JPH06289430A - 薄膜トランジスタパネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ゲートラインの端子部のない端部側からの金属
部分の電解腐食を抑制し、液晶表示素子の表示エリア内
に染み模様状の異常表示が発生するのを防ぐ。 【構成】両端が基板１の余白部１Ｂに導出されてこの余
白部１Ｂに形成された陽極酸化用給電路１０につながっ
ているゲートラインＧＬの端部を、余白部１Ｂの分断線
ｃより内側の部分Ｐにおいてその断面全域にわたり陽極
酸化した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス液晶表示素子に用いる薄膜トランジスタパネルに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、アクティブマトリックス液晶表示
素子に用いる薄膜トランジスタパネル（以下、ＴＦＴパ
ネルという）は、次のような構成となっている。

【０００３】なお、一般に液晶表示素子は、複数個の液
晶表示素子を一括して組立てる製法で製造されており、
この製法で液晶表示素子を製造する場合に用いられるＴ
ＦＴパネルは、液晶表示素子複数個分のパネルを採取で
きる大きさとされている。

【０００４】図９は上記製法で液晶表示素子を製造する
場合に用いられる従来のＴＦＴパネルの平面図であり、
このＴＦＴパネルは、ガラス等からなる透明基板１の上
に、縦横に配列した複数の透明画素電極２と、これら各
画素電極２にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）３と、前記薄膜トランジスタ３にゲート信
号を供給するゲートラインＧＬと、前記薄膜トランジス
タ３にデータ信号を供給するデータラインＤＬとを形成
して構成されている。

【０００５】上記基板１は、液晶表示素子複数個分のＴ
ＦＴパネルを採取できる大きさの大型基板であり、各液
晶表示素子のＴＦＴパネルとなる部分は、液晶表示素子
の大きさに対応する領域（以下、素子領域という）１Ａ
と、この素子領域１Ａの周囲に確保された余白部１Ｂと
からなっており、画素電極２と薄膜トランジスタ３およ
びゲート，データラインＧＬ，ＤＬは前記素子領域１Ａ
に形成されている。

【０００６】また、上記余白部１Ｂは、最終的（ＴＦＴ
パネルと対向電極形成パネルとを接合して液晶表示素子
を組立てた後）に除去される部分であり、この余白部１
Ｂは、図に一点鎖線で示した、素子領域１Ａの輪郭に沿
う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断除去される。

【０００７】図１０は上記ＴＦＴパネルの一部分の拡大
平面図、図１１および図１２は図１０のXI−XI線および
XII−XII 線に沿う拡大断面図であり、上記薄膜トラン
ジスタ３は、図１０および図１１に示すように、基板１
上に配線したゲートラインＧＬに一体に形成されたゲー
ト電極Ｇと、このゲート電極Ｇを覆うＳi Ｎ（窒化シリ
コン）等からなるゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜
４の上に前記ゲート電極Ｇに対向させて形成したａ−Ｓ
i （アモルファスシリコン）からなるｉ型半導体膜５
と、このｉ型半導体膜５の上に不純物をドープしたａ−
Ｓi からなるｎ型半導体膜６を介して形成したソース電
極Ｓおよびドレイン電極Ｄとで構成されている。

【０００８】この薄膜トランジスタ３のゲート絶縁膜４
は、図９に示したように、上記ゲートラインＧＬを覆っ
て基板１のほぼ全面に形成されており、画素電極２とデ
ータラインＤＬは前記ゲート絶縁膜（透明膜）４の上に
形成されている。なお、図９において、ＧＬａはゲート
ラインＧＬの一端部に形成された端子部、ＤＬａはデー
タラインＤＬの一端部に形成された端子部であり、ゲー
トラインＧＬの端子部ＧＬａは、データラインＤＬを形
成した後に上記ゲート絶縁膜４に開口４ａを形成するこ
とによって露出されている。

【０００９】上記画素電極２は、その一端縁において薄
膜トランジスタ３のソース電極Ｓに接続されており、デ
ータラインＤＬは薄膜トランジスタ３のドレイン電極Ｄ
につながっている。なお、このＴＦＴパネルでは、前記
データラインＤＬを薄膜トランジスタ３のドレイン電極
Ｄと一体に形成しているが、ＴＦＴパネルには、上記ゲ
ート絶縁膜４の上に薄膜トランジスタ３の保護膜を兼ね
る層間絶縁膜を形成して、この層間絶縁膜の上にデータ
ラインＤＬを配線しているものもあり、この種のＴＦＴ
パネルでは、データラインＤＬを前記層間絶縁膜に設け
たコンタクト孔においてドレイン電極Ｄに接続してい
る。

【００１０】ところで、上記ＴＦＴパネルにおいては、
ゲートラインＧＬとデータラインＤＬとの層間短絡、お
よび薄膜トランジスタ３のゲート電極Ｇとソース，ドレ
イン電極Ｓ，Ｄとの層間短絡の発生を確実に防止するた
め、ゲートラインＧＬとゲート電極Ｇの表面を上記端子
部ＧＬａを除いて陽極酸化し、その表面に図１０〜図１
２に示すように酸化膜ａを生成させている。

【００１１】上記陽極酸化は、ゲートラインＧＬを形成
した基板１を電解液に浸漬してそのゲートラインＧＬを
電解液中において陰極と対向させ、ゲートラインＧＬを
陽極として、このゲートラインＧＬと前記陰極との間に
電圧を印加することによって行なわれており、このよう
に電解液中においてゲートラインＧＬと陰極との間に電
圧を印加すると、陽極であるゲートラインＧＬが化成反
応を起してその表面（上面および両側面）から陽極酸化
されて行き、ゲートラインＧＬおよびゲート電極Ｇの表
面に酸化膜ａが生成する。

【００１２】このゲートラインＧＬの陽極酸化は、基板
１の余白部１Ｂに形成した陽極酸化用給電路１０から各
ゲートラインＧＬに電圧を供給して行なわれている。

【００１３】すなわち、図１３は上記ＴＦＴパネルの１
本のゲートラインＧＬの平面図、図１４および図１５は
図１３の XIV−XIV 線およびXV−XV線に沿う拡大断面図
であり、ゲートラインＧＬの両端は、基板１の余白部１
Ｂ（分断線ｃの外側）に導出されて上記給電路１０につ
ながっている。この給電路１０は、図９に示したよう
に、基板１の素子領域１Ａの全周を囲んで無端枠状に形
成されており、その縦給電路と横給電路の両端はそれぞ
れ基板１の外周縁部まで延長され、基板外周縁に沿わせ
て形成された図示しない主給電路につながっている。な
お、前記給電路１０および主給電路は、ゲートラインＧ
Ｌと同じ金属（Ａl またはＡl 系合金等）で形成されて
いる。

【００１４】そして、上記ゲートラインＧＬの陽極酸化
は、ゲートラインＧＬの端子部ＧＬａをレジストマスク
（図示せず）で覆っておいて行なわれており、この状態
で上述した陽極酸化を行なうと、ゲートラインＧＬとゲ
ート電極Ｇの表面が、上記端子部ＧＬａを除いて図１３
〜図１５に示したように陽極酸化される。なお、この場
合、上記給電路１０および主給電路の電解液中に浸漬し
ている部分も陽極酸化され、その表面にも酸化膜ａが生
成する。

【００１５】このゲートラインＧＬの陽極酸化は、ゲー
トラインＧＬと上記陰極との間に印加する電圧を制御す
ることによって行われており、上記陽極酸化における酸
化の進行深さは主に印加電圧によって決まるため、配線
の厚さに応じて印加電圧を制御すれば、ゲートラインＧ
Ｌの表面に所望の厚さの酸化膜ａを生成させることがで
きる。

【００１６】次に、上記ＴＦＴパネルを用いる液晶表示
素子の製造について説明すると、液晶表示素子は、ＴＦ
Ｔパネルの各素子領域１Ａの上にそれぞれ配向膜を形成
した後、このＴＦＴパネルと図示しない対向電極形成パ
ネル（液晶表示素子複数個分のパネルを採取できる透明
基板の各素子領域にそれぞれ対向電極と配向膜を形成し
たもの）とを、その一方のパネルに各素子領域の液晶封
入領域を囲んで印刷した枠状シール材を介して接合する
ことにより、複数個一括して組立てられ、この組立体を
個々の素子に分離した後、各素子内に液晶を封入して製
造されている。なお、上記組立体の個々の素子への分離
は、ＴＦＴパネルと対向電極形成パネルの基板にそれぞ
れ各素子領域の輪郭に沿ってスクライブし、この箇所で
両パネルを折断する方法で行なわれている。

【００１７】この場合、上記ＴＦＴパネルは、素子領域
１Ａの輪郭に沿う縦横２本ずつの分断線ｃに沿って分断
されており、この箇所でＴＦＴパネルを分断すると、基
板１の余白部１Ｂに形成されている上述した給電路１０
が余白部１Ｂとともに除去され、この給電路１０を介し
て共通接続されていた各ゲートラインＧＬが個々のライ
ンに分離される。図１６および図１７は図１３の XIV−
XIV 線およびXV−XV線に沿う余白部１Ｂを分断除去した
状態の拡大断面図である。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＴＦＴパネルを用いている液晶表示素子は、その寿
命が短いという問題をもっている。

【００１９】これは、ＴＦＴパネルの余白部１Ｂを分断
除去すると、ゲートラインＧＬの金属部分（表面の酸化
膜ａを除く部分）が、ゲートラインＧＬの端面（分断線
ｃに沿って分断された端面）に図１６および図１７に示
したように剥き出しになるため、液晶表示素子の使用中
に、ゲートラインＧＬの金属部分がその剥き出し端から
電解腐食して行くからである。

【００２０】この電解腐食は、上記金属部分の剥き出し
端が空気中にさらされており、その状態で、各ゲートラ
インＧＬの端部間にゲートライン相互間の電位差による
漏れ電流が流れることによって発生する。

【００２１】すなわち、アクティブマトリックス液晶表
示素子は、各ゲートラインＧＬに順次ゲート信号を印加
し、各データラインＤＬに画像データに応じたデータ信
号を印加して表示駆動されるため、ゲートライン相互間
に、ゲート信号の電圧に応じた電位差が生じる。

【００２２】そして、ＴＦＴパネルの分断端面には、余
白部１Ｂの分断時やその後の表示素子製造工程等におい
て付着したイオン性不純物が残存しているため、ゲート
ライン相互間に電位差が生じると、前記イオン性不純物
を媒体として各ゲートラインＧＬの端部間に漏れ電流が
流れ、この漏れ電流と空気中の湿気とによる電解反応を
生じ、ゲートラインＧＬの金属部分がその剥き出し端か
ら電解腐食して行く。

【００２３】また、金属が腐食するとその体積が大きく
なるため、上記電解腐食が液晶表示素子の表示エリア内
まで進行してくると、金属部分の腐食によるゲートライ
ンＧＬの膨脹にともなってその上のゲート絶縁膜４およ
び図示しない配向膜が浮き上がったり破れたりし、その
領域の液晶の配向状態が乱れて、表示エリア内に染み模
様状の異常表示が発生してしまう。

【００２４】なお、上記電解腐食の進行の度合は、上記
漏れ電流の量と、金属部分の腐食進行方向（ゲートライ
ンＧＬの長さ方向）に対して直交する断面の面積とによ
って決まり、漏れ電流量が少ないほど、また金属部分の
断面積が大きいほど、電解腐食の進行は遅くなるため、
ゲートラインＧＬの端子部ＧＬａを形成している端部側
からの電解腐食は、断面積が大きくなっている端子部Ｇ
Ｌａに達したところでその進行を抑制される。

【００２５】しかし、従来のＴＦＴパネルでは、ゲート
ラインＧＬの端子部のない端部側からの電解腐食が途中
で抑制されることなく進行するため、この端部側からの
電解腐食が比較的短い期間で表示エリア内まで進行す
る。

【００２６】このため、従来のＴＦＴパネルを用いてい
る液晶表示素子は、液晶の自然劣化等による表示品質の
低下が現れ始める前に、表示エリア内に染み模様状の異
常表示が発生して、その時点で使用不能となってしま
う。

【００２７】本発明は、ゲートラインの端子部のない端
部側からの金属部分の電解腐食を抑制して、液晶表示素
子の表示エリア内に染み模様状の異常表示が発生するの
を防ぐことができるＴＦＴパネルを提供することを目的
としたものである。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明のＴＦＴパネル
は、透明基板の上に、複数の画素電極と、これら各画素
電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタにゲート信号を供給するゲートラ
インと、前記薄膜トランジスタにデータ信号を供給する
データラインとを形成してなり、前記薄膜トランジスタ
は、前記基板上に配線した前記ゲートラインに一体に形
成されたゲート電極と、このゲート電極を覆うゲート絶
縁膜と、このゲート絶縁膜の上に形成した半導体膜と、
この半導体膜の上に形成したソース電極およびドレイン
電極とで構成され、前記ゲートラインおよび前記ゲート
電極の表面が、前記ゲートラインの一端側に形成した端
子部を除いて陽極酸化されているとともに、前記ゲート
ラインの両端部のうち少なくとも前記端子部のない端部
がその断面全域にわたり陽極酸化されていることを特徴
とするものである。

【００２９】

【作用】このように、ゲートラインの両端部のうち少な
くとも端子部のない端部をその断面全域にわたって陽極
酸化しておけば、ゲートライン相互間に電位差が生じて
も、各ゲートラインの少なくとも端子部のない側の端部
間には、ほとんど漏れ電流が流れないか、あるいは極く
僅かな漏れ電流が流れるだけであり、したがって、ゲー
トラインの端子部のない端部側からの金属部分の電解腐
食が抑制される。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１〜図６を
参照して説明する。

【００３１】図１はＴＦＴパネルの平面図、図２は１本
のゲートラインの平面図、図３および図４は図２の III
−III 線およびIV−IV線に沿う拡大断面図、図５および
図６は図２の III−III 線およびIV−IV線に沿う余白部
を分断除去した状態の拡大断面図である。なお、図１〜
図６において、図１０〜図１８に示した従来のＴＦＴパ
ネルと対応するものには同符号を付し、重複する説明は
省略する。

【００３２】この実施例のＴＦＴパネルは、そのゲート
ラインＧＬの両端側を、余白部１Ｂの分断線ｃより内側
の部分においてその断面全域にわたり陽極酸化したもの
であり、その他の構成は従来のＴＦＴパネルと同じであ
る。

【００３３】すなわち、この実施例のＴＦＴパネルは、
周囲に最終的に分断除去される余白部１Ｂを有する透明
基板１の上（液晶表示素子の大きさに対応する素子領域
１Ａの上）に、複数の画素電極２と、これら各画素電極
２にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ３と、
前記薄膜トランジスタ３にゲート信号を供給するゲート
ラインＧＬと、前記薄膜トランジスタ３にデータ信号を
供給するデータラインＤＬとを形成し、基板１の余白部
１Ｂの上には陽極酸化用給電路１０を形成したものであ
り、前記ゲートラインＧＬの両端は、基板１の余白部１
Ｂに導出されて前記給電路１０につながっている。

【００３４】なお、上記薄膜トランジスタ３は、図１０
〜図１２に示したように、基板１上に配線したゲートラ
インＧＬに一体に形成されたゲート電極Ｇと、このゲー
ト電極Ｇを覆うゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４
の上に形成したｉ型半導体膜５と、このｉ型半導体膜５
の上にｎ型半導体膜６を介して形成したソース電極Ｓお
よびドレイン電極Ｄとで構成されている。

【００３５】上記ゲートラインＧＬについて説明する
と、このゲートラインＧＬは、その両端側の上記分断線
ｃより内側の部分の線幅を局部的に狭くした形状に形成
されており、このゲートラインＧＬは、その端子部ＧＬ
ａを除く部分の表面を陽極酸化されるとともに、前記線
幅を狭くした部分Ｐを、その断面全域にわたって陽極酸
化されている。以下、前記断面全域にわたって陽極酸化
した部分Ｐを全酸化部という。

【００３６】上記全酸化部Ｐは、ゲートラインＧＬの表
面を陽極酸化する際に同時に形成されたものである。

【００３７】すなわち、ゲートラインＧＬの陽極酸化
は、［従来の技術］の項でも説明したように、ゲートラ
インＧＬを形成した基板１を電解液に浸漬してそのゲー
トラインＧＬを電解液中において陰極と対向させ、この
ゲートラインＧＬと前記陰極との間に電圧を印加するこ
とによって行なう。なお、この陽極酸化は、ゲートライ
ンＧＬの端子部ＧＬａはレジストマスクで覆っておいて
行なう。

【００３８】この場合、ゲートラインＧＬに印加される
電圧は、基板１の余白部１Ｂに形成した給電路１０を介
して各ゲートラインＧＬに供給されるため、ゲートライ
ンＧＬは、端子部ＧＬａを除く全域をその表面（上面お
よび両側面）からほぼ均等に陽極酸化されて行くが、上
記ゲートラインＧＬの全酸化部Ｐはその線幅が他の部分
より狭いため、ゲートラインＧＬの全酸化部Ｐ以外の部
分の表面にある程度の厚さの酸化膜ａが生成した時点
で、前記全酸化部Ｐがその断面全域にわたって陽極酸化
される。

【００３９】そして、ゲートラインＧＬの全酸化部Ｐが
その断面全域にわたって陽極酸化されると、給電路１０
からゲートラインＧＬに供給される電圧が全酸化部Ｐで
遮断され、ゲートライン表面の陽極酸化の進行が自動的
に停止する。

【００４０】このため、ゲートラインＧＬの陽極酸化
を、給電路１０からゲートラインＧＬに供給される電圧
が全酸化部Ｐで遮断されるまで、つまりゲートラインＧ
Ｌと上記陰極との間の電流値がほとんどに０なるまで行
なえば、全酸化部Ｐをその断面全域にわたって陽極酸化
し、他の部分は表面のみを陽極酸化したゲートラインＧ
Ｌを得ることができる。

【００４１】そして、上記ＴＦＴパネルにおいては、そ
のゲートラインＧＬの両端側を、余白部１Ｂの分断箇所
（分断線ｃ）より内側の部分においてその断面全域にわ
たり陽極酸化しているため、余白部１Ｂの分断除去によ
りゲートラインＧＬの金属部分（表面の酸化膜ａを除く
部分）が、ゲートラインＧＬの端面（分断線ｃに沿って
分断された端面）に図５および図６に示したように剥き
出しになっても、液晶表示素子の使用中に、ゲートライ
ンＧＬの金属部分がその剥き出し端から電解腐食して行
くのを抑制することができる。

【００４２】すなわち、上記ＴＦＴパネルのように、ゲ
ートラインＧＬの両端側を余白部１Ｂの分断箇所より内
側の部分においてその断面全域にわたって陽極酸化し
て、この部分を全酸化部Ｐとしておけば、余白部１Ｂを
分断除去した状態においてゲートライン相互間に電位差
が生じても、各ゲートラインＧＬの端部間には、ほとん
ど漏れ電流が流れないか、あるいは極く僅かな漏れ電流
が流れるだけであり、したがって、ゲートラインＧＬの
金属部分の電解腐食が抑制される。

【００４３】なお、各ゲートラインＧＬの端部間に僅か
でも漏れ電流が流れると、この漏れ電流と空気中の湿気
とにより電解反応が生じてゲートラインＧＬの金属部分
がその剥き出し端からゆっくりと電解腐食して行くが、
その場合でも、電解腐食の進行は全酸化部Ｐに達したと
ころで停止する。

【００４４】このため、上記ＴＦＴパネルによれば、ゲ
ートラインＧＬの金属部分の電解腐食が液晶表示素子の
表示エリア内まで進行することはなく、したがって、液
晶表示素子の表示エリア内に、ゲートラインＧＬの金属
部分の電解腐食による染み模様状の異常表示を発生させ
てしまうことはないから、従来のＴＦＴパネルに比べ
て、液晶表示素子の寿命を大幅に向上させることができ
る。

【００４５】しかも、上記実施例においては、ゲートラ
インＧＬを、分断線ｃより内側の部分の線幅を局部的に
狭くした形状に形成し、この線幅を狭くした部分を全酸
化部Ｐとしているため、ゲートラインＧＬの表面を陽極
酸化する際に前記全酸化部Ｐをその断面全域にわたって
陽極酸化させることができるし、また、ゲートライン表
面の陽極酸化に際して、面倒な電圧制御を行なう必要は
ない。

【００４６】すなわち、ゲートラインＧＬの表面を陽極
酸化する場合、従来は、ゲートラインＧＬの表面に所望
の厚さの酸化膜ａを生成させるために、ゲートラインＧ
Ｌと陰極との間に印加する電圧を制御している（［従来
の技術］の項参照）が、上記実施例によれば、全酸化部
Ｐがその断面全域にわたって陽極酸化された時点でゲー
トライン表面の陽極酸化の進行が自動的に停止するた
め、印加電圧は、前記全酸化部Ｐをその断面全域にわた
って酸化させるのに十分な値以上の電圧であればよく、
したがって、前記全酸化部Ｐの幅をゲートライン表面に
生成させる酸化膜ａの厚さに応じて設定しておけば、面
倒な電圧制御を行なわなくても、ゲートラインＧＬの表
面に所望の厚さの酸化膜ａを生成させることができる。

【００４７】なお、上記実施例では、ゲートラインＧＬ
を、分断線ｃより内側の部分の線幅を局部的に狭くした
形状に形成して、この線幅を狭くした部分を全酸化部Ｐ
としているが、この全酸化部Ｐは、その部分の厚さを薄
くすることによって形成してもよい。

【００４８】図７および図８は本発明の第２の実施例を
示しており、図７は１本のゲートラインの平面図、図８
は図７のVIII−VIII線に沿う拡大断面図である。

【００４９】この実施例は、ゲートラインＧＬを、分断
線ｃより内側の部分の厚さを局部的に薄くした形状に形
成して、この薄厚部分を、その断面全域にわたって陽極
酸化した全酸化部Ｐとしたものであり、その他の構成は
上述した第１の実施例と同じである。

【００５０】この実施例のＴＦＴパネルも、そのゲート
ラインＧＬの両端側を、余白部１Ｂの分断箇所より内側
の部分においてその断面全域にわたり陽極酸化している
ため、余白部１Ｂの分断除去によりゲートラインＧＬの
金属部分が、ゲートラインＧＬの端面（分断線ｃに沿っ
て分断された端面）に剥き出しになっても、液晶表示素
子の使用中に、ゲートラインＧＬの金属部分がその剥き
出し端から電解腐食して行くのを抑制することができ
る。

【００５１】また、この実施例においても、ゲートライ
ンＧＬを、分断線ｃより内側の部分の厚さを局部的に薄
くした形状に形成し、この薄厚部分を全酸化部Ｐとして
いるため、ゲートラインＧＬの表面を陽極酸化する際に
前記全酸化部Ｐをその断面全域にわたって陽極酸化させ
ることができるし、また、面倒な電圧制御を行なうこと
なく、ゲートラインＧＬの表面に所望の厚さの酸化膜ａ
を生成させることができる。

【００５２】なお、上記第１および第２の実施例では、
ゲートラインＧＬの全酸化部Ｐを、分断線ｃより若干内
側の部分に形成しているが、この全酸化部Ｐは、分断線
ｃの内側から外側にわたる長さに形成してもよく、要
は、ゲートラインＧＬの端部が、少なくとも余白部１Ｂ
の分断箇所より内側の部分においてその断面全域にわた
り陽極酸化されていればよい。

【００５３】また、上記第１および第２の実施例では、
ゲートラインＧＬの両端に全酸化部Ｐを設けているが、
ゲートラインＧＬの端子部ＧＬａを形成している端部側
からの電解腐食は、［発明が解決しようとする課題］の
項でも説明したように、断面積が大きくなっている端子
部ＧＬａに達したところでその進行を抑制されるから、
ゲートラインＧＬの端子部ＧＬａを形成している端部側
には、上記全酸化部Ｐを形成しておかなくてもよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明のＴＦＴパネルは、ゲートライン
の両端部のうち少なくとも端子部のない端部をその断面
全域にわたって陽極酸化したものであるから、ゲートラ
イン相互間に電位差が生じても、各ゲートラインの少な
くとも端子部のない側の端部間には、ほとんど漏れ電流
が流れないか、あるいは極く僅かな漏れ電流が流れるだ
けであり、したがって、ゲートラインの端子部のない端
部側からの金属部分の電解腐食を抑制して、液晶表示素
子の表示エリア内に染み模様状の異常表示が発生するの
を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるＴＦＴパネルの平
面図。

【図２】図１のＴＦＴパネルの１本のゲートラインの平
面図。

【図３】図２の III−III 線に沿う拡大断面図。

【図４】図２のIV−IV線に沿う拡大断面図。

【図５】図２の III−III 線に沿う余白部を分断除去し
た状態の拡大断面図。

【図６】図２のIV−IV線に沿う余白部を分断除去した状
態の拡大断面図。

【図７】本発明の第２の実施例を示すゲートラインの平
面図。

【図８】図７のVIII−VIII線に沿う拡大断面図。

【図９】従来のＴＦＴパネルの平面図。

【図１０】従来のＴＦＴパネルの一部分の拡大平面図。

【図１１】図１０のXI−XI線に沿う拡大断面図。

【図１２】図１０の XII−XII 線に沿う拡大断面図。

【図１３】従来のＴＦＴパネルの１本のゲートラインの
平面図。

【図１４】図１３の XIV−XIV 線に沿う拡大断面図。

【図１５】図１３のXV−XV線に沿う拡大断面図。

【図１６】図１３の XIV−XIV 線に沿う余白部を分断除
去した状態の拡大断面図。

【図１７】図１３のXV−XV線に沿う余白部を分断除去し
た状態の拡大断面図。

【符号の説明】

１…基板 １Ａ…素子領域 １Ｂ…余白部 ｃ…分断線 ２…画素電極 ３…薄膜トランジスタ ＧＬ…ゲートライン ＧＬａ…端子部 ａ…酸化膜 Ｐ…全酸化部 ＤＬ…データライン １０…給電路

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アクティブマトリックス液晶表示素子に用
   いる薄膜トランジスタパネルであって、 透明基板の上に、複数の画素電極と、これら各画素電極
   にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前記
   薄膜トランジスタにゲート信号を供給するゲートライン
   と、前記薄膜トランジスタにデータ信号を供給するデー
   タラインとを形成してなり、 前記薄膜トランジスタは、前記基板上に配線した前記ゲ
   ートラインに一体に形成されたゲート電極と、このゲー
   ト電極を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に
   形成した半導体膜と、この半導体膜の上に形成したソー
   ス電極およびドレイン電極とで構成され、 前記ゲートラインおよび前記ゲート電極の表面が、前記
   ゲートラインの一端側に形成した端子部を除いて陽極酸
   化されているとともに、 前記ゲートラインの両端部のうち少なくとも前記端子部
   のない端部がその断面全域にわたり陽極酸化されている
   ことを特徴とする薄膜トランジスタパネル。