JP2014016189A - 半導体センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】低コストで、温度変化によるオフセット電圧の変動を低減する半導体センサを提供する。
【解決手段】下面をエッチングされることにより形成された矩形のダイヤフラム11を有する半導体基板1と、半導体基板1の上面の、ダイヤフラム11の4辺のそれぞれの中点近傍に形成され、ホイートストンブリッジを構成する4つのピエゾ抵抗3a〜3dと、半導体基板1の上面の、ダイヤフラム11の外側にダイヤフラム11の中心に対して互いに対称に形成され、ホイートストンブリッジ内の高電位側及び低電位側にそれぞれ直列に接続され、ピエゾ抵抗3a〜3dと異なる温度特性をそれぞれ有する2つの補償抵抗4a、4cとを備える。
【選択図】図1
【解決手段】下面をエッチングされることにより形成された矩形のダイヤフラム11を有する半導体基板1と、半導体基板1の上面の、ダイヤフラム11の4辺のそれぞれの中点近傍に形成され、ホイートストンブリッジを構成する4つのピエゾ抵抗3a〜3dと、半導体基板1の上面の、ダイヤフラム11の外側にダイヤフラム11の中心に対して互いに対称に形成され、ホイートストンブリッジ内の高電位側及び低電位側にそれぞれ直列に接続され、ピエゾ抵抗3a〜3dと異なる温度特性をそれぞれ有する2つの補償抵抗4a、4cとを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、ピエゾ効果を用いて圧力を検出する半導体センサに関する。
ダイヤフラムを有する半導体基板の表面に形成された4つのピエゾ抵抗からホイートストンブリッジを構成し、ピエゾ抵抗のピエゾ効果を用いて圧力を検出する半導体センサが知られている(特許文献1)。このような半導体センサは、上面に酸化膜や窒化膜の絶縁膜が設けられるが、周囲温度が変化すると、絶縁膜と半導体基板との線膨張係数の違いにより、ダイヤフラムに反りが生じ、オフセット電圧が変動する。温度変化によるオフセット電圧の変動に対して、一般に、変動を補正する外部回路を用いられている。
オフセット電圧の変動を補正する外部回路を用いると、半導体センサの製造コスト、サイズが増大してしまう。
本発明は、上記問題点を鑑み、低コストで、温度変化によるオフセット電圧の変動を低減する半導体センサを提供することを目的とする。
本発明は、上記問題点を鑑み、低コストで、温度変化によるオフセット電圧の変動を低減する半導体センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の態様は、下面をエッチングされることにより形成された矩形のダイヤフラムを有する半導体基板と、前記半導体基板の上面の、前記ダイヤフラムの4辺のそれぞれの中点近傍に形成され、ホイートストンブリッジを構成する4つのピエゾ抵抗と、前記半導体基板の上面の、前記ダイヤフラムの外側に前記ダイヤフラムの中心に対して互いに対称に形成され、前記ホイートストンブリッジ内の高電位側及び低電位側にそれぞれ直列に接続され、前記ピエゾ抵抗と異なる温度特性をそれぞれ有する2つの補償抵抗とを備える半導体センサであることを要旨とする。
また、本発明の態様に係る半導体センサにおいては、前記ピエゾ抵抗は第1導電型半導体からなり、前記補償抵抗は第2導電型半導体からなることができる。
本発明によれば、低コストで、温度変化によるオフセット電圧の変動を低減する半導体センサを提供することができる。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
本発明の実施の形態に係る半導体センサは、図1(a)、図1(b)に示すように、ダイヤフラム(隔膜)11を有する半導体基板1と、4つのピエゾ抵抗3a,3b,3c,3dと、2つの補償抵抗4a,4cとを備える。半導体基板1は、例えば、矩形平板状のシリコン基板からなり、導電型がp型、面方位が(100)である。ダイヤフラム11は、半導体基板1の下面を、平面パターンが矩形になるようにエッチングされることにより、他所より薄く形成される。
ピエゾ抵抗3a〜3dは、例えば、半導体基板1の上面にn型不純物を拡散させることにより形成される4つの拡散領域の上部に、p型不純物を拡散させることによりそれぞれ形成される。ピエゾ抵抗3a〜3dは、ダイヤフラム11の上面にホイートストンブリッジを構成する。半導体基板1の上面に形成される4つの拡散領域及びピエゾ抵抗3a〜3dは、ダイヤフラム11の4辺のそれぞれ中点近傍に形成される。ピエゾ抵抗3a〜3dは、ダイヤフラム11に圧力が加わっていない場合、それぞれ互いに等しい抵抗値となっている。
補償抵抗4a,4cは、ピエゾ抵抗3a〜3dが構成するホイートストンブリッジ内の高電位側及び低電位側それぞれ直列に接続される。補償抵抗4a,4cは、平面パターン上、ダイヤフラム11の外側にダイヤフラム11の中心に関して互いに対称に位置する。補償抵抗4a,4cは、図2に示すように、それぞれ、抵抗値がピエゾ抵抗3a〜3dよりも小さく、温度変化による抵抗値の変動がピエゾ抵抗3a〜3dより小さな抵抗温度特性を有する。補償抵抗4a,4cは、半導体基板1の上面にp型不純物を拡散させることにより形成される。
ピエゾ抵抗3aの一端は補償抵抗を介して電源端子21に、他端は出力端子23に接続されている。ピエゾ抵抗3bの一端は出力端子23に、他端は接地端子22に接続されている。ピエゾ抵抗3cの一端は補償抵抗を介して接地端子22に、他端は出力端子23に接続されている。ピエゾ抵抗3dの一端は出力端子24に、他端は電源端子21に接続されている。
ピエゾ抵抗3a〜3d、補償抵抗4a,4c、電源端子21、接地端子22、出力端子23,24の間を接続する配線は、例えば、半導体基板1の表面に高濃度のp型不純物を拡散させることにより形成された拡散配線や、金属薄膜からなる金属配線からなる。補償抵抗4a,4cは、平面パターン上、ダイヤフラム11の外側に形成されているので、各ピエゾ抵抗3a〜3dとの配線に金属配線を用いることができ、寄生抵抗を小さくすることができるので、検出感度の低下を低減できる。
図3に示すように、ピエゾ抵抗3a〜3dの抵抗値をそれぞれRG1〜RG4、補償抵抗4a,4cの抵抗値をそれぞれRT1,RT3、電源端子21、出力端子23、出力端子24の電位をそれぞれVDD,VOUT-,VOUT+とする。また、ピエゾ抵抗3a〜3dの抵抗温度特性をTCRRG[PPM/℃]、補償抵抗4a,4cの抵抗温度特性をTCRRT[PPM/℃]とする。
オフセット電圧温度特性TCOを0にする補償抵抗4a,4cの抵抗値RT1,RT3及び抵抗温度特性TCRRTを選択して採用することにより、補償抵抗4a,4cは、図4に示すように、温度変化によるオフセット電圧の変動を低減することができる。
補償抵抗4a,4cは、寄生抵抗成分となるため、抵抗温度特性TCRRTは、抵抗温度特性TCRRGとの差が大きく、抵抗値RT1,RT3を可能な限り小さく設定することが望ましい。抵抗温度特性TCRRTは、不純物濃度、導電型を変更することにより変更可能である。
本発明の実施の形態に係る半導体センサによれば、ホイートストンブリッジ内に直列に補償抵抗4a,4cを接続することにより、補償用の外部回路が不要な簡易な構成で、温度変化によるオフセット電圧の変動を補償して低減することができる。
また、本発明の実施の形態に係る半導体センサによれば、補償抵抗4a,4cが、ダイヤフラムの外側に、ダイヤフラムの中心に関して対称に位置することにより、応力の配分を均等にでき、検出特性の変動を抑制することができる。
また、本発明の実施の形態に係る半導体センサによれば、補償抵抗4a,4cが、ピエゾ抵抗3a〜3dと異なる導電型であることにより、抵抗温度特性の差を大きくすることができ、抵抗値の小さな補償抵抗4a,4cでも十分な補償を行うことができる。
上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、既に述べた実施の形態においては、n型半導体の上面にp型の拡散領域を形成し、このp型拡散領域の上部に、n型のピエゾ抵抗が形成される半導体センサであっても良い。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1 半導体基板
3a,3b,3c,3d ピエゾ抵抗
4a,4c 補償抵抗
11 ダイヤフラム
3a,3b,3c,3d ピエゾ抵抗
4a,4c 補償抵抗
11 ダイヤフラム
Claims (2)
- 下面をエッチングされることにより形成された矩形のダイヤフラムを有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面の、前記ダイヤフラムの4辺のそれぞれの中点近傍に形成され、ホイートストンブリッジを構成する4つのピエゾ抵抗と、
前記半導体基板の上面の、前記ダイヤフラムの外側に前記ダイヤフラムの中心に対して互いに対称に形成され、前記ホイートストンブリッジ内の高電位側及び低電位側にそれぞれ直列に接続され、前記ピエゾ抵抗と異なる温度特性をそれぞれ有する2つの補償抵抗と
を備えることを特徴とする半導体センサ。 - 前記ピエゾ抵抗は第1導電型半導体からなり、前記補償抵抗は第2導電型半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012152415A JP2014016189A (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012152415A JP2014016189A (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 半導体センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014016189A true JP2014016189A (ja) | 2014-01-30 |
Family
ID=50111010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012152415A Pending JP2014016189A (ja) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 半導体センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014016189A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015114952A1 (ja) | 2014-01-30 | 2015-08-06 | 株式会社Nttドコモ | 基地局、送信方法、移動局及び再送制御方法 |
-
2012
- 2012-07-06 JP JP2012152415A patent/JP2014016189A/ja active Pending
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WO2015114952A1 (ja) | 2014-01-30 | 2015-08-06 | 株式会社Nttドコモ | 基地局、送信方法、移動局及び再送制御方法 |
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