JP5159750B2 - 半田ボール及び半導体パッケージ - Google Patents
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Description
また、本発明による半田ボールのアンダーフィル部は、導電性フィラーを含む導電層と、前記導電層を覆うように形成される非導電層とを含むことを特徴としてもよい。
また、本発明による半田ボールのアンダーフィル部は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又はこれらの混合物からいずれか1つを選択的に使用することを特徴としてもよい。
また、本発明による半田ボールのコア部は、前記中心部と前記外郭部との間に位置する銅(Cu)材質の内側導電層をさらに含むことを特徴としてもよい。
また、本発明による半導体パッケージのアンダーフィル部は、導電性フィラーを含む導電層と、前記導電層を覆うように形成される非導電層とを含むことを特徴としてもよい。
また、本発明による半導体パッケージのコア部は、前記中心部と前記外郭部との間に位置する銅(Cu)材質の内側導電層をさらに含むことを特徴としてもよい。
また、本発明による半田ボール及び半導体パッケージは、各コア部にそれぞれアンダーフィル部が形成されるため、基板部の内部に装着されるコア部の周囲にもアンダーフィル層を形成することが容易であり、これにより、基板部の内側で電気的な接続が不安定になることを防止するという効果がある。
120、220 基板部
130、230 半田部
132、232 コア部
134、234 アンダーフィル部
140、240 半田レジスト層
Claims (8)
- 半導体チップを基板部に電気的に接続する半田ボールにおいて、
前記半導体チップと前記基板部を電気的に導通させるためのコア部と、
前記コア部の外側を覆うように前記コア部にコーティングされ、前記コア部の前記半導体チップと前記基板部への接触時に前記コア部の周囲を保護するためのアンダーフィル部と、
を含み、
前記アンダーフィル部は、内部に複数の導電性フィラーを含む導電層と、前記導電層を覆うように形成される非導電層と、を含むことを特徴とする半田ボール。 - 前記アンダーフィル部は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又はこれらの混合物からいずれか1つを選択的に使用することを特徴とする請求項1に記載の半田ボール。
- 前記コア部は、
中心に位置する非導電性材質の中心部と、
前記中心部を覆うように形成される金属材質の外郭部と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半田ボール。 - 前記コア部は、
前記中心部と前記外郭部との間に位置する銅(Cu)材質の内側導電層をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の半田ボール。 - 一面に電極部が形成される半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続される基板部と、
前記半導体チップと前記基板部を電気的に導通させるためのコア部、及び前記コア部の外側を覆うように前記コア部に形成され、前記コア部の前記半導体チップと前記基板部への接触時に前記コア部の周囲を保護するためのアンダーフィル部を備える半田ボールと、
を含み、
前記アンダーフィル部は、内部に複数の導電性フィラーを含む導電層と、前記導電層を覆うように形成される非導電層と、を含むことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記アンダーフィル部は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又はこれらの混合物からいずれか1つを選択的に使用することを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージ。
- 前記コア部は、
非導電性材質の中心部と、
前記中心部を覆うように形成される金属材質の外郭部と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージ。 - 前記コア部は、
前記中心部と前記外郭部との間に位置する銅(Cu)材質の内側導電層をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0086585 | 2009-09-14 | ||
KR1020090086585A KR101101550B1 (ko) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 솔더 볼 및 반도체 패키지 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024479A Division JP2012089898A (ja) | 2009-09-14 | 2012-02-07 | 半田ボール及び半導体パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061175A JP2011061175A (ja) | 2011-03-24 |
JP5159750B2 true JP5159750B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=43934981
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009272223A Expired - Fee Related JP5159750B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-11-30 | 半田ボール及び半導体パッケージ |
JP2012024479A Pending JP2012089898A (ja) | 2009-09-14 | 2012-02-07 | 半田ボール及び半導体パッケージ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024479A Pending JP2012089898A (ja) | 2009-09-14 | 2012-02-07 | 半田ボール及び半導体パッケージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5159750B2 (ja) |
KR (1) | KR101101550B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089898A (ja) * | 2009-09-14 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半田ボール及び半導体パッケージ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102026227B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-11-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 패키지 온 패키지형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
KR102134019B1 (ko) | 2013-11-25 | 2020-07-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 볼 랜드를 포함하는 기판 및 반도체 패키지와, 그 제조방법 |
CN115513147B (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-24 | 河北北芯半导体科技有限公司 | 一种部分填充底填料的倒装芯片封装结构 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62176139A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法 |
JP2546262B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-10-23 | 日立化成工業株式会社 | 回路の接続部材およびその製造方法 |
KR970017898A (ko) * | 1995-09-30 | 1997-04-30 | 김광호 | 칩 온 글래스(Chip On Glass) 접합방법 |
US5761048A (en) * | 1996-04-16 | 1998-06-02 | Lsi Logic Corp. | Conductive polymer ball attachment for grid array semiconductor packages |
JP2003158440A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Daishinku Corp | 接合部材および当該接合部材を用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
JP2004247358A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Sony Corp | 半導体装置と、その製造方法と、それに用いるはんだボール |
JP3924552B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 導電性ボールおよびそれを用いた電子部品の外部電極形成方法 |
KR20060097308A (ko) * | 2005-03-05 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 실장용 솔더를 구비하는 반도체 패키지 |
JP4137112B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2008-08-20 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2007115857A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nippon Steel Chem Co Ltd | マイクロボール |
JP4791244B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2011-10-12 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
KR101101550B1 (ko) * | 2009-09-14 | 2012-01-02 | 삼성전기주식회사 | 솔더 볼 및 반도체 패키지 |
-
2009
- 2009-09-14 KR KR1020090086585A patent/KR101101550B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-11-30 JP JP2009272223A patent/JP5159750B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2012
- 2012-02-07 JP JP2012024479A patent/JP2012089898A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089898A (ja) * | 2009-09-14 | 2012-05-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半田ボール及び半導体パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101101550B1 (ko) | 2012-01-02 |
JP2012089898A (ja) | 2012-05-10 |
JP2011061175A (ja) | 2011-03-24 |
KR20110028939A (ko) | 2011-03-22 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120207 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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