JP2769661B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関し、特に、種結晶から絶縁膜上に横方向
に単結晶を成長させることにより形成したＳＯＩ（Ｓｉ
ｌｉｃｏｎＯｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を有する半
導体装置およびその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に、種結晶から絶縁膜上に横方向
に単結晶を成長させることにより形成したＳＯＩ（Ｓｉ
ｌｉｃｏｎＯｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を有する半
導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、種結晶から絶縁膜上に単結晶を横
方向に成長させることにより単結晶層を形成し、その単
結晶層を用いてピエゾ特性を有する感圧抵抗体を形成し
たＳＯＩ構造を有する半導体圧力センサや半導体加速度
センサが知られている。このようなＳＯＩ構造を有する
従来の半導体圧力センサや半導体加速度センサでは、各
々の感圧抵抗体間、および感圧抵抗体と単結晶シリコン
基板との間の電気的な分離にｐｎ接合を用いていないた
め、高温下での動作が可能である。また、種結晶から絶
縁膜上に単結晶を横方向に成長させることによりＳＯＩ
構造の単結晶層を形成する方法は、ラテラルシーディン
グ法と呼ばれている。ラテラルシーディング法の１つと
して、絶縁膜上に形成した非単結晶シリコン層にレーザ
光を照射することにより溶融再固化を行なうレーザ再結
晶化法が知られている。レーザ再結晶化法は、低いコス
トで上質のＳＯＩ構造を形成できるとともにレーザ再結
晶化装置の取扱いが簡単であるため広く用いられてい
る。レーザ再結晶化法を用いて単結晶半導体層を形成す
るためには、溶融した半導体中の温度分布を制御するこ
とによって種結晶（シード）領域から再結晶化を起こす
ことが必要である。すなわち、結晶化は溶融シリコン中
の温度の低い領域から高温部に向かって進行するため、
種結晶領域が温度の低い領域になるように温度分布を制
御する必要がある。このような温度分布を制御する方法
として、反射防止膜を用いる方法が知られている。これ
らは、たとえば、ＵＳＰ４８２２７５２などに詳細に説
明されている。
方向に成長させることにより単結晶層を形成し、その単
結晶層を用いてピエゾ特性を有する感圧抵抗体を形成し
たＳＯＩ構造を有する半導体圧力センサや半導体加速度
センサが知られている。このようなＳＯＩ構造を有する
従来の半導体圧力センサや半導体加速度センサでは、各
々の感圧抵抗体間、および感圧抵抗体と単結晶シリコン
基板との間の電気的な分離にｐｎ接合を用いていないた
め、高温下での動作が可能である。また、種結晶から絶
縁膜上に単結晶を横方向に成長させることによりＳＯＩ
構造の単結晶層を形成する方法は、ラテラルシーディン
グ法と呼ばれている。ラテラルシーディング法の１つと
して、絶縁膜上に形成した非単結晶シリコン層にレーザ
光を照射することにより溶融再固化を行なうレーザ再結
晶化法が知られている。レーザ再結晶化法は、低いコス
トで上質のＳＯＩ構造を形成できるとともにレーザ再結
晶化装置の取扱いが簡単であるため広く用いられてい
る。レーザ再結晶化法を用いて単結晶半導体層を形成す
るためには、溶融した半導体中の温度分布を制御するこ
とによって種結晶（シード）領域から再結晶化を起こす
ことが必要である。すなわち、結晶化は溶融シリコン中
の温度の低い領域から高温部に向かって進行するため、
種結晶領域が温度の低い領域になるように温度分布を制
御する必要がある。このような温度分布を制御する方法
として、反射防止膜を用いる方法が知られている。これ
らは、たとえば、ＵＳＰ４８２２７５２などに詳細に説
明されている。
【０００３】図１２は、従来の反射防止膜を用いたレー
ザ再結晶化法を説明するための断面斜視図である。図１
３および図１４は従来の反射防止膜を用いたレーザ再結
晶化法の第１工程および第２工程を説明するための断面
図である。図１５は従来の反射防止膜を用いたレーザ再
結晶化法の第３工程を説明するための断面斜視図であ
る。図１２〜図１５を参照して、次に従来の反射防止膜
を用いたレーザ再結晶化法について説明する。
ザ再結晶化法を説明するための断面斜視図である。図１
３および図１４は従来の反射防止膜を用いたレーザ再結
晶化法の第１工程および第２工程を説明するための断面
図である。図１５は従来の反射防止膜を用いたレーザ再
結晶化法の第３工程を説明するための断面斜視図であ
る。図１２〜図１５を参照して、次に従来の反射防止膜
を用いたレーザ再結晶化法について説明する。
【０００４】まず、図１２に示すように、単結晶シリコ
ン基板１０１の表面上にシリコン酸化膜からなる絶縁層
１０２を形成する。この絶縁層１０２の所定領域には開
口部１０５が形成されている。この開口部１０５はシー
ド部を構成する。絶縁層１０２の表面上および開口部１
０５の内部に非単結晶半導体層（多結晶シリコン層１１
３）を形成する。多結晶シリコン層１１３の表面上に所
定形状の反射防止膜１０４を形成する。この反射防止膜
１０４は、たとえばシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ 4 ）から
なる。反射防止膜１０４は、絶縁層１０２中に形成され
た開口部１５からほぼ均等な間隔を隔てた位置に形成す
る。なお、再結晶化中における表面の変形を抑制するた
めに、多結晶シリコン層１１３と反射防止膜１０４との
全面上に薄いキャップ膜を形成してもよい。開口部１０
５は非単結晶半導体である多結晶シリコン層１１３によ
って埋込まれている。そのため、再結晶化される多結晶
シリコン層１１３の結晶方位は単結晶シリコン基板１０
１の結晶方位に従って制御される。反射防止膜１０４を
構成するシリコン窒化膜の反射率は、シリコン窒化膜の
膜厚によって周期的に極大値と０とを示す。このような
性質を利用して、その反射率が０となる膜厚を有するシ
リコン窒化膜が反射防止膜１０４として用いられる。こ
の従来例では、６００Å程度の膜厚を有するシリコン窒
化膜が反射防止膜１０４として用いられる。
ン基板１０１の表面上にシリコン酸化膜からなる絶縁層
１０２を形成する。この絶縁層１０２の所定領域には開
口部１０５が形成されている。この開口部１０５はシー
ド部を構成する。絶縁層１０２の表面上および開口部１
０５の内部に非単結晶半導体層（多結晶シリコン層１１
３）を形成する。多結晶シリコン層１１３の表面上に所
定形状の反射防止膜１０４を形成する。この反射防止膜
１０４は、たとえばシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ 4 ）から
なる。反射防止膜１０４は、絶縁層１０２中に形成され
た開口部１５からほぼ均等な間隔を隔てた位置に形成す
る。なお、再結晶化中における表面の変形を抑制するた
めに、多結晶シリコン層１１３と反射防止膜１０４との
全面上に薄いキャップ膜を形成してもよい。開口部１０
５は非単結晶半導体である多結晶シリコン層１１３によ
って埋込まれている。そのため、再結晶化される多結晶
シリコン層１１３の結晶方位は単結晶シリコン基板１０
１の結晶方位に従って制御される。反射防止膜１０４を
構成するシリコン窒化膜の反射率は、シリコン窒化膜の
膜厚によって周期的に極大値と０とを示す。このような
性質を利用して、その反射率が０となる膜厚を有するシ
リコン窒化膜が反射防止膜１０４として用いられる。こ
の従来例では、６００Å程度の膜厚を有するシリコン窒
化膜が反射防止膜１０４として用いられる。
【０００５】次に、図１３に示すように、全面にレーザ
光１７０を照射する。ここで、多結晶シリコン層１１３
の表面上に選択的に形成された反射防止膜１０４は、レ
ーザ光１７０に対して反射率が０である。これは反射防
止膜１０４がほぼすべての入射光を吸収することを意味
する。これに対して、反射防止膜１０４の膜厚が０の領
域である多結晶シリコン層１１３の表面が露出している
領域は、レーザ光１７０に対して約４０％の反射率を有
している。これにより、多結晶シリコン層１１３の全面
に照射されるレーザ光１７０は、反射防止膜１０４の下
部においてよく吸収され、この領域がより高温度に加熱
される。レーザ光１７０としては、波長４８８ｎｍ、ビ
ーム径１２０〜１８０μｍ程度のものが用いられる。な
お、絶縁層１０２には１〜３μｍの膜厚を有するシリコ
ン酸化膜が用いられ、非単結晶半導体層としては、０．
６μｍ程度の厚みを有する多結晶シリコン層１１３が用
いられる。反射防止膜１０４の幅は約５μｍ、その位置
間隔は１５μｍ程度である。レーザ光１７０は、多結晶
シリコン層１１３の表面上を照射しながら一定の速度で
移動する。このレーザ光１７０が照射された多結晶シリ
コン層１１３はその温度が上昇し溶融した状態になる。
図１６は、多結晶シリコン層１１３の表面位置とその内
部温度との関係を示す温度分布図である。図１６を参照
して、反射防止膜１０４の下部において多結晶シリコン
層１１３の内部温度がより高くなっていることがわか
る。言い換えると、開口部１０５の近傍において多結晶
シリコン層１１３の内部温度が低くなっている。
光１７０を照射する。ここで、多結晶シリコン層１１３
の表面上に選択的に形成された反射防止膜１０４は、レ
ーザ光１７０に対して反射率が０である。これは反射防
止膜１０４がほぼすべての入射光を吸収することを意味
する。これに対して、反射防止膜１０４の膜厚が０の領
域である多結晶シリコン層１１３の表面が露出している
領域は、レーザ光１７０に対して約４０％の反射率を有
している。これにより、多結晶シリコン層１１３の全面
に照射されるレーザ光１７０は、反射防止膜１０４の下
部においてよく吸収され、この領域がより高温度に加熱
される。レーザ光１７０としては、波長４８８ｎｍ、ビ
ーム径１２０〜１８０μｍ程度のものが用いられる。な
お、絶縁層１０２には１〜３μｍの膜厚を有するシリコ
ン酸化膜が用いられ、非単結晶半導体層としては、０．
６μｍ程度の厚みを有する多結晶シリコン層１１３が用
いられる。反射防止膜１０４の幅は約５μｍ、その位置
間隔は１５μｍ程度である。レーザ光１７０は、多結晶
シリコン層１１３の表面上を照射しながら一定の速度で
移動する。このレーザ光１７０が照射された多結晶シリ
コン層１１３はその温度が上昇し溶融した状態になる。
図１６は、多結晶シリコン層１１３の表面位置とその内
部温度との関係を示す温度分布図である。図１６を参照
して、反射防止膜１０４の下部において多結晶シリコン
層１１３の内部温度がより高くなっていることがわか
る。言い換えると、開口部１０５の近傍において多結晶
シリコン層１１３の内部温度が低くなっている。
【０００６】次に、図１４に示すように、レーザ光１７
０が通過した後、溶融した多結晶シリコン層１１３は冷
却される。これにより溶融した多結晶シリコン層１１３
の温度が低下し始め、温度の低い領域から再結晶化（固
化）し始める。図１６の温度分布に示されるように、開
口部１０５の近傍では多結晶シリコン層１１３の内部温
度が低くなっている。したがって、この冷却過程におい
てはその開口部１０５に埋込まれた多結晶シリコン層１
１３がシード部１０６となる。これにより、シード部１
０６を起点として多結晶シリコン層１１３の再結晶化が
開始される。このシード部１０６は、単結晶シリコン基
板１０１に接続されている。このため、単結晶シリコン
基板１０１の結晶方位と同じ方位を有する単結晶シリコ
ン領域１０３ａがシード部１０６を起点としてその周囲
に広がる。
０が通過した後、溶融した多結晶シリコン層１１３は冷
却される。これにより溶融した多結晶シリコン層１１３
の温度が低下し始め、温度の低い領域から再結晶化（固
化）し始める。図１６の温度分布に示されるように、開
口部１０５の近傍では多結晶シリコン層１１３の内部温
度が低くなっている。したがって、この冷却過程におい
てはその開口部１０５に埋込まれた多結晶シリコン層１
１３がシード部１０６となる。これにより、シード部１
０６を起点として多結晶シリコン層１１３の再結晶化が
開始される。このシード部１０６は、単結晶シリコン基
板１０１に接続されている。このため、単結晶シリコン
基板１０１の結晶方位と同じ方位を有する単結晶シリコ
ン領域１０３ａがシード部１０６を起点としてその周囲
に広がる。
【０００７】次に、図１５に示すように、再結晶化が終
了した多結晶シリコン層１１３は均質な単結晶シリコン
層１０３に変化する。その後、反射防止膜１０４を除去
する。
了した多結晶シリコン層１１３は均質な単結晶シリコン
層１０３に変化する。その後、反射防止膜１０４を除去
する。
【０００８】上記のようにして単結晶シリコン層１０３
が形成されると、反射防止膜１０４の下部はより高温と
なっているので、多結晶シリコン層１１３の再結晶化は
反射防止膜１０４の間のシード部１０６から始まり反射
防止膜１０４の下部に向かって進行する。このため、反
射防止膜１０４の下部において反射防止膜１０４の両側
から成長してきた結晶が衝突することになる。この成長
結晶の衝突した位置に結晶亜粒界１５０が発生する。す
なわち、反射防止膜１０４を介して隣合う単結晶シリコ
ン層１０３は別々に成長するためそれらの結晶方位は僅
かにずれている。この結果、その境界部分において結晶
亜粒界１５０が発生する。
が形成されると、反射防止膜１０４の下部はより高温と
なっているので、多結晶シリコン層１１３の再結晶化は
反射防止膜１０４の間のシード部１０６から始まり反射
防止膜１０４の下部に向かって進行する。このため、反
射防止膜１０４の下部において反射防止膜１０４の両側
から成長してきた結晶が衝突することになる。この成長
結晶の衝突した位置に結晶亜粒界１５０が発生する。す
なわち、反射防止膜１０４を介して隣合う単結晶シリコ
ン層１０３は別々に成長するためそれらの結晶方位は僅
かにずれている。この結果、その境界部分において結晶
亜粒界１５０が発生する。
【０００９】なお、上記した反射防止膜１０４を用いた
レーザ再結晶化法では、主面が（１００）面の単結晶シ
リコン基板を用い、反射防止膜１０４のストライプを＜
１００＞方向に設けるのが一般的である。この場合、結
晶亜粒界１５０は、反射防止膜１０４のストライプと同
じ＜１００＞方向に生じる。
レーザ再結晶化法では、主面が（１００）面の単結晶シ
リコン基板を用い、反射防止膜１０４のストライプを＜
１００＞方向に設けるのが一般的である。この場合、結
晶亜粒界１５０は、反射防止膜１０４のストライプと同
じ＜１００＞方向に生じる。
【００１０】このような結晶亜粒界１５０に存在する結
晶欠陥密度は、１０11ｃｍ-2のオーダであるため、単結
晶層の結晶亜粒界を含む領域を感圧抵抗体として用いた
としても、感圧抵抗体のピエゾ抵抗効果にはほとんど影
響がないことが確かめられている。すなわち、感圧抵抗
体内に結晶亜粒界が存在していても、バルク単結晶シリ
コンによって形成した感圧抵抗体と同等のピエゾ抵抗効
果を示すことが実際に確認されている。
晶欠陥密度は、１０11ｃｍ-2のオーダであるため、単結
晶層の結晶亜粒界を含む領域を感圧抵抗体として用いた
としても、感圧抵抗体のピエゾ抵抗効果にはほとんど影
響がないことが確かめられている。すなわち、感圧抵抗
体内に結晶亜粒界が存在していても、バルク単結晶シリ
コンによって形成した感圧抵抗体と同等のピエゾ抵抗効
果を示すことが実際に確認されている。
【００１１】図１７は、従来のＳＯＩ構造を有する感圧
抵抗体を用いた半導体圧力センサを示した平面図であ
り、図１８は図１７に示した半導体圧力センサのＸ−Ｘ
における断面構造図である。また図１９は図１７に示し
た半導体圧力センサのＡ部分の部分拡大図である。図１
７〜図１９を参照して、従来の半導体圧力センサは、単
結晶シリコン基板２０１と、単結晶シリコン基板２０１
の裏表面の所定領域に形成されたダイヤフラム２０８
と、単結晶シリコン基板２０１の主表面上の所定領域に
形成されたシリコン酸化膜２０２と、単結晶シリコン基
板２０１の主表面上のシリコン酸化膜２０２が形成され
ない領域に所定の間隔を隔てて形成された種結晶となる
ドットシード２０３と、シリコン酸化膜２０２上の所定
領域に形成された単結晶シリコンからなるピエゾ特性を
有する感圧抵抗体２０４と、単結晶シリコン基板２０１
および感圧抵抗体２０４を覆うように形成され、感圧抵
抗体２０４上の所定領域にコンタクトホール２０６を有
するＣＶＤシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２０５
と、コンタクトホール２０６を介して感圧抵抗体２０４
に電気的に接続されるとともに層間絶縁膜２０５上に沿
って延びるように形成された配線層２０７と、配線層２
０７および層間絶縁膜２０５を覆うように形成されたプ
ラズマ窒化膜またはシリコン酸化膜からなる保護膜２０
９とを備えている。ここで、従来のＳＯＩ構造を有する
感圧抵抗体２０４は、ラテラルシーディング法によって
形成されているため、その中に結晶亜粒界２５０が存在
する。しかし、このように感圧抵抗体２０４内に結晶亜
粒界２５０が存在していても、上記したようにバルク単
結晶シリコンによって形成した感圧抵抗体と同等のピエ
ゾ抵抗効果を示すことが実際に確認されている。
抵抗体を用いた半導体圧力センサを示した平面図であ
り、図１８は図１７に示した半導体圧力センサのＸ−Ｘ
における断面構造図である。また図１９は図１７に示し
た半導体圧力センサのＡ部分の部分拡大図である。図１
７〜図１９を参照して、従来の半導体圧力センサは、単
結晶シリコン基板２０１と、単結晶シリコン基板２０１
の裏表面の所定領域に形成されたダイヤフラム２０８
と、単結晶シリコン基板２０１の主表面上の所定領域に
形成されたシリコン酸化膜２０２と、単結晶シリコン基
板２０１の主表面上のシリコン酸化膜２０２が形成され
ない領域に所定の間隔を隔てて形成された種結晶となる
ドットシード２０３と、シリコン酸化膜２０２上の所定
領域に形成された単結晶シリコンからなるピエゾ特性を
有する感圧抵抗体２０４と、単結晶シリコン基板２０１
および感圧抵抗体２０４を覆うように形成され、感圧抵
抗体２０４上の所定領域にコンタクトホール２０６を有
するＣＶＤシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２０５
と、コンタクトホール２０６を介して感圧抵抗体２０４
に電気的に接続されるとともに層間絶縁膜２０５上に沿
って延びるように形成された配線層２０７と、配線層２
０７および層間絶縁膜２０５を覆うように形成されたプ
ラズマ窒化膜またはシリコン酸化膜からなる保護膜２０
９とを備えている。ここで、従来のＳＯＩ構造を有する
感圧抵抗体２０４は、ラテラルシーディング法によって
形成されているため、その中に結晶亜粒界２５０が存在
する。しかし、このように感圧抵抗体２０４内に結晶亜
粒界２５０が存在していても、上記したようにバルク単
結晶シリコンによって形成した感圧抵抗体と同等のピエ
ゾ抵抗効果を示すことが実際に確認されている。
【００１２】ここで、図１７〜図１９に示した従来の半
導体圧力センサを使用する場合、その半導体圧力センサ
の使用温度に対して出力補償を行なう必要がある。すな
わち、ピエゾ抵抗効果は温度依存性を持つため使用温度
に応じた出力補償が必要となる。出力補償の方法とし
て、感圧抵抗体２０４の抵抗温度特性を利用した励起電
圧補償法が知られている。この励起電圧補償法では、感
圧抵抗体２０４が温度センサを兼ねているため、精度の
高い出力補償が可能となる。このため、励起電圧補償法
はピエゾ抵抗効果の温度依存性を補償する方法として最
良と考えられている。
導体圧力センサを使用する場合、その半導体圧力センサ
の使用温度に対して出力補償を行なう必要がある。すな
わち、ピエゾ抵抗効果は温度依存性を持つため使用温度
に応じた出力補償が必要となる。出力補償の方法とし
て、感圧抵抗体２０４の抵抗温度特性を利用した励起電
圧補償法が知られている。この励起電圧補償法では、感
圧抵抗体２０４が温度センサを兼ねているため、精度の
高い出力補償が可能となる。このため、励起電圧補償法
はピエゾ抵抗効果の温度依存性を補償する方法として最
良と考えられている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記した感圧抵抗体２
０４の抵抗温度特性を用いる出力補償法では、感圧抵抗
体２０４の抵抗温度係数をピエゾ抵抗効果の温度係数よ
りも大きくする必要がある。ここで、従来のバルク単結
晶シリコンによって形成した感圧抵抗体では感圧抵抗体
の不純物濃度が約３×１０18ｃｍ-3の場合、ピエゾ抵抗
効果の温度係数は約２０００ｐｐｍ／℃であった。そし
て、同じ条件下で感圧抵抗体の抵抗温度係数は約４００
０ｐｐｍ／℃であった。これに対して、図１７〜図１９
に示したＳＯＩ構造の感圧抵抗体２０４では、ピエゾ抵
抗効果の温度係数は上記したバルク単結晶シリコンから
なる感圧抵抗体と同等（約２０００ｐｐｍ／℃）である
が、抵抗温度係数は１０００ｐｐｍ／℃とかなり小さい
ことが判明した。このようにＳＯＩ構造の感圧抵抗体２
０４の抵抗温度係数が小さいのは、結晶亜粒界２５０の
結晶欠陥が原因であることが判明した。すなわち、この
ような結晶欠陥は、不純物の添加によって供給される伝
導キャリア（電子または正孔）を捕獲してポテンシャル
バリアを形成する。そしてこのポテンシャルバリアによ
って感圧抵抗体２０４の電気伝導が熱放出電流に依存す
るようになる。このため、感圧抵抗体２０４の抵抗値の
温度に対する変化は、ポテンシャルバリアの高さで決ま
ることになる。これにより、感圧抵抗体２０４の抵抗値
の温度に対する変化はバルクシリコンによって形成した
感圧抵抗体の温度に対する変化よりも小さくなる。この
結果、結晶亜粒界２５０を含む感圧抵抗体２０４の抵抗
温度係数は、バルク単結晶シリコンによって形成した感
圧抵抗体の抵抗温度係数よりも小さくなると考えられ
る。このように、従来のＳＯＩ構造に形成した感圧抵抗
体２０４では、感圧抵抗体２０４の抵抗温度係数がピエ
ゾ抵抗効果の温度係数よりも小さいため、励起電圧補償
法による高精度な温度補償を行なうことが困難であっ
た。
０４の抵抗温度特性を用いる出力補償法では、感圧抵抗
体２０４の抵抗温度係数をピエゾ抵抗効果の温度係数よ
りも大きくする必要がある。ここで、従来のバルク単結
晶シリコンによって形成した感圧抵抗体では感圧抵抗体
の不純物濃度が約３×１０18ｃｍ-3の場合、ピエゾ抵抗
効果の温度係数は約２０００ｐｐｍ／℃であった。そし
て、同じ条件下で感圧抵抗体の抵抗温度係数は約４００
０ｐｐｍ／℃であった。これに対して、図１７〜図１９
に示したＳＯＩ構造の感圧抵抗体２０４では、ピエゾ抵
抗効果の温度係数は上記したバルク単結晶シリコンから
なる感圧抵抗体と同等（約２０００ｐｐｍ／℃）である
が、抵抗温度係数は１０００ｐｐｍ／℃とかなり小さい
ことが判明した。このようにＳＯＩ構造の感圧抵抗体２
０４の抵抗温度係数が小さいのは、結晶亜粒界２５０の
結晶欠陥が原因であることが判明した。すなわち、この
ような結晶欠陥は、不純物の添加によって供給される伝
導キャリア（電子または正孔）を捕獲してポテンシャル
バリアを形成する。そしてこのポテンシャルバリアによ
って感圧抵抗体２０４の電気伝導が熱放出電流に依存す
るようになる。このため、感圧抵抗体２０４の抵抗値の
温度に対する変化は、ポテンシャルバリアの高さで決ま
ることになる。これにより、感圧抵抗体２０４の抵抗値
の温度に対する変化はバルクシリコンによって形成した
感圧抵抗体の温度に対する変化よりも小さくなる。この
結果、結晶亜粒界２５０を含む感圧抵抗体２０４の抵抗
温度係数は、バルク単結晶シリコンによって形成した感
圧抵抗体の抵抗温度係数よりも小さくなると考えられ
る。このように、従来のＳＯＩ構造に形成した感圧抵抗
体２０４では、感圧抵抗体２０４の抵抗温度係数がピエ
ゾ抵抗効果の温度係数よりも小さいため、励起電圧補償
法による高精度な温度補償を行なうことが困難であっ
た。
【００１４】ところで、シリコン単結晶によって形成し
た感圧抵抗体のピエゾ抵抗効果は、感圧抵抗体の不純物
濃度に依存することが知られている。すなわち、感圧抵
抗体の不純物濃度が１０17ｃｍ-3以上である場合には、
不純物濃度が低いほどピエゾ抵抗効果が大きく現われる
ことが知られている。ここで、図１７〜図１９に示すよ
うなレーザ再結晶化法により形成された単結晶シリコン
によって感圧抵抗体２０４を形成すると、感圧抵抗体２
０４はその不純物濃度を低くしていくに従ってそのピエ
ゾ抵抗効果が大きくなる。しかし、その感圧抵抗体２０
４の不純物濃度を低くしていくに従ってウエハ面内での
抵抗値のばらつきが大きくなってしまうという問題点が
あった。このように抵抗値のばらつきが生じるのは、以
下の理由による。すなわち、結晶亜粒界２５０に存在す
る結晶欠陥密度は１０11ｃｍ-2のオーダではあるが均一
ではないためである。つまり、結晶亜粒界２５０に存在
する結晶欠陥は、不純物の添加によって供給される伝導
キャリア（電子または正孔）を捕獲することによってポ
テンシャルバリアを形成する。感圧抵抗体２０４の不純
物濃度が低くなるほどポテンシャルバリアは高くなる。
そして、ポテンシャルバリアが高くなると結晶欠陥密度
のばらつきによるポテンシャルバリアのばらつきが大き
くなる。この結果、不純物濃度が低くなるほど感圧抵抗
体の抵抗値のばらつきが大きくなると考えられる。つま
り、従来のＳＯＩ構造の感圧抵抗体では、感圧抵抗体の
抵抗値のばらつきを抑えながらピエゾ抵抗効果を大きく
することは困難であった。
た感圧抵抗体のピエゾ抵抗効果は、感圧抵抗体の不純物
濃度に依存することが知られている。すなわち、感圧抵
抗体の不純物濃度が１０17ｃｍ-3以上である場合には、
不純物濃度が低いほどピエゾ抵抗効果が大きく現われる
ことが知られている。ここで、図１７〜図１９に示すよ
うなレーザ再結晶化法により形成された単結晶シリコン
によって感圧抵抗体２０４を形成すると、感圧抵抗体２
０４はその不純物濃度を低くしていくに従ってそのピエ
ゾ抵抗効果が大きくなる。しかし、その感圧抵抗体２０
４の不純物濃度を低くしていくに従ってウエハ面内での
抵抗値のばらつきが大きくなってしまうという問題点が
あった。このように抵抗値のばらつきが生じるのは、以
下の理由による。すなわち、結晶亜粒界２５０に存在す
る結晶欠陥密度は１０11ｃｍ-2のオーダではあるが均一
ではないためである。つまり、結晶亜粒界２５０に存在
する結晶欠陥は、不純物の添加によって供給される伝導
キャリア（電子または正孔）を捕獲することによってポ
テンシャルバリアを形成する。感圧抵抗体２０４の不純
物濃度が低くなるほどポテンシャルバリアは高くなる。
そして、ポテンシャルバリアが高くなると結晶欠陥密度
のばらつきによるポテンシャルバリアのばらつきが大き
くなる。この結果、不純物濃度が低くなるほど感圧抵抗
体の抵抗値のばらつきが大きくなると考えられる。つま
り、従来のＳＯＩ構造の感圧抵抗体では、感圧抵抗体の
抵抗値のばらつきを抑えながらピエゾ抵抗効果を大きく
することは困難であった。
【００１５】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、請求項１および２に記載の発明
の目的は、半導体装置において、ＳＯＩ構造の単結晶シ
リコンによって感圧抵抗体を形成した場合にも高精度の
温度補償を可能にすることである。
ためになされたもので、請求項１および２に記載の発明
の目的は、半導体装置において、ＳＯＩ構造の単結晶シ
リコンによって感圧抵抗体を形成した場合にも高精度の
温度補償を可能にすることである。
【００１６】請求項３に記載の発明の目的は、半導体装
置において、感圧抵抗体の抵抗値のばらつきをある程度
抑えながらピエゾ抵抗効果を大きくすることである。
置において、感圧抵抗体の抵抗値のばらつきをある程度
抑えながらピエゾ抵抗効果を大きくすることである。
【００１７】請求項４および５に記載の発明の目的は、
半導体装置の製造方法において、ＳＯＩ構造の単結晶シ
リコンによって感圧抵抗体を形成した場合にも高精度の
温度補償が行なえる半導体装置を容易に製造することで
ある。
半導体装置の製造方法において、ＳＯＩ構造の単結晶シ
リコンによって感圧抵抗体を形成した場合にも高精度の
温度補償が行なえる半導体装置を容易に製造することで
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１における半導体
装置は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板と、単結
晶半導体基板上に形成された絶縁層と、種結晶領域から
絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成
した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層
とを備えている。そして、その感圧抵抗体層はその中に
結晶亜粒界を含まないように形成されている。
装置は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板と、単結
晶半導体基板上に形成された絶縁層と、種結晶領域から
絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成
した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層
とを備えている。そして、その感圧抵抗体層はその中に
結晶亜粒界を含まないように形成されている。
【００１９】請求項２における半導体装置は、種結晶領
域を有する単結晶半導体基板と、その単結晶半導体基板
上に形成された絶縁層と、種結晶領域から絶縁層上に横
方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層
からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層とを備えてい
る。そして、感圧抵抗体層はその中に結晶亜粒界を有す
るとともに、その電流経路が結晶亜粒界を横切らないよ
うに形成されている。
域を有する単結晶半導体基板と、その単結晶半導体基板
上に形成された絶縁層と、種結晶領域から絶縁層上に横
方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層
からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層とを備えてい
る。そして、感圧抵抗体層はその中に結晶亜粒界を有す
るとともに、その電流経路が結晶亜粒界を横切らないよ
うに形成されている。
【００２０】請求項３における半導体装置は、種結晶領
域を有する単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板上に
形成された絶縁層と、種結晶領域から絶縁層上に横方向
に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層から
なるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層とを備えている。
そして、感圧抵抗体層はその中に結晶亜粒界を有すると
ともに、感圧抵抗体層の不純物濃度は４×１０17ｃｍ-3
以上に設定されている。
域を有する単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板上に
形成された絶縁層と、種結晶領域から絶縁層上に横方向
に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層から
なるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層とを備えている。
そして、感圧抵抗体層はその中に結晶亜粒界を有すると
ともに、感圧抵抗体層の不純物濃度は４×１０17ｃｍ-3
以上に設定されている。
【００２１】請求項４における半導体装置の製造方法
は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層を
形成する工程と、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単
結晶を成長させることにより単結晶層を形成する工程
と、単結晶層のうち結晶亜粒界が存在しない領域に感圧
抵抗体層を形成する工程とを備えている。
は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層を
形成する工程と、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単
結晶を成長させることにより単結晶層を形成する工程
と、単結晶層のうち結晶亜粒界が存在しない領域に感圧
抵抗体層を形成する工程とを備えている。
【００２２】請求項５における半導体装置の製造方法
は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層を
形成する工程と、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単
結晶を成長させることにより単結晶層を形成する工程
と、単結晶層の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界
がその電流経路を横切らないように感圧抵抗体層を形成
する工程とを備えている。
は、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層を
形成する工程と、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単
結晶を成長させることにより単結晶層を形成する工程
と、単結晶層の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界
がその電流経路を横切らないように感圧抵抗体層を形成
する工程とを備えている。
【００２３】
【作用】請求項１に係る半導体装置では、感圧抵抗体層
がその中に結晶亜粒界を含まないように形成されている
ので、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が大きくなり、これ
によりＳＯＩ構造の単結晶シリコンによって感圧抵抗体
層を形成した場合にも高精度の温度補償が行なわれる。
がその中に結晶亜粒界を含まないように形成されている
ので、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が大きくなり、これ
によりＳＯＩ構造の単結晶シリコンによって感圧抵抗体
層を形成した場合にも高精度の温度補償が行なわれる。
【００２４】請求項２に係る半導体装置では、感圧抵抗
体層がその中に結晶亜粒界を有するとともに感圧抵抗体
層の電流経路がその結晶亜粒界を横切らないように形成
されているので、感圧抵抗体層内の電気伝導がポテンシ
ャルバリアによって妨げられるのが極力防止される。こ
れにより、ＳＯＩ構造の単結晶シリコン層によって感圧
抵抗体層を形成した場合にも感圧抵抗体層の抵抗温度係
数が高くなり、高精度の温度補償が可能となる。
体層がその中に結晶亜粒界を有するとともに感圧抵抗体
層の電流経路がその結晶亜粒界を横切らないように形成
されているので、感圧抵抗体層内の電気伝導がポテンシ
ャルバリアによって妨げられるのが極力防止される。こ
れにより、ＳＯＩ構造の単結晶シリコン層によって感圧
抵抗体層を形成した場合にも感圧抵抗体層の抵抗温度係
数が高くなり、高精度の温度補償が可能となる。
【００２５】請求項３に係る半導体装置では、感圧抵抗
体層がその中に結晶亜粒界を有するとともに感圧抵抗体
層の不純物濃度が４×１０17ｃｍ-3以上に設定されてい
るので、感圧抵抗体層の抵抗値のばらつきがある程度抑
えられながらピエゾ抵抗効果が大きくなる。
体層がその中に結晶亜粒界を有するとともに感圧抵抗体
層の不純物濃度が４×１０17ｃｍ-3以上に設定されてい
るので、感圧抵抗体層の抵抗値のばらつきがある程度抑
えられながらピエゾ抵抗効果が大きくなる。
【００２６】請求項４に係る半導体装置の製造方法で
は、絶縁層上に形成された単結晶層のうち結晶亜粒界が
存在しない領域に感圧抵抗体層が形成されるので、ＳＯ
Ｉ構造の単結晶層によって感圧抵抗体層を形成したとし
ても感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小さくなることはな
い。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温度係数を高く設
定でき、高精度の温度補償が可能となる。
は、絶縁層上に形成された単結晶層のうち結晶亜粒界が
存在しない領域に感圧抵抗体層が形成されるので、ＳＯ
Ｉ構造の単結晶層によって感圧抵抗体層を形成したとし
ても感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小さくなることはな
い。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温度係数を高く設
定でき、高精度の温度補償が可能となる。
【００２７】請求項５に係る半導体装置の製造方法で
は、単結晶層の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界
が感圧抵抗体層の電流経路を横切らないように感圧抵抗
体層が形成されるので、感圧抵抗体層内に発生するポテ
ンシャルバリアによって電気伝導が妨げられるのが極力
防止され、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小さくなるの
が防止される。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温度係
数を高く設定でき、高精度の温度補償が可能な半導体装
置が容易に製造される。
は、単結晶層の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界
が感圧抵抗体層の電流経路を横切らないように感圧抵抗
体層が形成されるので、感圧抵抗体層内に発生するポテ
ンシャルバリアによって電気伝導が妨げられるのが極力
防止され、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小さくなるの
が防止される。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温度係
数を高く設定でき、高精度の温度補償が可能な半導体装
置が容易に製造される。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００２９】図１は、本発明の第１実施例によるＳＯＩ
構造の感圧抵抗体を用いた半導体圧力センサを示した平
面図であり、図２は図１に示した半導体圧力センサのＸ
−Ｘにおける断面構造図である。図３は図１に示した半
導体圧力センサのＢ部分の部分拡大図である。図１〜図
３を参照して、この第１実施例の半導体圧力センサは、
単結晶シリコン基板１と、単結晶シリコン基板１の裏表
面の所定領域に形成されたダイヤフラム８と、単結晶シ
リコン基板１の主表面上の所定領域に形成されたシリコ
ン酸化膜２と、単結晶シリコン基板１の主表面上のシリ
コン酸化膜２が形成されない領域に所定の間隔を隔てて
形成された種結晶となるドットシード３と、シリコン酸
化膜２上の所定領域に形成された単結晶シリコンからな
るとともにピエゾ特性を有する感圧抵抗体４と、単結晶
シリコン基板１および感圧抵抗体４を覆うように形成さ
れ、感圧抵抗体４上の所定領域にコンタクトホール６を
有するＣＶＤシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜５と、
コンタクトホール６を介して感圧抵抗体４に電気的に接
続されるとともに層間絶縁膜５上に沿って延びるように
形成された配線層７と、配線層７および層間絶縁膜５を
覆うように形成されたプラズマ窒化膜またはシリコン酸
化膜からなる保護膜９とを備えている。ここで、本実施
例では、図１７〜図１９に示した従来の半導体圧力セン
サと異なり、感圧抵抗体４が結晶亜粒界を有していな
い。このように感圧抵抗体４を結晶亜粒界を有しないよ
うに形成することによって、図１７〜図１９に示した従
来の半導体圧力センサと異なり、感圧抵抗体４の抵抗温
度係数が小さくなることがない。これにより、感圧抵抗
体４の抵抗温度係数を大きく設定することができるの
で、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能とな
る。
構造の感圧抵抗体を用いた半導体圧力センサを示した平
面図であり、図２は図１に示した半導体圧力センサのＸ
−Ｘにおける断面構造図である。図３は図１に示した半
導体圧力センサのＢ部分の部分拡大図である。図１〜図
３を参照して、この第１実施例の半導体圧力センサは、
単結晶シリコン基板１と、単結晶シリコン基板１の裏表
面の所定領域に形成されたダイヤフラム８と、単結晶シ
リコン基板１の主表面上の所定領域に形成されたシリコ
ン酸化膜２と、単結晶シリコン基板１の主表面上のシリ
コン酸化膜２が形成されない領域に所定の間隔を隔てて
形成された種結晶となるドットシード３と、シリコン酸
化膜２上の所定領域に形成された単結晶シリコンからな
るとともにピエゾ特性を有する感圧抵抗体４と、単結晶
シリコン基板１および感圧抵抗体４を覆うように形成さ
れ、感圧抵抗体４上の所定領域にコンタクトホール６を
有するＣＶＤシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜５と、
コンタクトホール６を介して感圧抵抗体４に電気的に接
続されるとともに層間絶縁膜５上に沿って延びるように
形成された配線層７と、配線層７および層間絶縁膜５を
覆うように形成されたプラズマ窒化膜またはシリコン酸
化膜からなる保護膜９とを備えている。ここで、本実施
例では、図１７〜図１９に示した従来の半導体圧力セン
サと異なり、感圧抵抗体４が結晶亜粒界を有していな
い。このように感圧抵抗体４を結晶亜粒界を有しないよ
うに形成することによって、図１７〜図１９に示した従
来の半導体圧力センサと異なり、感圧抵抗体４の抵抗温
度係数が小さくなることがない。これにより、感圧抵抗
体４の抵抗温度係数を大きく設定することができるの
で、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能とな
る。
【００３０】図４は図１〜図３に示した第１実施例の半
導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するため
の平面図である。図４を参照して、図１２〜図１６にお
いて説明したレーザ再結晶化法によってまず単結晶シリ
コン層（図示せず）を形成する。その単結晶層には所定
の方向に延びるように結晶亜粒界５１が形成される。こ
の第１実施例の半導体圧力センサでは、単結晶層のうち
結晶亜粒界５１が存在しない領域に感圧抵抗体４を形成
する。すなわち、通常のレーザ再結晶化法では、（１０
０）面の単結晶シリコン基板１を用い、反射防止膜スト
ライプ（図示せず）を＜１００＞方向に形成する。この
場合、結晶亜粒界５１は反射防止膜ストライプと同じ＜
１００＞方向に発生する。したがって、感圧抵抗体４を
＜１００＞方向でかつ隣接する２つの結晶亜粒界５１の
間に形成することにより、容易に結晶亜粒界５１を含ま
ない感圧抵抗体４を形成することができる。この第１実
施例の感圧抵抗体４は、２つのコンタクトホール６間を
流れる電流の方向を＜１００＞方向にとっている。つま
り、第１実施例では、感圧抵抗体４の電流方向と結晶亜
粒界５１の向きとがほぼ平行になっている。なお、ドッ
トシード３は、最低限、感圧抵抗体４を形成する領域の
一方側にのみ形成すればよい。すなわち、レーザの走査
方向が１方向である場合には、感圧抵抗体４が形成され
る領域の片方側にのみドットシード３を１つ設ければよ
い。この場合、図１に示した第１実施例の半導体圧力セ
ンサでは、４つの感圧抵抗体４を有するので、それぞれ
の感圧抵抗体４の同じ側にドットシード３を最低限１つ
ずつ設ける。
導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するため
の平面図である。図４を参照して、図１２〜図１６にお
いて説明したレーザ再結晶化法によってまず単結晶シリ
コン層（図示せず）を形成する。その単結晶層には所定
の方向に延びるように結晶亜粒界５１が形成される。こ
の第１実施例の半導体圧力センサでは、単結晶層のうち
結晶亜粒界５１が存在しない領域に感圧抵抗体４を形成
する。すなわち、通常のレーザ再結晶化法では、（１０
０）面の単結晶シリコン基板１を用い、反射防止膜スト
ライプ（図示せず）を＜１００＞方向に形成する。この
場合、結晶亜粒界５１は反射防止膜ストライプと同じ＜
１００＞方向に発生する。したがって、感圧抵抗体４を
＜１００＞方向でかつ隣接する２つの結晶亜粒界５１の
間に形成することにより、容易に結晶亜粒界５１を含ま
ない感圧抵抗体４を形成することができる。この第１実
施例の感圧抵抗体４は、２つのコンタクトホール６間を
流れる電流の方向を＜１００＞方向にとっている。つま
り、第１実施例では、感圧抵抗体４の電流方向と結晶亜
粒界５１の向きとがほぼ平行になっている。なお、ドッ
トシード３は、最低限、感圧抵抗体４を形成する領域の
一方側にのみ形成すればよい。すなわち、レーザの走査
方向が１方向である場合には、感圧抵抗体４が形成され
る領域の片方側にのみドットシード３を１つ設ければよ
い。この場合、図１に示した第１実施例の半導体圧力セ
ンサでは、４つの感圧抵抗体４を有するので、それぞれ
の感圧抵抗体４の同じ側にドットシード３を最低限１つ
ずつ設ける。
【００３１】図５は、本発明の第２実施例による半導体
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図５を参照して、こ
の第２実施例では、上記した第１実施例と同様に結晶亜
粒界５１を含まないように感圧抵抗体１４を形成する。
しかし、この第２実施例では、第１実施例と異なり感圧
抵抗体１４の電流方向を結晶亜粒界５１の方向から約４
５°傾いた方向に形成する。ここで、シリコンのピエゾ
抵抗効果はｎ型とｐ型とでその効果が最大となる結晶方
位が異なっている。すなわち、（１００）面のシリコン
においては、ｎ型シリコンの場合は電流方向を＜１００
＞方向にした場合にピエゾ抵抗効果が最大になる。これ
に対して、（１００）面のシリコンでｐ型シリコンの場
合には＜１１０＞方向にしたときにピエゾ抵抗効果は最
大になる。したがって図５に示した第２実施例のように
感圧抵抗体１４の電流方向が＜１１０＞方向である場合
には、感圧抵抗体１４にボロンを添加してｐ型シリコン
にすればよい。また、図４に示した第１実施例では、感
圧抵抗体４の電流方向が＜１００＞であるため、感圧抵
抗体４にリンや砒素などのｎ型の不純物を導入してｎ型
シリコンにすればよい。
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図５を参照して、こ
の第２実施例では、上記した第１実施例と同様に結晶亜
粒界５１を含まないように感圧抵抗体１４を形成する。
しかし、この第２実施例では、第１実施例と異なり感圧
抵抗体１４の電流方向を結晶亜粒界５１の方向から約４
５°傾いた方向に形成する。ここで、シリコンのピエゾ
抵抗効果はｎ型とｐ型とでその効果が最大となる結晶方
位が異なっている。すなわち、（１００）面のシリコン
においては、ｎ型シリコンの場合は電流方向を＜１００
＞方向にした場合にピエゾ抵抗効果が最大になる。これ
に対して、（１００）面のシリコンでｐ型シリコンの場
合には＜１１０＞方向にしたときにピエゾ抵抗効果は最
大になる。したがって図５に示した第２実施例のように
感圧抵抗体１４の電流方向が＜１１０＞方向である場合
には、感圧抵抗体１４にボロンを添加してｐ型シリコン
にすればよい。また、図４に示した第１実施例では、感
圧抵抗体４の電流方向が＜１００＞であるため、感圧抵
抗体４にリンや砒素などのｎ型の不純物を導入してｎ型
シリコンにすればよい。
【００３２】なお、反射防止膜を＜１１０＞方向に形成
してレーザ再結晶化を行なう方法もある。このような場
合には、結晶亜粒界の向きも＜１１０＞方向になる。し
かし、このような場合でも感圧抵抗体の導電型および電
流方向とピエゾ抵抗効果の最大値との関係は上記した場
合と同じである。すなわち、（１００）面のシリコンに
おいて、ｎ型シリコンの場合は電流方向を＜１００＞、
ｐ型シリコンの場合は電流方向を＜１１０＞にした場合
にそれぞれピエゾ抵抗効果は最大になる。
してレーザ再結晶化を行なう方法もある。このような場
合には、結晶亜粒界の向きも＜１１０＞方向になる。し
かし、このような場合でも感圧抵抗体の導電型および電
流方向とピエゾ抵抗効果の最大値との関係は上記した場
合と同じである。すなわち、（１００）面のシリコンに
おいて、ｎ型シリコンの場合は電流方向を＜１００＞、
ｐ型シリコンの場合は電流方向を＜１１０＞にした場合
にそれぞれピエゾ抵抗効果は最大になる。
【００３３】図６は、本発明の第３実施例による半導体
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図６を参照して、こ
の第３実施例では、感圧抵抗体２４内に結晶亜粒界５１
が存在する。しかし、感圧抵抗体２４は２つのコンタク
トホール２６間を結ぶ電流経路が結晶亜粒界５１を横切
らないように形成されている。これにより結晶亜粒界５
１によるポテンシャルバリアによって感圧抵抗体２４の
電気伝導が妨げられるのを有効に防止できる。この結
果、感圧抵抗体２４の抵抗温度係数を大きく設定するこ
とができるので、励起電圧補償法による高精度の温度補
償が可能となる。この第３実施例では感圧抵抗体２４の
電流方向は＜１００＞方向である。したがって、図４に
示した第１実施例と同様に、感圧抵抗体２４にリンや砒
素などのｎ型の不純物を導入することによってｎ型シリ
コンになるようにすればよい。これにより、ピエゾ抵抗
効果を最大にすることができる。
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図６を参照して、こ
の第３実施例では、感圧抵抗体２４内に結晶亜粒界５１
が存在する。しかし、感圧抵抗体２４は２つのコンタク
トホール２６間を結ぶ電流経路が結晶亜粒界５１を横切
らないように形成されている。これにより結晶亜粒界５
１によるポテンシャルバリアによって感圧抵抗体２４の
電気伝導が妨げられるのを有効に防止できる。この結
果、感圧抵抗体２４の抵抗温度係数を大きく設定するこ
とができるので、励起電圧補償法による高精度の温度補
償が可能となる。この第３実施例では感圧抵抗体２４の
電流方向は＜１００＞方向である。したがって、図４に
示した第１実施例と同様に、感圧抵抗体２４にリンや砒
素などのｎ型の不純物を導入することによってｎ型シリ
コンになるようにすればよい。これにより、ピエゾ抵抗
効果を最大にすることができる。
【００３４】図７は、本発明の第４実施例による半導体
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図７を参照して、こ
の第４実施例では、図６に示した第３実施例と同様に、
感圧抵抗体３４内に結晶亜粒界５１が存在する。そし
て、結晶亜粒界５１は感圧抵抗体３４の２つのコンタク
トホール３６間を結ぶ電流経路を横切らないように感圧
抵抗体３４内に存在する。これにより、図６に示した第
３実施例と同様、結晶亜粒界５１によるポテンシャルバ
リアが感圧抵抗体３４の電気伝導を妨げるのを有効に防
止することができる。この結果、感圧抵抗体３４の抵抗
温度係数を従来に比べて大きく設定できるので、励起電
圧補償法による高精度の温度補償が可能な半導体圧力セ
ンサを提供できる。なお、この第４実施例では感圧抵抗
体３４の電流方向が＜１１０＞方向である。したがっ
て、図５に示した第２実施例と同様に、感圧抵抗体３４
内にボロンなどのｐ型の不純物を導入してｐ型のシリコ
ンにする。これにより、ピエゾ抵抗効果を最大にするこ
とができる。
圧力センサを構成するＳＯＩ構造の感圧抵抗体の製造方
法を説明するための平面図である。図７を参照して、こ
の第４実施例では、図６に示した第３実施例と同様に、
感圧抵抗体３４内に結晶亜粒界５１が存在する。そし
て、結晶亜粒界５１は感圧抵抗体３４の２つのコンタク
トホール３６間を結ぶ電流経路を横切らないように感圧
抵抗体３４内に存在する。これにより、図６に示した第
３実施例と同様、結晶亜粒界５１によるポテンシャルバ
リアが感圧抵抗体３４の電気伝導を妨げるのを有効に防
止することができる。この結果、感圧抵抗体３４の抵抗
温度係数を従来に比べて大きく設定できるので、励起電
圧補償法による高精度の温度補償が可能な半導体圧力セ
ンサを提供できる。なお、この第４実施例では感圧抵抗
体３４の電流方向が＜１１０＞方向である。したがっ
て、図５に示した第２実施例と同様に、感圧抵抗体３４
内にボロンなどのｐ型の不純物を導入してｐ型のシリコ
ンにする。これにより、ピエゾ抵抗効果を最大にするこ
とができる。
【００３５】図８〜図１１は、本発明の第５実施例によ
る半導体圧力センサを説明するための分布図である。す
なわち、図８〜図１１は結晶亜粒界が感圧抵抗体内に存
在する場合の感圧抵抗体の不純物濃度と感圧抵抗体の抵
抗値との関係を示した分布図である。図８〜図１１を参
照して、不純物としてはボロン（Ｂ）を用いている。そ
してボロンの不純物濃度が２×１０17ｃｍ-3、４×１０
17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3および２×１０19ｃｍ-3で
ある場合のそれぞれの感圧抵抗体の抵抗値をそれぞれ図
８〜図１１に示している。前述したように、不純物濃度
が低くなるとポテンシャルバリアが高くなり、感圧抵抗
体の抵抗値が大きくなる。これとともに、ポテンシャル
バリアが高くなると、結晶欠陥密度のばらつきによるポ
テンシャルバリアのばらつきも大きくなり、この結果感
圧抵抗体の抵抗値のばらつきも大きくなる。このよう
に、その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体では、その
不純物濃度が低いほど抵抗値のばらつきが大きくなる。
る半導体圧力センサを説明するための分布図である。す
なわち、図８〜図１１は結晶亜粒界が感圧抵抗体内に存
在する場合の感圧抵抗体の不純物濃度と感圧抵抗体の抵
抗値との関係を示した分布図である。図８〜図１１を参
照して、不純物としてはボロン（Ｂ）を用いている。そ
してボロンの不純物濃度が２×１０17ｃｍ-3、４×１０
17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3および２×１０19ｃｍ-3で
ある場合のそれぞれの感圧抵抗体の抵抗値をそれぞれ図
８〜図１１に示している。前述したように、不純物濃度
が低くなるとポテンシャルバリアが高くなり、感圧抵抗
体の抵抗値が大きくなる。これとともに、ポテンシャル
バリアが高くなると、結晶欠陥密度のばらつきによるポ
テンシャルバリアのばらつきも大きくなり、この結果感
圧抵抗体の抵抗値のばらつきも大きくなる。このよう
に、その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体では、その
不純物濃度が低いほど抵抗値のばらつきが大きくなる。
【００３６】ここで、最小の抵抗値に対して１０％以内
の変動（ばらつき）を許容範囲とする。そして許容範囲
にあるものを良品として良品歩留り（良品率）を考え
る。図８〜図１１を参照して、不純物濃度が２×１０17
ｃｍ-3、４×１０17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3、２×１
０19ｃｍ-3である場合のそれぞれの良品率は、２３％、
７４％、９８％、〜１００％であった。この良品率は、
感圧抵抗体１個についてのものである。したがって、図
１７に示すような半導体圧力センサでは４個の感圧抵抗
体の良品率を考える必要がある。すなわち、半導体圧力
センサとしての良品率は、不純物濃度が２×１０17ｃｍ
-3、４×１０17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3、２×１０19
ｃｍ-3の場合に対してそれぞれ０．３％、３０％、９２
％、〜１００％となる。上記したことから、感圧抵抗体
の不純物濃度を４×１０17ｃｍ-3以上に設定すれば、半
導体圧力センサをある程度の良品率で製造できることが
判明した。このように、この第５実施例では、感圧抵抗
体の不純物濃度を規定することによって、ＳＯＩ構造の
感圧抵抗体を有する半導体圧力センサの良品率を向上さ
せることができる。
の変動（ばらつき）を許容範囲とする。そして許容範囲
にあるものを良品として良品歩留り（良品率）を考え
る。図８〜図１１を参照して、不純物濃度が２×１０17
ｃｍ-3、４×１０17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3、２×１
０19ｃｍ-3である場合のそれぞれの良品率は、２３％、
７４％、９８％、〜１００％であった。この良品率は、
感圧抵抗体１個についてのものである。したがって、図
１７に示すような半導体圧力センサでは４個の感圧抵抗
体の良品率を考える必要がある。すなわち、半導体圧力
センサとしての良品率は、不純物濃度が２×１０17ｃｍ
-3、４×１０17ｃｍ-3、１×１０18ｃｍ-3、２×１０19
ｃｍ-3の場合に対してそれぞれ０．３％、３０％、９２
％、〜１００％となる。上記したことから、感圧抵抗体
の不純物濃度を４×１０17ｃｍ-3以上に設定すれば、半
導体圧力センサをある程度の良品率で製造できることが
判明した。このように、この第５実施例では、感圧抵抗
体の不純物濃度を規定することによって、ＳＯＩ構造の
感圧抵抗体を有する半導体圧力センサの良品率を向上さ
せることができる。
【００３７】なお、上記した実施例では、反射防止膜を
用いたレーザ再結晶化法により形成したＳＯＩ構造の単
結晶層によって感圧抵抗体を形成する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、他のラテラルシーディン
グ法によって形成したＳＯＩ構造の単結晶層によって感
圧抵抗体を形成する場合にも同様に適用可能である。す
なわち、他のラテラルシーディング法によってＳＯＩ構
造の単結晶層を形成したとしても、結晶亜粒界が存在す
るので、レーザ再結晶化法を用いた場合と同様の問題点
が生じる。したがって、そのような場合には上記した実
施例を適用可能である。
用いたレーザ再結晶化法により形成したＳＯＩ構造の単
結晶層によって感圧抵抗体を形成する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、他のラテラルシーディン
グ法によって形成したＳＯＩ構造の単結晶層によって感
圧抵抗体を形成する場合にも同様に適用可能である。す
なわち、他のラテラルシーディング法によってＳＯＩ構
造の単結晶層を形成したとしても、結晶亜粒界が存在す
るので、レーザ再結晶化法を用いた場合と同様の問題点
が生じる。したがって、そのような場合には上記した実
施例を適用可能である。
【００３８】また、本実施例ではレーザ再結晶化法によ
り形成したＳＯＩ構造を有する半導体圧力センサについ
て説明したが、本発明はこれに限らず、同様の構造を有
する他の半導体装置（たとえば半導体加速度センサ）な
どにも適用可能である。
り形成したＳＯＩ構造を有する半導体圧力センサについ
て説明したが、本発明はこれに限らず、同様の構造を有
する他の半導体装置（たとえば半導体加速度センサ）な
どにも適用可能である。
【００３９】
【発明の効果】請求項１に係る半導体装置によれば、種
結晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させるこ
とにより形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する
感圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を含まないように
形成することによって、結晶亜粒界によるポテンシャル
バリアによって感圧抵抗体層の電気伝導が妨げられるこ
とがなく、これにより感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小
さくなることもない。この結果、感圧抵抗体層の抵抗温
度係数を高く設定することができ励起電圧補償法による
高精度の温度補償が可能となる。
結晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させるこ
とにより形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する
感圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を含まないように
形成することによって、結晶亜粒界によるポテンシャル
バリアによって感圧抵抗体層の電気伝導が妨げられるこ
とがなく、これにより感圧抵抗体層の抵抗温度係数が小
さくなることもない。この結果、感圧抵抗体層の抵抗温
度係数を高く設定することができ励起電圧補償法による
高精度の温度補償が可能となる。
【００４０】請求項２に係る半導体装置によれば、種結
晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させること
により形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感
圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を有するとともにそ
の電流経路が結晶亜粒界を横切らないように形成するこ
とによって、結晶亜粒界によって形成されるポテンシャ
ルバリアが感圧抵抗体層の電気伝導を妨げるのが極力防
止されるので、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が従来のよ
うに小さくなるのを有効に防止することができる。この
結果、感圧抵抗体の抵抗温度係数を高く設定することが
でき、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能な
半導体装置を提供することができる。
晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させること
により形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感
圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を有するとともにそ
の電流経路が結晶亜粒界を横切らないように形成するこ
とによって、結晶亜粒界によって形成されるポテンシャ
ルバリアが感圧抵抗体層の電気伝導を妨げるのが極力防
止されるので、感圧抵抗体層の抵抗温度係数が従来のよ
うに小さくなるのを有効に防止することができる。この
結果、感圧抵抗体の抵抗温度係数を高く設定することが
でき、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能な
半導体装置を提供することができる。
【００４１】請求項３に係る半導体装置によれば、種結
晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させること
により形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感
圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を有するとともに感
圧抵抗体層の不純物濃度を４×１０17ｃｍ-3以上に設定
することによって、感圧抵抗体層の抵抗値のばらつきを
ある程度抑えながらピエゾ抵抗効果を大きくすることが
できる。また、高い良品率で半導体装置を製造すること
ができる。
晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させること
により形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感
圧抵抗体層を、その中に結晶亜粒界を有するとともに感
圧抵抗体層の不純物濃度を４×１０17ｃｍ-3以上に設定
することによって、感圧抵抗体層の抵抗値のばらつきを
ある程度抑えながらピエゾ抵抗効果を大きくすることが
できる。また、高い良品率で半導体装置を製造すること
ができる。
【００４２】請求項４に係る半導体装置の製造方法によ
れば、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層
を形成し、種結晶領域からその絶縁層上に横方向に単結
晶を成長させることにより単結晶層を形成し、その単結
晶層のうち結晶亜粒界が存在しない領域に感圧抵抗体層
を形成することにより、従来のように感圧抵抗体層内の
結晶亜粒界によるポテンシャルバリアが感圧抵抗体層の
電気伝導を妨げることがなく、感圧抵抗体層の抵抗温度
係数が小さくなることはない。この結果、感圧抵抗体層
の抵抗温度係数を高く設定することができる。これによ
り、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能な半
導体装置を容易に製造することができる。
れば、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層
を形成し、種結晶領域からその絶縁層上に横方向に単結
晶を成長させることにより単結晶層を形成し、その単結
晶層のうち結晶亜粒界が存在しない領域に感圧抵抗体層
を形成することにより、従来のように感圧抵抗体層内の
結晶亜粒界によるポテンシャルバリアが感圧抵抗体層の
電気伝導を妨げることがなく、感圧抵抗体層の抵抗温度
係数が小さくなることはない。この結果、感圧抵抗体層
の抵抗温度係数を高く設定することができる。これによ
り、励起電圧補償法による高精度の温度補償が可能な半
導体装置を容易に製造することができる。
【００４３】請求項５に係る半導体装置の製造方法によ
れば、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層
を形成し、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を
成長させることにより単結晶層を形成し、その単結晶層
の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界がその電流経
路を横切らないように感圧抵抗体層を形成することによ
って、感圧抵抗体層内に存在する結晶亜粒界によるポテ
ンシャルバリアが感圧抵抗体層の電気伝導を妨げるのが
有効に低減される。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温
度係数を高く設定することができる。この結果、励起電
圧補償法による高精度の温度補償が可能な半導体装置を
容易に製造することができる。
れば、種結晶領域を有する単結晶半導体基板上に絶縁層
を形成し、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を
成長させることにより単結晶層を形成し、その単結晶層
の結晶亜粒界が存在する領域に結晶亜粒界がその電流経
路を横切らないように感圧抵抗体層を形成することによ
って、感圧抵抗体層内に存在する結晶亜粒界によるポテ
ンシャルバリアが感圧抵抗体層の電気伝導を妨げるのが
有効に低減される。これにより、感圧抵抗体層の抵抗温
度係数を高く設定することができる。この結果、励起電
圧補償法による高精度の温度補償が可能な半導体装置を
容易に製造することができる。
【図１】本発明の一実施例によるＳＯＩ構造を有する半
導体圧力センサを示した平面図である。
導体圧力センサを示した平面図である。
【図２】図１に示した第１実施例の半導体圧力センサの
Ｘ−Ｘにおける断面構造図である。
Ｘ−Ｘにおける断面構造図である。
【図３】図１に示した第１実施例の半導体圧力センサの
Ｂ部分を示した部分拡大図である。
Ｂ部分を示した部分拡大図である。
【図４】図１〜図３に示した第１実施例の半導体圧力セ
ンサの感圧抵抗体の製造方法を説明するための平面図で
ある。
ンサの感圧抵抗体の製造方法を説明するための平面図で
ある。
【図５】本発明の第２実施例によるＳＯＩ構造を有する
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
【図６】本発明の第３実施例によるＳＯＩ構造を有する
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
【図７】本発明の第４実施例によるＳＯＩ構造を有する
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
半導体圧力センサの感圧抵抗体の製造方法を説明するた
めの平面図である。
【図８】その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体の不純
物濃度が２×１０17ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布を
示した分布図である。
物濃度が２×１０17ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布を
示した分布図である。
【図９】その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体の不純
物濃度が４×１０17ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布を
示した分布図である。
物濃度が４×１０17ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布を
示した分布図である。
【図１０】その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体の不
純物濃度が１×１０18ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布
を示した分布図である。
純物濃度が１×１０18ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布
を示した分布図である。
【図１１】その中に結晶亜粒界を有する感圧抵抗体の不
純物濃度が２×１０19ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布
を示した分布図である。
純物濃度が２×１０19ｃｍ-3である場合の抵抗値の分布
を示した分布図である。
【図１２】従来の反射防止膜を用いたレーザ再結晶化法
を説明するための断面斜視図である。
を説明するための断面斜視図である。
【図１３】従来の反射防止膜を用いたレーザ再結晶化法
の第１工程を説明するための断面図である。
の第１工程を説明するための断面図である。
【図１４】従来の反射防止膜を用いたレーザ再結晶化法
の第２工程を説明するための断面図である。
の第２工程を説明するための断面図である。
【図１５】従来の反射防止膜を用いたレーザ再結晶化法
の第３工程を説明するための断面斜視図である。
の第３工程を説明するための断面斜視図である。
【図１６】多結晶シリコン層の表面温度とその内部温度
との関係を示す温度分布図である。
との関係を示す温度分布図である。
【図１７】従来のＳＯＩ構造の感圧抵抗体を用いた半導
体圧力センサを示した平面図である。
体圧力センサを示した平面図である。
【図１８】図１７に示した半導体圧力センサのＸ−Ｘに
おける断面構造図である。
おける断面構造図である。
【図１９】図１７に示した半導体圧力センサのＡ部分の
部分拡大図である。
部分拡大図である。
１：単結晶シリコン基板 ２：シリコン酸化膜 ３：ドットシード（種結晶領域） ４：感圧抵抗体 ８：ダイヤフラム なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 H01L 21/20 H01L 21/822 H01L 27/04
Claims (5)
- 【請求項１】 種結晶領域を有する単結晶半導体基板
と、 前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層と、 前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成
長させることにより形成した単結晶層からなるピエゾ特
性を有する感圧抵抗体層とを備え、 前記感圧抵抗体層は、その中に結晶亜粒界を含まないよ
うに形成されている、半導体装置。 - 【請求項２】 種結晶領域を有する単結晶半導体基板
と、 前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層と、 前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成
長させることにより形成した単結晶層からなるピエゾ特
性を有する感圧抵抗体層とを備え、 前記感圧抵抗体層は、その中に結晶亜粒界を有するとと
もに、その電流経路が前記結晶亜粒界を横切らないよう
に形成されている、半導体装置。 - 【請求項３】 種結晶領域を有する単結晶半導体基板
と、 前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層と、 前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成
長させることにより形成した単結晶層からなるピエゾ特
性を有する感圧抵抗体層とを備え、 前記感圧抵抗体層は、その中に結晶亜粒界を有するとと
もに、前記感圧抵抗体層の不純物濃度は４×１０17ｃｍ
-3以上に設定されている、半導体装置。 - 【請求項４】 種結晶領域を有する単結晶半導体基板上
に絶縁層を形成する工程と、 前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成
長させることにより単結晶層を形成する工程と、 前記単結晶層のうち結晶亜粒界が存在しない領域に感圧
抵抗体層を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 種結晶領域を有する単結晶半導体基板上
に絶縁層を形成する工程と、 前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成
長させることにより単結晶層を形成する工程と、 前記単結晶層の結晶亜粒界が存在する領域に前記結晶亜
粒界がその電流経路を横切らないように感圧抵抗体層を
形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259744A JP2769661B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US08/332,623 US5471086A (en) | 1992-09-29 | 1992-10-31 | Semiconductor device having piezo resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259744A JP2769661B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112121A JPH06112121A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2769661B2 true JP2769661B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=17338351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4259744A Expired - Lifetime JP2769661B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5471086A (ja) |
| JP (1) | JP2769661B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3571765B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2004-09-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力検出装置 |
| US5726564A (en) * | 1994-10-27 | 1998-03-10 | Zexel Corporation | Temperature-compensating method for a resistance bridge circuit, resistance bridge circuit with temperature-compensating circuit, and acceleration sensor using the same |
| JP3323032B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2002-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力検出装置の設計方法 |
| FR2739977B1 (fr) * | 1995-10-17 | 1998-01-23 | France Telecom | Capteur monolithique d'empreintes digitales |
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| JP5649478B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2015-01-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその試験方法 |
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| DE102019129411A1 (de) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg | Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper |
| DE102020105210A1 (de) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Tdk Electronics Ag | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562671A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-12 | Nissan Motor Co Ltd | Manufacture of semiconductor diaphragm |
| JPS6079778A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JPS6218072A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体歪検出器 |
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-
1992
- 1992-09-29 JP JP4259744A patent/JP2769661B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-31 US US08/332,623 patent/US5471086A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5471086A (en) | 1995-11-28 |
| JPH06112121A (ja) | 1994-04-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980310 |