JPH07193345A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH07193345A JPH07193345A JP34728393A JP34728393A JPH07193345A JP H07193345 A JPH07193345 A JP H07193345A JP 34728393 A JP34728393 A JP 34728393A JP 34728393 A JP34728393 A JP 34728393A JP H07193345 A JPH07193345 A JP H07193345A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0286—Programmable, customizable or modifiable circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に形成された配線を陽極酸化するとき
に、その配線の最終的に切り離すべき部分における陽極
酸化を確実に抑えてその後のエッチングでその切り離す
べき部分を確実に切り離すことができる配線基板を提供
する。 【構成】 電気絶縁性の基板２１の上に金属膜からなる
配線２２を形成した配線基板２０であって、最終的に、
前記配線の途中の一部をレジストで覆い、このレジスト
で覆った部分を除く配線２２の表面を陽極酸化し、前記
レジストで覆った部分をエッチングにより除去して配線
の途中を切り離すものにおいて、前記配線２２の最終的
に切り離すべき部分（Ａ部）には、少なくともその両端
部に、配線２２の長手方向に対してほぼ直角に曲がる曲
り部２２ａが形成されている。
に、その配線の最終的に切り離すべき部分における陽極
酸化を確実に抑えてその後のエッチングでその切り離す
べき部分を確実に切り離すことができる配線基板を提供
する。 【構成】 電気絶縁性の基板２１の上に金属膜からなる
配線２２を形成した配線基板２０であって、最終的に、
前記配線の途中の一部をレジストで覆い、このレジスト
で覆った部分を除く配線２２の表面を陽極酸化し、前記
レジストで覆った部分をエッチングにより除去して配線
の途中を切り離すものにおいて、前記配線２２の最終的
に切り離すべき部分（Ａ部）には、少なくともその両端
部に、配線２２の長手方向に対してほぼ直角に曲がる曲
り部２２ａが形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス等の電気絶縁性
の基板の上に金属膜からなる配線を形成してなる配線基
板に関する。
の基板の上に金属膜からなる配線を形成してなる配線基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子には、表面に陽極酸化膜が
生成された金属膜からなる配線が用いられており、この
配線は製造過程でその配線途中で切断される。このよう
な配線は、ガラス等の電気絶縁性の基板の上にパターニ
ングにより金属膜からなる配線を形成し、さらにこの配
線の表面（上面および両側面）に電解液を用いる陽極酸
化により酸化膜を生成させ、この酸化膜により配線の表
面の電気絶縁を図り、かつその配線の途中の一部をエッ
チングにより切り離す工程により製造される。
生成された金属膜からなる配線が用いられており、この
配線は製造過程でその配線途中で切断される。このよう
な配線は、ガラス等の電気絶縁性の基板の上にパターニ
ングにより金属膜からなる配線を形成し、さらにこの配
線の表面（上面および両側面）に電解液を用いる陽極酸
化により酸化膜を生成させ、この酸化膜により配線の表
面の電気絶縁を図り、かつその配線の途中の一部をエッ
チングにより切り離す工程により製造される。
【０００３】この場合、酸化膜のエッチングは非常に困
難であり、このため配線を陽極酸化する際に、配線の最
終的に切り離すべき部分に酸化防止用のレジストをパタ
ーニングしてその部分を覆い、この状態で陽極酸化を行
なうようにしている。
難であり、このため配線を陽極酸化する際に、配線の最
終的に切り離すべき部分に酸化防止用のレジストをパタ
ーニングしてその部分を覆い、この状態で陽極酸化を行
なうようにしている。
【０００４】このように配線に陽極酸化を施し、かつ配
線の途中の一部を切り離す場合の工程を図４に具体的に
示してある。なお、この図４には、配線を断面方向から
見たときの状態と、配線を上面から見たときの状態とを
並列的に示してある。
線の途中の一部を切り離す場合の工程を図４に具体的に
示してある。なお、この図４には、配線を断面方向から
見たときの状態と、配線を上面から見たときの状態とを
並列的に示してある。
【０００５】この図４に示す工程を順に説明すると、ま
ず（イ）に示すように、基板ａの上に金属膜からなる配
線ｂを形成する。次に、（ロ）に示すように、配線ｂの
最終的に切り離すべき部分となるｃ部を酸化防止用のレ
ジストｄで覆う。そしてこの状態で、配線ｂを陽極酸化
する。
ず（イ）に示すように、基板ａの上に金属膜からなる配
線ｂを形成する。次に、（ロ）に示すように、配線ｂの
最終的に切り離すべき部分となるｃ部を酸化防止用のレ
ジストｄで覆う。そしてこの状態で、配線ｂを陽極酸化
する。
【０００６】この陽極酸化は、配線ｂを形成した基板ａ
を電解液中に浸漬し、この電解液中において、前記配線
ｂを陽極として陰極に対向させ、この状態で前記配線ｂ
と前記陰極との間に電圧を印加する方法により行なう。
を電解液中に浸漬し、この電解液中において、前記配線
ｂを陽極として陰極に対向させ、この状態で前記配線ｂ
と前記陰極との間に電圧を印加する方法により行なう。
【０００７】電界液中に配置する配線ｂと陰極との間に
電圧を印加すると、陽極である配線ｂが化学反応を起し
てその表面（上面および両側面）が陽極酸化され、その
表面に酸化膜が生成される。
電圧を印加すると、陽極である配線ｂが化学反応を起し
てその表面（上面および両側面）が陽極酸化され、その
表面に酸化膜が生成される。
【０００８】ここで、配線ｂのｃ部においては、酸化防
止用のレジストｄで覆われているから陽極酸化が抑えら
れ、酸化膜の生成が阻まれる。
止用のレジストｄで覆われているから陽極酸化が抑えら
れ、酸化膜の生成が阻まれる。
【０００９】しかしながら、配線ｂのｃ部以外の陽極酸
化が行なわれている部分では、その陽極酸化に伴い配線
ｂの体積が増し、このためｃ部を覆っているレジストｄ
の両端側の縁が基板ａの表面から浮き上がって（ハ）に
示すように、レジストｄの縁と配線ｂの両側縁との間に
隙間ｅが生じてしまう。そして配線ｂが直線状態にある
から、前記隙間ｅから（ハ）に矢印で示すように、電解
液が配線ｂの両側縁を伝わってレジストｄの内側に侵入
し、この電解液によりレジストｄで覆われたｃ部の両側
縁が陽極酸化され、ｃ部の両側縁に（ニ）に示すように
酸化膜が生成されてしまう。
化が行なわれている部分では、その陽極酸化に伴い配線
ｂの体積が増し、このためｃ部を覆っているレジストｄ
の両端側の縁が基板ａの表面から浮き上がって（ハ）に
示すように、レジストｄの縁と配線ｂの両側縁との間に
隙間ｅが生じてしまう。そして配線ｂが直線状態にある
から、前記隙間ｅから（ハ）に矢印で示すように、電解
液が配線ｂの両側縁を伝わってレジストｄの内側に侵入
し、この電解液によりレジストｄで覆われたｃ部の両側
縁が陽極酸化され、ｃ部の両側縁に（ニ）に示すように
酸化膜が生成されてしまう。
【００１０】そしてこの後、配線ｂのｃ部からレジスト
ｄを取り除き、このｃ部をエッチングしてこの部分の金
属膜を除去するわけであるが、上述のようにこのｃ部の
両側縁に酸化膜が生成されていると、（ホ）に示すよう
に、酸化膜の下側の部分の金属膜をエッチングすること
が困難となり、この結果、配線ｂを完全に切り離すこと
ができず、電気的に導通する欠陥が生じる恐れがある。
ｄを取り除き、このｃ部をエッチングしてこの部分の金
属膜を除去するわけであるが、上述のようにこのｃ部の
両側縁に酸化膜が生成されていると、（ホ）に示すよう
に、酸化膜の下側の部分の金属膜をエッチングすること
が困難となり、この結果、配線ｂを完全に切り離すこと
ができず、電気的に導通する欠陥が生じる恐れがある。
【００１１】ところで、基板に配線を形成し、この配線
の表面を陽極酸化し、この陽極酸化後に配線の途中の一
部をエッチングして切り離す工程の実際の例としては、
例えばアクティブマトリックス型液晶表示素子に用いる
薄膜トランジスタパネルを製造する工程において適用さ
れている。
の表面を陽極酸化し、この陽極酸化後に配線の途中の一
部をエッチングして切り離す工程の実際の例としては、
例えばアクティブマトリックス型液晶表示素子に用いる
薄膜トランジスタパネルを製造する工程において適用さ
れている。
【００１２】図５ないし図８には、アクティブマトリッ
クス型液晶表示素子に用いる薄膜トランジスタパネル
（以下、ＴＦＴパネルという。）の一般的な構成を示し
てあり、まずこの構成について説明する。
クス型液晶表示素子に用いる薄膜トランジスタパネル
（以下、ＴＦＴパネルという。）の一般的な構成を示し
てあり、まずこの構成について説明する。
【００１３】なお、一般に液晶表示素子は、複数個の液
晶表示素子を一括して組立てる製法で製造されており、
この製法で液晶表示素子を製造する場合に用いられるＴ
ＦＴパネルは、液晶表示素子複数個分のパネルを採取で
きる大きさとされている。
晶表示素子を一括して組立てる製法で製造されており、
この製法で液晶表示素子を製造する場合に用いられるＴ
ＦＴパネルは、液晶表示素子複数個分のパネルを採取で
きる大きさとされている。
【００１４】図５は上記製法で液晶表示素子を製造する
場合に用いられるＴＦＴパネルの平面図であり、このＴ
ＦＴパネルは、ガラス等からなる透明な電気絶縁性の基
板１の上に、縦横に配列した複数の透明な画素電極２
と、これら画素電極２にそれぞれ接続された複数の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）３と、前記薄膜トランジスタ３
にゲート信号を供給するゲート配線ＧＬと、前記薄膜ト
ランジスタ３にデータ信号を供給するデータ配線ＤＬと
を形成して構成されている。
場合に用いられるＴＦＴパネルの平面図であり、このＴ
ＦＴパネルは、ガラス等からなる透明な電気絶縁性の基
板１の上に、縦横に配列した複数の透明な画素電極２
と、これら画素電極２にそれぞれ接続された複数の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）３と、前記薄膜トランジスタ３
にゲート信号を供給するゲート配線ＧＬと、前記薄膜ト
ランジスタ３にデータ信号を供給するデータ配線ＤＬと
を形成して構成されている。
【００１５】上記基板１は、液晶表示素子複数個分のＴ
ＦＴパネルを採取できる大きさの大型基板であり、各液
晶表示素子のＴＦＴパネルとなる部分は、液晶表示素子
の大きさに対応する領域（以下、素子領域という）１Ａ
と、この素子領域１Ａの周囲に確保された余白部１Ｂと
からなっており、画素電極２と薄膜トランジスタ３およ
びゲート，データ配線ＧＬ，ＤＬは前記素子領域１Ａに
形成されている。
ＦＴパネルを採取できる大きさの大型基板であり、各液
晶表示素子のＴＦＴパネルとなる部分は、液晶表示素子
の大きさに対応する領域（以下、素子領域という）１Ａ
と、この素子領域１Ａの周囲に確保された余白部１Ｂと
からなっており、画素電極２と薄膜トランジスタ３およ
びゲート，データ配線ＧＬ，ＤＬは前記素子領域１Ａに
形成されている。
【００１６】また、上記余白部１Ｂは、最終的（ＴＦＴ
パネルと対向電極形成パネルとを接合して液晶表示素子
を組立てた後）に除去される部分であり、この余白部１
Ｂは、図に一点鎖線で示した、素子領域１Ａの輪郭に沿
う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断除去される。
パネルと対向電極形成パネルとを接合して液晶表示素子
を組立てた後）に除去される部分であり、この余白部１
Ｂは、図に一点鎖線で示した、素子領域１Ａの輪郭に沿
う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断除去される。
【００１７】図６は上記ＴＦＴパネルの一部分の拡大平
面図、図７および図８は図６の VII−VII 線およびVIII
−VIII線に沿う拡大断面図であり、上記薄膜トランジス
タ３は、図６および図７に示すように、基板１の上に配
線したゲート配線ＧＬに一体に形成されたゲート電極Ｇ
と、このゲート電極Ｇを覆うＳi Ｎ（窒化シリコン）等
からなるゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４の上に
前記ゲート電極Ｇに対向させて形成したａ−Ｓi （アモ
ルファスシリコン）からなるｉ型半導体膜５と、このｉ
型半導体膜５の上に不純物をドープしたａ−Ｓi からな
るｎ型半導体膜６を介して形成したソース電極Ｓおよび
ドレイン電極Ｄとで構成されている。
面図、図７および図８は図６の VII−VII 線およびVIII
−VIII線に沿う拡大断面図であり、上記薄膜トランジス
タ３は、図６および図７に示すように、基板１の上に配
線したゲート配線ＧＬに一体に形成されたゲート電極Ｇ
と、このゲート電極Ｇを覆うＳi Ｎ（窒化シリコン）等
からなるゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４の上に
前記ゲート電極Ｇに対向させて形成したａ−Ｓi （アモ
ルファスシリコン）からなるｉ型半導体膜５と、このｉ
型半導体膜５の上に不純物をドープしたａ−Ｓi からな
るｎ型半導体膜６を介して形成したソース電極Ｓおよび
ドレイン電極Ｄとで構成されている。
【００１８】この薄膜トランジスタ３のゲート絶縁膜４
は、図５に示すように、上記ゲート配線ＧＬを覆って基
板１のほぼ全面に形成されており、画素電極２とデータ
配線ＤＬは前記ゲート絶縁膜（透明膜）４の上に形成さ
れている。なお、図５において、ＧＬａはゲート配線Ｇ
Ｌの一端部に形成された端子部、ＤＬａはデータ配線Ｄ
Ｌの一端部に形成された端子部であり、ゲート配線ＧＬ
の端子部ＧＬａは、データ配線ＤＬを形成した後に上記
ゲート絶縁膜４に開口４ａを形成することによって露出
されている。
は、図５に示すように、上記ゲート配線ＧＬを覆って基
板１のほぼ全面に形成されており、画素電極２とデータ
配線ＤＬは前記ゲート絶縁膜（透明膜）４の上に形成さ
れている。なお、図５において、ＧＬａはゲート配線Ｇ
Ｌの一端部に形成された端子部、ＤＬａはデータ配線Ｄ
Ｌの一端部に形成された端子部であり、ゲート配線ＧＬ
の端子部ＧＬａは、データ配線ＤＬを形成した後に上記
ゲート絶縁膜４に開口４ａを形成することによって露出
されている。
【００１９】上記画素電極２は、その一端縁において薄
膜トランジスタ３のソース電極Ｓに接続されており、デ
ータ配線ＤＬは薄膜トランジスタ３のドレイン電極Ｄに
つながっている。なお、このＴＦＴパネルでは、前記デ
ータ配線ＤＬを薄膜トランジスタ３のドレイン電極Ｄと
一体に形成しているが、ＴＦＴパネルには、上記ゲート
絶縁膜４の上に薄膜トランジスタ３の保護膜を兼ねる層
間絶縁膜を形成して、この層間絶縁膜の上にデータ配線
ＤＬを配線しているものもあり、この種のＴＦＴパネル
では、データ配線ＤＬを前記層間絶縁膜に設けたコンタ
クト孔においてドレイン電極Ｄに接続している。
膜トランジスタ３のソース電極Ｓに接続されており、デ
ータ配線ＤＬは薄膜トランジスタ３のドレイン電極Ｄに
つながっている。なお、このＴＦＴパネルでは、前記デ
ータ配線ＤＬを薄膜トランジスタ３のドレイン電極Ｄと
一体に形成しているが、ＴＦＴパネルには、上記ゲート
絶縁膜４の上に薄膜トランジスタ３の保護膜を兼ねる層
間絶縁膜を形成して、この層間絶縁膜の上にデータ配線
ＤＬを配線しているものもあり、この種のＴＦＴパネル
では、データ配線ＤＬを前記層間絶縁膜に設けたコンタ
クト孔においてドレイン電極Ｄに接続している。
【００２０】そして、上記ＴＦＴパネルにおいては、ゲ
ート配線ＧＬとデータ配線ＤＬとの層間短絡、および薄
膜トランジスタ３のゲート電極Ｇとソース，ドレイン電
極Ｓ，Ｄとの層間短絡の発生を確実に防止するため、ゲ
ート配線ＧＬとゲート電極Ｇの表面を上記端子部ＧＬａ
を除いて陽極酸化し、その表面に図６〜図８に示すよう
に酸化膜ａを生成させている。
ート配線ＧＬとデータ配線ＤＬとの層間短絡、および薄
膜トランジスタ３のゲート電極Ｇとソース，ドレイン電
極Ｓ，Ｄとの層間短絡の発生を確実に防止するため、ゲ
ート配線ＧＬとゲート電極Ｇの表面を上記端子部ＧＬａ
を除いて陽極酸化し、その表面に図６〜図８に示すよう
に酸化膜ａを生成させている。
【００２１】上記陽極酸化は、ゲート配線ＧＬを形成し
た基板１を電解液に浸漬してそのゲート配線ＧＬを電解
液中において陰極と対向させ、ゲート配線ＧＬを陽極と
して、このゲート配線ＧＬと前記陰極との間に電圧を印
加することによって行なわれており、このように電解液
中においてゲート配線ＧＬと陰極との間に電圧を印加す
ると、陽極であるゲート配線ＧＬが化成反応を起してそ
の表面（上面および両側面）から陽極酸化されて行き、
ゲート配線ＧＬおよびゲート電極Ｇの表面に酸化膜ａが
生成される。
た基板１を電解液に浸漬してそのゲート配線ＧＬを電解
液中において陰極と対向させ、ゲート配線ＧＬを陽極と
して、このゲート配線ＧＬと前記陰極との間に電圧を印
加することによって行なわれており、このように電解液
中においてゲート配線ＧＬと陰極との間に電圧を印加す
ると、陽極であるゲート配線ＧＬが化成反応を起してそ
の表面（上面および両側面）から陽極酸化されて行き、
ゲート配線ＧＬおよびゲート電極Ｇの表面に酸化膜ａが
生成される。
【００２２】このゲート配線ＧＬの陽極酸化は、基板１
の余白部１Ｂに形成した陽極酸化用給電路１０から各ゲ
ート配線ＧＬに電圧を供給して行なわれている。
の余白部１Ｂに形成した陽極酸化用給電路１０から各ゲ
ート配線ＧＬに電圧を供給して行なわれている。
【００２３】すなわち、ゲート配線ＧＬの両端は、基板
１の余白部１Ｂ（分断線ｃの外側）に導出されて上記給
電路１０につながっており、この給電路１０は、図５に
示すように、基板１の素子領域１Ａの全周を囲んで無端
枠状に形成されており、その縦給電路と横給電路の両端
はそれぞれ基板１の外周縁部まで延長され、基板外周縁
に沿わせて形成された図示しない主給電路につながって
いる。なお、前記給電路１０および主給電路は、ゲート
配線ＧＬと同じ金属（Ａl またはＡl 系合金等）で形成
されている。
１の余白部１Ｂ（分断線ｃの外側）に導出されて上記給
電路１０につながっており、この給電路１０は、図５に
示すように、基板１の素子領域１Ａの全周を囲んで無端
枠状に形成されており、その縦給電路と横給電路の両端
はそれぞれ基板１の外周縁部まで延長され、基板外周縁
に沿わせて形成された図示しない主給電路につながって
いる。なお、前記給電路１０および主給電路は、ゲート
配線ＧＬと同じ金属（Ａl またはＡl 系合金等）で形成
されている。
【００２４】そして、上記ゲート配線ＧＬの陽極酸化
は、ゲート配線ＧＬの端子部ＧＬａをレジストで覆って
おいて行なわれており、この状態で上述した陽極酸化を
行なうと、ゲート配線ＧＬとゲート電極Ｇの表面が、上
記端子部ＧＬａを除いて陽極酸化される。
は、ゲート配線ＧＬの端子部ＧＬａをレジストで覆って
おいて行なわれており、この状態で上述した陽極酸化を
行なうと、ゲート配線ＧＬとゲート電極Ｇの表面が、上
記端子部ＧＬａを除いて陽極酸化される。
【００２５】次に、上記ＴＦＴパネルを用いる液晶表示
素子の製造について説明すると、液晶表示素子は、ＴＦ
Ｔパネルの各素子領域１Ａの上にそれぞれ配向膜を形成
した後、このＴＦＴパネルと図示しない対向電極形成パ
ネル（液晶表示素子複数個分のパネルを採取できる透明
基板の各素子領域にそれぞれ対向電極と配向膜を形成し
たもの）とを、その一方のパネルに各素子領域の液晶封
入領域を囲んで印刷した枠状シール材を介して接合する
ことにより、複数個一括して組立てられ、この組立体を
個々の素子に分離した後、各素子内に液晶を封入して製
造されている。なお、上記組立体の個々の素子への分離
は、ＴＦＴパネルと対向電極形成パネルの基板にそれぞ
れ各素子領域の輪郭に沿ってスクライブし、この箇所で
両パネルを折断する方法で行なわれている。
素子の製造について説明すると、液晶表示素子は、ＴＦ
Ｔパネルの各素子領域１Ａの上にそれぞれ配向膜を形成
した後、このＴＦＴパネルと図示しない対向電極形成パ
ネル（液晶表示素子複数個分のパネルを採取できる透明
基板の各素子領域にそれぞれ対向電極と配向膜を形成し
たもの）とを、その一方のパネルに各素子領域の液晶封
入領域を囲んで印刷した枠状シール材を介して接合する
ことにより、複数個一括して組立てられ、この組立体を
個々の素子に分離した後、各素子内に液晶を封入して製
造されている。なお、上記組立体の個々の素子への分離
は、ＴＦＴパネルと対向電極形成パネルの基板にそれぞ
れ各素子領域の輪郭に沿ってスクライブし、この箇所で
両パネルを折断する方法で行なわれている。
【００２６】この場合、上記ＴＦＴパネルは、素子領域
１Ａの輪郭に沿う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断
されており、この箇所でＴＦＴパネルを分断すると、基
板１の余白部１Ｂに形成されている上述した給電路１０
が余白部１Ｂとともに除去され、この給電路１０を介し
て共通接続されていた各ゲート配線ＧＬが個々の配線に
分離される。
１Ａの輪郭に沿う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断
されており、この箇所でＴＦＴパネルを分断すると、基
板１の余白部１Ｂに形成されている上述した給電路１０
が余白部１Ｂとともに除去され、この給電路１０を介し
て共通接続されていた各ゲート配線ＧＬが個々の配線に
分離される。
【００２７】ところが、ＴＦＴパネルの余白部１Ｂを分
断除去すると、ゲート配線ＧＬの金属部分が、ゲート配
線ＧＬの端部（分断線ｃに沿って分断された端面）で剥
き出しになるため、液晶表示素子の使用中に、ゲート配
線ＧＬの金属部分にその剥き出し端から電解腐食が進行
してしまう。
断除去すると、ゲート配線ＧＬの金属部分が、ゲート配
線ＧＬの端部（分断線ｃに沿って分断された端面）で剥
き出しになるため、液晶表示素子の使用中に、ゲート配
線ＧＬの金属部分にその剥き出し端から電解腐食が進行
してしまう。
【００２８】この電解腐食は、上記金属部分の剥き出し
端が空気中にさらされており、この状態で、各ゲート配
線ＧＬの端部間にゲート配線相互間の電位差による漏れ
電流が流れることによって発生する。
端が空気中にさらされており、この状態で、各ゲート配
線ＧＬの端部間にゲート配線相互間の電位差による漏れ
電流が流れることによって発生する。
【００２９】そこで、基板１にゲート配線ＧＬを形成
し、このゲート配線ＧＬの表面を陽極酸化する際に、ゲ
ート配線ＧＬの両端側でかつ余白部１Ｂの分断箇所（分
断線ｃ）の内側におけるゲート配線ＧＬの表面をレジス
トで覆い、この状態で陽極酸化を行ない、この後、レジ
ストで覆ったゲート配線ＧＬの非酸化部の金属膜をエッ
チングで除去してゲート配線ＧＬの両端側の一部を切り
離す。そしてゲート配線ＧＬの両端側の一部を切り離し
た後に、基板１の上に画素電極２および薄膜トランジス
タ３を形成してＴＦＴパネルを完成させる。
し、このゲート配線ＧＬの表面を陽極酸化する際に、ゲ
ート配線ＧＬの両端側でかつ余白部１Ｂの分断箇所（分
断線ｃ）の内側におけるゲート配線ＧＬの表面をレジス
トで覆い、この状態で陽極酸化を行ない、この後、レジ
ストで覆ったゲート配線ＧＬの非酸化部の金属膜をエッ
チングで除去してゲート配線ＧＬの両端側の一部を切り
離す。そしてゲート配線ＧＬの両端側の一部を切り離し
た後に、基板１の上に画素電極２および薄膜トランジス
タ３を形成してＴＦＴパネルを完成させる。
【００３０】このようなＴＦＴパネルにおいては、その
ゲート配線ＧＬが余白部１Ｂの分断箇所（分断線ｃ）よ
り内側の部分において切り離されているから、余白部１
Ｂの分断除去によりゲート配線ＧＬの金属部分が、ゲー
ト配線ＧＬの端面（分断線ｃに沿って分断された端面）
に剥き出しになっても、液晶表示素子の使用中に、ゲー
ト配線ＧＬの金属部分がその剥き出し端から電解腐食し
て行くような不都合を防止することができる。
ゲート配線ＧＬが余白部１Ｂの分断箇所（分断線ｃ）よ
り内側の部分において切り離されているから、余白部１
Ｂの分断除去によりゲート配線ＧＬの金属部分が、ゲー
ト配線ＧＬの端面（分断線ｃに沿って分断された端面）
に剥き出しになっても、液晶表示素子の使用中に、ゲー
ト配線ＧＬの金属部分がその剥き出し端から電解腐食し
て行くような不都合を防止することができる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、従来においては、配線の途中の一部をレジス
トで覆ってその部分の陽極酸化を抑えようとしても、実
際には陽極酸化用の電解液が配線の両側縁を伝わってレ
ジストの内側に侵入し、その電解液で最終的に切り離す
べき部分の両側部が陽極酸化されて酸化膜が生成され、
したがってこの部分の金属膜を完全にエッチングして除
去すること、すなわち配線の途中を完全に切り離すこと
が困難となって電気的な導通状態が残り、例えば上述し
たような電解腐食の防止を図ろうとした場合にその信頼
性が低下してしまう。
たように、従来においては、配線の途中の一部をレジス
トで覆ってその部分の陽極酸化を抑えようとしても、実
際には陽極酸化用の電解液が配線の両側縁を伝わってレ
ジストの内側に侵入し、その電解液で最終的に切り離す
べき部分の両側部が陽極酸化されて酸化膜が生成され、
したがってこの部分の金属膜を完全にエッチングして除
去すること、すなわち配線の途中を完全に切り離すこと
が困難となって電気的な導通状態が残り、例えば上述し
たような電解腐食の防止を図ろうとした場合にその信頼
性が低下してしまう。
【００３２】本発明は、このような点に着目してなされ
たもので、その目的とするところは、基板に形成された
配線を陽極酸化するときに、その配線の最終的に切り離
すべき部分における陽極酸化を確実に抑えてその後のエ
ッチングでその切り離すべき部分を確実に切り離すこと
ができる配線基板を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、基板に形成された
配線を陽極酸化するときに、その配線の最終的に切り離
すべき部分における陽極酸化を確実に抑えてその後のエ
ッチングでその切り離すべき部分を確実に切り離すこと
ができる配線基板を提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性の
基板の上に金属膜からなる配線を形成した配線基板であ
って、一方方向に延出して形成され、表面が陽極酸化さ
れた配線と、前記配線の途中に配設され、前記配線の延
出方向に対してほぼ直角に曲り、金属膜のみからなる曲
り部とを備えたことを特徴とするものである。
基板の上に金属膜からなる配線を形成した配線基板であ
って、一方方向に延出して形成され、表面が陽極酸化さ
れた配線と、前記配線の途中に配設され、前記配線の延
出方向に対してほぼ直角に曲り、金属膜のみからなる曲
り部とを備えたことを特徴とするものである。
【００３４】
【作用】表面に陽極酸化膜が生成された金属膜からなる
配線の途中に、陽極酸化膜が生成されない金属膜のみか
らなり、その配線の延出方向に対してほぼ直角に曲がる
曲り部が配置されており、この曲り部は製造工程中にお
いて陽極酸化を防止するためのレジストの内側に侵入し
ようとする電解液の流動を阻止する。
配線の途中に、陽極酸化膜が生成されない金属膜のみか
らなり、その配線の延出方向に対してほぼ直角に曲がる
曲り部が配置されており、この曲り部は製造工程中にお
いて陽極酸化を防止するためのレジストの内側に侵入し
ようとする電解液の流動を阻止する。
【００３５】したがって、電解液はレジストで覆われた
部分の両端側のごく一部に侵入するだけで、その中間側
の大部分の領域への侵入が防止される。このためその部
分の両端側のごく一部がその侵入した電解液で陽極酸化
され程度にとどまる。
部分の両端側のごく一部に侵入するだけで、その中間側
の大部分の領域への侵入が防止される。このためその部
分の両端側のごく一部がその侵入した電解液で陽極酸化
され程度にとどまる。
【００３６】よって、曲り部はエッチングによりその部
分の中間側の金属膜を確実に除去でき、これにより配線
を確実に切り離すことができる。
分の中間側の金属膜を確実に除去でき、これにより配線
を確実に切り離すことができる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１ないし図
３を参照して説明する。
３を参照して説明する。
【００３８】図１には、本発明の第１の実施例による配
線基板２０を示してあり、この配線基板２０は、ガラス
等の電気絶縁性の基板２１の上にＡｌやＡｌ合金等の金
属膜からなる配線２２を形成して構成されている。
線基板２０を示してあり、この配線基板２０は、ガラス
等の電気絶縁性の基板２１の上にＡｌやＡｌ合金等の金
属膜からなる配線２２を形成して構成されている。
【００３９】前記配線２２は、その途中の一部の図に示
すＡ部が最終的にエッチングにより切り離すべき部分で
ある。そして配線２２は、このＡ部においてほぼ蛇行状
に屈曲し、この屈曲により最終的に切り離すべきＡ部に
おける両端部に、配線２２の長手方向に対してほぼ直角
に曲がる曲り部２２ａが形成されている。
すＡ部が最終的にエッチングにより切り離すべき部分で
ある。そして配線２２は、このＡ部においてほぼ蛇行状
に屈曲し、この屈曲により最終的に切り離すべきＡ部に
おける両端部に、配線２２の長手方向に対してほぼ直角
に曲がる曲り部２２ａが形成されている。
【００４０】図２には、配線２２を陽極酸化し、かつ配
線２２のＡ部を切り離すときの工程を示してあり、次に
この工程について説明する。
線２２のＡ部を切り離すときの工程を示してあり、次に
この工程について説明する。
【００４１】図２の（イ）には、基板２１の上に配線２
２が形成された状態を示してあり、この状態から（ロ）
に示すように、まず配線２２の途中のＡ部をレジストＢ
で覆う。
２が形成された状態を示してあり、この状態から（ロ）
に示すように、まず配線２２の途中のＡ部をレジストＢ
で覆う。
【００４２】そしてこの状態で、配線基板２０を電解液
中に浸漬し、配線２２とその電解液中の陰極との間に電
圧を印加して配線２２の表面を陽極酸化する。
中に浸漬し、配線２２とその電解液中の陰極との間に電
圧を印加して配線２２の表面を陽極酸化する。
【００４３】配線２２のＡ部はレジストＢで覆われてお
り、このためこのＡ部での陽極酸化は抑えられ、酸化膜
の生成が阻まれる。しかし、陽極酸化が行なわれている
部分の配線２２は、その陽極酸化に伴い体積が増し、こ
のためＡ部を覆っているレジストＢの両端部でかつ配線
２２の両側縁と接する部分が基板２１の表面から浮き上
がって配線２２の両側縁とレジストＢとの間に隙間が生
じ、この結果、前記隙間から配線２２の両側縁を伝わっ
て電解液がレジストＢの内側に侵入する。
り、このためこのＡ部での陽極酸化は抑えられ、酸化膜
の生成が阻まれる。しかし、陽極酸化が行なわれている
部分の配線２２は、その陽極酸化に伴い体積が増し、こ
のためＡ部を覆っているレジストＢの両端部でかつ配線
２２の両側縁と接する部分が基板２１の表面から浮き上
がって配線２２の両側縁とレジストＢとの間に隙間が生
じ、この結果、前記隙間から配線２２の両側縁を伝わっ
て電解液がレジストＢの内側に侵入する。
【００４４】ところが、レジストＢで覆われた配線２２
のＡ部は蛇行状に屈曲して配線２２の長手方向に対して
ぼ直角に曲がる曲り部２２ａがあり、このためレジスト
Ｂの内側に侵入しようとする電解液の流動がその曲り部
２２ａで阻まれる。
のＡ部は蛇行状に屈曲して配線２２の長手方向に対して
ぼ直角に曲がる曲り部２２ａがあり、このためレジスト
Ｂの内側に侵入しようとする電解液の流動がその曲り部
２２ａで阻まれる。
【００４５】したがって、電解液はＡ部の両端側のごく
一部に侵入するだけで、その中間側の大部分の領域への
侵入が防止される。このため（ハ）に示すように、Ａ部
の両端側のごく一部の部分がその侵入した電解液で陽極
酸化され程度にとどまる。
一部に侵入するだけで、その中間側の大部分の領域への
侵入が防止される。このため（ハ）に示すように、Ａ部
の両端側のごく一部の部分がその侵入した電解液で陽極
酸化され程度にとどまる。
【００４６】この後、配線２２のＡ部からレジストＢを
取り除き、そのＡ部をエッチングする。この際、前記Ａ
部はその両端側のごく一部が陽極酸化されているだけで
あるから、（ニ）に示すようにそのエッチングによりＡ
部の中間側の大部分の金属膜が確実に除去され、これに
より配線２２が確実に切り離される。
取り除き、そのＡ部をエッチングする。この際、前記Ａ
部はその両端側のごく一部が陽極酸化されているだけで
あるから、（ニ）に示すようにそのエッチングによりＡ
部の中間側の大部分の金属膜が確実に除去され、これに
より配線２２が確実に切り離される。
【００４７】図３には本発明の第２の実施例を示してあ
り、この第２の実施例における配線２２には、その途中
の最終的に切り離すべき部分のＡ部において、配線２２
の両側縁からその外方にほぼ直角に突出する複数の突出
片２３が一体に形成され、これら突出片２３により配線
２２の長手方向に対してほぼ直角に曲がる曲り部２２ａ
が構成されている。
り、この第２の実施例における配線２２には、その途中
の最終的に切り離すべき部分のＡ部において、配線２２
の両側縁からその外方にほぼ直角に突出する複数の突出
片２３が一体に形成され、これら突出片２３により配線
２２の長手方向に対してほぼ直角に曲がる曲り部２２ａ
が構成されている。
【００４８】このような配線基板２０においても、配線
２２のＡ部を（ロ）に示すようにレジストＢで覆って陽
極酸化を行なう工程時に、電解液がレジストＢの内側に
侵入するが、しかしＡ部の両端部には配線２２の長手方
向に対してほぼ直角に曲がる曲り部２２ａが配置してお
り、このためレジストＢの内側に侵入しようとする電解
液の流動がその曲り部２２ａで阻まれる。
２２のＡ部を（ロ）に示すようにレジストＢで覆って陽
極酸化を行なう工程時に、電解液がレジストＢの内側に
侵入するが、しかしＡ部の両端部には配線２２の長手方
向に対してほぼ直角に曲がる曲り部２２ａが配置してお
り、このためレジストＢの内側に侵入しようとする電解
液の流動がその曲り部２２ａで阻まれる。
【００４９】したがって、電解液はＡ部の両端側のごく
一部に侵入するだけで、その中間側の大部分の領域への
侵入が防止され、このため（ハ）に示すようにＡ部の両
端側のごく一部の部分がその侵入した電解液で陽極酸化
される程度となる。
一部に侵入するだけで、その中間側の大部分の領域への
侵入が防止され、このため（ハ）に示すようにＡ部の両
端側のごく一部の部分がその侵入した電解液で陽極酸化
される程度となる。
【００５０】この後、配線２２のＡ部からレジストＢを
取り除き、そのＡ部をエッチングする。この際、前記Ａ
部はその両端側のごく一部が陽極酸化されているだけで
あるから、（ニ）に示すようにそのエッチングによりＡ
部の中間側の大部分の金属膜が確実に除去され、これに
より配線２２が確実に切り離される。
取り除き、そのＡ部をエッチングする。この際、前記Ａ
部はその両端側のごく一部が陽極酸化されているだけで
あるから、（ニ）に示すようにそのエッチングによりＡ
部の中間側の大部分の金属膜が確実に除去され、これに
より配線２２が確実に切り離される。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板に形成された配線を陽極酸化するときに、その配線の
最終的に切り離すべき部分における陽極酸化を適正に抑
えてその後のエッチングでその切り離すべき部分を確実
に切り離すことができる。
板に形成された配線を陽極酸化するときに、その配線の
最終的に切り離すべき部分における陽極酸化を適正に抑
えてその後のエッチングでその切り離すべき部分を確実
に切り離すことができる。
【図１】本発明の第１の実施例による配線基板の平面
図。
図。
【図２】その配線基板における配線の途中の一部を切り
離すときの工程を示す説明図。
離すときの工程を示す説明図。
【図３】本発明の第２の実施例による配線基板における
配線の途中の一部を切り離すときの工程を示す説明図。
配線の途中の一部を切り離すときの工程を示す説明図。
【図４】従来の配線基板における配線の途中の一部を切
り離すときの工程を示す説明図。
り離すときの工程を示す説明図。
【図５】従来の一般的なＴＦＴパネルを示す平面図。
【図６】そのＴＦＴパネルの一部分の拡大平面図。
【図７】図５の VII−VII 線に沿う拡大断面図。
【図８】図５のVIII−VIII線に沿う拡大断面図。
２０…配線基板 ２１…基板 ２２……配線 ２２ａ…曲り部 Ａ部…配線の最終的に切り離すべき部分
Claims (3)
- 【請求項１】電気絶縁性の基板の上に金属膜からなる配
線を形成した配線基板であって、一方方向に延出して形
成され、表面が陽極酸化された配線と、前記配線の途中
に配設され、前記配線の延出方向に対してほぼ直角に曲
り、金属膜のみからなる曲り部とを備えたことを特徴と
する配線基板。 - 【請求項２】曲り部は、配線の途中の一部を蛇行状に屈
曲させることにより構成されていることを特徴とする請
求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】曲り部は、配線の途中の一部の側縁からそ
の外方にほぼ直角に突出する突出片により構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34728393A JPH07193345A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34728393A JPH07193345A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193345A true JPH07193345A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18389168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34728393A Pending JPH07193345A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258714A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高温工程に適した絶縁構造体及びその製造方法 |
| JP2009277861A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34728393A patent/JPH07193345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258714A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高温工程に適した絶縁構造体及びその製造方法 |
| JP2009277861A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
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