JP5205115B2 - 純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤ及びMIGアーク溶接方法 - Google Patents
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Description
(1)電気的にアーク放出を促進しやすい元素をアーク発生箇所つまり陽極点に露出させる。
(2)エネルギーポテンシャルを下げ、陽極点と陰極点を安定にする酸素をワイヤ13から供給する。
(3)強力な脱酸効果を持ち、溶鉄の表面張力を高めることによって液柱17ではなく球状の液滴19にしてアーク31の指向方向の影響を受けにくくする。以上の3点によってアーク31の安定性を改善する。
上述のとおり、グラファイトをフラックス131として添加することで純Ar雰囲気中でも安定なアーク発生源となる。これはワイヤ13の全質量あたり0.16質量%以上のときに有効となる。結果として低スパッタ化に効果的であり、溶接ビード173の直線性に関しても一般的なCO2系の溶接と同様に優れる。好ましくは0.25質量%以上、更に好ましくは0.45質量%以上とするとアーク安定性、低スパッタ性、直線性が向上する。一方、グラファイトが2.00質量%を越えるとアーク力が過剰となり、スパッタ171が多発し、更に水素割れも多発する。したがって2.00質量%をグラファイトの上限とする。
上述のとおり、鉄粉は微細なために酸素を表面に多量に保持しており、純Ar環境下のアーク発生点においてグラファイトと共存することでアーク発生源となる。これはフラックス131の全質量あたり20質量%以上のときに有効である。過剰添加となる短所はないため、上限を設ける必要はなく、40質量%以上であればより好ましい。なお、鉄粉の定義としてはFe濃度95質量%以上でかつ粒度が500μm以下の粉体とする。
本発明のフラックス入りワイヤ13の構造は従来と同じである。ワイヤ13の製造方法は外皮133となる帯鋼の長さ方向にフラックス131を散布してから、包み込むように帯鋼両端を押圧し、円形断面に成形し伸線する方法、又は外皮133となる太径のシームレス鋼管にフラックス131を充填して伸線する方法があるが、本発明ではいずれの方法でも構わない。更にシームがあるものとないものがあるが、これもいずれでも構わない。外皮133の成分については何ら規定する必要はないが、コスト面と伸線性の面から軟鋼の材質を用いるのが一般的である。また、表面に銅メッキを施す場合もあるが、これもいずれでも構わない。
純Ar雰囲気でのアーク安定性を劇的に改善させる手段は、グラファイトと鉄粉をフラックス131として用いることにあるが、これらと共存し、安定化効果を更に高めるのがTiとZrである。これらを適当量添加するとワイヤ先端の溶滴19を粒状化し、ふらつきを抑制できる。この効果を発揮される下限は0.03質量%である。一方、5.00質量%を超えて添加すると溶接金属中にTi又はZrが介在物として過剰に残留し、割れを発生させたり、溶滴19が過剰に大粒化して逆にアーク31を不安定化させる。なお、Ti、Zrの添加原料としては、一般的なフェロチタン、フェロジルコニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、金属チタン、金属ジルコニウム、チタン酸ソーダ、チタン酸カリウム、ジルコンサンド、その他化合物を含めてどのような形態でも構わない。なお、シールド不良時にスラグが発生することがあるので、防止のために更に好ましくは1.50質量%以下である。
純Arアーク安定剤としてグラファイトを用いるので、溶接金属の強度を高めるために必要なC量は基本的にはグラファイトから十分に賄える。よってCとしての規定量はグラファイトの規定量と同一である。但し、Cはグラファイト以外にもSiCなどの化合物として添加あるいは混入することもあるため独立して規定した。0.45質量%以上の場合は、圧縮残留歪が付与され、継手疲労強度をも高めることができる。0.60質量%以上添加すると更に継手疲労強度を高めることができる。一方、Cが2.00質量%を超えるとスパッタが多発するのでCの上限値は2.00質量%とする。
一般的な溶接ワイヤには溶鉄の酸化を抑制するために脱酸剤を添加している。しかし、純Ar−MIG溶接では酸化が起こらないので、脱酸剤を添加しなくても溶接可能となる。したがって、Siフリーでも問題はない。なお、0.50質量%以上添加するとビード止端部の形状が改善され、より好ましい。一方、2.00質量%を超えると溶融池175の粘性が過剰となり、高速溶接時にハンピングしやすくなる。したがって、上限2.00質量%である。なお、Siの添加原料としては金属シリコン、フェロシリコン、シリコンマンガン、珪砂、カリ長石、ジルコンサンド、珪酸ソーダなどがある。
MnもまたSiと同様に一般的な溶接材料としては脱酸目的として添加されている。しかし、純Ar−MIG溶接では酸化が起こらないので、脱酸剤を添加しなくても溶接可能となる。したがって、Mnフリーでも問題はない。なお、0.50質量%以上添加するとビード止端部の形状が改善され、より好ましい。一般的にはコスト面を考慮して3.0質量%を上限として十分であるが、継手疲労強度を改善する機能を持たせる場合は更にMnを添加すると効果的となる。一方、10.00質量%を超えると溶融池175の粘性が過剰となり、高速溶接時にハンピングしやすくなる。したがって、上限10.00質量%とする。なお、Mnの添加原料としては金属マンガン、フェロマンガン、シリコンマンガンなどがある。
P,Sは耐高温割れ性を低下させる元素であり、本発明の目的では特段の積極添加の意味はない(無添加でも問題はない)。したがって、従来ワイヤと同等に工業的生産性とコストを考慮し夫々0.030質量%以下に抑制する。
Al,Mgもまた強力な脱酸剤として用いられている。しかし、純Ar−MIG溶接では酸化が起こらないので、脱酸剤を添加しなくても溶接可能となる。したがって、Al,Mgフリーでも問題はない。但し、0.10質量%以上添加するとアーク力を高め、溶込み深さを大きくする効果がある。一方、1.00質量%を超えて添加するとスパッタ171が多くなる。したがって、上限は夫々1.00質量%とする。なお、添加原料としては金属アルミ、フェロアルミ、金属マグネシウム、アルミマグネシウムなどがある。
Ni,Cr,Nb,V,Mo,Cuは無添加でも問題ないが、夫々適当な量を添加することでMs点を低下させたり、適度な強度を確保する効果がある。それらの効果が現れるには最低0.05質量%以上が必要である。一方、3.00質量%を超えると、溶融池175の粘性が上昇して高速溶接時にハンピングする。また、強度過剰で割れが発生するといった短所が生じるので3.00質量%以下にする。なお、Cuはワイヤ表面へメッキした場合、メッキ部を含めた割合とする。
Bは無添加でも問題ないが、少量添加でMs点を低下させ、かつ溶接金属の靭性を向上できる。この効果は0.0010質量%以上の添加が必要である。一方、0.0200質量%を超える添加は割れを発生させるのでこれ以下にする。
REMはレアアースメタル(希土類金属)の意でLa,Ceなどで一般的に構成される。無添加でも問題ないが、0.01質量%以上REMを添加するとMIG溶接時にアーク安定性が向上し、かつ溶接金属の酸素量をより低下させてMs点を低下できる。一方、0.50質量%を超える添加はアーク安定化効果が飽和し、逆に溶滴19が大粒化してスパッタ171が増加する。更に、コストも上がる。
K,Na,Liもまた無添加でも問題ないが、夫々適当な量を添加することで電子放出を容易にし、アーク安定化と溶滴19の移行を円滑にしてスパッタ発生量を低下させる。その効果は少なくとも1種の元素を合計で0.001質量%以上の添加で発揮される。一方、合計で1.00質量%を超える添加はその効果が飽和してしまうと共に、アーク力が弱まって溶込み深さが浅くなる。そのため、溶融池175が不安定となってハンピングするなどの問題が生じる。したがって、上限は合計で1.00質量%である。なお、K,Na,LiはK2O,Na2O,Li2Oを主成分とする長石、ソーダガラス、カリガラスを原料としてフラックス131に添加するのが一般的である。
F,Caもまた無添加でも問題ないが、夫々適当な量を添加することで強力な脱酸作用を有し、溶接金属の焼入れ性を高める。その効果は最低0.005質量%以上が必要である。一方、F又はCaが0.50質量%を超えると、溶融池175の粘性が上昇して高速溶接時にハンピングする。また、スパッタ171の発生量が増加するため、F及びCaは夫々0.50質量%以下にする。
本発明における”純Ar”の表記は科学上の100%Arではなく、工業製品としての純Arである。JIS K 1105には工業用Arが規定されており、1級が純度99.999体積%以上、2級が純度99.995体積%以上である。どちらも本溶接ワイヤ13及び溶接法の組み合わせとして問題なく使用可能である。これ以下の純度のArガスでも本溶接ワイヤ13は適用できるが、ヒューム量若しくはスパッタ量の増加、金属強度低下又はスラグ発生などの悪影響が生じる。
溶接機は一般的に消耗電極式アーク溶接用として用いられる定電圧特性電源でも問題ない。しかし、MIG溶接におけるアーク安定性を更に向上させるためにはパルス溶接機との組み合わせが最も推奨される。純Ar溶接ではハンピング発生に関わる溶滴離脱の規則性について、酸化性ガスを用いたMAG溶接よりも劣る。したがって、平均電流に係わらず常に高い電流の作用でピンチ力を付与でき、規則正しい溶滴離脱が実現できるパルス溶接法が好ましい。パルスの設定については特に限定しないが、ピーク電流350乃至600A、ベース電流30乃至100A、1ピーク間(立上り開始〜ピーク定常期〜立上り終了)で0.8乃至5.0ミリ秒が一般的に使用される。
純Ar雰囲気でのMIG溶接法の最大の効果は、溶接ワイヤ13に添加される貴重な金属資源及び不必要な温室効果ガスを使用せず、かつ溶接部にスラグを発生させないことである。その長所を得るために、母材21,23に対しては何ら制限を要せず、汎用的に適用できる。更に、本ワイヤ13の成分の一つであるグラファイト量を更に限定することで、溶接継手の疲労強度を高める効果も得られる。溶接金属の変態膨張で鋼材熱影響部に発生する残留応力を低減できる理由は、溶接金属が膨張するときに鋼材側に発生する応力も溶接金属への反力により圧縮応力になることによる。このため、より高い反力が期待できる高強度鋼板ほど疲労特性の改善も大きいと期待できる。鋼材強度が低い場合は、反力も低くならざるを得ず、変態終了後の熱収縮で再び引張応力状態に戻ってしまう危険があるためである。引張応力が残留してしまえば疲労強度改善は望めない。そのため、疲労強度向上が期待できる下限として、490MPaを設定した。なお、上限については特に限定する必要はない。現在一般に実用化されている薄鋼板の強度は1500MPa程度が最大であり、この程度までの鋼板であれば、本発明ワイヤ13で疲労強度の改善がはかれ、かつ継手引張強度の面でも溶接金属のオーバーマッチングが達成できる。
比較例No.54乃至58はグラファイト量が少なく、一般的なCO2ガスシールド溶接又はAr+CO2ガスシールド溶接用フラックス入りワイヤ相当である。グラファイトが少ないため、純Ar雰囲気においてはアーク31が安定せず、溶接ビード173が蛇行し、スパッタ171が多量に発生して、従来の知見どおり実質的に溶接不可である。
11 ソリッドワイヤ
13 フラックス入りワイヤ
131 フラックス
133 外皮
17 液柱
171 スパッタ
173 溶接ビード
175 溶融池
19 溶滴(液滴)
21,23 母材
31 アーク
Claims (7)
- 鋼製外皮内にフラックスを充填してなり、純Arシールドガスを使用したMIG溶接に使用されるフラックス入りワイヤであって、前記フラックス中に、グラファイトをワイヤ全質量あたり0.16乃至2.00質量%含有し、鉄粉をフラックス全質量あたり20質量%以上含有することを特徴とする純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤ。
- 更に、前記フラックス中に、Ti及びZrからなる群から選択された少なくとも1種をワイヤ全質量あたり0.03乃至5.00質量%含有することを特徴とする請求項1に記載の純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤ。
- 更に、ワイヤ全質量あたり、C:0.16乃至2.00質量%を含有し、更に、Si:2.00質量%以下、Mn:10.00質量%以下、Al:1.00質量%以下、Mg:1.00質量%以下、Ni:3.00質量%以下、Cr:3.00質量%以下、Nb:3.00質量%以下、V:3.00質量%以下、Mo:3.00質量%以下、Cu:3.00質量%以下、B:0.0200質量%以下、希土類金属(REM):0.50質量%以下、F:0.50質量%以下、Ca:0.50質量%以下、K,Na及び/又はLi:総量で1.00質量%以下からなる群から選択された少なくとも1種を含有し、かつ不純物として、P:0.030質量%以下、S:0.030質量%以下に規制したことを特徴とする請求項1又は2に記載の純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤ。
- 前記Cは、ワイヤ全質量あたり、0.45乃至2.00質量%であることを特徴とする請求項3に記載の純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤ。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の純Arシールドガス溶接用MIGフラックス入りワイヤを使用し、JIS K 1105の1級又は2級の純Arをシールドガスとして使用して、前記ワイヤを正極として負極の母材との間にアークを発生させて、MIG溶接することを特徴とするMIGアーク溶接方法。
- 前記アークを形成するための電源として、パルス電源を使用することを特徴とする請求項5に記載のMIGアーク溶接方法。
- 前記母材は、引張強度が490MPa以上の鋼板であることを特徴とする請求項5又は6に記載のMIGアーク溶接方法。
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