JP2722696B2 - 集積ｐｉｎ光検出器および方法 - Google Patents
集積ｐｉｎ光検出器および方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般に、半導体デバイスに関し、更に詳細
には、半導体集積回路用集積光検出器をこのような集積
回路に使用される方法および構造に適合するようにして
提供する手段および方法に関する。
には、半導体集積回路用集積光検出器をこのような集積
回路に使用される方法および構造に適合するようにして
提供する手段および方法に関する。
（従来の技術および発明が解決しようとする課題） 従来技術としてハイブリット手法により集積回路に光
学的結合を提供する技術は知られている、すなわち、光
学的に受信した信号を使用する目的で形成された回路を
備えている半導体ダイ上または近傍に載置され、別々に
構成された光学検出器を用い、次いで検出器ダイおよび
集積回路ダイをワイヤ・ボンディング、タブ・ボンディ
ング、はんだバンプなどにより接続する技術が知られて
いる。この手法は光学デバイスおよび集積回路をそれら
の製造特性および電気特性に関する限り、個別に最適化
することができるという長所がある。しかしながら、極
めて小さな光学デバイスが非常に複雑かつ高密度の最新
の集積回路と組合せて使用するために必要とされると
き、このハイブリッド手法ではもはや満足できない。し
たがって、電気的に結合され、かつ寸法の小さい半導体
集積回路と同じ基板上に同時に高性能光検出器を組立て
る手段および方法が必要となる。
学的結合を提供する技術は知られている、すなわち、光
学的に受信した信号を使用する目的で形成された回路を
備えている半導体ダイ上または近傍に載置され、別々に
構成された光学検出器を用い、次いで検出器ダイおよび
集積回路ダイをワイヤ・ボンディング、タブ・ボンディ
ング、はんだバンプなどにより接続する技術が知られて
いる。この手法は光学デバイスおよび集積回路をそれら
の製造特性および電気特性に関する限り、個別に最適化
することができるという長所がある。しかしながら、極
めて小さな光学デバイスが非常に複雑かつ高密度の最新
の集積回路と組合せて使用するために必要とされると
き、このハイブリッド手法ではもはや満足できない。し
たがって、電気的に結合され、かつ寸法の小さい半導体
集積回路と同じ基板上に同時に高性能光検出器を組立て
る手段および方法が必要となる。
したがって、本発明の目的は光検出器を集積回路の一
部として形成する手段および方法を提供することであ
る。
部として形成する手段および方法を提供することであ
る。
本発明の他の目的は両立性のある製造方法および構造
を用いて光検出器を集積回路の一部として形成する手段
および方法を提供することである。
を用いて光検出器を集積回路の一部として形成する手段
および方法を提供することである。
本発明の別の目的は両立性のある製造方法および構造
を用いる集積回路の一部としてかつ集積回路、特に高速
高密度バイポーラ集積回路に通常使用され、低電圧で高
感度および高性能な光検出器を形成する手段および方法
を提供することである。
を用いる集積回路の一部としてかつ集積回路、特に高速
高密度バイポーラ集積回路に通常使用され、低電圧で高
感度および高性能な光検出器を形成する手段および方法
を提供することである。
半導体材料に関連してここで使用される用語「真性」
（intrinsic）とは、電気固有抵抗が約100オーム・cmよ
り大きいいずれかの導電型の半導体材料をいう。
（intrinsic）とは、電気固有抵抗が約100オーム・cmよ
り大きいいずれかの導電型の半導体材料をいう。
（課題を解決するための手段） 前述および他の目的および利点は、空洞が形成されて
いる主要表面を有する半導体ウェーハが提供される本発
明の方法および構造によって得られる。空洞にはウェー
ハ内に延びる側壁およびウェーハ表面から一定距離隔て
た第１導電型の底面がある。誘電体の隔離層（liner）
が空洞の側壁に設けられている。実質的な真性半導体材
料が空洞内で底面に接触して形成されており、その表面
に第１の型とは反対の第２導電型の不純物が添加されて
いる。オーム接点がドープ領域に形成されている。
いる主要表面を有する半導体ウェーハが提供される本発
明の方法および構造によって得られる。空洞にはウェー
ハ内に延びる側壁およびウェーハ表面から一定距離隔て
た第１導電型の底面がある。誘電体の隔離層（liner）
が空洞の側壁に設けられている。実質的な真性半導体材
料が空洞内で底面に接触して形成されており、その表面
に第１の型とは反対の第２導電型の不純物が添加されて
いる。オーム接点がドープ領域に形成されている。
基板が薄膜エピ層を備えている場合には、空洞は表面
エピ層を貫いて基板まで延びていることが望ましい。
エピ層を貫いて基板まで延びていることが望ましい。
空洞底面から核形成した実質的に単結晶の半導体材料
を空洞内に少くとも部分的に充填するのが望ましい。更
に、再充填段階の前に空洞の横方向外側に空洞内に形成
した半導体材料が核形成しない基板表面を設けるのが望
ましい。
を空洞内に少くとも部分的に充填するのが望ましい。更
に、再充填段階の前に空洞の横方向外側に空洞内に形成
した半導体材料が核形成しない基板表面を設けるのが望
ましい。
前述の工程にしたがって構成された集積光検出器は任
意の表面エピ層を有する半導体ウェーハ、表面エピ層を
貫いて基板まで延びる空洞、空洞側壁の誘電体隔離層、
空洞底面から核形成し空洞を実質上埋めている実質的な
真性半導体材料、および真性材料の外面に形成された基
板とは反対導電型のドープ領域から構成されている。オ
ーム接点がドープ領域に設けられており、これは下層の
真性材料へ光を導く。
意の表面エピ層を有する半導体ウェーハ、表面エピ層を
貫いて基板まで延びる空洞、空洞側壁の誘電体隔離層、
空洞底面から核形成し空洞を実質上埋めている実質的な
真性半導体材料、および真性材料の外面に形成された基
板とは反対導電型のドープ領域から構成されている。オ
ーム接点がドープ領域に設けられており、これは下層の
真性材料へ光を導く。
（実施例） 第１図を参照すると、表面エピ層12を有する半導体ウ
ェーハ10は保護層14,16,18が形成されている。図示した
例においては、基板10はＰ型であり、エピ層12はＮ型シ
リコンであるが、これは集積回路、特にバイポーラ集積
回路には頻繁に使用される配列である。ただし、他の材
料および導電型も使用することができる。典型的な応用
として、エピ層12の厚さ13は約0.6から2.0マイクロメー
トルの範囲にあり、約0.8から1.2マイクロメートルが便
利であり、約1.0マイクロメートルが典型的である。エ
ピ層12は本発明には不可欠ではないが、集積回路には頻
繁に使用されるので特に重要である。集積光検出器を形
成する本方法および構造はエピ層12が存在してもしなく
ても具合よく働く。
ェーハ10は保護層14,16,18が形成されている。図示した
例においては、基板10はＰ型であり、エピ層12はＮ型シ
リコンであるが、これは集積回路、特にバイポーラ集積
回路には頻繁に使用される配列である。ただし、他の材
料および導電型も使用することができる。典型的な応用
として、エピ層12の厚さ13は約0.6から2.0マイクロメー
トルの範囲にあり、約0.8から1.2マイクロメートルが便
利であり、約1.0マイクロメートルが典型的である。エ
ピ層12は本発明には不可欠ではないが、集積回路には頻
繁に使用されるので特に重要である。集積光検出器を形
成する本方法および構造はエピ層12が存在してもしなく
ても具合よく働く。
二酸化ケイ素である層14は、たとえば、エピ層12を熱
酸化することにより形成すると都合がよい。層14は望ま
しいが不可欠ではなく、主としてエピ層12と層16,18と
の間のバッファ層として意図されたものである。層14の
厚さは約0.05から0.1マイクロメートルが便利であり、
約0.07マイクロメートルが好適である。層14はどんな便
宜な技法によっても準備することができるが、シリコン
基板には熱酸化が好適である。これより厚い層または薄
い層も使用することができる。このような層を形成する
方法は当業者には周知である。
酸化することにより形成すると都合がよい。層14は望ま
しいが不可欠ではなく、主としてエピ層12と層16,18と
の間のバッファ層として意図されたものである。層14の
厚さは約0.05から0.1マイクロメートルが便利であり、
約0.07マイクロメートルが好適である。層14はどんな便
宜な技法によっても準備することができるが、シリコン
基板には熱酸化が好適である。これより厚い層または薄
い層も使用することができる。このような層を形成する
方法は当業者には周知である。
層16は窒化ケイ素から構成するのが便利であるが、エ
ピ層12および基板10のエッチングに耐える他のマスキン
グ材料も使用することができる。層16の厚さは約0.1か
ら0.2マイクロメートルが便利であり、約0.15マイクロ
メートルが典型的であるが、これより厚い層または薄い
層も使用することができる。窒化ケイ素層を形成する方
法は当業者には周知である。
ピ層12および基板10のエッチングに耐える他のマスキン
グ材料も使用することができる。層16の厚さは約0.1か
ら0.2マイクロメートルが便利であり、約0.15マイクロ
メートルが典型的であるが、これより厚い層または薄い
層も使用することができる。窒化ケイ素層を形成する方
法は当業者には周知である。
層18は下層14,16を通して開口20を形成し、エピ層12
および基板10をエッチングするマスクとして機能する。
層18はどんな便利なマスキング材料から構成してもよ
い。ホトレジストおよび電子ビームレジストは当業界に
は周知の典型的な材料である。酸化物、窒化物、ガラ
ス、またはそれらの混合物のような硬質マスキング材料
も使用することができる。マスク層18を形成し、開口20
を形成する手段および方法は当業者に周知である。
および基板10をエッチングするマスクとして機能する。
層18はどんな便利なマスキング材料から構成してもよ
い。ホトレジストおよび電子ビームレジストは当業界に
は周知の典型的な材料である。酸化物、窒化物、ガラ
ス、またはそれらの混合物のような硬質マスキング材料
も使用することができる。マスク層18を形成し、開口20
を形成する手段および方法は当業者に周知である。
光検出器の形状および横方向寸法は開口20の形状およ
び横方向寸法から後に説明する側壁スペーサ（第６図を
参照）の厚さを減じることによって決められる。検出器
を単一モード光ファイバと共に使用しようとする場合に
は、横寸法は約10マイクロメートルが典型的であり、多
重モード光ファイバと共に使用するときは、横方向寸法
は100マイクロメートルが典型的である。これより大き
い検出器を使用することができるが、消費されるダイ面
積が大きくなり、高密度の回路には望ましくない。光入
力を検出器区域内に適確に集光して検出器の横方向外側
の光信号損失を無視できるようにすることができれば、
もっと小さい検出器を使用することができる。
び横方向寸法から後に説明する側壁スペーサ（第６図を
参照）の厚さを減じることによって決められる。検出器
を単一モード光ファイバと共に使用しようとする場合に
は、横寸法は約10マイクロメートルが典型的であり、多
重モード光ファイバと共に使用するときは、横方向寸法
は100マイクロメートルが典型的である。これより大き
い検出器を使用することができるが、消費されるダイ面
積が大きくなり、高密度の回路には望ましくない。光入
力を検出器区域内に適確に集光して検出器の横方向外側
の光信号損失を無視できるようにすることができれば、
もっと小さい検出器を使用することができる。
複数の層14,16,18が望ましいが、これらは不可欠なも
のではない。傾斜を有するかまたは均質の、半導体10,1
2の表面部分21をエッチングおよび他の工程に対して保
護することができる単一マスキング層も使用することが
できる。このような層を形成する方法は周知である。ガ
ラス、酸化ケイ素、窒化ケイ素、または酸窒化ケイ素は
適当な単層マスキング材料の例であり、これらに限定さ
れるものではない。後に説明するように、光検出器を形
成する半導体材料の選択エピタキシャル・デポジション
中にマスク層を核形成させないことも望ましい。
のではない。傾斜を有するかまたは均質の、半導体10,1
2の表面部分21をエッチングおよび他の工程に対して保
護することができる単一マスキング層も使用することが
できる。このような層を形成する方法は周知である。ガ
ラス、酸化ケイ素、窒化ケイ素、または酸窒化ケイ素は
適当な単層マスキング材料の例であり、これらに限定さ
れるものではない。後に説明するように、光検出器を形
成する半導体材料の選択エピタキシャル・デポジション
中にマスク層を核形成させないことも望ましい。
第２図を参照すると、深さ25の空洞24が開口20の下の
半導体10,12の表面部分22にエッチングされる。異方性
エッチングが好適である。深さ25は好適には厚さ13より
大きく空洞24がエピ層12を貫いて突出するようにする。
これはほとんどの高性能バイポーラ集積回路において
は、エピ層12の厚さ13は光を効率良く吸収するに必要な
距離より小さいからである。したがって、集積光検出器
が形成される空洞24はほとんどの場合、厚さ13より大き
い深さ25を有する。深さ25は約３から20マイクロメート
ルの範囲にあるのが便利であり、７から13マイクロメー
トルが有用で、約10マイクロメートルが典型的である。
これより深さを大きくすることもできる。マスク18は空
洞24をエッチングした後除去することができる。
半導体10,12の表面部分22にエッチングされる。異方性
エッチングが好適である。深さ25は好適には厚さ13より
大きく空洞24がエピ層12を貫いて突出するようにする。
これはほとんどの高性能バイポーラ集積回路において
は、エピ層12の厚さ13は光を効率良く吸収するに必要な
距離より小さいからである。したがって、集積光検出器
が形成される空洞24はほとんどの場合、厚さ13より大き
い深さ25を有する。深さ25は約３から20マイクロメート
ルの範囲にあるのが便利であり、７から13マイクロメー
トルが有用で、約10マイクロメートルが典型的である。
これより深さを大きくすることもできる。マスク18は空
洞24をエッチングした後除去することができる。
層14は空洞24の底面26および側壁28に、たとえば熱酸
化により再構成されるが、他の技法をも利用することが
できる。この工程は望ましいが不可欠のものではない。
化により再構成されるが、他の技法をも利用することが
できる。この工程は望ましいが不可欠のものではない。
たとえば二酸化ケイ素である誘電体層32は空洞24の側
壁上に形成されるようにウェーハ全面に均等に堆積され
る。層32の厚さは便宜上約0.1から0.5マイクロメートル
で、約0.3マイクロメートルが典型である。CVDおよびLP
CVDが当業者に周知の適当なデポジション技法である
が、他の技法も利用することができる。空洞24に形成さ
れた検出器とエピ層12との間を横方向に誘電的に分離す
るのに充分な厚さが側壁28の上に残っていれば、これよ
り厚い層または薄い層も利用することができる。
壁上に形成されるようにウェーハ全面に均等に堆積され
る。層32の厚さは便宜上約0.1から0.5マイクロメートル
で、約0.3マイクロメートルが典型である。CVDおよびLP
CVDが当業者に周知の適当なデポジション技法である
が、他の技法も利用することができる。空洞24に形成さ
れた検出器とエピ層12との間を横方向に誘電的に分離す
るのに充分な厚さが側壁28の上に残っていれば、これよ
り厚い層または薄い層も利用することができる。
次に層32を当業者に周知の異方性エッチングを利用し
てエッチングし、層32の部分34および35を除去すると共
に部分36を側壁28に残す（第４図を参照）。
てエッチングし、層32の部分34および35を除去すると共
に部分36を側壁28に残す（第４図を参照）。
今度は第４図〜第５図を参照すると、空洞24の底面26
が領域38にドープされてその導電性を高める。この例に
おいてはＰ型基板10に対して接触抵抗が低くなるように
P+がドープされているが、これは不可欠ではない。イオ
ン注入は便利な方法であるが、他の技法も利用すること
ができる。層14,16は底面26が露出している間表面21を
保護し続けるので、マスキング工程は不要である。必要
なら注入前に薄いスクリーン酸化物を底面26の上に設け
て注入損傷を減らすことができるが、これは不可欠では
ない。使用してあれば、次の工程に進む前に除去すべき
である。また、空洞24に半導体を充填する前に空洞24の
底面26を軽くエッチングして初期の工程段階で生じてい
ることがある構造的損傷を除去するのが望ましい。湿式
エッチングが好適である。
が領域38にドープされてその導電性を高める。この例に
おいてはＰ型基板10に対して接触抵抗が低くなるように
P+がドープされているが、これは不可欠ではない。イオ
ン注入は便利な方法であるが、他の技法も利用すること
ができる。層14,16は底面26が露出している間表面21を
保護し続けるので、マスキング工程は不要である。必要
なら注入前に薄いスクリーン酸化物を底面26の上に設け
て注入損傷を減らすことができるが、これは不可欠では
ない。使用してあれば、次の工程に進む前に除去すべき
である。また、空洞24に半導体を充填する前に空洞24の
底面26を軽くエッチングして初期の工程段階で生じてい
ることがある構造的損傷を除去するのが望ましい。湿式
エッチングが好適である。
真性半導体領域40は（選択的に）ドープ領域38（第４
図を参照）上の空洞24の内部に形成される。半導体領域
40として多結晶材料を使用することができるが、底面26
上にエピタキシャル成長した単結晶材料は更に良い結果
を与える。領域40には上表面42を有する。半導体形成領
域40は高い電気固有抵抗を有し、すなわち、約100オー
ム・cmより大きく、好適には約1000オーム・cm以上を有
していることが重要である。その理由は、ほとんどの集
積回路においては、特に高密度で複雑な最新の集積回路
においては、電源電圧および論理電圧はわずか数ボル
ト、典型的には５ボルト以下だからである。更に、現在
の傾向はもっと低い電圧にさえ向っている。電圧が低く
なる程、適当な幅の空間電荷領域を設けるために必要な
材料の電気固有抵抗が高くなる。空間電荷領域が狭すぎ
ると、光の大部分が空間電荷領域の外側で吸収され、感
度が不充分となる。シリコンでかつ波長が約830ナノメ
ートルの光を用いる場合、光学的吸収の深さは約10ナノ
メートルである。５ボルト電源の場合、真性領域は、ほ
ぼ同程度の厚さの空間電荷領域を設けるためには、約10
0オーム・cmの電気固有抵抗を持っていなければならな
い。当業者はここに記した説明に基き適切な厚さの空間
電荷領域を作るように領域40における真性材料の電気固
有抵抗および厚さを選定する仕方を理解するであろう。
図を参照）上の空洞24の内部に形成される。半導体領域
40として多結晶材料を使用することができるが、底面26
上にエピタキシャル成長した単結晶材料は更に良い結果
を与える。領域40には上表面42を有する。半導体形成領
域40は高い電気固有抵抗を有し、すなわち、約100オー
ム・cmより大きく、好適には約1000オーム・cm以上を有
していることが重要である。その理由は、ほとんどの集
積回路においては、特に高密度で複雑な最新の集積回路
においては、電源電圧および論理電圧はわずか数ボル
ト、典型的には５ボルト以下だからである。更に、現在
の傾向はもっと低い電圧にさえ向っている。電圧が低く
なる程、適当な幅の空間電荷領域を設けるために必要な
材料の電気固有抵抗が高くなる。空間電荷領域が狭すぎ
ると、光の大部分が空間電荷領域の外側で吸収され、感
度が不充分となる。シリコンでかつ波長が約830ナノメ
ートルの光を用いる場合、光学的吸収の深さは約10ナノ
メートルである。５ボルト電源の場合、真性領域は、ほ
ぼ同程度の厚さの空間電荷領域を設けるためには、約10
0オーム・cmの電気固有抵抗を持っていなければならな
い。当業者はここに記した説明に基き適切な厚さの空間
電荷領域を作るように領域40における真性材料の電気固
有抵抗および厚さを選定する仕方を理解するであろう。
領域40は選択的エピタキシャル・デポジションによっ
て、すなわち、半導体材料40が基板10の露出した空洞底
面26上に核形成するが、空洞24の横方向外側の表面部分
21上方の他の層上にある誘電体表面上には核形成しない
ような条件のもとで、形成されるのが望ましい。選択的
エピタキシャル成長のための方法は当業者に周知であ
り、たとえば、米国特許第4,400,411号、第4,395,433
号、および第4,101,305号、およびソリッド・ステート
・テクノロジー誌、第28巻（８）（1985）141〜148頁の
J.O.Borland他による「選択的エピタキシャル成長法に
よる最新誘電絶縁法」に記されている。酸化ケイ素、窒
化ケイ素、およびそれらの混合物はエピタキシャル・シ
リコン成長中に核形成しないように配列することのでき
る材料の例である。代案として、半導体材料の均等エピ
タキシャル層を全面に形成し、空洞24を充填し、表面21
の層全面に拡げ、次にエッチングまたはラップして空洞
24の内部に部分40を残す。
て、すなわち、半導体材料40が基板10の露出した空洞底
面26上に核形成するが、空洞24の横方向外側の表面部分
21上方の他の層上にある誘電体表面上には核形成しない
ような条件のもとで、形成されるのが望ましい。選択的
エピタキシャル成長のための方法は当業者に周知であ
り、たとえば、米国特許第4,400,411号、第4,395,433
号、および第4,101,305号、およびソリッド・ステート
・テクノロジー誌、第28巻（８）（1985）141〜148頁の
J.O.Borland他による「選択的エピタキシャル成長法に
よる最新誘電絶縁法」に記されている。酸化ケイ素、窒
化ケイ素、およびそれらの混合物はエピタキシャル・シ
リコン成長中に核形成しないように配列することのでき
る材料の例である。代案として、半導体材料の均等エピ
タキシャル層を全面に形成し、空洞24を充填し、表面21
の層全面に拡げ、次にエッチングまたはラップして空洞
24の内部に部分40を残す。
第５図〜第６図を参照すると、真性半導体領域40の上
面42にドープされ、この例では、表面42まで延びる浅い
N+領域44が設けられている。イオン注入は適当なドーピ
ング法であるが、当業者に周知の他の方法も使用するこ
とができる。領域44は、接合空間電荷領域のための適当
な場所が残りの真性材料内に拡がることができるよう
に、比較的浅いこと、すなわち、真性領域40の厚さの約
10パーセント未満、好適には約５パーセント未満、便利
なのは厚さの約１から２パーセントであることが望まし
い。空洞24内部の構造は光吸収深度と同程度の厚さの空
間電荷領域を有するPIN光検出器38,40,44を備えること
になる。この構造は感度が高く、最新の集積回路と組合
わせて使用するには非常に好適である。
面42にドープされ、この例では、表面42まで延びる浅い
N+領域44が設けられている。イオン注入は適当なドーピ
ング法であるが、当業者に周知の他の方法も使用するこ
とができる。領域44は、接合空間電荷領域のための適当
な場所が残りの真性材料内に拡がることができるよう
に、比較的浅いこと、すなわち、真性領域40の厚さの約
10パーセント未満、好適には約５パーセント未満、便利
なのは厚さの約１から２パーセントであることが望まし
い。空洞24内部の構造は光吸収深度と同程度の厚さの空
間電荷領域を有するPIN光検出器38,40,44を備えること
になる。この構造は感度が高く、最新の集積回路と組合
わせて使用するには非常に好適である。
たとえば、多結晶半導体（例として、ポリシリコンま
たは他の導体）の導電層46は表面42上に形成されてドー
プ領域44と接触している。層46は強くドープされた、た
とえば、N+で、かつ比較的薄いことが望ましく、その結
果入射光47に対してなお実質上透明なPIN検出器38,40,4
4と抵抵抗電気接点を得る。層46の都合の良い厚さは約
0.15から0.4マイクロメートルで、約0.3マイクロメート
ルが典型的である。都合の良いシート抵抗（sheet resi
stance）は約10から200オーム／平方で、約100オーム／
平方が典型的である。このような層を形成する方法は当
業者には周知である。
たは他の導体）の導電層46は表面42上に形成されてドー
プ領域44と接触している。層46は強くドープされた、た
とえば、N+で、かつ比較的薄いことが望ましく、その結
果入射光47に対してなお実質上透明なPIN検出器38,40,4
4と抵抵抗電気接点を得る。層46の都合の良い厚さは約
0.15から0.4マイクロメートルで、約0.3マイクロメート
ルが典型的である。都合の良いシート抵抗（sheet resi
stance）は約10から200オーム／平方で、約100オーム／
平方が典型的である。このような層を形成する方法は当
業者には周知である。
代りに、層46はドープ層44が形成される前に堆積させ
ることができ、層44は層46からドーパントを外方拡散法
によって形成される。この手順には領域44を形成するた
めの分離ドーピング工程が不要であるという利点があ
る。層46はドープして堆積し、またはそれ程のドーピン
グを行わないで堆積し、その後イオン注入または他の周
知の方法でドープすることができる。
ることができ、層44は層46からドーパントを外方拡散法
によって形成される。この手順には領域44を形成するた
めの分離ドーピング工程が不要であるという利点があ
る。層46はドープして堆積し、またはそれ程のドーピン
グを行わないで堆積し、その後イオン注入または他の周
知の方法でドープすることができる。
層46は、たとえば、PIN検出器38,40,44を同じ基板上
の他のデバイスの入力端子、たとえばFETのゲートまた
はバイポーラ・トランジスタのベース、に相互接続する
のに使用される。このようなデバイス、およびポリシリ
コン接点および相互接続層の使用については、たとえ
ば、Peter J.Zdebel等の米国特許出願第07/009,322号
「多結晶電極接点を有する集積回路構造および方法」に
説明されており、これを参考にしてここに具体化してい
る。
の他のデバイスの入力端子、たとえばFETのゲートまた
はバイポーラ・トランジスタのベース、に相互接続する
のに使用される。このようなデバイス、およびポリシリ
コン接点および相互接続層の使用については、たとえ
ば、Peter J.Zdebel等の米国特許出願第07/009,322号
「多結晶電極接点を有する集積回路構造および方法」に
説明されており、これを参考にしてここに具体化してい
る。
PIN検出器38,40,44に入射する光47は検出器を導電性
にさせ、または電流を発生させ、そのいずれかが当業者
に周知の手段を用いてバイポーラまたは電界効果トラン
ジスタまたは他の増幅デバイスの入力に結合され、所要
の出力信号を同じ半導体ダイ上の残りの集積回路に供給
して、光入力が、少くとも部分的に、電気出力を制御す
る。
にさせ、または電流を発生させ、そのいずれかが当業者
に周知の手段を用いてバイポーラまたは電界効果トラン
ジスタまたは他の増幅デバイスの入力に結合され、所要
の出力信号を同じ半導体ダイ上の残りの集積回路に供給
して、光入力が、少くとも部分的に、電気出力を制御す
る。
光透明開口50を有する別の導体48は導体46の全面に施
してその直列抵抗を減らすことができる（第６図を参
照）。ドープ半導体、金属間化合物、および金属が適当
である。開口50はPIN検出器38,40,44に入る光の通路を
遮断しないような寸法にすべきである。たとえば、ガラ
ス、二酸化シリコン、窒化シリコン、またはそれらの混
合物、または有機絶縁物の、パッシベーション層54を層
46,48上に施して表面の保護および安定化を向上させる
ことができる。層54は光47に対して透明でなければなら
ない。このような導体および誘電体を施す方法は当業者
に周知である。
してその直列抵抗を減らすことができる（第６図を参
照）。ドープ半導体、金属間化合物、および金属が適当
である。開口50はPIN検出器38,40,44に入る光の通路を
遮断しないような寸法にすべきである。たとえば、ガラ
ス、二酸化シリコン、窒化シリコン、またはそれらの混
合物、または有機絶縁物の、パッシベーション層54を層
46,48上に施して表面の保護および安定化を向上させる
ことができる。層54は光47に対して透明でなければなら
ない。このような導体および誘電体を施す方法は当業者
に周知である。
（発明の効果） 本発明の特徴の一つは真性領域40の厚さをエピ層12の
厚さとは無関係に別々に調節して検出器38,40,44から最
適の光電応答を得るようにすることができることであ
る。感度を高くするには電圧を加えて生ずる空間電荷領
域を光を吸収する領域と実質上重ねるのが望ましい。空
間電荷領域の電界は吸収された光子により生ずる電子・
空孔対を分離する。空間電荷領域が薄ければ、光のわず
かな部分だけがそこに吸収され、電子・空孔対の大部分
は他のどこかに生ずることになって感度が不充分にな
る。これは光検出器をエピ層が光を効率良く吸収するに
は薄すぎる高性能の集積回路のエピ層内部に作る場合に
生ずる。したがって、集積回路を作り上げる他のデバイ
ス領域に課される制約とは無関係に、真性領域の厚さを
調整する本発明の方法により提供される結果には非常に
価値がある。
厚さとは無関係に別々に調節して検出器38,40,44から最
適の光電応答を得るようにすることができることであ
る。感度を高くするには電圧を加えて生ずる空間電荷領
域を光を吸収する領域と実質上重ねるのが望ましい。空
間電荷領域の電界は吸収された光子により生ずる電子・
空孔対を分離する。空間電荷領域が薄ければ、光のわず
かな部分だけがそこに吸収され、電子・空孔対の大部分
は他のどこかに生ずることになって感度が不充分にな
る。これは光検出器をエピ層が光を効率良く吸収するに
は薄すぎる高性能の集積回路のエピ層内部に作る場合に
生ずる。したがって、集積回路を作り上げる他のデバイ
ス領域に課される制約とは無関係に、真性領域の厚さを
調整する本発明の方法により提供される結果には非常に
価値がある。
第１図〜第６図は本発明による製作の異なる段階におけ
る半導体ウェーハの一部の簡略概要断面図を示す。 10……半導体ウェーハ、12……表面エピ層、 20……開口、24……空洞、32……誘電体層、 38,44……ドープ領域、40……真性半導体領域、 46……導電層、47……入射光
る半導体ウェーハの一部の簡略概要断面図を示す。 10……半導体ウェーハ、12……表面エピ層、 20……開口、24……空洞、32……誘電体層、 38,44……ドープ領域、40……真性半導体領域、 46……導電層、47……入射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サル・ティー・マストロイアンニ アメリカ合衆国アリゾナ州テンペ、イー スト・キャロライン・レーン2029 (56)参考文献 特開 昭63−90867（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−122180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−84060（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36857（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−57258（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−23581（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−65851（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】集積縦型PINダイオードを形成する方法で
あって： 主要表面を有する半導体ウェーハを準備する段階； 前記表面から前記半導体ウェーハに貫入し、前記表面か
ら一定距離隔てた底面および前記表面と底面との間に延
在する側壁を有しており、前記底面が第１導電型を有す
る空洞を形成する段階； 前記空洞の側壁に誘電体の隔離層を設ける段階； 前記空洞の横方向外側の表面の部分を前記実質的に真性
な半導体領域の堆積を阻止する材料で被覆する段階； 前記空洞の底面に接触し、前記底面から一定距離隔てた
上面を有している、実質的に真性な半導体領域を形成す
る段階；および 前記実質的に真性な半導体領域の上面に前記第１導電型
とは反対の第２導電型のドープ領域を形成する段階であ
って、前記第２導電型ドープ領域は前記空洞の底面の上
方に置かれ、前記空洞の底面および前記第２導電型のド
ープ領域は前記集積縦型PINダイオードのＰ部分および
Ｎ部分をそれぞれ形成し、前記実質的に真性な半導体領
域は前記集積縦型PINダイオードのＩ部分を形成するこ
とを特徴とする集積縦型PINダイオードを形成する方
法。 - 【請求項２】前記ドープ領域を形成する段階はその厚さ
が前記実質的に真性な領域と比較して薄い前記ドープ領
域を形成することから成る請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記半導体ウェーハを準備する段階は、前
記空洞の底面の導電型とは反対の導電型のエピタキシャ
ル層を有する段階であって、前記実質的に真性な半導体
領域の厚みより薄い前記エピタキシャル層を有する半導
体ウェーハを準備する段階から成る請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】前記実質的に真性な半導体領域を形成する
段階が前記堆積を阻止する材料の上にではなく前記空洞
の底面上に選択的なエピタキシャル堆積することにより
形成することから成る請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US228,646 | 1988-08-05 | ||
| US07/228,646 US4847210A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Integrated pin photo-detector method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287684A JPH0287684A (ja) | 1990-03-28 |
| JP2722696B2 true JP2722696B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=22858052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201508A Expired - Fee Related JP2722696B2 (ja) | 1988-08-05 | 1989-08-04 | 集積ｐｉｎ光検出器および方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4847210A (ja) |
| JP (1) | JP2722696B2 (ja) |
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| US5164328A (en) * | 1990-06-25 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Method of bump bonding and sealing an accelerometer chip onto an integrated circuit chip |
| DE4033363A1 (de) * | 1990-10-17 | 1992-04-23 | Rainer Richter | Photodiode |
| DE69409780T2 (de) * | 1993-12-20 | 1998-11-12 | Nec Corp | Verfahren zur Herstellung opto-elektrischer Halbleiterbauelemente |
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- 1988-08-05 US US07/228,646 patent/US4847210A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201508A patent/JP2722696B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US4847210A (en) | 1989-07-11 |
| JPH0287684A (ja) | 1990-03-28 |
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