JP5175609B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。

従来より、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法において、導体パターンの端子部の表面に、金めっき層を設けている。金めっき層は、給電パッドからめっきリードを介して導体パターンに給電する電解金めっきにより、形成されている。
例えば、基板および絶縁層の上に、導体層パターンおよびこれに電気的に接続されるめっき用リード部（パッド部）を一体的に形成し、次いで、めっき用リード部の一部を被覆し、かつ、導体層パターンが露出する開口部を有する被覆層を形成する。その後、めっき用リード部からの給電により、開口部内の導体層パターンの上に金からなる電極パッドを形成し、次いで、電極パッドをレジスト膜で被覆した後、被覆層から露出するめっき用リード部をエッチングにより除去する、磁気ヘッドサスペンションの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００２−２０８９８号公報

しかし、上記した特許文献１の磁気ヘッドサスペンションの製造方法では、めっき用リード部をエッチングするときに、被覆層に被覆されるめっき用リード部を過度にエッチングしてしまう場合がある。
つまり、エッチング液によって、被覆層に被覆されるめっき用リード部が導体層パターン層側に向かって溶解され、さらには、エッチング液が電極パッドの下の導体層パターンに至り、その導体層パターンが汚染され、変色し、あるいは、溶解されるという不具合がある。

本発明の目的は、めっきリードをエッチングにより除去しても、導体パターンが汚染されることを防止することのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、導体パターンと、前記導体パターンと電気的に接続されるめっきリードとを備え、前記めっきリードは、エッチング液が前記導体パターンに浸入することを規制する規制部分を備え、前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に直交する幅方向長さが短い幅狭部分と、前記幅狭部分より前記幅方向長さが長い幅広部分とを有し、少なくとも前記幅広部分が、前記規制部分であり、および／または、前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に対して交差する交差方向に曲がる曲部分を有し、少なくとも前記曲部分が、前記規制部分であることを特徴としている。

この配線回路基板によれば、めっきリードを介して導体パターンに給電する電解めっき後に、めっきリードがエッチングされるときに、規制部分によって、エッチング液が導体パターンに浸入することを規制することができる。

そのため、規制部分によって、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を防止することができる。

この配線回路基板では、少なくとも幅広部分である規制部分において、エッチング液は、幅方向に沿って広がるので、エッチング液が対向方向に浸入することを遅延させることができる。
さらに、幅方向に沿って広がるエッチング液は、少なくとも幅広部分である規制部分と広い接触面積で接触して、その接触面が、エッチング液により溶解される。そのため、接触面を溶解したエッチング液は、エッチング能が低下しているので、対向方向に浸入しにくく、その結果、規制部分によって、エッチング液が対向方向に浸入することを有効に防止することができる。

さらにまた、幅広部分と接触して残存するエッチング液は、洗浄によって、容易に除去できるので、エッチング液による汚染を防止することができる。

この配線回路基板では、少なくとも曲部分である規制部分が、交差方向に曲がっているため、規制部分の長さは、対向方向における規制部分の直線長さより必ず長くなる。そのため、たとえ、エッチング液が規制部分内に浸入しても、規制部分によって、対向方向におけるエッチング液の浸入を規制することができる。その結果、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を有効に防止することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記幅狭部分が、前記幅広部分に対して、前記エッチング液が浸入する浸入方向下流側に配置されていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板の製造方法は、導体パターンと、前記導体パターンと電気的に接続されるめっきリードと、前記めっきリードに設けられ、エッチング液が前記導体パターンに浸入することを規制する規制部分とを一体的に形成する工程、および、 前記エッチング液が前記導体パターンに浸入することを前記規制部分によって規制しながら、前記めっきリードを前記エッチング液によりエッチングする工程を備えている配線回路基板の製造方法であって、前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に直交する幅方向長さが短い幅狭部分と、前記幅狭部分より前記幅方向長さが長い幅広部分とを有し、少なくとも前記幅広部分が、前記規制部分であり、および／または、前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に対して交差する交差方向に曲がる曲部分を有し、少なくとも前記曲部分が、前記規制部分であることを特徴としている。

この方法によれば、導体パターンと、規制部分が設けられるめっきリードとを一体的に形成する。その後、規制部分によって、エッチング液が導体パターンに浸入することを規制しながら、めっきリードをエッチング液によりエッチングする。
そのため、めっきリードを介して導体パターンに給電する電解めっき後には、規制部分によって、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を防止することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記幅狭部分が、前記幅広部分に対して、前記エッチング液が浸入する浸入方向下流側に配置されていることが好適である。

本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、規制部分によって、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を防止することができながら、めっきリードをエッチングすることができる。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態が複数設けられる配線回路基板集合体シートの平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は、図１に示す配線回路基板の第２めっきリードの拡大平面図、図４は、図１に示す配線回路基板集合体シートの製造方法の工程図、図５は、図４（ｃ）における製造途中の配線回路基板集合体シートの平面図、図６は、図４（ｃ）における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図、図７は、図４（ｄ）における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。

なお、図１において、導体層４の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層５およびめっき層１２を省略している。
図１において、この配線回路基板集合体シート（以下、単に「シート」と省略する。）２１は、例えば、回路付サスペンション基板などの配線回路基板１を複数備えており、各配線回路基板１は、略矩形シート形状の金属支持基板２２内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されている。

配線回路基板１は、長手方向（以下、先後方向という場合がある。）に延びる略矩形平帯形状に形成されている。配線回路基板１は、図２に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体層４と、ベース絶縁層３の上に、導体層４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。

金属支持層２は、金属支持基板２２から形成されている。金属支持基板２２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
また、金属支持層２の長手方向他端（以下、後端という。）部には、図１に示すように、後述する磁気側端子部８Ｂを長手方向において挟む支持開口部１９が開口されている。

金属支持層２の厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜５０μｍである。
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミドが用いられる。

ベース絶縁層３は、導体層４が形成される部分に対応するパターンで形成されている。
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
導体層４を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。
導体層４は、図２に示すように、ベース絶縁層３の表面に形成されており、導体層４は、製造後の配線回路基板１においては、導体パターン６と、第２めっきリード１８とを一体的に備えている。

導体パターン６は、図１に示すように、幅方向（配線回路基板１の長手方向に直交する方向）に互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って延びる複数の配線７と、各配線７の長手方向両端部にそれぞれ連続する端子部８とを一体的に備えている。
端子部８は、配線７の長手方向一端（以下、先端という。）部に配置される外部側端子部８Ａと、配線７の後端部に配置される磁気側端子部８Ｂとを備えている。

外部側端子部８Ａは、各配線７の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられており、角ランドとして形成されている。各外部側端子部８Ａには、図示しないリード・ライト基板が接続される。
磁気側端子部８Ｂは、各配線７の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられており、角ランドとして形成されている。磁気側端子部８Ｂには、図示しない磁気ヘッドが接続される。

第２めっきリード１８は、各外部側端子部８Ａに対応して複数設けられている。具体的には、各第２めっきリード１８は、幅方向に間隔を隔てて配置されており、各外部側端子部８Ａの先側に連続して形成されている。これにより、第２めっきリード１８は、導体パターン６と電気的に接続されている。
第２めっきリード１８は、後述するエッチング工程（図４（ｆ）および図４（ｆ’）参照）において、その先端面１６Ａ（図４（ｆ））がエッチング液に溶解されて後側に後退した残存部分として形成されている。つまり、第２めっきリード１８の先端面１６Ａは、エッチング液によってカバー絶縁層５の先端面３０から後側に浸食される浸食面１６Ｂ（図４（ｆ’））として形成されている。

第２めっきリード１８は、図３に示すように、外部側端子部８Ａの長手方向（外部側端子部８Ａとの対向方向）一方側、具体的には、外部側端子部８Ａの先側に、隣接配置される幅狭部分１０と、幅狭部分１０の先側に配置される幅広部分１１とを一体的に備えている。
なお、第２めっきリード１８は、エッチング工程前においては、先側部分３６および後側部分３５から形成されており、エッチング工程後においては、エッチング工程で先側部分３６がエッチングされることにより、後側部分３５のみから形成されている。

幅狭部分１０は、図３に示すように、長手方向に延びるように形成されており、幅（幅方向長さ）Ｗ１が狭い（短い）平面視略矩形状に形成されている。具体的には、各幅狭部分１０は、各外部側端子部８Ａの先端部の幅方向中央から先側に向かって延びるように形成されている。
幅広部分１１は、幅狭部分１０の先側に隣接配置され、幅狭部分１０と連続する平面視略矩形状に形成されている。より具体的には、幅広部分１１は、その後端辺が幅狭部分１０に接続される平面視略矩形状に形成されている。

また、幅広部分１１は、幅狭部分１０および幅広部分１１を先後方向に投影したときに、幅狭部分１０を幅方向中央において含むように配置されている。すなわち、幅広部分１１の幅（幅方向長さ）Ｗ２は、幅狭部分１０の幅Ｗ１より広く（長く）形成されている。
また、幅広部分１１の浸食面１６Ｂは、先後方向において、後述するカバー絶縁層５の先端面３０より後側にややずれて位置している。

幅狭部分１０の幅Ｗ１は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２５０μｍである。また、幅狭部分１０の先後方向長さＬ１は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２５０μｍである。
また、幅広部分１１の幅Ｗ２は、幅狭部分１０の幅Ｗ１を１００％とした場合に、例えば、１５０％以上、好ましくは、２００％以上、さらに好ましくは、２５０％以上、通常、５００％以下である。幅広部分１１の幅Ｗ２は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上、さらに好ましくは、５０μｍ以上、通常、２００μｍ以下である。また、幅広部分１１の先後方向長さＬ２は、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

配線７の幅は、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１５０μｍであり、各配線７間の間隔（幅方向の間隔）は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。また、端子部８の幅は、例えば、１５〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１００μｍであり、各端子部８間の間隔（幅方向の間隔）は、例えば、１５〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。

導体層４の厚みは、導体パターン６の厚みと第２めっきリード１８の厚みとが同一であってもよく、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
カバー絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。
カバー絶縁層５は、図２に示すように、ベース絶縁層３の上において、第２めっきリード１８および配線７（図２において図示されない）を被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層５には、図３に示すように、端子部８を露出する平面視略矩形状のカバー開口部１３が形成されている。

カバー絶縁層５の先端部は、図３に示すように、平面視において幅広部分１１の浸食面１６Ｂを含み、先後方向において浸食面１６Ｂに対して先側に間隔を隔てて配置されている。つまり、カバー絶縁層５の先端面３０は、先後方向において、幅広部分１１の浸食面１６Ｂよりやや先側に配置されている。これにより、幅広部分１１の浸食面１６Ｂの先側に、幅方向断面において、幅広部分１１と同一形状の空洞１４が形成されている。

また、カバー絶縁層５には、各外部側端子部８Ａの先側において、第２めっきリード１８の後側部分３５を被覆するための被覆部３４が設けられている。具体的には、被覆部３４は、先後方向において、外部側端子部８Ａの先端からカバー絶縁層５の先端面３０にわたって形成されている。
また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。

また、この配線回路基板１には、図２に示すように、端子部８の表面に、めっき層１２が設けられている。
めっき層１２を形成するめっき材料としては、例えば、金やニッケルなどの金属材料が用いられ、好ましくは、金が用いられる。めっき層１２の厚みは、例えば、０．２〜５μｍ、好ましくは、０．５〜３μｍである。

次に、この配線回路基板１の製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持層２を形成する金属支持基板２２を用意する。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を金属支持層２の上に形成する。

ベース絶縁層３を形成するには、金属支持基板２２の上面に、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱によって硬化させる。また、ベース絶縁層３の形成では、金属支持層２の上面に、例えば、感光性のワニスを塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により、加熱によって硬化させることができる。さらに、ベース絶縁層３の形成では、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、金属支持層２の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、導体層４を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン６、めっきリード９を一体的に備えるパターンとして形成する。
めっきリード９は、図５および図６に示すように、後述するめっき層１２を形成する工程（図４（ｅ）参照）における電解めっきにおいて、導体パターン６に給電するために設けられている。また、めっきリード９は、図５および図６に示すように、ベース絶縁層３の上にパターンとして形成されている。具体的には、めっきリード９は、第１めっきリード１７と、第２めっきリード１８とを一体的に備えている。

第１めっきリード１７は、１つのシート２１につき、１本設けられており、具体的には、金属支持基板２２の先端側におけるベース絶縁層３の表面に、幅方向に沿って延びる直線形状に形成されている。また、第１めっきリード１７の幅方向一端部は、図示しない給電部と電気的に接続されている。
第２めっきリード１８は、各外部側端子部８Ａに対応して複数設けられ、各配線回路基板１に対応するベース絶縁層３の表面に形成されている。具体的には、第２めっきリード１８は、図２に示すように、エッチング工程により先側部分３６がエッチングされることにより、後側部分３５から形成されており、その後側部分３５が、幅狭部分１０と幅広部分１１とを一体的に備えるパターンとして形成されている。また、第２めっきリード１８では、後側部分３５の幅狭部分１０が、外部側端子部８Ａと連続して形成されており、先側部分３６が、第１めっきリード１７と連続して形成されている。

なお、先側部分３６は、長手方向に沿って、後側部分３５の幅広部分１１の幅Ｗ２と同一幅で延びるように、形成されている。すなわち、各第２めっきリード１８は、各外部側端子部８Ａから先側に向かって延び、第１めっきリード１７の後端部の幅方向途中に至るように、形成されている。
つまり、第２めっきリード１８は、第１めっきリード１７および外部側端子部８Ａと接触しており、これらを電気的に接続している。

そして、めっきリード９は、図示しない給電部との電気的な接続、および、外部側端子部８Ａとの電気的な接続により、図示しない給電部と外部側端子部８Ａとを電気的に接続している。
導体層４を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面に、図示しない金属薄膜（種膜）を形成する。金属薄膜としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。
次いで、金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、これを露光および現像し、導体層４と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体層４を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

このようにして形成される導体層４の寸法は、適宜選択され、第１めっきリード１７の先後方向長さＬ３は、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、さらに好ましくは、１００μｍ以上、通常、５０００μｍ以下である。また、第２めっきリード１８の長さ（先後方向長さ、すなわち、第１めっきリード１７の後端縁と第２めっきリード１８の後端縁との間隔。）Ｌ４は、例えば、４０〜１０００μｍ、好ましくは、６０〜５００μｍである。

次いで、この方法では、図４（ｄ）および図７に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。
カバー絶縁層５には、被覆部３４が設けられている。また、被覆部３４には、第２めっきリード１８の後側部分３５に対応する開口が形成されている。具体的には、被覆部３４には、後側部分３５の幅狭部分１０に対応する開口が幅狭開口部２８として形成され、後側部分３５の幅広部分１１に対応する開口が幅広開口部２９として形成されている。

そして、幅狭開口部２８および幅広開口部２９は、第２めっきリード１８の後側部分３５を収容しており、その後側部分３５は、後のエッチング工程（図４（ｆ）および図４（ｆ'）参照）において、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを規制する規制部分として形成されている。
幅広開口部２９の先後方向長さＬ２’は、例えば、１０〜５５０μｍ、好ましくは、１５〜３００μｍである。

カバー絶縁層５を形成するには、導体層４を含むベース絶縁層３の上面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により、加熱によって硬化させる。また、カバー絶縁層５の形成では、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、導体層４を含むベース絶縁層３の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することができる。

次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっき層１２を、カバー開口部１３から露出する端子部８の表面に形成する。
めっき層１２は、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８を介して導体パターン６に給電する電解めっきにより形成する。
電解めっきでは、まず、端子部８の表面を除く導体層４および金属支持基板２２の表面にめっきレジストを形成する。次いで、金属支持基板２２を電解めっき浴に浸漬しながら、図示しない給電部から、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８を介して、端子部８に給電する。その後、めっきレジストを除去する。

次いで、この方法では、図４（ｆ）および図４（ｆ’）に示すように、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを第２めっきリード１８の後側部分３５により規制しながら、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８の先側部分３６をエッチングする。
エッチング液の浸入を規制しながら、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８の先側部分３６をエッチングする方法として、例えば、ウエットエッチング（化学エッチング）が用いられる。

具体的には、まず、図示しないエッチングレジストを、めっき層１２および金属支持基板２２の表面に積層する。その後、エッチングレジストが積層された金属支持基板２２を、エッチング液に浸漬する。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液などの公知のエッチング液（薬液）が用いられる。
その後、金属支持基板２２を、例えば、水や、メタノール、アセトンなどの洗浄用溶媒で洗浄し（洗浄工程）、次いで、乾燥させ、次いで、エッチングレジストを、エッチングまたは剥離などによって、除去する。

これにより、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８の先側部分３６を除去する。
このエッチング工程では、通常、図４（ｆ）に示すように、第２めっきリード１８の後側部分３５の先端面（幅広部分１１の先端面）１６Ａが、カバー絶縁層５の先端面３０と厚み方向および幅方向において略同一平面上に位置されるようにして形成されるように、エッチング条件が設定される。

しかし、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８の先側部分３６の除去後には、後側部分３５の一部がエッチングされる。
ここで、図４（ｆ’）に示すように、幅広部分１１によって、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することが規制される。
すなわち、幅広部分１１が過度にエッチング（過エッチング）されることによる導体材料の溶解によって、幅広部分１１の先端面１６Ａは、後側、具体的には、先後方向において幅広開口部２９の先端から幅広開口部２９の後端に至る途中部分に後退して、カバー絶縁層５の先端面３０から後側にずれて位置される。あるいは、エッチング工程後から洗浄工程までの間に、幅広部分１１の先端面１６Ａに付着して残存するエッチング液に起因する導体材料の溶解によって、幅広部分１１の先端面１６Ａは、後側に後退して、カバー絶縁層５の先端面３０から後側にずれて位置される。

そして、幅広部分１１の先端面１６Ａの後退によって、浸食面１６Ｂが形成される。
つまり、浸食面１６Ｂは、先後方向において、外部側端子部８Ａと間隔を隔てて配置されており、浸食面１６Ｂと外部側端子部８Ａとの間隔は、幅広部分１１および幅狭部分１０がエッチング液により浸食されずに残存する間隔（エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを規制できる間隔）である。

より具体的には、幅広開口部２９が、エッチング液の後側への浸入を許容する。これにより、幅広部分１１の先端面１６Ａが後側に後退し、そして、浸食面１６Ｂが形成されることによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。
その後、図１に示すように、金属支持基板２２を、エッチングなどによって切り抜いて、支持開口部１９を形成することにより、複数の配線回路基板１が形成されたシート２１を得る。

そして、この方法では、導体パターン６と、幅広部分１１が設けられる第２めっきリード１８および第１めっきリード１７とを一体的に形成する。その後、幅広部分１１によって、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを規制しながら、第２めっきリード１８の先側部分３６および第１めっきリード１７をエッチング液によりエッチングする。
つまり、第２めっきリード１８の先側部分３６および第１めっきリード１７をエッチング液によってエッチングした後に、被覆部３４の幅広開口部２９がエッチング液の浸入を許容して、エッチング液が幅広部分１１と接触する。

そのため、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８を介して外部側端子部８Ａに給電する電解めっき後には、幅広部分１１によって、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを防止することができる。
また、幅広部分１１（幅広開口部２９に収容される幅広部分１１）において、エッチング液は、幅方向に沿って広がるので、エッチング液が後側に浸入することを遅延させることができる。

さらに、幅方向に沿って広がるエッチング液は、幅広部分１１（幅広開口部２９に収容される幅広部分１１）と広い接触面積で接触して、その接触面（先端面１６Ａ）が、エッチング液により溶解される。そのため、接触面（先端面１６Ａ）を溶解したエッチング液は、エッチング能が低下しているので、後側に浸入しにくく、その結果、幅広部分１１（幅広開口部２９に収容される幅広部分１１）によって、エッチング液が後側に浸入することを有効に防止することができる。

さらにまた、幅広部分１１（幅広開口部２９に収容される幅広部分１１）と接触して残存するエッチング液は、洗浄によって、容易に除去できるので、エッチング液による汚染を防止することができる。
なお、上記した説明では、規制部分を、幅が広い幅広部分１１として設けたが、規制部分におけるエッチング液との接触面積が所定面積以上であればよく、例えば、図示しないが、厚みの厚い膜厚部分として設けることもできる。

また、上記した説明では、第２めっきリード１８を、外部側端子部８Ａと連続して形成したが、例えば、図示しないが、磁気側端子部８Ｂまたは配線７と連続して形成することもできる。
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持層２を備える回路付サスペンション基板として例示したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されない。例えば、本発明の配線回路基板を、金属支持層２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板や、金属支持層２を備えないフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。

図８〜図１４は、上記した第１実施形態の変形例の第２めっきリードの拡大平面図であって、図８は、幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、幅狭部分が残存する態様、図９は、幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、規制部分が残存しない態様、図１０は、先側幅狭部分および幅広部分が規制部分である態様、図１１は、幅広部分が平面視略円形状である態様、図１２は、幅広部分が平面視略菱形形状である態様、図１３は、幅広部分が平面視略三角形状である態様、図１４は、幅広部分が幅狭部分より幅方向一方側に突出する態様を示す。

なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
上記した説明では、図４（ｆ）および図４（ｆ’）に示すエッチング工程において、幅広部分１１のみを規制部分として、エッチング液の外部側端子部８Ａへの浸入を規制したが、規制部分として、少なくとも幅広部分１１が含まれていればよい。例えば、図８および図９が参照されるように、幅広部分１１および幅狭部分１０の両方を規制部分とすることもできる。

すなわち、図８に示す配線回路基板１の製造におけるエッチング工程では、図７が参照されるように、幅広部分１１の全部と、幅狭部分１０の先側部分とが溶解される。つまり、幅広開口部２９に収容される幅広部分１１と、幅狭開口部２８に収容される幅狭部分１０とが、エッチング液の外部側端子部８Ａへの浸入を規制する規制部分とされている。
具体的には、エッチング工程において、幅広部分１１および幅狭部分１０の先側部分が溶解した部分には、それらを収容していた被覆部３４の幅広開口部２９および幅狭開口部２８が、エッチング液の後側への浸入を許容する。そして、幅狭部分１０に形成される浸食面１６Ｂによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。

幅狭部分１０の浸食面１６Ｂは、先後方向において幅狭開口部２８の先端から後端に至る途中部分に形成されている。
そのため、幅狭部分１０の浸食面１６Ｂの先側に、幅広部分１１および幅狭部分１０の先側部分に対応する空洞１４が形成されている。
これにより、エッチング工程後の配線回路基板１には、幅狭部分１０の後側部分３７のみが残存している。

また、図９に示す配線回路基板１の製造におけるエッチング工程では、幅広部分１１の全部と、幅狭部分１０の全部とが溶解される。
浸食面１６Ｂは、幅狭開口部２８の後端に形成されている。なお、浸食面１６Ｂは、外部側端子部８Ａの先端面と面一となっている。
そのため、浸食面１６Ｂ（外部側端子部８Ａの先端面）の先側に、幅広部分１１および幅狭部分１０に対応する空洞１４が形成されている。つまり、空洞１４は、第２めっきリード１８の後側部分３５と同一形状に形成されている。

これにより、エッチング工程後の配線回路基板１において、第２めっきリード１８は、全部エッチングされており、残存していない。
また、上記した説明では、幅広部分１１を規制部分としたが、例えば、図１０に示すように、幅広部分１１と、それより先側において、それより幅狭で形成される先側幅狭部分２０とを、規制部分とすることもできる。

図４（ｃ）が参照される導体層４の形成において、第２めっきリード１８の後側部分３５を、幅狭部分１０、幅広部分１１および先側幅狭部分２０を一体的に備えるパターンとして形成する。
幅広部分１１は、図１０に示すように、第２めっきリード１８の後側部分３５において先後方向途中部分に形成されている。

また、先側幅狭部分２０は、図１０が参照され、仮想線で示すように、幅広部分１１の先端部に連続して形成されている。先側幅狭部分２０の幅Ｗ３は、例えば、幅狭部分１０の幅Ｗ１と同一であり、好ましくは、１５〜２５０μｍである。また、先側幅狭部分２０の長さＬ３は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、１５〜２５０μｍである。
その後、図４（ｆ）および図４（ｆ’）に示すエッチング工程により、先側幅狭部分２０および幅広部分１１の先側部分がエッチングされる。これにより、浸食面１６Ｂが、先後方向において幅広開口部２９の先端から後端に至る途中部分に形成される。

また、上記した説明では、幅広部分１１を、平面視略矩形状に形成したが、適宜の形状に形成することができ、例えば、図１１に示すように、平面視略円形状に形成することができ、また、図１２に示すように、平面視略菱形形状に形成することができ、さらには、図１３に示すように、平面視略三角形状に形成することができる。
図１１において、平面視略円形状の幅広部分１１の内径Ｄ１は、例えば、１５〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２５０μｍである。

図１２において、平面視略菱形形状の幅広部分１１は、先後方向における両頂点が幅狭部分１０および先側幅狭部分２０に接続されている。幅広部分１１の最大幅Ｗ４は、例えば、１５〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２５０μｍである。
図１３において、幅広部分１１は、平面視において、後側に向かって先細となる略２等辺三角形状に形成されている。具体的には、幅広部分１１は、等しい長さの２辺が先後方向に延びており、これらが後側に向かうに従って互いに近接する平面視略三角形状（平面視テーパ形状）に形成されている。

また、上記した説明では、幅広部分１１を、幅狭部分１０および幅広部分１１を先後方向に投影したときに、幅狭部分１０を幅方向中央において含むように配置したが、例えば、図１４に示すように、幅狭部分１０を幅方向他端側において含むように配置することができる。すなわち、幅広部分１１は、幅方向において幅狭部分１０より幅方向一方側に突出するように形成されている。

また、上記した説明では、第２めっきリード１８の後側部分３５には、幅狭部分１０および幅広部分１１を設けたが、例えば、図示しないが、幅狭部分１０を設けず、幅広部分１１のみを設けることもできる。
＜第２実施形態＞
図１５は、本発明の配線回路基板の第２実施形態の第２めっきリードの拡大平面図を示す。

上記した説明では、規制部分として幅広部分１１を設けたが、例えば、図１１に示すように、規制部分として曲部分２３を設けることもできる。
図１５において、第２めっきリード１８の後側部分３５は、幅狭部分１０と曲部分２３とを備えている。
曲部分２３は、先後方向に対して交差する交差方向に曲がるように形成されている。具体的には、曲部分２３は、平面視略Ｓ字形状に同一幅で形成されている。

すなわち、曲部分２３は、幅方向他方側に突出して円弧状に湾曲する第１湾曲部３１と、第１湾曲部３１の先端から、幅方向一方側に突出して円弧状に湾曲する第２湾曲部３２とを一体的に備えている。
曲部分２３の幅Ｗ５は、上記した幅狭部分１０の幅Ｗ１と同一である。
これにより、図１５の１点破線で示すように、曲部分２３（エッチング工程前の曲部分２３）の長さＬ５、すなわち、曲部分２３の幅方向中央を通る線分の長さＬ５は、例えば、１００〜５００μｍ、好ましくは、１５０〜３５０μｍに設定される。

また、図４（ｃ）が参照される導体層４の形成工程において形成される導体層４において、第２めっきリード１８の後側部分３５は、幅狭部分１０、曲部分２３および先側幅狭部分２０を一体的に備えている。
次いで、図４（ｄ）が参照されるように、カバー絶縁層５を、幅狭部分１０、曲部分２３および先側幅狭部分２０を被覆するように形成することにより、これらを収容する被覆部３４を形成する。

被覆部３４では、曲部分２３に対応する開口が曲開口部３３として形成され、先側幅狭部分２０に対応する開口が先側幅狭開口部４２として形成されており、幅狭開口部２８、曲開口部３３および先側幅狭開口部４２は、第２めっきリード１８の後側部分３５を収容している。
その後、図４（ｆ）および図４（ｆ’）が参照されるように、第１めっきリード１７および第２めっきリード１８の先側部分３６をエッチングする工程では、エッチング液が外部側端子部８Ａに浸入することを先側幅狭部分２０および曲部分２３により規制する。

これにより、浸食面１６Ｂが、曲部分２３の先後方向途中部分に形成される。
具体的には、先側幅狭開口部４２および曲開口部３３が、エッチング液の後側への浸入を許容する。これにより、先端面１６Ａが後側に後退し、そして、浸食面１６Ｂが形成されることによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。
そして、この配線回路基板１では、先側幅狭部分２０の長さと、曲部分２３（曲開口部３３に収容され、エッチング工程前の曲部分２３）の長さＬ５との合計長さは、先側幅狭部分２０と曲部分２３との先後方向の直線長さより必ず長くなる。

そのため、先側幅狭開口部４２および曲開口部３３への浸入が許容されるエッチング液が、先側幅狭部分２０および曲部分２３と接触しても、これらによって、エッチング液の後側への浸入を規制することができる。
その結果、外部側端子部８Ａにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を有効に防止することができる。

なお、上記した説明では、第２めっきリード１８の後側部分３５を、幅狭部分１０、曲部分２３および先側幅狭部分２０から形成したが、例えば、先側幅狭部分２０を形成することなく、幅狭部分１０および曲部分２３から形成することができる。その場合には、曲部分２３のみを規制部分として、あるいは、曲部分２３と幅狭部分１０とを規制部分として、エッチング液の浸入を規制する。

図１６〜図１８は、上記した第２実施形態の変形例の第２めっきリードの拡大平面図であって、図１６は、曲部分が平面視略コ字形状である態様、図１７は、平面視段差形状である態様、図１８は、曲部分が平面視略Ｖ字形状である態様を示す。
また、上記した説明では、曲部分２３を平面視略Ｓ字形状に形成したが、例えば、平面視略コ字形状（図１６参照）、平面視段差形状（図１７参照）、平面視略Ｖ字形状（図１８参照）に形成することもできる。

図１６において、曲部分２３は、平面視略コ字形状に形成されている。曲部分２３は、幅方向他方側に開放するように配置され、その後端部が、幅狭部分１０と接続されている。
図１７において、曲部分２３は、平面視段差形状に形成されている。第２めっきリード１８の後側部分３５は、幅狭部分１０と、幅狭部分１０の先端部から幅方向他方に向かって延びる直線部分２５とを備えている。

直線部分２５は、カバー絶縁層５の先端面３０と平行するように配置されている。また、直線部分２５は、幅狭部分１０の先端部から幅方向他方側に屈曲するように形成されている。
図１８において、曲部分２３は、先後方向途中が屈曲する平面視略Ｖ字形状に形成されている。すなわち、第２めっきリード１８の後側部分３５は、外部側端子部８Ａの先端部に連続して形成される第１傾斜部分２７と、第１傾斜部分２７の先端部から連続し、傾斜部分２７の先側に配置される第２傾斜部分２８とを一体的に有する曲部分２３を備えている。

第１傾斜部分２７は、外部側端子部８Ａの先端部から、先側斜め幅方向一方に延びる、平面視略矩形状に形成されている。
第２傾斜部分２８は、第１傾斜部分２７の先端部から幅方向他方側に屈曲して、先側斜め幅方向他方に延びる、平面視略矩形状に形成されている。
＜第３実施形態＞
上記した第１実施形態では、規制部分を少なくとも幅広部分１１とし、また、上記した第２実施形態では、規制部分を少なくとも曲部分２３としてそれぞれ説明したが、例えば、図示しないが、規制部分を、幅広部分１１と曲部分２３との両方とすることもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図４（ａ）参照）、金属支持層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、上記したパターンで形成した（図４（ｂ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の上面に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した。続いて、金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、これを露光および現像し、導体層と逆パターンのめっきレジストを形成した。次いで、電解銅めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体層を形成し、その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングにより除去した（図４（ｃ）参照）。

導体層は、配線および端子部を有する導体パターンと、後側部分に幅狭部分および幅広部分を有する第１めっきリードと、第２めっきリードとを一体的に備えていた（図５および図６参照）。
配線の幅は２０μｍ、各配線間の間隔は２０μｍであり、端子部の幅は、１００μｍ、各端子部間の間隔は３０μｍであった。

また、第１めっきリードの先後方向長さ（Ｌ３）が５００μｍであった。
また、第２めっきリードでは、幅狭部分の幅（Ｗ１）は２０μｍ、幅狭部分の先後方向長さ（Ｌ１）は３０μｍであり、幅広部分の幅（Ｗ２）は５０μｍ、幅広部分の先後方向長さ（Ｌ２）は１００μｍであった。
次いで、導体層を含むベース絶縁層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、カバー開口部を有するパターンで形成した（図４（ｄ）参照）。

カバー絶縁層には、外部側端子部の先側において、被覆部が設けられており、被覆部には、第２めっきリードの後側部分を収容する、幅狭開口部および幅広開口部が形成されていた。幅広開口部の長手方向長さ（Ｌ２’）は、８０μｍであった。
次いで、端子部の表面を除く導体層および金属支持基板の表面にめっきレジストを形成し、その後、金からなる厚み２μｍのめっき層を、端子部の表面に、第１めっきリードおよび第２めっきリードを介して端子部に給電する電解金めっきにより形成した（図４（ｅ）参照）。その後、めっきレジストを除去した。

次いで、エッチングレジストを、めっき層および金属支持基板の表面に積層し、その後、第１めっきリードおよび第２めっきリードの先側部分を、塩化第二鉄水溶液を用いるエッチングにより、除去した（図４（ｆ）参照）。
その後、金属支持基板を水洗し、次いで、エッチングレジストを除去した。
なお、第１めっきリードおよび第２めっきリードの先側部分をエッチングするエッチング工程によって、幅広開口部内に、カバー絶縁層の先端面より後側にずれて位置する浸食面が形成された（図３および図４（ｆ’）参照）。

その後、金属支持基板を切り抜いて、支持開口部を形成することにより、複数の配線回路基板が形成されたシートを得た（図１参照）。
比較例１
第１めっきリード（１７）の後側部分（３５）を、幅狭部分（１０）のみから形成した以外は、実施例１と同様にして、複数の配線回路基板（１）が形成されたシート（２１）を得た（図１９参照）。

なお、第１めっきリード（１７）および第２めっきリード（１８）の先側部分（３６）をエッチングするエッチング工程によって、幅狭部分（１０）および外部側端子部（８Ａ）の先端部が溶解された。
（評価）
１） 外部側端子部の変色の有無
実施例１および比較例１のシートの配線回路基板について、外部側端子部における変色の有無を観察した。

その結果、実施例１では、外部側端子部の変色が確認されなかった。
一方、比較例１では、外部側端子部の変色が確認された。

本発明の配線回路基板の第１実施形態が複数設けられる配線回路基板集合体シートの平面図を示す。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図３は、図１に示す配線回路基板の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 図１に示す配線回路基板集合体シートの製造方法の工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持層の上に形成する工程、（ｃ）は、導体層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｅ）は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、（ｆ）は、めっきリードをエッチングする工程、（ｆ’）は、エッチング液の浸入を規制する工程を示す。 図４（ｃ）における製造途中の配線回路基板集合体シートの平面図を示す。 図４（ｃ）における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。 図４（ｄ）における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、幅狭部分が残存する態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、規制部分が残存しない態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（先側幅狭部分および幅広部分が規制部分である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分が平面視略円形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分が平面視略菱形形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分が平面視略三角形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第１実施形態の変形例（幅広部分が幅狭部分より幅方向一方側に突出する態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 本発明の配線回路基板の第２実施形態（曲部分が平面視略Ｓ字形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第２実施形態の変形例（曲部分が平面視略コ字形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第２実施形態の変形例（曲部分が平面視段差形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 第２実施形態の変形例（曲部分が平面視略Ｖ字形状である態様）の第２めっきリードの拡大平面図を示す。 比較例１の配線回路基板の第２めっきリードの拡大平面図を示す。

符号の説明

１ 配線回路基板
６ 導体パターン
９ めっきリード
１０ 幅狭部分
１１ 幅広部分
２３ 曲部分
２８ 幅狭開口部
２９ 幅広開口部
３３ 曲開口部
３４ 被覆部

Claims (4)

1. 導体パターンと、
   前記導体パターンと電気的に接続されるめっきリードとを備え、
   前記めっきリードは、エッチング液が前記導体パターンに浸入することを規制する規制部分を備え、
   前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に直交する幅方向長さが短い幅狭部分と、前記幅狭部分より前記幅方向長さが長い幅広部分とを有し、少なくとも前記幅広部分が、前記規制部分であり、および／または、
   前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に対して交差する交差方向に曲がる曲部分を有し、少なくとも前記曲部分が、前記規制部分である
   ことを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記幅狭部分が、前記幅広部分に対して、前記エッチング液が浸入する浸入方向下流側に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 導体パターンと、前記導体パターンと電気的に接続されるめっきリードと、前記めっきリードに設けられ、エッチング液が前記導体パターンに浸入することを規制する規制部分とを一体的に形成する工程、および、
   前記エッチング液が前記導体パターンに浸入することを前記規制部分によって規制しながら、前記めっきリードを前記エッチング液によりエッチングする工程
   を備えている配線回路基板の製造方法であって、
   前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に直交する幅方向長さが短い幅狭部分と、前記幅狭部分より前記幅方向長さが長い幅広部分とを有し、少なくとも前記幅広部分が、前記規制部分であり、および／または、
   前記めっきリードは、前記導体パターンとの対向方向に対して交差する交差方向に曲がる曲部分を有し、少なくとも前記曲部分が、前記規制部分である
   ことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
4. 前記幅狭部分が、前記幅広部分に対して、前記エッチング液が浸入する浸入方向下流側に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。

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