JP5219993B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
・放射ビームB(例えば、UV放射又はDUV放射)を条件付けするように構成された照明システム(照明装置)ILと、
・パターン形成デバイス(例えば、マスク)MAを支持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置付けするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
・基板(例えば、レジスト被覆ウェーハ)Wを保持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハ・テーブル)WTと、
・パターン形成デバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つ又は複数のチップを備える)に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズ・システム)PSと、を備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度に目標部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次に、異なる目標部分Cが露光されるように、基板テーブルWTはX方向及び/又はY方向に移動される。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは同期して走査される(すなわち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光での目標部分の(非走査方向の)幅が制限されるが、走査移動の長さによって目標部分の(走査方向の)高さが決定される。
3.他のモードでは、マスク・テーブルMTは、プログラム可能パターン形成デバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、そして基板テーブルWTは、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影されている間に、動かされる、すなわち走査される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、そしてプログラム可能パターン形成デバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、又は走査中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラム可能ミラー・アレイのようなプログラム可能パターン形成デバイスを使用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用することができる。
PS 投影システム
MA パターン形成デバイス(マスク、レチクル)
MT マスク・テーブル
B 放射ビーム
W 基板(ウェーハ)
WT 基板テーブル
PL 投影システム
11 スペース
12 隔壁要素
13 浸漬液入口/出口
14 ガス/浸漬液出口
15 ガス入口
16 ガスの流れ(無接触封止)
20 液体除去デバイス
40 凹部
42 ガス入口
44 ガス出口
60 ガス・ナイフ
80 浸漬液出口
100 基板の縁
102 基板テーブルの縁
110 ギャップ
160 メニスカス
300 浸漬液入口
Claims (1)
- 隔壁要素によってスペースに閉じ込められた液体を通して放射ビームを基板又は他の物体に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、液体入口が出口の半径方向内側の方の前記隔壁要素の底面に設けられ、前記入口は、前記入口の半径方向外側の方の位置で前記液体に形成された泡が前記入口の半径方向内側の方に動くのを実質的に妨げるために流出液が有効であるように、前記流出液を少なくとも部分的に半径方向外側の方に向けるように形作られている、リソグラフィ投影装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/167,563 US7468779B2 (en) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/167,563 | 2005-06-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006176023A Division JP4566952B2 (ja) | 2005-06-28 | 2006-06-27 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012109711A Division JP5349644B2 (ja) | 2005-06-28 | 2012-05-11 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114455A JP2010114455A (ja) | 2010-05-20 |
JP5219993B2 true JP5219993B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=37566909
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006176023A Expired - Fee Related JP4566952B2 (ja) | 2005-06-28 | 2006-06-27 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009293786A Expired - Fee Related JP5219993B2 (ja) | 2005-06-28 | 2009-12-25 | リソグラフィ装置 |
JP2012109711A Active JP5349644B2 (ja) | 2005-06-28 | 2012-05-11 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006176023A Expired - Fee Related JP4566952B2 (ja) | 2005-06-28 | 2006-06-27 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012109711A Active JP5349644B2 (ja) | 2005-06-28 | 2012-05-11 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7468779B2 (ja) |
JP (3) | JP4566952B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101556454B1 (ko) | 2004-06-10 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4752374B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7692765B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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SG159467A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-30 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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JP6241384B2 (ja) | 2014-07-17 | 2017-12-06 | ウシオ電機株式会社 | 自己組織化単分子膜のパターニング装置、光照射装置及び自己組織化単分子膜のパターニング方法 |
Family Cites Families (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE206607C (ja) | ||||
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US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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-
2005
- 2005-06-28 US US11/167,563 patent/US7468779B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-27 JP JP2006176023A patent/JP4566952B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-17 US US12/292,329 patent/US7929112B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009293786A patent/JP5219993B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-11 US US13/083,966 patent/US8687168B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-11 JP JP2012109711A patent/JP5349644B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110188015A1 (en) | 2011-08-04 |
US20060290908A1 (en) | 2006-12-28 |
JP5349644B2 (ja) | 2013-11-20 |
US7468779B2 (en) | 2008-12-23 |
US20090073408A1 (en) | 2009-03-19 |
JP2012147039A (ja) | 2012-08-02 |
JP2007013150A (ja) | 2007-01-18 |
JP4566952B2 (ja) | 2010-10-20 |
JP2010114455A (ja) | 2010-05-20 |
US7929112B2 (en) | 2011-04-19 |
US8687168B2 (en) | 2014-04-01 |
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Legal Events
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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