JP2009300197A - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子を直列に接続し、圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子を一方向に平行に形成し、上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子を、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成した。
【選択図】図1
Description
11 第1シリコン基板(他方のシリコン基板)
12 シリコン酸化膜(酸化膜)
13 第2シリコン基板(一方のシリコン基板)
14 シリコン酸化膜
15 パッシベーション膜
20 キャビティ
21 ダイヤフラム
21a ダイヤフラム輪郭線
22 ピエゾ素子(感応抵抗素子)
23 配線
31 ベース基板
A 第1ピエゾ素子(圧縮方向のピエゾ素子)
A1 A2 A3 第1、第2、第3の素子部分
B 第2ピエゾ素子(引張方向のピエゾ素子)
B1 B2 B3 第1、第2、第3の素子部分
C 第3ピエゾ素子(引張方向のピエゾ素子)
C1 C2 C3 第1、第2、第3の素子部分
D 第4ピエゾ素子(圧縮方向のピエゾ素子)
D1 D2 D3 第1、第2、第3の素子部分
Claims (2)
- シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、
各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子が直列に接続され、
圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子は一方向に平行に形成されていて、
上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子は、他の平面視細長形状の素子よりも面積が広く、かつ他の平面視細長形状の素子のアスペクト比と同一のアスペクト比に形成されていること、を特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項1記載の半導体圧力センサにおいて、上記ダイヤフラムは平面視正方形に形成されていて、上記圧縮方向のピエゾ素子は、各平面視細長形状の素子が上記ダイヤフラムの輪郭線と平行に形成されていて、上記ダイヤフラムの輪郭線を跨ぐ平面視細長形状の素子は、短手方向に上記ダイヤフラムの輪郭線を跨いで形成され、このダイヤフラムの輪郭線を跨ぐ素子がダイヤフラム上に位置する部分の面積は、他の素子の面積と同一に形成されている半導体圧力センサ。
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