JP2008227376A - 伝送基板及びコンピュータ - Google Patents
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Abstract
【課題】高い転送速度において伝送特性が改善された伝送基板及びこれが組み込まれたコンピュータを提供する。
【解決手段】上部導体と、接地導体と、前記上部導体と前記接地導体とはさまれた誘電体基板と、を備え、前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部と、を含み、前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板と、は伝送線路を構成し、前記メッキリード部の対向部には前記接地導体が延在していないことを特徴とする伝送基板が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】上部導体と、接地導体と、前記上部導体と前記接地導体とはさまれた誘電体基板と、を備え、前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部と、を含み、前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板と、は伝送線路を構成し、前記メッキリード部の対向部には前記接地導体が延在していないことを特徴とする伝送基板が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、伝送基板及びこれが組み込まれたコンピュータに関する。
パソコンとハードディスクなどの記憶装置との間におけるデータ転送速度はより高いことが要求される。これまで用いられてきたパラレル転送方式では133MB/s以上の転送速度が困難である。これに代わってシリアル転送方式が導入されようとしている。
シリアルATA(AT Attachment)インターフェースを持つ記憶装置、例えば磁気ディスクドライブ(HDD)は、ホスト本体とシリアルATAバスにより接続される。転送方式をシリアルとすることにより、転送速度を3Gbps(約380MB/s)とすることが容易となる。
このように高い転送速度を実現するために、論理振幅が200乃至400mVと低く差動信号であるLVDS(Low Voltage Differential Signal)が用いられる。この場合、ドライバIC及びレシーバICの特性不均一や、ペア線路の違いなどがあると差動信号間のスキュー(遅延時間差)を生じる。
パソコン本体のPCI(Peripheral Component Interconnect)バス信号をドッキングステーションのPCIバスへ伝送する場合、信号間のスキューを最小限に抑えされるようにし、コネクタを介した高速シリアルインターフェイスを実現する技術開示例がある(特許文献1)。
特開2001−22486号公報
本発明は、高い転送速度において伝送特性が改善された伝送基板及びこれが組み込まれたコンピュータを提供する。
本発明の一態様によれば、上部導体と、接地導体と、前記上部導体と前記接地導体とはさまれた誘電体基板と、を備え、前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部と、を含み、前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板と、は伝送線路を構成し、前記メッキリード部の対向部には前記接地導体が延在していないことを特徴とする伝送基板が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、上部導体と、接地導体と、前記上部導体と前記接地導体とにはさまれた誘電体基板と、を備え、前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部とを含み、前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板とは伝送線路を構成し、前記伝送線路は、差動信号を伝送するペアの伝送線路を含み、前記ペアをなす前記伝送線路を通る差動信号のバランス調整部を有することを特徴とする伝送基板が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、上記の伝送基板と、差動信号を発生するドライバと、差動信号を受信するレシーバと、出力端子と、入力端子と、を備え、前記ドライバからの差動信号は、前記伝送基板に設けられた前記伝送線路を通り出力端子へ出力され、前記入力端子へ入力された差動信号は、前記伝送基板に設けられた前記伝送線路を通り前記レシーバへ入力されることを特徴とするコンピュータ装置が提供される。
本発明により、高い転送速度において伝送特性が改善された伝送基板及びこれが組み込まれたコンピュータが提供される。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態につき説明する。
図1は、本発明の第1具体例にかかる伝送基板の端部を表し、同図(a)は部分模式平面図、同図(b)は部分模式断面図、同図(c)は変形例の部分模式平面図である。
図1は、本発明の第1具体例にかかる伝送基板の端部を表し、同図(a)は部分模式平面図、同図(b)は部分模式断面図、同図(c)は変形例の部分模式平面図である。
まず、パソコン本体に設けられた、例えば3Gbpsの転送レートを有するドライバが伝送基板の上に配置される。この高速信号を送受信するには、LVDSが用いられる。LVDSは、論理振幅が200乃至400mVと低いために高速化が容易であるとともに、シングルエンド信号ではノイズ耐性が不十分となる小振幅欠点を差動信号化することで解決している。
ドライバからの差動信号は、接続された伝送基板56上の信号線34及び35を通りビアランド32及び33に到達する。差動信号は、ビアランドからさらにコネクタ、ケーブルを介して外部拡張ユニットであるHDDなどへ伝送される。
図1(b)に表すように、伝送基板56は、例えば、ガラスエポキシ基板などからなり、一方の主面には、信号線34及び35、ビアランド(またはBallランド)32及び33、メッキリード部30及び31が設けられている。伝送基板56の他方の主面は、GND(接地)導体38である。標準のFR4 PCB材料の場合、比誘電率は4乃至4.5の範囲である。信号線34および35とGND導体38とはこの誘電体基板をはさみ、特性インピーダンスZ0を有するマイクロストリップラインからなる伝送線路を構成する。
この特性インピーダンスZ0は、例えば50乃至150Ωの範囲で選ぶことができる。このようにして、ドライバ50からのディジタル高速差動信号は、伝送基板56,コネクタ、ケーブルを通り、信号波形の減衰、鈍り、崩れが低減され、アイパターンが確実に開き、ビットエラーレートの低減されたHDDのような外部拡張ユニットへ伝送できる。
ところで、ガラスエポキシ基板を構成している上部導体36及び37、GND導体38の表面は通常銅薄板である。図1(a)のように、表面側に信号線34及び35、ビアランド32及び33をパターニングした後、その表面を酸化などから保護するために電解金メッキを行うことが好ましい。パターニングされた上部導体36及び37を電解金メッキする場合、メッキリード部30及び31を残すとメッキ工程が容易となる。ところが、このメッキリード部30及び31がスタブを形成し、3Gbpcなど高速信号の伝送特性を劣化させる。このメッキリード部30及び31を切断すれば伝送特性の劣化を抑制できるが、自動実装工程においてメッキリード部を精度良く切断することは容易ではない。
また、ドライバからの信号線は、伝送基板56に対して斜め方向に引き出される場合もあり、ビアランド32と基板端20との距離L1が、ビアランド33と基板端20との距離L2と必ずしも等しくならない。例えば、L1は1.35mmであるに対して、L2は0.7mmなどとなる。
3Gbpcのような高速信号伝送においては、この程度のスタブ形状の違いによりインピーダンスミスマッチを生じ伝送特性を表すアイパターンに影響を与える。長さが異なるメッキリード部30及び31により構成されるスタブの影響を低減する手段として、図1(a)では、メッキリード部30及び31の対向部の導体を取り除く。すなわち、信号線34及びビアランド32の対向部のGND導体38を残し、メッキリード部30の対向部において、長さL1に対応する部分の導体を除去する。
同様に、信号線35及びビアランド33の対向部のGND導体38を残し、メッキリード部31の対向部において、長さL2に対応する部分の導体を裏面パターニングなどにより除去する。また、図1(a)において、GND導体38の端部は通常のGNDオフセット位置22より内部側となる。このようにメッキリード部30及び31の対向部のGND導体38を除去することにより、メッキリード部30及び31のインピーダンスを高くすることができ、スタブの影響を低減することが出来る。なお、信号線34及び35の間隔は、例えば数十μmと近接させることができる。なお、図1は、伝送線路がぺアとなっているが、一つの伝送線路であってもインピーダンスを高くすることによりスタブの影響を低減できることはもちろんである。
図1(c)は、変形例であり、ビアランド32に対応するL1、及びビアランド33に対応するL2において、GND導体を除去し、これら以外の部分において、GND導体38の端部はほぼ通常のGNDオフセット位置22とする。このようにしても、メッキリード部30及び31のインピーダンスを高くすることができ、スタブの影響を低減することができる。なお、図1において上部導体36及び37は、同一平面上に配置してあるがこれに限定されない。すなわち、ガラスエポキシ基板は、例えば4または6層の多層構造とすることができる。この場合、スルーホールなどにより各層間の配線ができる。
次に、高速信号伝送におけるアイパターンについて説明する。
図2乃至図4は、伝送レートが3Gbpsにおけるアイパターンの測定値を表す。伝送基板56上に設けられた伝送線路の長さをいずれも43mmとしたアイパターンであり、縦軸はディジタル信号の振幅、横軸は時間(s)である。
図2乃至図4は、伝送レートが3Gbpsにおけるアイパターンの測定値を表す。伝送基板56上に設けられた伝送線路の長さをいずれも43mmとしたアイパターンであり、縦軸はディジタル信号の振幅、横軸は時間(s)である。
図2は、伝送線路の特性インピーダンスZ0が86Ωの場合であり、同図(a)はメッキリード部なし、同図(b)はメッキリード部ありのアイパターンをそれぞれ表す。スタブがある場合のアイパターンでは、パルスの重なりを少し生じている。
図3は、伝送線路の特性インピーダンスZ0が101Ωと高い場合であり、同図(a)はメッキリード部なし、同図(b)はメッキリードありのアイパターンをそれぞれ表す。伝送線路インピーダンスの高い図3は、図2よりパルスの重なりが増えてアイがわずかに閉じ始めた状態である。また、メッキリード部がある図3(b)において、同図(a)よりもパルスの重なりが増えて、ジッタも増えて、横方向(時間)及び縦方向(振幅)にアイが閉じる方向にある。
図4は、伝送線路のインピーダンスZ0が123Ωとさらに高い場合であり、同図(a)はメッキリード部なし、同図(b)はメッキリード部ありのアイパターンをそれぞれ表す。伝送線路インピーダンスがさらに高い図4は、図3よりパルスの重なりがさらに増え、ジッタが増えて、アイがさらに閉じた状態である。
図2乃至図4に例示されるように、メッキリード部が残っているとアイパターンで表されるように波形歪を生じ、ビットエラーレートが増えるなど伝送特性が劣化する。これに対し、図1に例示された第1具体例では、メッキリード部30及び31の対向部のGND導体38を除去することにより、メッキリード部30及び31のインピーダンスを高くして、スタブの影響が低減される。この結果、アイパターンにおける波形が低減され、ビットエラーレートが改善される。
次に、スタブによるインピーダンスの影響をTDR(Time Domain Reflectometry)解析により説明する。
図5(a)は、TDR解析によるインピーダンスの比較を表し、横軸は時間であり、縦軸は特性インピーダンス(Ω)である。図2に表される特性インピーダンスは、高速パルス信号を終端開放伝送線路へ入射し、終端におけるミスマッチによる反射電圧を測定することにより得られる。特性インピーダンスZ0が100Ωである線路の終端にメッキリード部があると、スタブとして作用し、スタブが無い場合と比較して例えば図2(a)のように特性インピーダンスを低下させることがある。
図5(a)は、TDR解析によるインピーダンスの比較を表し、横軸は時間であり、縦軸は特性インピーダンス(Ω)である。図2に表される特性インピーダンスは、高速パルス信号を終端開放伝送線路へ入射し、終端におけるミスマッチによる反射電圧を測定することにより得られる。特性インピーダンスZ0が100Ωである線路の終端にメッキリード部があると、スタブとして作用し、スタブが無い場合と比較して例えば図2(a)のように特性インピーダンスを低下させることがある。
さらに、差動信号線の場合、メッキリード部のインピーダンスが異なることにより、2つの信号のバランスが崩れアイパターンに表されるような伝送特性における波形歪が増す。差動信号のプラス側信号線とマイナス側信号線のメッキリード部の長さが異なるためにプラス信号とマイナス信号との間で生じるバランスの崩れを低減できることを説明する。図5は、本発明の第2具体例及びこれに付随した変形例にかかる伝送基板56を表す模式平面図である。図5に例示されたTDR解析より、メッキリード部はインピーダンス不整合を生じる。プラス信号及びマイナス信号線の間スタブ形状の相違から生じる信号バランスの崩れを低減する手段として以下の構成が考えられる。
図6(a)は、第2具体例にかかる伝送基板56の端部を表す部分模式平面図である。メッキリード部30及びメッキリード部31の長さを等しくすることにより、スタブの影響をほぼ同一にでき伝送特性を揃えることができる。
図6(b)は、第2具体例の第1変形例を表す部分模式断面図である。短いメッキリード部31の線幅を、長いメッキリード部30よりも広くすることによりメッキリード部31のインピーダンスを下げる。この結果、メッキリード部30及び31によるスタブの影響をほぼ同一にでき伝送特性を揃えることができる。
図6(c)は、第2具体例の第2変形例を表す部分模式平面図である。信号線35の端部の線幅を広くする構造を表す。すなわち、ビアランド33の直径とほぼ同一の線幅W1を有し、信号線35の方向へ長さLLの領域を設けることにより、2つのスタブの影響をほぼ同一にでき伝送特性を揃えることができる。
図6(d)は、第2具体例の第3変形例を表す部分模式断面図である。ビアランド33を、ビアランド32より大きくすることにより、スタブの影響をほぼ同一とでき伝送特性を揃えることができる。
図6(e)は、第2具体例の第4変形例を表す部分模式断面図である。長いほうのメッキリード部30対向部のGND導体38を伝送基板56の端部からL3の長さまで除去し、長さL4のメッキリード部30の残った領域でインピーダンスを調整する。すなわち、長いメッキリード部30とGND導体38とが対向していない長さL3は、短いメッキリード部31とGND導体38とが対向していない長さL5よりも長い。長さがL3のGND導体38が無い領域ではスタブのインピーダンスを高くできるので、短いメッキリード部31を有するスタブと伝送特性を揃えることができる。
図7は、第1具体例における伝送基板56の端部におけるGND導体38を除去する構造と、第2具体例におけるスタブの影響を2つの信号線の間で等しくする構造とを組み合わせた第3具体例を表す模式図である。図7(a)は、図6(a)において、メッキリード部30及び31の対向部のGND導体を除去し、メッキリード部30及び31のインピーダンスを高くしてスタブの影響を低減しつつ、長さを等しくして2つスタブの影響をほぼ同一とし伝送特性を揃える。
図7(b)は、第3具体例の第1変形例を表す部分模式断面図である。メッキリード部30及び31の対向部のGND導体を除去し、メッキリード部30及び31のインピーダンスを高くしてスタブの影響を低減する。また、短いメッキリード部31の線幅を長いメッキリード部30よりも広くすることによりメッキリード部31のインピーダンスを低くし、2つのスタブの影響をほぼ同一とし伝送特性を揃える。
図7(c)は、第3具体例の第2変形例を表す部分模式平面図である。この場合もメッキリード部30及び31の対向部のGND導体は除去され、インピーダンスを高くしてスタブの影響が低減される。さらに、ビアランド33の直径とほぼ同一の線幅W1を有し、信号線35の方向へ長さLLの領域を設けることにより、スタブの影響をほぼ同一とし伝送特性を揃える。
図7(d)は、第3具体例の第3変形例を表す部分模式断面図である。メッキリード部30及び31の対向部のGND部導体38は除去され、インピーダンスを高くでき、スタブの影響が低減される。さらに、ビアランド33を、ビアランド32より大きくすることにより、スタブの影響をほぼ同一とし伝送特性を揃える。
図7(e)は、第3具体例の第4変形例を表す部分模式断面図である。メッキリード部30の先端部でL3の領域およびメッキリード部31の先端部でL5の領域の対向部のGND導体が除去され、この領域のインピーダンスが高くでき、スタブの影響が軽減される。かつ、長さL4のメッキリード部30の領域及び長さL6のメッキリード部31の領域でインピーダンスを調整する。この結果、伝送特性を揃える。
図6及び図7に例示されるように、スタブの影響をほぼ同一とし伝送特性を揃え、アイパターンの波形歪を低減できる。この結果、ビットエラーレートが改善される。また、本具体例においては、伝送基板におけるメッキリード部を切断する工程が不要であり、伝送基板の生産性を向上できる。
次に、ドライバ50及びレシーバなどが搭載され、その差動信号を伝送する線路を含む伝送基板を備えたパソコンについて説明する。
図8(a)は、本発明の具体例にかかる伝送基板を備えたパソコン内の、特に差動信号を伝送する構成を説明するブロック図である。パソコンに代表されるホスト20内に設けられ、パソコン本体と接続されたドライバ50からの高速信号は、伝送基板56に設けられた伝送線路を通り、カップリングキャパシタ57、PCB58、SATAコネクタ60を経由して出力端子68へ到達する。
図8(a)は、本発明の具体例にかかる伝送基板を備えたパソコン内の、特に差動信号を伝送する構成を説明するブロック図である。パソコンに代表されるホスト20内に設けられ、パソコン本体と接続されたドライバ50からの高速信号は、伝送基板56に設けられた伝送線路を通り、カップリングキャパシタ57、PCB58、SATAコネクタ60を経由して出力端子68へ到達する。
出力端子68と接続されたケーブル64によりHDD70へ差動信号が入力される。同様に、HDD70からの差動信号もほぼ逆の経路を通りレシーバ(図示せず)へと入力される。このようにしてホスト20とHDD70とはシリアルATAバスで接続され、3Gbpcのような高速差動信号が送受信される。
図8(b)は、伝送基板56の模式平面図である。伝送基板56のほぼ中央のIC搭載領域51には、ドライバIC50及びレシーバICが集積されたICチップ接着されている。3つのドライバ50及び3つのレシーバの差動出力端子からは、例えばボンディングワイヤにより伝送基板上の6ペアの伝送線路の一方の端部へ接続される。
伝送線路の他方の端部は、例えばBGA(Ball Grid Array)などにより外部の基板へ接続される。本具体例にかかる伝送基板56により、3Gbpsのような高速差動信号が、バランスよく波形歪が小さい状態でHDDとの間で送受信される。この結果、パラレルATAより高速転送が可能なシリアルATA接続機能つきパソコンが可能となる。
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明した。しかし、本発明はこれらに限定されない。すなわち、本発明を構成する誘電体基板、上部導体、信号線、メッキリード部、ビアランド、GND導体などに関して、当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
20 基板端、24 誘電体基板、30,31 メッキリード部、32,33 ビアランド、34,35 信号線、36,37 上部導体、38 GND導体、50 ドライバ、56 伝送基板、68 出力端子
Claims (10)
- 上部導体と、
接地導体と、
前記上部導体と前記接地導体とはさまれた誘電体基板と、
を備え、
前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部と、を含み、
前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板と、は伝送線路を構成し、
前記メッキリード部の対向部には前記接地導体が延在していないことを特徴とする伝送基板。 - 前記伝送線路は、差動信号を伝送するペアの伝送線路を含むことを特徴とする請求項1記載の伝送基板。
- 上部導体と、
接地導体と、
前記上部導体と前記接地導体とにはさまれた誘電体基板と、
を備え、
前記上部導体は、信号線と、前記信号線の端部に接続されたビアランドと、前記ビアランドと接続され前記誘電体基板の端部まで延在するメッキリード部とを含み、
前記信号線と、前記接地導体と、前記誘電体基板とは伝送線路を構成し、
前記伝送線路は、差動信号を伝送するペアの伝送線路を含み、前記ペアをなす前記伝送線路を通る差動信号のバランス調整部を有することを特徴とする伝送基板。 - 前記バランス調整部は、前記ペアをなす前記伝送線路にそれぞれ設けられた長さが等しい前記メッキリード部であることを特徴とする請求項3記載の伝送基板。
- 前記バランス調整部は、前記ペアをなす前記伝送線路の一方に設けられ長さが短く幅が広い前記メッキリード部と前記ペアをなす前記伝送線路の他方に設けられた長さが長く幅が狭い前記メッキリード部とであることを特徴とする請求項3記載の伝送基板。
- 前記バランス調整部は、前記ペアをなす前記伝送線路の一方に設けられた長い前記メッキリード部及び前記信号線と、前記ペアをなす前記伝送線路の他方に設けられた短い前記メッキリード部及びビアランドに隣接した領域が幅広の前記信号線と、であることを特徴とする請求項3記載の伝送基板。
- 前記バランス調整部は、前記ペアをなす前記伝送線路の一方に設けられた長い前記メッキリード部及び面積が小さい前記ビアランドと、前記ペアをなす前記伝送線路の他方に設けられた短い前記メッキリード部及び面積が大きい前記ビアランドと、であることを特徴とする請求項3記載の伝送基板。
- 前記メッキリード部の対向部には前記接地導体が延在していないことを特徴とする請求項4〜7のいずれか1つに記載の伝送基板。
- 前記バランス調整部は、前記ペアをなす前記伝送線路の一方に設けられた長いメッキリード部及び前記ペアをなす前記伝送線路の他方に設けられた短いメッキリード部と、前記長いメッキリードと対向しない長さが前記短いメッキリード部と対向しない長さよりも長い前記接地導体と、であることを特徴とする請求項3記載の伝送基板。
- 請求項1〜9のいずれか1つに記載の伝送基板と、
差動信号を発生するドライバと、
差動信号を受信するレシーバと、
出力端子と、
入力端子と、
を備え、
前記ドライバからの差動信号は、前記伝送基板に設けられた前記伝送線路を通り出力端子へ出力され、
前記入力端子へ入力された差動信号は、前記伝送基板に設けられた前記伝送線路を通り前記レシーバへ入力されることを特徴とするコンピュータ装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081378A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Nec Corp | 信号伝送基板 |
JP2009277861A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
JP2010199512A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | プリント基板および電子機器 |
JP2011049462A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
JP2011119413A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | カード型無線通信モジュール |
-
2007
- 2007-03-15 JP JP2007066795A patent/JP2008227376A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081378A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Nec Corp | 信号伝送基板 |
JP2009277861A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
JP2010199512A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | プリント基板および電子機器 |
JP2011049462A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
US8895870B2 (en) | 2009-08-28 | 2014-11-25 | Nitto Denko Corporation | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
JP2011119413A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Mitsumi Electric Co Ltd | カード型無線通信モジュール |
US8599102B2 (en) | 2009-12-02 | 2013-12-03 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Wireless communication module |
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