前記第1の部分から前記第1の方向と垂直な第2の方向に延びる第2の部分と、
前記第2の部分から前記第1の方向に延び、前記第1の部分と前記第2の方向に対向する部分を有する第3の部分と、
前記第3の部分から前記第2の方向に延び、前記第2の部分と前記第1の方向に対向する部分を有する第4の部分と、
前記第4の部分から前記第2の端まで前記第1の方向に延び、前記第1の部分と前記第2の方向に対向する部分を含む第5の部分と、
を有し、
前記ダイヤフラム部の上面視において、前記第2の部分は前記第4の部分より幅の広い部分を有し、
前記幅の広い部分は前記第1の部分に接続する半導体圧力センサ。 - 前記第1の検出部の第1の端と、前記第2の検出部の第2の端とを接続する第1の配線と、
前記第2の検出部の第1の端と、前記第3の検出部の第2の端とを接続する第2の配線と、
前記第3の検出部の第1の端と、前記第4の検出部の第2の端とを接続する第3の配線と、
前記第4の検出部の第1の端と、前記第1の検出部の第2の端とを接続する第4の配線と、を更に備え、
前記ダイヤフラム部は、上面視において、第1,第2,第3,第4の辺を有する四角形であり、
前記第1の配線は、前記第1の辺に並行な部分と、前記第2の辺に並行な部分とを有し、
前記第2の配線は、前記第2の辺に並行な部分と、前記第3の辺に並行な部分とを有し、
前記第3の配線は、前記第3の辺に並行な部分と、前記第4の辺に並行な部分とを有し、
前記第4の配線は、前記第4の辺に並行な部分と、前記第1の辺に並行な部分とを有する請求項1に記載の半導体圧力センサ。 - 前記半導体基板と前記ダイヤフラム部とは上面視において四角形である請求項1または請求項2に記載の半導体圧力センサ。
- 前記第1,第2,第3,第4の検出部はそれぞれ、前記ダイヤフラム部の上に設けられる請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体圧力センサ。
- 前記第1,第2,第3,第4の検出部はピエゾ抵抗である請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の半導体圧力センサ。
- 前記第1,第2,第3,第4の検出部がホイートストンブリッジ回路を構成する請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の半導体圧力センサ。
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