JP5178787B2 - 磁気メモリデバイス - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る磁気メモリデバイスの全体構成を表すブロック図である。この磁気メモリデバイスは、複数のメモリサブユニット1010と、これと各々インターフェイス接続されたアドレスバッファ1080と、アドレスマルチプレクサ1090と、コントローラ1076と、データレジスタおよびセンスアンプ1085と、入出力バッファ1095とを備えている。
次に、図6〜図8を参照して、本発明の第2の実施の形態としての磁気メモリデバイスの書込条件設定方法について説明する。本実施の形態の磁気メモリデバイスは、上記第1の実施の形態と同様の構成である。
次に、図5および図8に加え、新たに図9を参照して、本発明の第3の実施の形態としての磁気メモリデバイスの書込条件設定方法について説明する。本実施の形態の磁気メモリデバイスは、上記第1の実施の形態と同様の構成であり、書き込み動作の制御を行うアルゴリズムコントローラを内蔵したものである。
次に、図10を参照して、本実施の形態の変形例としての磁気メモリデバイスの書込条件設定方法について説明する。本変形例が対象とする磁気メモリデバイスは、外部からの信号によって書き込み動作の制御を行うものである。
Claims (17)
- 複数の磁気メモリセルを有する少なくとも1つのメモリサブアレイと、
複数の行方向書込線と、
複数の列方向書込線と、
複数の行方向書込線と接続された行方向ドライバと、
複数の列方向書込線と接続された列方向ドライバと、
少なくとも1つの定電流源と、
前記メモリサブアレイと連結され、所望の前記磁気メモリセルとアクセスするためのアドレスを一時的に保持するアドレスレジスタと、
前記メモリサブアレイと連結され、所望の前記磁気メモリセルと比較を行うためのデータまたは磁気メモリセルへ書き込むためのデータを一時的に保持するデータレジスタと、
前記メモリサブアレイと連結されたアドレスマルチプレクサと、
前記メモリサブアレイへの外部からのアクセスを可能とするアドレスバスと、
前記アドレスマルチプレクサと連結され、前記アドレスバスによって駆動されて外部からのアドレス信号を前記アドレスマルチプレクサへ出力するアドレスバッファと、
前記メモリサブアレイと連結されたセンスアンプと、
を備え、
前記定電流源は、互いに並列接続された複数の電流源と、前記複数の電流源の各々と直列接続された複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタとそれぞれ接続されてその起動を行う複数のラッチセルとを有し、
前記行方向ドライバおよび前記列方向ドライバは、前記メモリサブアレイと連結され、前記アドレスマルチプレクサからの所定のアドレスに対応して、前記データレジスタからのデータを所定の前記磁気メモリセルへ書き込む
ことを特徴とする磁気メモリデバイス。 - さらに
前記行方向書込線を流れる行方向書込電流の初期値および前記列方向書込線を流れる列方向書込電流の初期値を設定することと、
前記行方向ドライバおよび前記列方向ドライバを駆動し、前記初期値に相当する前記行方向書込電流および列方向書込電流を、それぞれ前記アドレスマルチプレクサからの所定のアドレス信号に対応した前記行方向書込線および前記列方向書込線に供給することにより、前記磁気メモリセルへの入力データの書込を行うことと、
前記磁気メモリセルから出力データを読み出し、前記データレジスタに保持されたデータと比較することと
を行うアルゴリズムコントローラを備えた
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記アドレスバッファを介して前記アドレスマルチプレクサと連結されたアドレスバスと、
前記メモリサブアレイと連結された双方向データバスと、
前記アルゴリズムコントローラと接続されたチップイネーブルと
前記アルゴリズムコントローラと接続されたアウトプットイネーブルと、
前記アルゴリズムコントローラと接続された書込信号入力端子と
をさらに備えたことを特徴とする請求項2に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記メモリサブアレイは、前記磁気メモリセルがマトリックス状に行方向および列方向へ複数配置されたものである
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記磁気メモリセルは、磁気トンネル接合素子を有する
ことを特徴とする請求項4に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記メモリサブアレイは、行方向に延在する複数のワード線を有している
ことを特徴とする請求項4に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記メモリサブアレイは、列方向に延在する複数のビット線を有している
ことを特徴とする請求項4に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記複数のワード線と接続された行方向ドライバを有している
ことを特徴とする請求項6に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記複数のビット線と接続された列方向ドライバを有している
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記行方向ドライバおよび列方向ドライバは、前記定電流源によって駆動される
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記定電流源は、前記アルゴリズムコントローラによって制御される
ことを特徴とする請求項2に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記アドレスマルチプレクサは、前記メモリサブアレイにおける所望の磁気メモリセルに対応するアドレスを、前記アドレスバッファまたは前記アドレスレジスタのいずれかより選択するものである
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記センスアンプにより、前記メモリサブアレイに書き込まれたデータの読み出しが行われる
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記双方向データバスの利用により、前記メモリサブアレイへの書き込みおよび前記メモリサブアレイからの読み出しが行われる
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記チップイネーブルを利用して前記メモリサブアレイへの書き込みを有効とするか無効とするかの選択が行われる
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記アウトプットイネーブルによって、双方向データを有効または無効とする
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリデバイス。 - 前記書込信号入力端子は、前記メモリサブアレイを対象とした書き込み、読み出しおよびプログラミングを可能とする
ことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリデバイス。
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