JP3323032B2 - 半導体圧力検出装置の設計方法 - Google Patents
半導体圧力検出装置の設計方法Info
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- JP3323032B2 JP3323032B2 JP14042695A JP14042695A JP3323032B2 JP 3323032 B2 JP3323032 B2 JP 3323032B2 JP 14042695 A JP14042695 A JP 14042695A JP 14042695 A JP14042695 A JP 14042695A JP 3323032 B2 JP3323032 B2 JP 3323032B2
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- semiconductor pressure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
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-
- G—PHYSICS
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコンのピエ
ゾ抵抗を用いた半導体圧力検出装置に関する。
ゾ抵抗を用いた半導体圧力検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコンを用いた半導体圧力検出
装置は、圧力を検出するための薄肉部（ダイアフラム）
にゲージ抵抗を設け、そのピエゾ抵抗を測定して圧力を
検出するものである。圧力検出装置は、線形性を満足す
る圧力範囲で使用される。
装置は、圧力を検出するための薄肉部（ダイアフラム）
にゲージ抵抗を設け、そのピエゾ抵抗を測定して圧力を
検出するものである。圧力検出装置は、線形性を満足す
る圧力範囲で使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この半導体圧力検出装
置は、ある圧力を越えると、シリコンのバルーン効果に
より非線形性が現れ、圧力の線形性が悪化することが知
られている。しかし、性能保証圧力まで、要求される圧
力リニアリティ誤差を満足できるダイアフラム部の寸法
は、実際に試作して評価しないと分からない。このた
め、ダイアフラム部の寸法の決定が困難であった。
置は、ある圧力を越えると、シリコンのバルーン効果に
より非線形性が現れ、圧力の線形性が悪化することが知
られている。しかし、性能保証圧力まで、要求される圧
力リニアリティ誤差を満足できるダイアフラム部の寸法
は、実際に試作して評価しないと分からない。このた
め、ダイアフラム部の寸法の決定が困難であった。
【０００４】本発明の目的は、所望の圧力リニアリティ
誤差を満たす半導体圧力検出装置を提供することであ
る。
誤差を満たす半導体圧力検出装置を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
検出装置の設計方法では、（１００）面または（１１
０）面の結晶面をもつ半導体シリコンに形成したダイア
フラム部と、このダイアフラム部に形成した複数のピエ
ゾ抵抗素子からなる半導体圧力検出装置について、実験
的に求まる常数Ｋを含み、ダイアフラム部の面積と厚さ
をＳとｔで、印加圧力をＰで、圧力リニアリティ誤差を
εで表した次の関係式
検出装置の設計方法では、（１００）面または（１１
０）面の結晶面をもつ半導体シリコンに形成したダイア
フラム部と、このダイアフラム部に形成した複数のピエ
ゾ抵抗素子からなる半導体圧力検出装置について、実験
的に求まる常数Ｋを含み、ダイアフラム部の面積と厚さ
をＳとｔで、印加圧力をＰで、圧力リニアリティ誤差を
εで表した次の関係式
【数３】ε ＝ Ｋ（Ｓ／ｔ ２ ） ３ Ｐ ３／２ を求め、所望の圧力リニアリティ誤差をε ｏ で表したと
き、ダイアフラム部の面積Ｓと厚さｔを、
き、ダイアフラム部の面積Ｓと厚さｔを、
【数４】Ｓ／ｔ ２ ＜ （ε ｏ ／(Ｐ ３／２ Ｋ)） １／３ を満たすように決定する。 ダイアフラム部の形状は、た
とえば、正方形や円形である。また、ピエゾ抵抗素子の
数は、たとえば４個であり、ブリッジ回路を形成する。
あるいは、ピエゾ抵抗素子の数は、たとえば２個であ
り、ハーフブリッジ回路を形成する。
とえば、正方形や円形である。また、ピエゾ抵抗素子の
数は、たとえば４個であり、ブリッジ回路を形成する。
あるいは、ピエゾ抵抗素子の数は、たとえば２個であ
り、ハーフブリッジ回路を形成する。
【０００６】
【作用】半導体圧力検出装置のダイアフラム部の面積と
厚さは、性能保証圧力と所望の圧力リニアリティ誤差を
用いた上記の関係式を用いて決定できる。これにより、
試作評価をしなくてもダイアフラム部の寸法を決定で
き、圧力リニアリティ誤差をおさえた半導体圧力検出装
置を提供できる。ダイアフラム部の形状は、正方形、円
形などを採用するが、応力に対するシリコンの歪みが同
じであるので、上記の関係式でダイアフラム部の寸法を
決定できる。複数のピエゾ抵抗素子を用いて、ブリッジ
回路やハーフブリッジ回路を構成して抵抗値を精度よく
検出する。
厚さは、性能保証圧力と所望の圧力リニアリティ誤差を
用いた上記の関係式を用いて決定できる。これにより、
試作評価をしなくてもダイアフラム部の寸法を決定で
き、圧力リニアリティ誤差をおさえた半導体圧力検出装
置を提供できる。ダイアフラム部の形状は、正方形、円
形などを採用するが、応力に対するシリコンの歪みが同
じであるので、上記の関係式でダイアフラム部の寸法を
決定できる。複数のピエゾ抵抗素子を用いて、ブリッジ
回路やハーフブリッジ回路を構成して抵抗値を精度よく
検出する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例に
ついて説明する。半導体シリコンを用いた半導体圧力検
出装置において、性能保証圧力まで所望の圧力リニアリ
ティ誤差を満たすダイアフラム部の寸法を決定するた
め、実験データより、ダイアフラムの面積Ｓ、厚みｔ、
印加圧力Ｐおよび所望の圧力リニアリティ誤差εとの関
係式を、以下のように導いた。図１は、第１実施例の半
導体圧力検出装置の部分切欠斜視図である。半導体シリ
コン１は（１００）面を有し、中央部に、正方形のダイ
アフラム部３を裏面からのエッチングにより設ける。そ
して、４個のゲージ抵抗２を、図に示すように、ダイア
フラム部３の正方形の各辺の中央付近に、拡散抵抗とし
て、＜１１０＞の結晶方向に平行に設ける。このゲージ
抵抗の設置場所は、シリコンのピエゾ抵抗効果の結晶異
方性に基づくものである。図２は、この半導体圧力検出
装置の中央部の断面を示し、ダイアフラム部３の厚さｔ
と１辺の長さＤを示す。検出装置の４すみにパッド４を
設け、ゲージ抵抗２とパッド４との間を金属電極膜など
の電極線（図示しない）で接続し、ブリッジを形成す
る。なお、２個のゲージ抵抗を設け、ハーフブリッジを
形成してもよい。
ついて説明する。半導体シリコンを用いた半導体圧力検
出装置において、性能保証圧力まで所望の圧力リニアリ
ティ誤差を満たすダイアフラム部の寸法を決定するた
め、実験データより、ダイアフラムの面積Ｓ、厚みｔ、
印加圧力Ｐおよび所望の圧力リニアリティ誤差εとの関
係式を、以下のように導いた。図１は、第１実施例の半
導体圧力検出装置の部分切欠斜視図である。半導体シリ
コン１は（１００）面を有し、中央部に、正方形のダイ
アフラム部３を裏面からのエッチングにより設ける。そ
して、４個のゲージ抵抗２を、図に示すように、ダイア
フラム部３の正方形の各辺の中央付近に、拡散抵抗とし
て、＜１１０＞の結晶方向に平行に設ける。このゲージ
抵抗の設置場所は、シリコンのピエゾ抵抗効果の結晶異
方性に基づくものである。図２は、この半導体圧力検出
装置の中央部の断面を示し、ダイアフラム部３の厚さｔ
と１辺の長さＤを示す。検出装置の４すみにパッド４を
設け、ゲージ抵抗２とパッド４との間を金属電極膜など
の電極線（図示しない）で接続し、ブリッジを形成す
る。なお、２個のゲージ抵抗を設け、ハーフブリッジを
形成してもよい。
【０００８】この種の検出装置の感度がＳ／ｔ2に比例
することはよく知られている。そこで、感度が一定であ
る場合の印加圧力Ｐと圧力リニアリティ誤差εの関係式
を求める。図３は、圧力リニアリティ誤差ε（％ＦＳ）
の対数と印加圧力Ｐ（ｋＰａ）の対数との両対数グラフ
を、６つの感度について示す。図３に示される６種のデ
ータは、上側から順に、８８.９５（▽），８１.３１
（×），５５.７１（△），４９.０５（◇），３５.５
０（＋），３６.３３（□）の感度（ｍＶ／１０ｋＰａ
で表す）に対応して得られたものである。図３より、圧
力リニアリティ誤差εは、印加圧力Ｐの３／２乗に比例
することがわかる。
することはよく知られている。そこで、感度が一定であ
る場合の印加圧力Ｐと圧力リニアリティ誤差εの関係式
を求める。図３は、圧力リニアリティ誤差ε（％ＦＳ）
の対数と印加圧力Ｐ（ｋＰａ）の対数との両対数グラフ
を、６つの感度について示す。図３に示される６種のデ
ータは、上側から順に、８８.９５（▽），８１.３１
（×），５５.７１（△），４９.０５（◇），３５.５
０（＋），３６.３３（□）の感度（ｍＶ／１０ｋＰａ
で表す）に対応して得られたものである。図３より、圧
力リニアリティ誤差εは、印加圧力Ｐの３／２乗に比例
することがわかる。
【０００９】次に、図４、図５、図６は、それぞれ、印
加圧力Ｐを１０，１８，２４ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す。さらに、
図７、図８、図９は、それぞれ、印加圧力Ｐを１０，１
８，２４ｋＰａと一定にした場合の圧力リニアリティ誤
差と感度との両対数グラフを示す。図７、図８、図９よ
りわかるように、圧力リニアリティ誤差は、感度の３乗
に比例することがわかった。また、圧力リニアリティ誤
差は、感度≒０の場合、限りなく０に近づく。
加圧力Ｐを１０，１８，２４ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す。さらに、
図７、図８、図９は、それぞれ、印加圧力Ｐを１０，１
８，２４ｋＰａと一定にした場合の圧力リニアリティ誤
差と感度との両対数グラフを示す。図７、図８、図９よ
りわかるように、圧力リニアリティ誤差は、感度の３乗
に比例することがわかった。また、圧力リニアリティ誤
差は、感度≒０の場合、限りなく０に近づく。
【００１０】以上のデータから、ダイアフラム部の面積
と厚さをＳ（ｍ2）とｔ（ｍ）で、印加圧力をＰ（ｋＰ
ａ）で表したとき、所望の圧力リニアリティ誤差ε
（％）は次の式で表せる。
と厚さをＳ（ｍ2）とｔ（ｍ）で、印加圧力をＰ（ｋＰ
ａ）で表したとき、所望の圧力リニアリティ誤差ε
（％）は次の式で表せる。
【数５】 ε ＝ Ｋ(Ｓ／ｔ2)3Ｐ3/2 （１） ここに、Ｋは、実験データから得られた常数である。
【数６】 Ｋ ＝ １×１０-4 （２） したがって、
【数７】 ε ＞ Ｋ(Ｓ／ｔ2)3Ｐ3/2 （３） となるダイアフラム部の寸法Ｓ,ｔを決めてやれば、所
望の圧力リニアリティは保証できる。この式は、次のよ
うに変形できる。
望の圧力リニアリティは保証できる。この式は、次のよ
うに変形できる。
【数８】 Ｓ／ｔ2 ＜ （ε／(Ｐ3/2Ｋ)）1/3 （４） ここに
【数９】 Ｋ ＝ １×１０-4 （２）
【００１１】以上のように寸法を決定した半導体圧力検
出装置は、圧力リニアリティを改善できる。また、試作
しなくても、要求仕様の圧力リニアリティ誤差の値によ
り、ダイアフラム部の面積および厚さを設定し、選定で
きるため、最適チップ設計が可能になる。なお、図１に
示した検出装置では、ダイアフラム部３の形状は正方形
であった。しかし、ダイアフラム部が円形状でも同様の
関係式が得られた。さらに、ダイアフラム３の形状が、
多角形、長方形、だ円などの場合も同様であった。同じ
シリコンを用いるため、応力に対するシリコンのピエゾ
抵抗特性が同じであるからである。
出装置は、圧力リニアリティを改善できる。また、試作
しなくても、要求仕様の圧力リニアリティ誤差の値によ
り、ダイアフラム部の面積および厚さを設定し、選定で
きるため、最適チップ設計が可能になる。なお、図１に
示した検出装置では、ダイアフラム部３の形状は正方形
であった。しかし、ダイアフラム部が円形状でも同様の
関係式が得られた。さらに、ダイアフラム３の形状が、
多角形、長方形、だ円などの場合も同様であった。同じ
シリコンを用いるため、応力に対するシリコンのピエゾ
抵抗特性が同じであるからである。
【００１２】図１０は、第２の半導体圧力検出装置の部
分切欠斜視図である。半導体シリコン１１は（１１０）
面を有し、中央部に、正方形のダイアフラム部１３を裏
面からのエッチングにより設ける。そして、４個のゲー
ジ抵抗１２を、図に示すように、ダイアフラム部３の正
方形の各辺の中央付近に２個、ダイアフラム部３の中央
付近に２個、拡散抵抗として、＜１１０＞の結晶方向に
平行に設ける。このゲージ抵抗の設置場所は、シリコン
のピエゾ抵抗効果の（１１０）面での結晶異方性に基づ
くものである。検出装置の４すみにパッド１４を設け、
ゲージ抵抗１２とパッド１４との間を金属電極膜などの
電極線（図示しない）で接続し、ブリッジを形成する。
この半導体圧力検出装置においても、ダイアフラム部の
寸法は、式（３）、式（４）の関係を満たせばよいこと
がわかった。これは、結晶面は変わるけれども、同じシ
リコンを用いるため、応力に対するシリコンの歪みが同
じであるからである。なお、図示しないが、ダイアフラ
ム部１３に２個のゲージ抵抗を設けてハーフブリッジを
形成してもよい。
分切欠斜視図である。半導体シリコン１１は（１１０）
面を有し、中央部に、正方形のダイアフラム部１３を裏
面からのエッチングにより設ける。そして、４個のゲー
ジ抵抗１２を、図に示すように、ダイアフラム部３の正
方形の各辺の中央付近に２個、ダイアフラム部３の中央
付近に２個、拡散抵抗として、＜１１０＞の結晶方向に
平行に設ける。このゲージ抵抗の設置場所は、シリコン
のピエゾ抵抗効果の（１１０）面での結晶異方性に基づ
くものである。検出装置の４すみにパッド１４を設け、
ゲージ抵抗１２とパッド１４との間を金属電極膜などの
電極線（図示しない）で接続し、ブリッジを形成する。
この半導体圧力検出装置においても、ダイアフラム部の
寸法は、式（３）、式（４）の関係を満たせばよいこと
がわかった。これは、結晶面は変わるけれども、同じシ
リコンを用いるため、応力に対するシリコンの歪みが同
じであるからである。なお、図示しないが、ダイアフラ
ム部１３に２個のゲージ抵抗を設けてハーフブリッジを
形成してもよい。
【００１３】
【発明の効果】半導体圧力検出装置の寸法が容易に決定
でき、圧力リニアリティの精度を改善できる。また、要
求仕様の圧力リニアリティ誤差の値により、ダイアフラ
ム部の面積および厚さを設定し選定できるため、最適チ
ップ設計が可能になる。複数のゲージ抵抗からブリッジ
回路またはハーフブリッジ回路を構成するので、抵抗し
たがって圧力が精度よく検出できる。
でき、圧力リニアリティの精度を改善できる。また、要
求仕様の圧力リニアリティ誤差の値により、ダイアフラ
ム部の面積および厚さを設定し選定できるため、最適チ
ップ設計が可能になる。複数のゲージ抵抗からブリッジ
回路またはハーフブリッジ回路を構成するので、抵抗し
たがって圧力が精度よく検出できる。
【図１】 第１実施例の半導体圧力検出装置の部分切欠
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 図１に示した半導体圧力検出装置の断面図で
ある。
ある。
【図３】 ６つの感度における圧力リニアリティ誤差ε
（％）と印加圧力Ｐ（ｋＰａ）との両対数グラフであ
る。
（％）と印加圧力Ｐ（ｋＰａ）との両対数グラフであ
る。
【図４】 印加圧力Ｐを１０ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
【図５】 印加圧力Ｐを１８ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
【図６】 印加圧力Ｐを２４ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示すグラフであ
る。
【図７】 印加圧力Ｐを１０ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
【図８】 印加圧力Ｐを１８ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
【図９】 印加圧力Ｐを２４ｋＰａと一定にした場合の
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
圧力リニアリティ誤差と感度との関係を示す両対数グラ
フである。
【図１０】 第２実施例の半導体圧力検出装置の部分切
欠斜視図である。
欠斜視図である。
１ 半導体シリコン、 ２ ゲージ抵抗、 ３ ダイア
フラム部。
フラム部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01L 9/04 101 G01L 27/00 H01L 29/84 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 （１００）面または（１１０）面の結晶
面をもつ半導体シリコンに形成したダイアフラム部と、
このダイアフラム部に形成した複数のピエゾ抵抗素子か
らなる半導体圧力検出装置について、 実験的に求まる常数Ｋを含み、ダイアフラム部の面積と
厚さをＳとｔで、印加圧力をＰで、圧力リニアリティ誤
差をεで表した次の関係式 【数１】ε ＝ Ｋ（Ｓ／ｔ ２ ） ３ Ｐ ３／２ を求め、 所望の圧力リニアリティ誤差をε ｏ で表したとき、ダイ
アフラム部の面積Ｓと厚さｔを、 【数２】Ｓ／ｔ ２ ＜ （ε ｏ ／(Ｐ ３／２ Ｋ)） １／３ を満たすように決定する ことを特徴とする半導体圧力検
出装置の設計方法。 - 【請求項２】 上記のダイアフラム部の形状が正方形で
あることを特徴とする請求項１に記載された半導体圧力
検出装置の設計方法。 - 【請求項３】 上記のダイアフラム部の形状が円形であ
ることを特徴とする請求項１に記載された半導体圧力検
出装置の設計方法。 - 【請求項４】 上記のピエゾ抵抗素子が４個であり、ブ
リッジ回路が形成されることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載された半導体圧力検出装置の設計方
法。 - 【請求項５】 上記のピエゾ抵抗素子が２個であり、ハ
ーフブリッジ回路が形成されることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載された半導体圧力検出装置の設
計方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14042695A JP3323032B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体圧力検出装置の設計方法 |
| US08/530,734 US5591917A (en) | 1995-06-07 | 1995-09-19 | Semiconductor pressure sensor with rated pressure specified for desired error of linearity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14042695A JP3323032B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体圧力検出装置の設計方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08334424A JPH08334424A (ja) | 1996-12-17 |
| JP3323032B2 true JP3323032B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=15268422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14042695A Expired - Lifetime JP3323032B2 (ja) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 半導体圧力検出装置の設計方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5591917A (ja) |
| JP (1) | JP3323032B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171334B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-01-09 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Expandable stent and method of use |
| JP2000162069A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| FR2894953B1 (fr) * | 2005-12-15 | 2008-03-07 | Ecole Polytechnique Etablissem | Systeme micro-electromecanique comprenant une partie deformable et un detecteur de contrainte |
| US20090093843A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Lemoine Jeremy J | Dynamic spine stabilization system |
| EP2747646B1 (en) * | 2011-11-17 | 2020-06-24 | Koninklijke Philips N.V. | Device and method for capturing a surface of an object |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160577A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaiatsuryokukenshutsuki |
| JPS5287076A (en) * | 1976-01-14 | 1977-07-20 | Hitachi Ltd | Non-linearity correction method of semiconductor diaphragm type pressu re gauge |
| JPS5577178A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure converting element |
| JPS5796574A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure transducer |
| JPS61172377A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体圧力センサ |
| US5289721A (en) * | 1990-09-10 | 1994-03-01 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| US5231301A (en) * | 1991-10-02 | 1993-07-27 | Lucas Novasensor | Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures |
| JPH05340828A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-24 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2769661B2 (ja) * | 1992-09-29 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2816635B2 (ja) * | 1993-01-14 | 1998-10-27 | 株式会社山武 | 半導体圧力センサ |
-
1995
- 1995-06-07 JP JP14042695A patent/JP3323032B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-19 US US08/530,734 patent/US5591917A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08334424A (ja) | 1996-12-17 |
| US5591917A (en) | 1997-01-07 |
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