CN107340920B - 一种触控显示面板及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种触控显示面板及装置，该触控显示面板包括至少一个半导体压感触控单元，半导体压感触控单元包括第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻；第一压感电阻的第一端以及第二压感电阻的第一端与第一电源输入端连接，第一压感电阻的第二端以及第四压感电阻的第一端与第一感应信号测量端连接，第四压感电阻的第二端以及所述第三压感电阻的第二端与第二电源输入端连接，第三压感电阻的第一端以及所述第二压感电阻的第二端连接与第二感应信号测量端连接；其中，
以使触控显示面板在未受压力触控时，
提高了触控压力检测的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种触控显示面板及装置。
背景技术
压力感应技术是在显示屏幕上加入压力感应装置，手指轻触显示屏幕和重按会带来不同的交互效果。即屏幕可以感受到轻点、普通触摸以及重压等不同的力度，更立体的感受手指操作，可以实现更多样性的操作方式。
通常，基于半导体的压感器件相对于普通的金属压感器件具有更大的应力敏感系数，即半导体压感器件的灵敏度高于金属压感器件的灵敏度。图1为现有技术中一种半导体压感触控单元的结构示意图。如图1所示，半导体压感触控单元包括构成电桥结构的第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4。
第一压感电阻R1的第一端a1以及第二压感电阻R2的第一端a2与第一电源输入端Vcc电连接，第一压感电阻R1的第二端b1以及第四压感电阻R4的第一端a4与第一感应信号测量端V+电连接，第四感应电阻R4的第二端b4以及第三压感电阻R3的第二端b3与第二电源输入端(例如GND端)电连接，第二压感电阻R2的第二端b2以及第三压感电阻R3的第一端a3与第二感应信号测量端V-电连接。图1所示半导体压感触控单元可以等效为一种惠斯通电桥结构，第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R2和第四压感电阻R4连成四边形ABCD，称为电桥的四个臂。四边形ABCD的对角线BD连有检流计G，检流计G的两极即为第一感应信号测量端V+和第二感应信号测量端V-，四边形ABCD的对角线AC分别连接第一电源输入端Vcc和第二电源输入端GND。当第一电源输入端Vcc与第二电源输入端GND上的电压存在一定差值时，电桥线路中各支路均有电流通过。第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值满足
时，BD两点之间的电位相等，流过检流计G的电流为零，检流计G指针指示零刻度，电桥处于平衡状态，并且称
为电桥平衡条件。当第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值不满足上述电桥平衡条件时，BD两点之间的电位不相等，此时流过检流计G的电流不为0，检流计G的指针发生偏转，输出相应的信号值，进而确定出压力值。
但半导体压感触控单元一般是通过激光结晶扫描方式制作，参见图1，激光结晶扫描方向为平行于第一压感电阻R1的长边方向，垂直于第二压感电阻R2的长边方向。由于流经第一压感电阻R1与流经第二压感电阻R2中的电流方向和激光结晶扫描方向不同，流经第三压感电阻R3和第四压感电阻R4中的电流方向和激光结晶扫描方向不同，会导致第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值存在微小差异，无法满足初始的电桥平衡条件
即未进行压力触控时，
进而使触控压力检测的准确性下降。
发明内容
本发明提供一种触控显示面板及装置，以提高触控压力检测的准确性。
第一方面，本发明实施例提供了一种触控显示面板，包括至少一个半导体压感触控单元，
所述半导体压感触控单元包括第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻；所述第一压感电阻的第一端以及所述第二压感电阻的第一端与第一电源输入端连接，所述第一压感电阻的第二端以及所述第四压感电阻的第一端与第一感应信号测量端连接，所述第四压感电阻的第二端以及所述第三压感电阻的第二端与第二电源输入端连接，所述第三压感电阻的第一端以及所述第二压感电阻的第二端连接与第二感应信号测量端连接；
其中，
以使所述触控显示面板在未受压力触控时，
L1和L3分别为所述第一压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第三压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；W1和W3分别为所述第一压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第三压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；L2和L4分别所述第二压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第四压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；W2和W4分别为所述第二压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第四压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；R1、R2、R3和R4依次为所述触控显示面板在未受压力触控时第一压感电阻的电阻值、第二压感电阻的电阻值、第三压感电阻的电阻值以及第四压感电阻的电阻值。
第二方面，本发明实施例还提供了一种触控显示装置，包括第一方面所述的触控显示面板。
本发明通过调节半导体压感触控单元中第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度，并满足
从而使触控显示面板在未受压力触控时半导体压感触控单元的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻满足
避免了同一半导体压感触控单元中的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻相对于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向不同导致初始电桥不平衡的问题，提高了触控压力检测的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种半导体压感触控单元的结构示意图；
图2为激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行的示意图；
图3为激光结晶扫描方向与电阻测量方向垂直的示意图；
图4为当激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行时，电阻值随沿激光结晶扫描方向上的长度的变化关系图；
图5为当激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行时，电阻值随垂直于激光结晶扫描方向上的长度的变化关系图；
图6为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种半导体压感触控单元的结构示意图；
图8为第一压感电阻R1平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的有效长度示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种半导体压感触控单元的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种半导体压感触控单元的结构示意图；
图11为一种半导体压感触控单元设置位置与激光结晶扫描方向的关系示意图；
图12为现有技术中一半导体压感触控单元的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行的示意图。图3为激光结晶扫描方向与电阻测量方向垂直的示意图。表1为沿平行激光结晶扫描方向与沿垂直激光结晶扫描方向测量不同宽长比电阻的电阻值。图2和图3中U+和U-分别为电阻测量的两个测量端。其中电阻与激光结晶扫描方向平行的一边的长度记为L，电阻与激光结晶扫描方向垂直的一边的长度记为W。表1中将图2激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行的方式记为A，将图3激光结晶扫描方向与电阻测量方向垂直的方式记为B。由表1可知，当激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行时测量的电阻的阻值小于激光结晶扫描方向与电阻测量方向垂直时测量的电阻的阻值。
表1:沿平行激光结晶扫描方向与沿垂直激光结晶扫描方向测量不同宽长比电阻的电阻值
因此，若激光结晶扫描方向沿现有技术中图1中所示方向，会造成图1中第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值存在微小差异，在未进行压力触控时，半导体压感触控单元将不再满足初始的电桥平衡条件
即未进行压力触控时，
进而使触控压力检测的准确性下降。举例而言，若设置R1＝R2＝R3＝R4，由于R1和R3的激光结晶扫描方向与流经电阻的电流方向(相当于电阻测量方向)平行，R2和R4激光结晶扫描方向与流经电阻的电流方向(相当于电阻测量方向)垂直，因此R1＝R3<R2＝R4，那么
发明人经过试验研究发现，如图4所示，当激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行时，若增加电阻沿激光结晶扫描方向上的长度，那么沿激光结晶扫描方向测量该电阻的电阻值增加。图4中横坐标表示电阻沿激光结晶扫描方向上的长度L，纵坐标表示测量的电阻值。如图5所示，当激光结晶扫描方向与电阻测量方向平行时，若增加电阻垂直于激光结晶扫描方向上的长度，那么沿激光结晶扫描方向测量该电阻的电阻值减小。图5中横坐标表示电阻垂直于激光结晶扫描方向上的长度W，纵坐标表示测量的电阻值。
据此本发明实施提供一种触控显示面板，图6为本发明实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图，参见图6所示，触控显示面板包括至少一个半导体压感触控单元10。图6中示例性的设置6个半导体压感触控单元。本发明实施例对触控显示面板上设置的半导体压感触控单元的数量不做限定。需要说明的是，为避免半导体压感触控单元10影响触控显示面板的像素开口率以及透光率，图6示例性的设置半导体压感触控单元10位于触控显示面板的非显示区11，在其他实施方式中还可以根据实际应用情况将半导体压感触控单元10设置于显示区12中。
图7为本发明实施例提供的一种半导体压感触控单元的结构示意图，如图7所示，半导体压感触控单元包括第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4。第一压感电阻R1的第一端a1以及第二压感电阻R2的第一端a2与第一电源输入端Vcc连接，第一压感电阻R1的第二端b1以及第四压感电阻R4的第一端a4与第一感应信号测量端V+连接，第四压感电阻R4的第二端b4以及第三压感电阻R3的第二端b3与第二电源输入端(例如GND端)连接，第三压感电阻R3的第一端a3以及第二压感电阻R2的第二端b2连接与第二感应信号测量端V-连接。图7中箭头方向表示半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向。
鉴于图4和图5的发现，为避免同一半导体压感触控单元10中的第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4相对于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向不同导致初始电桥不平衡的问题，本发明实施例通过设置
以使触控显示面板在未受压力触控时保持
即增加第一压感电阻R1以及第三压感电阻R3的平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度与垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度的比值
或者减小第二压感电阻R2以及第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度与垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度的比值
以实现增加第一压感电阻R1以及第三压感电阻R2的电阻值，或者减小第二压感电阻R2以及第四压感电阻R4的电阻值，进而使触控显示面板在未受压力触控时，满足初始电桥平衡条件
其中，L1和L3分别为第一压感电阻R1平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度以及第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度；W1和W3分别为第一压感电阻R1垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度以及第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度；L2和L4分别为第二压感电阻R2垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度以及第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度；W2和W4分别为第二压感电阻R2平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度以及第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度；R1、R2、R3和R4依次为触控显示面板在未受压力触控时第一压感电阻的电阻值、第二压感电阻的电阻值、第三压感电阻的电阻值以及第四压感电阻的电阻值。
可选的，将现有技术图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度分别记为w1、w3，第二压感电阻R2和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度分别记为w2、w4，将第一压感电阻R1和第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度分别记为l1、l3，第二压感电阻R2和第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度分别记为l2、l4。可以通过保持现有技术图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w1、w3，以及第二压感电阻R2和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w2、w4不变，第二压感电阻R2和第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度l2、l4不变；增加图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度l1、l3，获得本发明实施例图7所示的半导体压感触控单元结构，w1＝W1；w2＝W2；w3＝W3；w4＝W4；l2＝L2；l4＝L4；l1<L1；l3<L3，以使图7所示的半导体压感触控单元中L1﹥L2；L1﹥L4；L3﹥L2；L3﹥L4,进而使触控显示面板在未受压力触控时，满足初始电桥平衡条件
可选的，还可以通过保持现有技术图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w1、w3，以及第二压感电阻R2和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w2、w4不变，第一压感电阻R1和第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度l1、l3不变；减小图1中第二压感电阻R2和第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的长度l2、l4,获得本发明实施例如图7所示的半导体压感触控单元结构，w1＝W1；w2＝W2；w3＝W3；w4＝W4；l1＝L1；l3＝L3；l2>L2；l4>L4，以使图7所示的半导体压感触控单元中L1﹥L2；L1﹥L4；L3﹥L2；L3﹥L4,进而使触控显示面板在未受压力触控时，满足初始电桥平衡条件
可选的，还可以保持图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度l1、l3，以及第二压感电阻R2和第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度不变l2、l4，第二压感电阻R2和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w2、w4不变；减小第一压感电阻R1和第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w1、w3，获得本发明实施例所示的半导体压感触控单元结构，l1＝L1；l2＝L2；l3＝L3；l4＝L4；w2＝W2；w4＝W4；w1>W1；w3>W3，以使半导体压感触控单元中W1<W2；W1<W4；W3<W2；W3<W4,进而使触控显示面板在未受压力触控时，满足初始电桥平衡条件
可选的，还可以保持图1中第一压感电阻R1和第三压感电阻R3平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度l1、l3，以及第二压感电阻R2和第四压感电阻R4垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度l2、l4不变，第一压感电阻R1和第三压感电阻R3垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w1、w3不变；增加第二压感电阻R2和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度w2、w4，获得本发明实施例所示的半导体压感触控单元结构，l1＝L1；l2＝L2；l3＝L3；l4＝L4；w1＝W1；w3＝W3；w2<W2；w4<W4，以使半导体压感触控单元中以使W1<W2；W1<W4；W3<W2；W3<W4,进而使触控显示面板在未受压力触控时，满足初始电桥平衡条件
可选的，可以设置R1＝R2＝R3＝R4；L1＝L3；L2＝L4；W1＝W3；W2＝W4，这样，在无按压情况下，第一感应信号测量端和第二感应信号测量端之间的电位相等，第一感应信号测量端和第二感应信号测量端输出的压感检测信号为0，这样有利简化压力值的计算过程，以及提高压力检测的灵敏度，设置L1＝L3；L2＝L4；W1＝W3；W2＝W4还可以简化半导体压感触控单元的制作复杂度。
可选的，上述各实施例基础上，半导体压感触控单元的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻可以为采用非晶硅材料通过激光结晶扫描形成的多晶硅。在其他实施方式中，还可以根据触控显示面板设计需求选择其他半导体材料制备半导体压感触控单元的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻。
可选的，上述各技术方案中，半导体压感触控单元中的第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4可以如图7所示均呈矩形。第一压感电阻R1的第一端a1和第二端b1的连线以及第三压感电阻R3的第一端a3和第二端b2的连线平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向；第二压感电阻R2的第一端a2和第二端b2的连线以及第四压感电阻R4的第一端a4和第二端b4的连线垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向。需要说明的是，本发明实施例中第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向是指平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的有效长度。例如图7中，第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4均呈矩形，第一压感电阻R1第一端a1和第二端b1的连线为第一压感电阻R1的长边，第一压感电阻R1的第一端a1和第二端b1的连线平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向，那么第一压感电阻R1的长边为平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度L1，第一压感电阻R1的短为垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度W1。在其他实施方式中，若第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的边长与半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向之间具有一定夹角，如图8所述，第一压感电阻R1为矩形，矩形的长边X1与半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向之间的夹角为α,那么第一压感电阻R1平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度为L1＝X1·cosα；矩形的长边Y1垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度为W1＝Y1·cosα。
可选的，触控显示面板的显示区和非显示区均还包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括有源层，半导体压感触控单元可以与有源层同层制作。这样可以节省制程，简化制作工艺，降低生产成本。
在上述技术方案中，触控显示面板上的半导体压力传感器的具体结构可以有多种，图7仅示出一种典型结构，下面就其他几种典型的半导体压力传感器的结构进行说明，但并不对此进行限定。
可选的，图9为本发明实施例提供的又一种半导体压感触控单元的结构示意图。触控显示面板可以包括第一延伸方向100和第二延伸方向200，第一延伸方向100和第二延伸方向200交叉设置。第一压感电阻R1由第一端a1到第二端b1的延伸长度在第一延伸方向100上的分量可以大于在第二延伸方向200上的分量，第二压感电阻R2由第一端a2到第二端b2的延伸长度在第二延伸方向200上的分量可以大于在第一延伸方向100上的分量，第三压感电阻R3由第一端a3到第二端b3的延伸长度在第一延伸方向100上的分量可以大于在第二延伸方向200上的分量，第四压感电阻R4由第一端a4到第二端b4的延伸长度在第二延伸方向200上的分量可以大于在第一延伸方向100上的分量。参见图9，第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4均设置成类似蛇形结构。
半导体压感触控单元通常要求第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4所感受的形变不同，比如第一压感电阻R1和第三压感电阻R3感受压缩形变，第二压感电阻R2和第四压感电阻感受R4拉伸形变，因此，参见图7第一压感电阻R1与第二压感电阻R2，以及第三压感电阻R3和第四压感电阻R4在空间上是分开的，当局部温度变化时，使得第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4处于不同的温度环境，温度对第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值的产生不同的影响，影响半导体压感触控单元进行压力检测的精确度。图9提供的半导体压感触控单元使得第一压感电阻R1和第三压感电阻R3感应第一延伸方向100的应变，第二压感电阻R2和第四压感电阻感受R4感应第二延伸方向200的应变。由于第一压感电阻R1感应应变的方向与第二压感电阻R2感应应变的方向不同，第四压感电阻R4感应应变的方向与第三压感电阻R3感应应变的方向不同，可以将第一压感电阻R1、第二压感电阻R2，以及第三压感电阻R3和第四压感电阻R4分布在空间同一处或者距离相近的位置，从而使得第一压感电阻R1和第二压感电阻R2，以及第三压感电阻R3和第四压感电阻R4有同步温度变化，消除温度差异的影响，提高了压力感应精度。
可选的，还可以设置第一延伸方向平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向；第二延伸方向垂直于所述半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向。这样设置可以简化压力值的计算过程，以及降低触控显示面板制备的复杂度，从而提高良率以及压力触控的准确性。
可选的，半导体压感触控单元还可以为块状，由半导体材料制成，其形状为至少包括四个边的多边形；第一连接端、第二连接端、第三连接端以及第四连接端分别设置于所述多边形的四个边上。第一连接端与第一电源输入端电连接；第二连接端与第二电源输入端电连接；第三连接端与第一感应信号测量端电连接；第四连接端与第二感应信号测量端电连接；第一连接端和第二连接端所在直线为第一直线，第三连接端和第四连接端所在直线为第二直线；第一直线和与半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的夹角θ1、第一连接端所在多边形的边和第三连接端所在多边形的边之间的夹角θ2、第二连接端所在多边形的边和第三连接端所在多边形的边之间的夹角θ3、第二连接端所在多边形的边和第四连接端所在多边形的边之间的夹角θ4、第一连接端所在多边形的边和第四连接端所在所述多边形的边之间的夹角θ5满足以下条件：
当0°<θ1<90°，θ2﹥θ3；θ4﹥θ5；
当90°<θ1<180°，θ2<θ3；θ4<θ5；
由半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向指向第一直线的方向为θ1的正方向。
示例性的，图10以半导体压感触控单元10为四边形进行说明，但本发明实施例对半导体压感触控单元的形状并不限定。参见图10，半导体压感触控单元10为四边形，设置第一连接端201、第二连接端202、第三连接端203和第四连接端204分别为位于四边形的第一边、第二边、第三边和第四边，半导体压感触控单元10的第一边和第二边相对设置，第三边和第四边相对设置，第一连接端201与第一电源输入端Vcc电连接，第二连接端202与第二电源输入端(例如GND端)电连接，第三连接端203与第一感应信号测量端V+电连接，第四连接端204与第二感应信号测量端V-电连接。第一电源输入端Vcc和第二电源输入端GND用于向半导体压感触控单元10输入电源驱动信号；第一感应信号测量端V+和第二感应信号测量端V-用于从半导体压感触控单元10输出压力检测信号。图10所示半导体压感触控单元10可以等效为图10中虚线所示第一压感电阻R1、第二压感电阻R2，以及第三压感电阻R3和第四压感电阻R4构成的惠斯通电桥电路，其进行压力检测的原理与图7所示的半导体压感触控单元的检测原理相同，这里不再赘述。
第一连接端201和第二连接端202所在直线为第一直线210，第三连接端203和第四连接端204所在直线为第二直线220；第一直线210与半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的夹角θ1、第一连接端201所在多边形的边和第三连接端203所在多边形的边之间的夹角θ2、第二连接端202所在多边形的边和第三连接端203所在多边形的边之间的夹角θ3、第二连接端202所在多边形的边和第四连接端204所在多边形的边之间的夹角θ4、第一连接端201所在多边形的边和第四连接端204所在所述多边形的边之间的夹角θ5满足以下条件：
当0°<θ1<90°，θ2﹥θ3；θ4﹥θ5；
当90°<θ1<180°，θ2<θ3；θ4<θ5；
其中，由半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向指向第一直线的方向为θ1的正方向。
当第一直线210与半导体压感触控单元10的激光结晶扫描方向的夹角θ1等于0°或者90°时，以θ1等于0°为例，参见图11，第一连接端201和第三连接端203之间的等效电阻第一压感电阻R1与第一连接端201和第四连接端204之间的等效电阻第二压感电阻R2相等，第二连接端202和第三连接端203之间的等效电阻第四压感电阻R4与第二连接端202和第四连接端204之间的等效电阻第三压感电阻R3相等，因此同一半导体压感触控单元10中等效的的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻相对于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向不同时，测量电阻相同，不会导致初始电桥不平衡的问题。本发明实施例用以解决当0°<θ1<90°，以及90°<θ1<180°时同一半导体压感触控单元中等效的的第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻相对于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向不同时导致的初始电桥不平衡的问题。
图12为现有技术中一半导体压感触控单元的结构示意图，如图12所示，与图10不同的是，θ2＝θ3＝θ4＝θ5，半导体压感触控单元10为正方形，激光结晶扫描方向为平行于第一压感电阻R1的长边方向，垂直于第二压感电阻R2的长边方向。由于流经第一压感电阻R1与流经第二压感电阻R2中的电流方向和激光结晶扫描方向不同，流经第三压感电阻R3和第四压感电阻R4中的电流方向和激光结晶扫描方向不同，会导致第一压感电阻R1、第二压感电阻R2、第三压感电阻R3和第四压感电阻R4的阻值存在微小差异，无法满足初始的电桥平衡条件
R1和R3均下于R2和R4，导致未进行压力触控时
进而使触控压力检测的准确性下降。
有鉴于此，参见图10，本发明实施例通过增大θ2和θ4，或者减小θ3和θ5，即满足如下条件：
当0°<θ1<90°，θ2﹥θ3；θ4﹥θ5；
当90°<θ1<180°，θ2<θ3；θ4<θ5；
从而增加R1和R3平行于激光结晶扫描方向的长度，或者减小R2和R4垂直于激光结晶扫描方向的长度，从而增加R1和R3的阻值，或者减小R2和R4的阻值，使未进行压力触控时半导体压感触控单元10仍满足初始的电桥平衡条件
从而提高触控压力检测的准确性。
在上述各实施例的基础上，还可以在触控显示面板的显示区设置多个触控位置检测电极，以实现触控位置的检测。本发明实施例提供的触控显示面板，半导体压感触控单元位于触控显示面板的非显示区，触控显示面板的显示区还设置有多个触控位置检测电极；触控显示面板还包括多条触控位置走线；每一条触控位置走线与一对应的触控位置检测电极电连接。图13为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图，如图13所示，半导体压感触控单元10位于触控显示面板的非显示区11，触控显示面板的显示区12的多个触控位置检测电极包括多个自容式触控位置检测电极块13；每一自容式触控位置检测电极块13与一条触控位置走线14电连接，自容式触控位置检测电极块13与地形成电容，通过检测自容式触控位置检测电极块13与地之间的电容变化可以检测触控位置。
图14为本发明实施例提供的又一种触控显示面板的结构示意图，如图14所示，多个触控位置检测电极包括多个互容触控位置检测驱动电极15和多个触控位置检测感测电极16；触控位置走线14包括触控位置驱动走线141和触控位置感测走线142；互容触控位置检测感测电极16与对应的触控位置感测走线142电连接，互容触控位置检测驱动电极15与对应的触控位置驱动走线141电连接；通过检测多个互容触控位置检测感测电极15和多个互容触控位置检测驱动电极16之间的电容变化可以检测触控位置。
可选的，本发明实施例提供的触控显示面板的每一驱动周期包括显示阶段和触控阶段；触控阶段包括触控位置检测阶段和压感触控阶段；触控位置检测和触控压力检测可以分时进行，即多个触控位置检测电极在触控位置检测阶段进行触控位置检测，半导体压感触控单元在压感触控阶段进行触控压力检测。
可选的，触控位置检测和触控压力检测还可以同时进行，即触控显示面板的每一驱动周期包括显示阶段和触控阶段；多个触控位置检测电极和半导体压感触控单元分别在触控阶段进行触控位置检测和触控压力检测。
本发明还提供一种触控显示装置，图15为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图，如图15所示触控显示装置包括：上述实施例提供的触控显示面板300。需要说明的是，本发明实施例提供触控显示装置还可以包括其他用于支持触控显示装置正常工作的电路及器件，上述的触控显示装置可以为手机、平板电脑、电子纸、电子相框中的一种。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (15)
1.一种触控显示面板，包括至少一个半导体压感触控单元，其特征在于，
所述半导体压感触控单元包括第一压感电阻、第二压感电阻、第三压感电阻和第四压感电阻；所述第一压感电阻的第一端以及所述第二压感电阻的第一端与第一电源输入端连接，所述第一压感电阻的第二端以及所述第四压感电阻的第一端与第一感应信号测量端连接，所述第四压感电阻的第二端以及所述第三压感电阻的第二端与第二电源输入端连接，所述第三压感电阻的第一端以及所述第二压感电阻的第二端连接与第二感应信号测量端连接；
其中，
以使所述触控显示面板在未受压力触控时，
L1和L3分别为所述第一压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第三压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；W1和W3分别为所述第一压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第三压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；L2和L4分别为所述第二压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第四压感电阻垂直于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；W2和W4分别为所述第二压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度以及所述第四压感电阻平行于半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向的长度；R1、R2、R3和R4依次为所述触控显示面板在未受压力触控时第一压感电阻的电阻值、第二压感电阻的电阻值、第三压感电阻的电阻值以及第四压感电阻的电阻值。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
L1﹥L2；L1﹥L4；L3﹥L2；L3﹥L4；和/或，
W1<W2；W1<W4；W3<W2；W3<W4。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，R1＝R2＝R3＝R4；L1＝L3；L2＝L4；W1＝W3；W2＝W4。
4.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一压感电阻、所述第二压感电阻、所述第三压感电阻和所述第四压感电阻为采用非晶硅材料通过激光结晶扫描形成的多晶硅。
5.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板包括第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向和所述第二延伸方向交叉设置；
所述第一压感电阻由第一端到第二端的延伸长度在所述第一延伸方向上的分量大于在所述第二延伸方向上的分量，所述第二压感电阻由第一端到第二端的延伸长度在第二延伸方向上的分量大于在第一延伸方向上的分量，所述第三压感电阻由第一端到第二端的延伸长度在第一延伸方向上的分量大于在第二延伸方向上的分量，所述第四压感电阻由第一端到第二端的延伸长度在第二延伸方向上的分量大于在第一延伸方向上的分量。
6.根据权利要求5所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一延伸方向平行于所述半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向；所述第二延伸方向垂直于所述半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向。
7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一压感电阻、所述第二压感电阻、所述第三压感电阻和所述第四压感电阻均呈矩形。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述第一压感电阻的第一端和第二端的连线以及所述第三压感电阻的第一端和第二端的连线平行于所述半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向；
所述第二压感电阻的第一端和第二端的连线以及所述第四压感电阻的第一端和第二端的连线垂直于所述半导体压感触控单元的激光结晶扫描方向。
9.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，还包括：
多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括有源层；
所述半导体压感触控单元与所述有源层同层制作。
10.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述半导体压感触控单元位于所述触控显示面板的非显示区，所述触控显示面板的显示区还设置有多个触控位置检测电极；
所述触控显示面板还包括多条触控位置走线；每一条所述触控位置走线与一对应的所述触控位置检测电极电连接。
11.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，
所述多个触控位置检测电极包括多个自容式触控位置检测电极块；
通过所述自容式触控位置检测电极块与地之间的电容变化以检测触控位置。
12.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，
所述多个触控位置检测电极包括多个互容触控位置检测驱动电极和多个触控位置检测感测电极；
所述触控位置走线包括触控位置驱动走线和触控位置感测走线；
所述互容触控位置检测感测电极与对应的所述触控位置感测走线电连接，所述互容触控位置检测驱动电极与对应的所述触控位置驱动走线电连接；
通过检测所述多个互容触控位置检测感测电极和多个互容触控位置检测驱动电极之间的电容变化以检测触控位置。
13.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，
所述触控显示面板的每一驱动周期包括显示阶段和触控阶段；
所述触控阶段包括触控位置检测阶段和压感触控阶段；
所述多个触控位置检测电极在所述触控位置检测阶段进行触控位置检测，所述半导体压感触控单元在所述压感触控阶段进行触控压力检测。
14.根据权利要求10所述的触控显示面板，其特征在于，
所述触控显示面板的每一驱动周期包括显示阶段和触控阶段；
所述多个触控位置检测电极和所述半导体压感触控单元分别在所述触控阶段进行触控位置检测和触控压力检测。
15.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14中任意一项所述的触控显示面板。
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