JPH06213743A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH06213743A JPH06213743A JP5020856A JP2085693A JPH06213743A JP H06213743 A JPH06213743 A JP H06213743A JP 5020856 A JP5020856 A JP 5020856A JP 2085693 A JP2085693 A JP 2085693A JP H06213743 A JPH06213743 A JP H06213743A
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- JP
- Japan
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- gauge
- lead
- voltage
- substrate
- type semiconductor
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 折り返しゲージのブレークダウン電圧を高く
する。 【構成】 半導体基板１の表面にピエゾ領域として作用
する折り返しゲージ２を形成する。この折り返しゲージ
２は、低濃度のゲージ部２ａ，２ｂ、このゲージ２ａ，
２ｂを連結する高濃度の連結部３およびリードアウト部
４ａ，４ｂを備え、かつ半導体基板１の内部に形成した
低濃度の導電型半導体物質領域１４により前記連結部３
およびリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲み、半導体基
板１からアイソレートする。
する。 【構成】 半導体基板１の表面にピエゾ領域として作用
する折り返しゲージ２を形成する。この折り返しゲージ
２は、低濃度のゲージ部２ａ，２ｂ、このゲージ２ａ，
２ｂを連結する高濃度の連結部３およびリードアウト部
４ａ，４ｂを備え、かつ半導体基板１の内部に形成した
低濃度の導電型半導体物質領域１４により前記連結部３
およびリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲み、半導体基
板１からアイソレートする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は差圧あるいは圧力を検出
する半導体圧力センサに関する。
する半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体圧力センサとして
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体基板の表面に不純物の拡散もしくはイオ
ン打ち込み技術によりピエゾ領域として作用するゲージ
を形成すると共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成
し、裏面の一部をエッチングによって除去することによ
り厚さ２０μｍ〜５０μｍ程度の起歪部、すなわちダイ
ヤフラムを形成して構成したもので、ダイヤフラムの表
裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラムの変
形に伴いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に
伴う出力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するもの
である。ピエゾ抵抗係数はｐ型、ｎ型共に半導体基板へ
の不純物のドーピング量が多くなるにつれて低下する。
このため、ゲージの比抵抗の変化率を大きくして、圧力
に対する感度を上げるには不純物濃度を低く設定する。
また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異なり、ｐ型
のほうがより大きく、このためｎ型半導体上にｐ型抵抗
層を設けるのが一般的である。
はＳｉ（シリコン）半導体ダイヤフラムを利用したもの
が知られている。このＳｉダイヤフラム型半導体圧力セ
ンサは、半導体基板の表面に不純物の拡散もしくはイオ
ン打ち込み技術によりピエゾ領域として作用するゲージ
を形成すると共に、Ａｌの蒸着等によりリードを形成
し、裏面の一部をエッチングによって除去することによ
り厚さ２０μｍ〜５０μｍ程度の起歪部、すなわちダイ
ヤフラムを形成して構成したもので、ダイヤフラムの表
裏面に測定圧力をそれぞれ加えると、ダイヤフラムの変
形に伴いゲージの比抵抗が変化し、この時の抵抗変化に
伴う出力電圧を検出し、差圧または圧力を測定するもの
である。ピエゾ抵抗係数はｐ型、ｎ型共に半導体基板へ
の不純物のドーピング量が多くなるにつれて低下する。
このため、ゲージの比抵抗の変化率を大きくして、圧力
に対する感度を上げるには不純物濃度を低く設定する。
また、ピエゾ抵抗係数は、ｐ型と，ｎ型で異なり、ｐ型
のほうがより大きく、このためｎ型半導体上にｐ型抵抗
層を設けるのが一般的である。
【０００３】図６および図７は従来の半導体圧力センサ
におけるゲージを示す平面図およびVII −VII 線断面図
である。これらの図において、１はＳｉ単結晶からなる
半導体基板（ｎ型）、２は半導体基板１の表面に形成さ
れたピエゾ領域として作用する折り返しゲージ（ｐ型）
で、このゲージ２は所定のシート抵抗を有する低濃度
（１０19 個／ｃｍ3 ）のゲージ部２ａ，２ｂと、ゲー
ジ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、リードアウト
部４ａ，４ｂとからなり、連結部３とリードアウト部４
ａ，４ｂがゲージ部２ａ，２ｂに対するこれらの影響を
除くため一般に高濃度（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型
（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成している。５ａ，５ｂ
は蒸着によって形成されたアルミニウムからなるリード
で、これらリード５ａ，５ｂの一端は各リードアウト部
４ａ，４ｂにそれぞれ接続されている。
におけるゲージを示す平面図およびVII −VII 線断面図
である。これらの図において、１はＳｉ単結晶からなる
半導体基板（ｎ型）、２は半導体基板１の表面に形成さ
れたピエゾ領域として作用する折り返しゲージ（ｐ型）
で、このゲージ２は所定のシート抵抗を有する低濃度
（１０19 個／ｃｍ3 ）のゲージ部２ａ，２ｂと、ゲー
ジ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、リードアウト
部４ａ，４ｂとからなり、連結部３とリードアウト部４
ａ，４ｂがゲージ部２ａ，２ｂに対するこれらの影響を
除くため一般に高濃度（１０21 個／ｃｍ3 ）の導電型
（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成している。５ａ，５ｂ
は蒸着によって形成されたアルミニウムからなるリード
で、これらリード５ａ，５ｂの一端は各リードアウト部
４ａ，４ｂにそれぞれ接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ｐｎ接合に
逆方向電圧を印加すると、飽和電流Ｉs が僅かに流れる
だけであるが、ある電圧を越えると、急に電流が流れ出
す。この現象をブレークダウン（降伏）といい、この電
圧をブレークダウン電圧（ＶB ）という。ＶB 電圧を越
えて高い電圧を印加するとｐｎ接合が機械的に破壊す
る。これはｐｎ接合に印加された電圧が高くなると、電
界が強くなって導電電子や正孔のエネルギが大きくな
り、他の電子と衝突したときに価電子結合を破壊して電
子なだれ増倍が急激に生じるためである。そのため、Ｖ
B 電圧は高いことが望ましいが、連結部３およびリード
アウト部４ａ，４ｂは不純物濃度が高く低抵抗の導電型
（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成しているため、空乏層
の厚さが小さく、電界が強くなるので耐電圧が小さく、
ＶB 電圧が低いという問題があった。
逆方向電圧を印加すると、飽和電流Ｉs が僅かに流れる
だけであるが、ある電圧を越えると、急に電流が流れ出
す。この現象をブレークダウン（降伏）といい、この電
圧をブレークダウン電圧（ＶB ）という。ＶB 電圧を越
えて高い電圧を印加するとｐｎ接合が機械的に破壊す
る。これはｐｎ接合に印加された電圧が高くなると、電
界が強くなって導電電子や正孔のエネルギが大きくな
り、他の電子と衝突したときに価電子結合を破壊して電
子なだれ増倍が急激に生じるためである。そのため、Ｖ
B 電圧は高いことが望ましいが、連結部３およびリード
アウト部４ａ，４ｂは不純物濃度が高く低抵抗の導電型
（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成しているため、空乏層
の厚さが小さく、電界が強くなるので耐電圧が小さく、
ＶB 電圧が低いという問題があった。
【０００５】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、折り返しゲージのＶB 電圧を高くすることができ
るようにした半導体圧力センサを提供することにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、折り返しゲージのＶB 電圧を高くすることができ
るようにした半導体圧力センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
本発明は、半導体基板の表面にピエゾ領域として作用す
る折り返しゲージを形成し、この折り返しゲージのゲー
ジ部間連結部およびリードアウト部をゲージ部より高濃
度に形成した半導体圧力センサにおいて、前記半導体基
板の内部に前記連結部およびリードアウト部の少なくと
もいずれか一方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領
域を形成したものである。
本発明は、半導体基板の表面にピエゾ領域として作用す
る折り返しゲージを形成し、この折り返しゲージのゲー
ジ部間連結部およびリードアウト部をゲージ部より高濃
度に形成した半導体圧力センサにおいて、前記半導体基
板の内部に前記連結部およびリードアウト部の少なくと
もいずれか一方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領
域を形成したものである。
【０００７】
【作用】連結部およびリードアウト部の少なくともいず
れか一方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域は、
空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるので、耐電圧を
大きくし、ゲージのＶB 電圧を上げる。ゲージ部間の電
流は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を
通るため、これら両部を取り囲む低濃度の導電型半導体
物質領域を設けても抵抗値に影響を及ぼすことはない。
れか一方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域は、
空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるので、耐電圧を
大きくし、ゲージのＶB 電圧を上げる。ゲージ部間の電
流は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を
通るため、これら両部を取り囲む低濃度の導電型半導体
物質領域を設けても抵抗値に影響を及ぼすことはない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図、図２は同センサの断面図、図
３は折り返しゲージの平面図、図４は同ゲージの要部断
面図である。なお、図中図６および図７と同一構成部材
のものに対しては同一符号をもって示す。図１および図
２において、半導体基板１は（１００）面のｎ型単結晶
Ｓｉからなり、エッチングによりその裏面中央部を除去
されることにより差圧または圧力に感応する薄肉円板状
の感圧ダイヤフラム部１０を備え、表面側に差圧または
圧力を検出する差圧検出用ゲージ２が設けられ、バック
プレート１１上に静電接合によって一体的に接合されて
いる。バックプレート１１は、半導体基板１と熱膨張係
数が近似したパイレックスガラス、セラミックス等によ
って形成され、中央には前記半導体基板１の裏面に形成
された凹部１２を介してダイヤフラム部１０の裏面側に
測定すべき圧力の一方を導く貫通孔１３が形成されてい
る。
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
の一実施例を示す平面図、図２は同センサの断面図、図
３は折り返しゲージの平面図、図４は同ゲージの要部断
面図である。なお、図中図６および図７と同一構成部材
のものに対しては同一符号をもって示す。図１および図
２において、半導体基板１は（１００）面のｎ型単結晶
Ｓｉからなり、エッチングによりその裏面中央部を除去
されることにより差圧または圧力に感応する薄肉円板状
の感圧ダイヤフラム部１０を備え、表面側に差圧または
圧力を検出する差圧検出用ゲージ２が設けられ、バック
プレート１１上に静電接合によって一体的に接合されて
いる。バックプレート１１は、半導体基板１と熱膨張係
数が近似したパイレックスガラス、セラミックス等によ
って形成され、中央には前記半導体基板１の裏面に形成
された凹部１２を介してダイヤフラム部１０の裏面側に
測定すべき圧力の一方を導く貫通孔１３が形成されてい
る。
【０００９】前記差圧検出用ゲージ２は、前記感圧ダイ
ヤフラム部１０の上面で差圧または圧力の印加時にダイ
ヤフラム部１０に発生する半径方向と周方向の応力が最
大となる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によ
って４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに
結線されることで差圧信号を差動的に出力する。また、
差圧検出用ゲージ２は、図３に示すように折り返しゲー
ジを形成することで、低濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で
所定のシート抵抗を有し、結晶面方位（１００）におい
てピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向
と平行なゲージ部２ａ，２ｂと、高濃度（１０21 個／
ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成し
ゲージ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、リードア
ウト部４ａ，４ｂと、半導体基板１の内部に形成されて
前記連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲
み半導体基板１からアイソレートする低濃度（１０19
個／ｃｍ3 ）の導電型半導体物質領域１４（図４）とで
構成されている。連結部３、リードアウト部４ａ，４ｂ
および導電型半導体物質領域１４の製作に際しては、先
ず低濃度の不純物（ボロン等）を拡散またはイオン打ち
込みにより半導体基板１にドープすることにより低濃度
の導電型半導体物質領域１４を形成し、しかる後この領
域１４の所定箇所に同じ不純物を高濃度でそれぞれドー
プすることにより高濃度の連結部３およびリードアウト
部４ａ，４ｂを基板１と非接触で形成すればよい。
ヤフラム部１０の上面で差圧または圧力の印加時にダイ
ヤフラム部１０に発生する半径方向と周方向の応力が最
大となる周縁部寄りに拡散またはイオン打ち込み法によ
って４つ形成されており、ホイールストーンブリッジに
結線されることで差圧信号を差動的に出力する。また、
差圧検出用ゲージ２は、図３に示すように折り返しゲー
ジを形成することで、低濃度（１０19 個／ｃｍ3 ）で
所定のシート抵抗を有し、結晶面方位（１００）におい
てピエゾ抵抗係数が最大となる＜１１０＞の結晶軸方向
と平行なゲージ部２ａ，２ｂと、高濃度（１０21 個／
ｃｍ3 ）の導電型（ｐ+ 型）半導体物質領域を形成し
ゲージ部２ａ，２ｂ間を連結する連結部３と、リードア
ウト部４ａ，４ｂと、半導体基板１の内部に形成されて
前記連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを取り囲
み半導体基板１からアイソレートする低濃度（１０19
個／ｃｍ3 ）の導電型半導体物質領域１４（図４）とで
構成されている。連結部３、リードアウト部４ａ，４ｂ
および導電型半導体物質領域１４の製作に際しては、先
ず低濃度の不純物（ボロン等）を拡散またはイオン打ち
込みにより半導体基板１にドープすることにより低濃度
の導電型半導体物質領域１４を形成し、しかる後この領
域１４の所定箇所に同じ不純物を高濃度でそれぞれドー
プすることにより高濃度の連結部３およびリードアウト
部４ａ，４ｂを基板１と非接触で形成すればよい。
【００１０】図５は低濃度の不純物と高濃度の不純物を
ドープした場合の不純物濃度と深さの関係を示す図であ
る。
ドープした場合の不純物濃度と深さの関係を示す図であ
る。
【００１１】なお、図１において、１５は差圧信号取出
し用端子部、１６は差圧検出用電源端子部である。
し用端子部、１６は差圧検出用電源端子部である。
【００１２】このような構成からなる半導体圧力センサ
においては、図３および図４に示すように差圧検出用ゲ
ージ２の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを半
導体基板１の内部に形成した低濃度の導電型半導体物質
領域１４で取り囲み、半導体基板１からアイソレートし
ているので、空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるの
で、耐電圧を大きくし、したがって、ｐｎ接合に逆方向
の電圧を印加した場合のゲージ２のＶB 電圧を高くする
ことができる。この場合、ゲージ部２ａ，２ｂ間の電流
は低抵抗層を形成する連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを通るため、連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域１４
を設けても抵抗値に影響を何等及ぼすことはない。
においては、図３および図４に示すように差圧検出用ゲ
ージ２の連結部３およびリードアウト部４ａ，４ｂを半
導体基板１の内部に形成した低濃度の導電型半導体物質
領域１４で取り囲み、半導体基板１からアイソレートし
ているので、空乏層の厚みが大きく、電界が弱くなるの
で、耐電圧を大きくし、したがって、ｐｎ接合に逆方向
の電圧を印加した場合のゲージ２のＶB 電圧を高くする
ことができる。この場合、ゲージ部２ａ，２ｂ間の電流
は低抵抗層を形成する連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを通るため、連結部３およびリードアウト部４
ａ，４ｂを取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域１４
を設けても抵抗値に影響を何等及ぼすことはない。
【００１３】なお、上記実施例は連結部およびリードア
ウト部の両方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域
を形成したが、これに限らず少なくともいずれか一方の
みを取り囲むようにしてもよい。また、上記実施例は半
導体基板１をｎ型シリコン、ピエゾ抵抗領域であるゲー
ジ２，１２，１３をｐ型シリコンによって構成した場合
について説明したが、これはｐ型シリコンからなるピエ
ゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力−抵抗のリ
ニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大となる（１０
０）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称性の良好な
正逆両方向の出力が取り出せるからであるが、本発明は
これに何等特定されるものではなく、ｐ型の基板にｎ型
のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論である。
ウト部の両方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域
を形成したが、これに限らず少なくともいずれか一方の
みを取り囲むようにしてもよい。また、上記実施例は半
導体基板１をｎ型シリコン、ピエゾ抵抗領域であるゲー
ジ２，１２，１３をｐ型シリコンによって構成した場合
について説明したが、これはｐ型シリコンからなるピエ
ゾ抵抗体を用いた方が、ｎ型に比較して圧力−抵抗のリ
ニアリティがよく、ピエゾ抵抗係数が最大となる（１０
０）面、＜１１０＞結晶軸方向において対称性の良好な
正逆両方向の出力が取り出せるからであるが、本発明は
これに何等特定されるものではなく、ｐ型の基板にｎ型
のピエゾ領域を形成してもよいことは勿論である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
圧力センサは、折り返しゲージのゲージ部間連結部およ
びリードアウト部をゲージ部より高濃度に形成した半導
体圧力センサにおいて、半導体基板の内部に低濃度の導
電型半導体物質領域を形成し、これによって前記連結部
およびリードアウト部の少なくともいずれか一方を取り
囲み半導体基板からアイソレートしたので、連結部およ
びまたはリードアウト部による空乏層に比べて低濃度の
導電型半導体物質領域の空乏層の厚みが大きく、このた
め電界が弱くなるので、耐電圧を大きくし、ゲージのＶ
B 電圧を上げることができる。また、ゲージ部間の電流
は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を通
るため、連結部およびまたはリードアウト部を取り囲む
低濃度の導電型半導体物質領域を設けても抵抗値に影響
を及ぼすことはなく、差圧または圧力を正確に検出する
ことができる。
圧力センサは、折り返しゲージのゲージ部間連結部およ
びリードアウト部をゲージ部より高濃度に形成した半導
体圧力センサにおいて、半導体基板の内部に低濃度の導
電型半導体物質領域を形成し、これによって前記連結部
およびリードアウト部の少なくともいずれか一方を取り
囲み半導体基板からアイソレートしたので、連結部およ
びまたはリードアウト部による空乏層に比べて低濃度の
導電型半導体物質領域の空乏層の厚みが大きく、このた
め電界が弱くなるので、耐電圧を大きくし、ゲージのＶ
B 電圧を上げることができる。また、ゲージ部間の電流
は低抵抗層を形成する連結部およびリードアウト部を通
るため、連結部およびまたはリードアウト部を取り囲む
低濃度の導電型半導体物質領域を設けても抵抗値に影響
を及ぼすことはなく、差圧または圧力を正確に検出する
ことができる。
【図１】本発明に係る半導体圧力センサの一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】同センサの断面図である。
【図３】折り返しゲージの平面図である。
【図４】同ゲージの要部断面図である。
【図５】低濃度の不純物と高濃度の不純物をドープした
場合の不純物濃度と深さの関係を示す図である。
場合の不純物濃度と深さの関係を示す図である。
【図６】従来の半導体圧力センサにおけるゲージの平面
図である。
図である。
【図７】図６のVII −VII 線断面図である。
１ 半導体基板 ２ 差圧検出用ゲージ ２ａ，２ｂ ゲージ部 ３ 連結部 ４ａ，４ｂ リードアウト部 ５ａ，５ｂ リード １０ ダイヤフラム部 １１ バックプレート ２４ 導電型半導体物質領域
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面にピエゾ領域として作
用する折り返しゲージを形成し、この折り返しゲージの
ゲージ部間連結部およびリードアウト部をゲージ部より
高濃度に形成した半導体圧力センサにおいて、 前記半導体基板の内部に前記連結部およびリードアウト
部の少なくともいずれか一方を取り囲む低濃度の導電型
半導体物質領域を形成したことを特徴とする半導体圧力
センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020856A JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
| US08/177,112 US5412993A (en) | 1993-01-14 | 1994-01-03 | Pressure detection gage for semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020856A JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213743A true JPH06213743A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2816635B2 JP2816635B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=12038758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5020856A Expired - Lifetime JP2816635B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5412993A (ja) |
| JP (1) | JP2816635B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19503236B4 (de) * | 1995-02-02 | 2006-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat |
| CN100404004C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-07-23 | 清华大学 | 植入关节内压电陶瓷间歇供电装置 |
| CN100411596C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-08-20 | 清华大学 | 生物体植入关节双向数字无线压力监视系统 |
| WO2009096407A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Alps Electric Co., Ltd. | 圧力センサ |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3323032B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2002-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力検出装置の設計方法 |
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