JP2000214024A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2000214024A JP2000214024A JP1638399A JP1638399A JP2000214024A JP 2000214024 A JP2000214024 A JP 2000214024A JP 1638399 A JP1638399 A JP 1638399A JP 1638399 A JP1638399 A JP 1638399A JP 2000214024 A JP2000214024 A JP 2000214024A
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- stress
- resistance value
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板に対するピエゾ抵抗素子の形成領域
をできる限り増加させることなしに検出感度の向上を図
る。 【解決手段】電流の流れる方向が印加圧力に対する応力
の方向と異なるピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部３の幅寸法Ｗ
１を、応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素
子Ｒの部位（直線部４）の幅寸法Ｗ２よりも大きく形成
する。これにより、印加圧力に対する応力によって抵抗
値が変化しないピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部３の抵抗値が
小さくなり、半導体基板１に対するピエゾ抵抗素子Ｒの
形成領域をできる限り増加させることなく応力に対する
ピエゾ抵抗素子Ｒの抵抗値変化を大きくして圧力の検出
感度を向上させることができる。
をできる限り増加させることなしに検出感度の向上を図
る。 【解決手段】電流の流れる方向が印加圧力に対する応力
の方向と異なるピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部３の幅寸法Ｗ
１を、応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素
子Ｒの部位（直線部４）の幅寸法Ｗ２よりも大きく形成
する。これにより、印加圧力に対する応力によって抵抗
値が変化しないピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部３の抵抗値が
小さくなり、半導体基板１に対するピエゾ抵抗素子Ｒの
形成領域をできる限り増加させることなく応力に対する
ピエゾ抵抗素子Ｒの抵抗値変化を大きくして圧力の検出
感度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に形成
したピエゾ抵抗素子の抵抗値変化に基づいて外部から印
加される圧力を検出する半導体圧力センサに関するもの
である。
したピエゾ抵抗素子の抵抗値変化に基づいて外部から印
加される圧力を検出する半導体圧力センサに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体圧力センサは、シリコン等
の半導体基板を加工して薄膜のダイヤフラム部並びにピ
エゾ抵抗素子を形成し、外部から印加される圧力によっ
て変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力
を検出するものである。かかる半導体圧力センサにおい
ては、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が高いほど圧力の検出感
度が高くなるため、高濃度且つ高抵抗のピエゾ抵抗素子
を形成する必要がある。
の半導体基板を加工して薄膜のダイヤフラム部並びにピ
エゾ抵抗素子を形成し、外部から印加される圧力によっ
て変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力
を検出するものである。かかる半導体圧力センサにおい
ては、ピエゾ抵抗素子の抵抗値が高いほど圧力の検出感
度が高くなるため、高濃度且つ高抵抗のピエゾ抵抗素子
を形成する必要がある。
【０００３】そこで従来は、図４に示すようにピエゾ抵
抗素子Ｒを直線状ではなく、図５に示すように印加圧力
に対する応力の方向と略直交する方向に蛇行した形状に
ピエゾ抵抗素子Ｒを形成することで長さ方向の寸法を稼
ぐようにしていた。
抗素子Ｒを直線状ではなく、図５に示すように印加圧力
に対する応力の方向と略直交する方向に蛇行した形状に
ピエゾ抵抗素子Ｒを形成することで長さ方向の寸法を稼
ぐようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、（１１０）
基板１を用いた半導体加速度センサにおいては、図６に
示すようにダイヤフラム部２の端部近傍にそれぞれ１つ
のピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成するとともにダイヤフラ
ム部２の略中央に２つのピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成
し、これら４つのピエゾ抵抗素子Ｒ…に対して<１１０>
方向（図６（ｂ）における矢印イ、ロの方向）に電流が
流れる領域（直線部４）の抵抗値が印加圧力による応力
によって変化することを利用して圧力を検出している。
従って、各ピエゾ抵抗素子Ｒ…を、電流の流れる方向が
応力の方向と異なる部位が湾曲し、応力方向と平行な方
向に電流が流れる部位が直線状となるように蛇行した形
状に形成していた。このとき、ピエゾ抵抗素子Ｒ…にお
いて<１００>方向（図６（ｂ）における矢印ハの方向）
に電流が流れる領域（湾曲部３）の抵抗値は応力によっ
て変化しないため、この領域（湾曲部３）における抵抗
値のピエゾ抵抗素子Ｒ…全体の抵抗値に占める割合が大
きいと、応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒ…の抵抗値の変
化量が小さくなってしまい、圧力の検出感度が低下する
原因となってしまう。
基板１を用いた半導体加速度センサにおいては、図６に
示すようにダイヤフラム部２の端部近傍にそれぞれ１つ
のピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成するとともにダイヤフラ
ム部２の略中央に２つのピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成
し、これら４つのピエゾ抵抗素子Ｒ…に対して<１１０>
方向（図６（ｂ）における矢印イ、ロの方向）に電流が
流れる領域（直線部４）の抵抗値が印加圧力による応力
によって変化することを利用して圧力を検出している。
従って、各ピエゾ抵抗素子Ｒ…を、電流の流れる方向が
応力の方向と異なる部位が湾曲し、応力方向と平行な方
向に電流が流れる部位が直線状となるように蛇行した形
状に形成していた。このとき、ピエゾ抵抗素子Ｒ…にお
いて<１００>方向（図６（ｂ）における矢印ハの方向）
に電流が流れる領域（湾曲部３）の抵抗値は応力によっ
て変化しないため、この領域（湾曲部３）における抵抗
値のピエゾ抵抗素子Ｒ…全体の抵抗値に占める割合が大
きいと、応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒ…の抵抗値の変
化量が小さくなってしまい、圧力の検出感度が低下する
原因となってしまう。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、半導体基板に対するピ
エゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加させることな
しに検出感度の向上が図れる半導体圧力センサを提供す
ることにある。
あり、その目的とするところは、半導体基板に対するピ
エゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加させることな
しに検出感度の向上が図れる半導体圧力センサを提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、半導体基板にピエゾ抵抗素子を
形成し外部から印加される圧力によって変化するピエゾ
抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力を検出する半導体
圧力センサにおいて、電流の流れる方向が印加圧力に対
する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部位を湾曲さ
せるとともにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗素子の幅寸
法を応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子
の部位の幅寸法よりも大きく形成したことを特徴とし、
印加圧力に対する応力によって抵抗値が変化しないピエ
ゾ抵抗素子の湾曲部の抵抗値が小さくなり、半導体基板
に対するピエゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加さ
せることなく応力に対するピエゾ抵抗素子の抵抗値変化
を大きくして圧力の検出感度を向上させることができ
る。
に、請求項１の発明は、半導体基板にピエゾ抵抗素子を
形成し外部から印加される圧力によって変化するピエゾ
抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力を検出する半導体
圧力センサにおいて、電流の流れる方向が印加圧力に対
する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部位を湾曲さ
せるとともにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗素子の幅寸
法を応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子
の部位の幅寸法よりも大きく形成したことを特徴とし、
印加圧力に対する応力によって抵抗値が変化しないピエ
ゾ抵抗素子の湾曲部の抵抗値が小さくなり、半導体基板
に対するピエゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加さ
せることなく応力に対するピエゾ抵抗素子の抵抗値変化
を大きくして圧力の検出感度を向上させることができ
る。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、応力と略平行な方向に電流が流れる部位の幅寸法が
４μｍよりも大きくなく、且つ湾曲部の幅寸法が１６μ
ｍよりも小さくないようにピエゾ抵抗素子を形成したこ
とを特徴とし、請求項１の発明の望ましい実施態様であ
る。
て、応力と略平行な方向に電流が流れる部位の幅寸法が
４μｍよりも大きくなく、且つ湾曲部の幅寸法が１６μ
ｍよりも小さくないようにピエゾ抵抗素子を形成したこ
とを特徴とし、請求項１の発明の望ましい実施態様であ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
〜図３を参照して詳細に説明する。但し、本実施形態の
半導体圧力センサとしての基本的な構造は図６に示した
従来例と共通であるから、共通する部分については図示
並びに説明は省略する。
〜図３を参照して詳細に説明する。但し、本実施形態の
半導体圧力センサとしての基本的な構造は図６に示した
従来例と共通であるから、共通する部分については図示
並びに説明は省略する。
【０００９】本実施形態は、図１に示すように電流の流
れる方向が印加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ
抵抗素子Ｒの湾曲部３の幅寸法Ｗ１を、応力と略平行な
方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子Ｒの部位（直線部
４）の幅寸法Ｗ２よりも大きく形成した点に特徴があ
る。
れる方向が印加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ
抵抗素子Ｒの湾曲部３の幅寸法Ｗ１を、応力と略平行な
方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子Ｒの部位（直線部
４）の幅寸法Ｗ２よりも大きく形成した点に特徴があ
る。
【００１０】ところで、一般にピエゾ抵抗素子の設計に
おいては、温度特性を考慮して不純物注入量並びに拡散
条件を決めるため、まずシート抵抗の値が決まり、所望
の抵抗値のピエゾ抵抗素子を形成するためにピエゾ抵抗
素子の長さ寸法（Ｌ）／幅寸法（Ｗ）を調整している。
そして、通常半導体圧力センサの応力分布を考慮して、
応力をより有効に利用するためにピエゾ抵抗素子を蛇行
した形状に形成する。
おいては、温度特性を考慮して不純物注入量並びに拡散
条件を決めるため、まずシート抵抗の値が決まり、所望
の抵抗値のピエゾ抵抗素子を形成するためにピエゾ抵抗
素子の長さ寸法（Ｌ）／幅寸法（Ｗ）を調整している。
そして、通常半導体圧力センサの応力分布を考慮して、
応力をより有効に利用するためにピエゾ抵抗素子を蛇行
した形状に形成する。
【００１１】従来例で説明したように（１１０）基板１
を用いた場合、<１００>方向に電流が流れる領域（湾曲
部３）は応力を受けても抵抗値が変化しないため、湾曲
部３の幅寸法Ｗ１を直線部４の幅寸法Ｗ２よりも大きく
する。例えばシート抵抗が７０Ω／□となる不純物濃度
で抵抗値が１２ｋΩのピエゾ抵抗素子Ｒを幅寸法２μｍ
で形成するとすれば、<１００>方向に電流が流れる領域
（湾曲部３）の抵抗値を低減するために湾曲部３の幅寸
法Ｗ１を１６μｍに形成する（図１参照）。
を用いた場合、<１００>方向に電流が流れる領域（湾曲
部３）は応力を受けても抵抗値が変化しないため、湾曲
部３の幅寸法Ｗ１を直線部４の幅寸法Ｗ２よりも大きく
する。例えばシート抵抗が７０Ω／□となる不純物濃度
で抵抗値が１２ｋΩのピエゾ抵抗素子Ｒを幅寸法２μｍ
で形成するとすれば、<１００>方向に電流が流れる領域
（湾曲部３）の抵抗値を低減するために湾曲部３の幅寸
法Ｗ１を１６μｍに形成する（図１参照）。
【００１２】ここで、図３は湾曲部３の幅寸法Ｗ１と湾
曲部３の抵抗値との関係を示しており、図２に示すよう
に湾曲部３の幅寸法Ｗ１を４μｍとした場合には１個の
ピエゾ抵抗素子Ｒにおける湾曲部３の全抵抗値が４．２
ｋΩ（＝７００Ω×６個）であるのに対し、湾曲部３の
幅寸法Ｗ１を上記のように１６μｍとした場合には１個
のピエゾ抵抗素子Ｒにおける湾曲部３の全抵抗値を３．
０ｋΩ（＝５００Ω×６個）に低減することができる。
これにより、１個のピエゾ抵抗素子Ｒにおける直線部４
の全抵抗値を７．８ｋΩ（＝１２ｋΩ−４．２ｋΩ）か
ら９．０ｋΩ（＝１２ｋΩ−３．０ｋΩ）に増大させる
ことができる。その結果、圧力の検出感度を約１５％向
上させることができるのである。なお、図３からも明ら
かなように湾曲部３の抵抗値は幅寸法Ｗ１が１６μｍ以
上では略一定となるから、湾曲部３の幅寸法Ｗ１を１６
μｍよりも小さくないようにするのが望ましく、また、
直線部４の抵抗値を増大させるためにはその幅寸法Ｗ２
を４μｍよりも大きくないようにするのが望ましい。
曲部３の抵抗値との関係を示しており、図２に示すよう
に湾曲部３の幅寸法Ｗ１を４μｍとした場合には１個の
ピエゾ抵抗素子Ｒにおける湾曲部３の全抵抗値が４．２
ｋΩ（＝７００Ω×６個）であるのに対し、湾曲部３の
幅寸法Ｗ１を上記のように１６μｍとした場合には１個
のピエゾ抵抗素子Ｒにおける湾曲部３の全抵抗値を３．
０ｋΩ（＝５００Ω×６個）に低減することができる。
これにより、１個のピエゾ抵抗素子Ｒにおける直線部４
の全抵抗値を７．８ｋΩ（＝１２ｋΩ−４．２ｋΩ）か
ら９．０ｋΩ（＝１２ｋΩ−３．０ｋΩ）に増大させる
ことができる。その結果、圧力の検出感度を約１５％向
上させることができるのである。なお、図３からも明ら
かなように湾曲部３の抵抗値は幅寸法Ｗ１が１６μｍ以
上では略一定となるから、湾曲部３の幅寸法Ｗ１を１６
μｍよりも小さくないようにするのが望ましく、また、
直線部４の抵抗値を増大させるためにはその幅寸法Ｗ２
を４μｍよりも大きくないようにするのが望ましい。
【００１３】上述のように、電流の流れる方向が印加圧
力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲
部３の幅寸法Ｗ１を、応力と略平行な方向に電流が流れ
るピエゾ抵抗素子Ｒの部位（直線部４）の幅寸法Ｗ２よ
りも大きく形成することにより、印加圧力に対する応力
によって抵抗値が変化しないピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部
３の抵抗値が小さくなり、半導体基板１に対するピエゾ
抵抗素子Ｒの形成領域をできる限り増加させることなく
応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒの抵抗値変化を大きくし
て圧力の検出感度を向上させることができる。
力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲
部３の幅寸法Ｗ１を、応力と略平行な方向に電流が流れ
るピエゾ抵抗素子Ｒの部位（直線部４）の幅寸法Ｗ２よ
りも大きく形成することにより、印加圧力に対する応力
によって抵抗値が変化しないピエゾ抵抗素子Ｒの湾曲部
３の抵抗値が小さくなり、半導体基板１に対するピエゾ
抵抗素子Ｒの形成領域をできる限り増加させることなく
応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒの抵抗値変化を大きくし
て圧力の検出感度を向上させることができる。
【００１４】
【発明の効果】請求項１の発明は、半導体基板にピエゾ
抵抗素子を形成し外部から印加される圧力によって変化
するピエゾ抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力を検出
する半導体圧力センサにおいて、電流の流れる方向が印
加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部
位を湾曲させるとともにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗
素子の幅寸法を応力と略平行な方向に電流が流れるピエ
ゾ抵抗素子の部位の幅寸法よりも大きく形成したので、
印加圧力に対する応力によって抵抗値が変化しないピエ
ゾ抵抗素子の湾曲部の抵抗値が小さくなり、半導体基板
に対するピエゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加さ
せることなく応力に対するピエゾ抵抗素子の抵抗値変化
を大きくして圧力の検出感度を向上させることができる
という効果がある。
抵抗素子を形成し外部から印加される圧力によって変化
するピエゾ抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力を検出
する半導体圧力センサにおいて、電流の流れる方向が印
加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部
位を湾曲させるとともにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗
素子の幅寸法を応力と略平行な方向に電流が流れるピエ
ゾ抵抗素子の部位の幅寸法よりも大きく形成したので、
印加圧力に対する応力によって抵抗値が変化しないピエ
ゾ抵抗素子の湾曲部の抵抗値が小さくなり、半導体基板
に対するピエゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加さ
せることなく応力に対するピエゾ抵抗素子の抵抗値変化
を大きくして圧力の検出感度を向上させることができる
という効果がある。
【００１５】請求項２の発明は、応力と略平行な方向に
電流が流れる部位の幅寸法が４μｍよりも大きくなく、
且つ湾曲部の幅寸法が１６μｍよりも小さくないように
ピエゾ抵抗素子を形成したので、請求項１の発明と同様
の効果を奏する。
電流が流れる部位の幅寸法が４μｍよりも大きくなく、
且つ湾曲部の幅寸法が１６μｍよりも小さくないように
ピエゾ抵抗素子を形成したので、請求項１の発明と同様
の効果を奏する。
【図１】実施形態におけるピエゾ抵抗素子を示す平面図
である。
である。
【図２】同上の比較例を示す平面図である。
【図３】同上における湾曲部の幅寸法と抵抗値との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図４】従来例におけるピエゾ抵抗素子を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】他の従来例におけるピエゾ抵抗素子を示す平面
図である。
図である。
【図６】（ａ）は同上の平面図、（ｂ）はピエゾ抵抗素
子の要部平面図である。
子の要部平面図である。
Ｒ ピエゾ抵抗素子 １ 半導体基板 ２ ダイヤフラム部 ３ 湾曲部 ４ 直線部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月８日（１９９９．３．８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、（１１０）
基板１を用いた半導体圧力センサにおいては、図６に示
すようにダイヤフラム部２の端部近傍にそれぞれ１つの
ピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成するとともにダイヤフラム
部２の略中央に２つのピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成し、
これら４つのピエゾ抵抗素子Ｒ…に対して<１１０>方向
（図６（ｂ）における矢印イ、ロの方向）に電流が流れ
る領域（直線部４）の抵抗値が印加圧力による応力によ
って変化することを利用して圧力を検出している。従っ
て、各ピエゾ抵抗素子Ｒ…を、電流の流れる方向が応力
の方向と異なる部位が湾曲し、応力方向と平行な方向に
電流が流れる部位が直線状となるように蛇行した形状に
形成していた。このとき、ピエゾ抵抗素子Ｒ…において
<１００>方向（図６（ｂ）における矢印ハの方向）に電
流が流れる領域（湾曲部３）の抵抗値は応力によって変
化しないため、この領域（湾曲部３）における抵抗値の
ピエゾ抵抗素子Ｒ…全体の抵抗値に占める割合が大きい
と、応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒ…の抵抗値の変化量
が小さくなってしまい、圧力の検出感度が低下する原因
となってしまう。
基板１を用いた半導体圧力センサにおいては、図６に示
すようにダイヤフラム部２の端部近傍にそれぞれ１つの
ピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成するとともにダイヤフラム
部２の略中央に２つのピエゾ抵抗素子Ｒ，Ｒを形成し、
これら４つのピエゾ抵抗素子Ｒ…に対して<１１０>方向
（図６（ｂ）における矢印イ、ロの方向）に電流が流れ
る領域（直線部４）の抵抗値が印加圧力による応力によ
って変化することを利用して圧力を検出している。従っ
て、各ピエゾ抵抗素子Ｒ…を、電流の流れる方向が応力
の方向と異なる部位が湾曲し、応力方向と平行な方向に
電流が流れる部位が直線状となるように蛇行した形状に
形成していた。このとき、ピエゾ抵抗素子Ｒ…において
<１００>方向（図６（ｂ）における矢印ハの方向）に電
流が流れる領域（湾曲部３）の抵抗値は応力によって変
化しないため、この領域（湾曲部３）における抵抗値の
ピエゾ抵抗素子Ｒ…全体の抵抗値に占める割合が大きい
と、応力に対するピエゾ抵抗素子Ｒ…の抵抗値の変化量
が小さくなってしまい、圧力の検出感度が低下する原因
となってしまう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西條 隆司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 江田 和夫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 青木 亮 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD04 EE14 FF11 GG16 4M112 AA01 BA01 CA05 CA09 EA03
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板にピエゾ抵抗素子を形成し外
部から印加される圧力によって変化するピエゾ抵抗素子
の抵抗値に基づいて印加圧力を検出する半導体圧力セン
サにおいて、電流の流れる方向が印加圧力に対する応力
の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部位を湾曲させるとと
もにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗素子の幅寸法を応力
と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子の部位の
幅寸法よりも大きく形成したことを特徴とする半導体圧
力センサ。 - 【請求項２】 応力と略平行な方向に電流が流れる部位
の幅寸法が４μｍよりも大きくなく、且つ湾曲部の幅寸
法が１６μｍよりも小さくないようにピエゾ抵抗素子を
形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638399A JP2000214024A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638399A JP2000214024A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214024A true JP2000214024A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11914763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1638399A Pending JP2000214024A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009300197A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPWO2011161917A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2013-08-19 | パナソニック株式会社 | 加速度センサ |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP1638399A patent/JP2000214024A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009300197A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPWO2011161917A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2013-08-19 | パナソニック株式会社 | 加速度センサ |
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