JPS62176139A - 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法 - Google Patents
異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明tま、電気接続用異方導電材料およびこれを用い
た素子間の電気的接続方法に関する。
た素子間の電気的接続方法に関する。
電子機器の小型化、薄型化、高精細化に伴い、LCD等
の平面ディスプレイをはじめ各種部品の高密度化が進み
各種配線との接続部分の細線化に対応づる接続材料の開
発が強く望まれている。
の平面ディスプレイをはじめ各種部品の高密度化が進み
各種配線との接続部分の細線化に対応づる接続材料の開
発が強く望まれている。
これに応えるものの1つとして近年、希望する一定方向
にのみ電気的導通性を右すると共に他の方向には電気的
絶縁性を呈するようにした異方性導電膜が微細な電極パ
ターン間の接続材料として注目されている。
にのみ電気的導通性を右すると共に他の方向には電気的
絶縁性を呈するようにした異方性導電膜が微細な電極パ
ターン間の接続材料として注目されている。
例えば、ゴムフィルム中に直径15μm前後の金属微粒
子を一様に分散せしめてなる異方性導電11(Elf子
材料VOI 23. No、 7. P69−73(1
984))がある。例えば第4図(a)に示す如くフレ
キシブルプリント基板1上の電極パターン2と、ガラス
基板3上の電極パターン4との間にこの異方性導電p!
A5を挾み、約150℃の温度を加えながら圧着するだ
けで、両電極パターン間の接続が達成される。この異方
性導電膜中の金属粒子Mには鉛−錫系(Pb−8n)の
低融点ハンダが用いられており、約150℃に加熱され
るとこの金属粒子が溶け、これと同時にゴムフィルムも
溶けるようになっている。加熱されると該金属粒子が溶
けて広がり、雨曇板間の電極パターン上に広がってこれ
らの間の電気的接続が達成される。一方加圧によって電
極間から押し出されるゴムは、隣接電極間に、各電極の
段差によってできる空間を埋める。その結果第4図(b
)に示す如くこの空間を埋めるゴムの体積に対する金属
粒子の充填密度は下がり、隣接する電極間の絶縁性は向
上して、膜の厚さ方向のみに対して導電性を有すると共
に他の方向には絶縁性を保つように接続が行なわれる。
子を一様に分散せしめてなる異方性導電11(Elf子
材料VOI 23. No、 7. P69−73(1
984))がある。例えば第4図(a)に示す如くフレ
キシブルプリント基板1上の電極パターン2と、ガラス
基板3上の電極パターン4との間にこの異方性導電p!
A5を挾み、約150℃の温度を加えながら圧着するだ
けで、両電極パターン間の接続が達成される。この異方
性導電膜中の金属粒子Mには鉛−錫系(Pb−8n)の
低融点ハンダが用いられており、約150℃に加熱され
るとこの金属粒子が溶け、これと同時にゴムフィルムも
溶けるようになっている。加熱されると該金属粒子が溶
けて広がり、雨曇板間の電極パターン上に広がってこれ
らの間の電気的接続が達成される。一方加圧によって電
極間から押し出されるゴムは、隣接電極間に、各電極の
段差によってできる空間を埋める。その結果第4図(b
)に示す如くこの空間を埋めるゴムの体積に対する金属
粒子の充填密度は下がり、隣接する電極間の絶縁性は向
上して、膜の厚さ方向のみに対して導電性を有すると共
に他の方向には絶縁性を保つように接続が行なわれる。
従って、5本/m程度の密度に形成された電極パターン
(ここでは電極幅W1=10011TrL)に対しては
、良好な分解能を示すことが報告されている。
(ここでは電極幅W1=10011TrL)に対しては
、良好な分解能を示すことが報告されている。
しかしながら、VLSI(超大規模集積回路)において
は高精細度の多接点電極(10本/m以上)が用いられ
ることが多い。例えば20本/Hの電極パターン(電極
幅W2=25μm)同志を接続する際、数μmオーダー
以下の粒径の均一な導電性粒子が均一にフィルム中に分
散しなければならないが、第5図に示す如く粒子M同志
の凝集(a)や大径粒子の混入(b)による隣接電極間
のショートや、粒子Mが存在しない(C)ことによる接
続不良等の問題が発生してしまい、10本/ mm以上
の高精細度の多接点電極をこのような異方性1!電膜で
接続づ”るのもま困難であった。
は高精細度の多接点電極(10本/m以上)が用いられ
ることが多い。例えば20本/Hの電極パターン(電極
幅W2=25μm)同志を接続する際、数μmオーダー
以下の粒径の均一な導電性粒子が均一にフィルム中に分
散しなければならないが、第5図に示す如く粒子M同志
の凝集(a)や大径粒子の混入(b)による隣接電極間
のショートや、粒子Mが存在しない(C)ことによる接
続不良等の問題が発生してしまい、10本/ mm以上
の高精細度の多接点電極をこのような異方性1!電膜で
接続づ”るのもま困難であった。
また、素子の実装に使用する際にも従来の異方性導電膜
は、シート状あるいはテープ状であるため、切断工程、
仮付は工程、仮接着工程、セパレーター剥離工程1回路
位置合V工程2本接着工程といった複雑な工程を必要と
し、多大な製造時間を要する上、歩留りの低下、製造コ
ストの増大を防ぐのは極めて困難であった。
は、シート状あるいはテープ状であるため、切断工程、
仮付は工程、仮接着工程、セパレーター剥離工程1回路
位置合V工程2本接着工程といった複雑な工程を必要と
し、多大な製造時間を要する上、歩留りの低下、製造コ
ストの増大を防ぐのは極めて困難であった。
そこで、本発明者は、導電性粒子を絶縁性高分子で被覆
し、マイクロカプセル化した異方導電材料を提案した。
し、マイクロカプセル化した異方導電材料を提案した。
(特許60−y2!r7g )この構造では、導電性
粒子は個々に表面が絶縁層で被覆されているため、上)
ホのような不都合は解消した。
粒子は個々に表面が絶縁層で被覆されているため、上)
ホのような不都合は解消した。
しかしながら、粒径を均一化するのが困難であり、マイ
クロカプセル化された各粒子の粒径分布のばらつきが大
であるため、得られる分解能には限界があった。
クロカプセル化された各粒子の粒径分布のばらつきが大
であるため、得られる分解能には限界があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、実装が容
易で、分解能の高い異方導電材料およびこれを用いた実
装方法を提供することを目的とする。
易で、分解能の高い異方導電材料およびこれを用いた実
装方法を提供することを目的とする。
そこで本発明の異方導電材料では、球形の芯物質と、導
電性の中間層と、絶縁性の表面層とを貝えた粒子からな
り、熱圧着時に、加圧方向の前記表面層が破れて前記中
間層が露呈することにより加圧方向での電気的接続が達
成されるようにしている。
電性の中間層と、絶縁性の表面層とを貝えた粒子からな
り、熱圧着時に、加圧方向の前記表面層が破れて前記中
間層が露呈することにより加圧方向での電気的接続が達
成されるようにしている。
また、本発明の実装方法では、球形の芯物質と39電性
の中間層と、熱可塑性高分子膜等からなる絶縁性の表面
層とを具えた粒子を所定の溶剤と混合して塗イ5剤を形
成し、これを塁根上に塗布した復、チップ等の接続すべ
き所定の物体を載置し、両者間を加熱しつつ加圧するこ
とにより、接続を達成するようにしている。
の中間層と、熱可塑性高分子膜等からなる絶縁性の表面
層とを具えた粒子を所定の溶剤と混合して塗イ5剤を形
成し、これを塁根上に塗布した復、チップ等の接続すべ
き所定の物体を載置し、両者間を加熱しつつ加圧するこ
とにより、接続を達成するようにしている。
本発明では、球形高分子等の球形粒子の表面に導電性の
中間層を形成することにより導電性粒子を形成するよう
にしているため、導電性物質で球形粒子を形成する場合
に比べ、粒径分布を均一化し易い上、粒径あるいは膜厚
の調整が容易である。
中間層を形成することにより導電性粒子を形成するよう
にしているため、導電性物質で球形粒子を形成する場合
に比べ、粒径分布を均一化し易い上、粒径あるいは膜厚
の調整が容易である。
従って、高分解能の異方8B電材料を得ることが可能と
なる。
なる。
また、粒子自体が、球形高分子の存在により適度の弾力
性を有するため、熱圧着時に接着部品にクラックが生じ
たりすることもなり、@着性も向上する。
性を有するため、熱圧着時に接着部品にクラックが生じ
たりすることもなり、@着性も向上する。
更に、本発明の実装方法では、スクリーン印刷法等によ
って塗布することにより、異方導電物質が被着され得必
要な部分だけを接続できる等極めて容易に信頼性の高い
実装が可能となる。
って塗布することにより、異方導電物質が被着され得必
要な部分だけを接続できる等極めて容易に信頼性の高い
実装が可能となる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
この異方導電材料は、第1図にその断面図を示す如く、
ベンゾグアナミン樹脂からなる球形の芯物質21と、該
芯物質の表面を被覆するニッケル層からなる中間層22
と、該中間層の表面を被覆するスチレン−ブタジェン熱
可塑性樹脂層からなる表面層23とから構成された粒子
を基本単位として構成されている。ここで芯物質の粒径
は8±0.2μm、芯物質表面に形成されたニッケル層
を含めての粒径は10.0±0.05μm。
ベンゾグアナミン樹脂からなる球形の芯物質21と、該
芯物質の表面を被覆するニッケル層からなる中間層22
と、該中間層の表面を被覆するスチレン−ブタジェン熱
可塑性樹脂層からなる表面層23とから構成された粒子
を基本単位として構成されている。ここで芯物質の粒径
は8±0.2μm、芯物質表面に形成されたニッケル層
を含めての粒径は10.0±0.05μm。
表面層の膜厚は5.0±0.05μmとする。
次に、この異方導電材料の製造方法について説明する。
まず、第2図(a)に示す如く、界面重合法によって粒
径の均一なベンゾグアナミン樹脂からなる球形の芯物質
21を合成する。
径の均一なベンゾグアナミン樹脂からなる球形の芯物質
21を合成する。
次いで、第2図(b)に示す如く前記芯物質表面に、無
電解メッキ法により、導電性の中間層22としてニッケ
ル層を形成する。
電解メッキ法により、導電性の中間層22としてニッケ
ル層を形成する。
最後に、上述の如くして形成された導電性粒子表面に、
コアセルベーション法により、スチレン−ブタジェン熱
可塑性樹脂層からなる絶縁性の表面層23を形成しマイ
クロカプセル化する。
コアセルベーション法により、スチレン−ブタジェン熱
可塑性樹脂層からなる絶縁性の表面層23を形成しマイ
クロカプセル化する。
(第1図)
このようにして形成された粒子は芯物質の形成に際して
、粒径の均一化が容易であるため、粒径分布が均一とな
る。
、粒径の均一化が容易であるため、粒径分布が均一とな
る。
次に、この異方導電材料を用いた半導体チップの配線基
板への実装方法について説明する。
板への実装方法について説明する。
まず、上述の如くして形成されたマイクロカプセルを表
面層23のスチレン−ブタジェン熱可塑性樹脂に対して
非溶性であるエタノール等と混合し、ペースト状にする
。
面層23のスチレン−ブタジェン熱可塑性樹脂に対して
非溶性であるエタノール等と混合し、ペースト状にする
。
次いで、第3図(a)に示す如くこれをスクリーン印刷
法により、配置基板11上のポンディングパッドBP1
およびその周辺に塗布した後、80℃のプリベ〜り工程
を経て、上記エタノール等を蒸発せしめる。
法により、配置基板11上のポンディングパッドBP1
およびその周辺に塗布した後、80℃のプリベ〜り工程
を経て、上記エタノール等を蒸発せしめる。
続いて、第3図(b)に示す如く、ポンディングパッド
BP2を具えた半導体チップ12をフェースダウンとな
るように載置し、半導体チップ側から加熱しつつ加圧し
、接続を完了する。
BP2を具えた半導体チップ12をフェースダウンとな
るように載置し、半導体チップ側から加熱しつつ加圧し
、接続を完了する。
このようにして粒径の均一なマイクロカプセルによって
、従来の異方性導電膜では不可能であった20木/1m
の接続も容易となり、フェースダウンで極めて簡単に高
分解能の電気的接続が達成され得る。
、従来の異方性導電膜では不可能であった20木/1m
の接続も容易となり、フェースダウンで極めて簡単に高
分解能の電気的接続が達成され得る。
また、芯物質がベンゾグアナミン樹脂から構成されてお
り適度な弾力性を具えているため、加圧時にICチップ
にクラックが発生したりすることもなく、電極間の密着
性が向上し、電気的信頼性も高いものとなっている。
り適度な弾力性を具えているため、加圧時にICチップ
にクラックが発生したりすることもなく、電極間の密着
性が向上し、電気的信頼性も高いものとなっている。
更には、導電性粒子すなわら、中間層としてのWI電層
で被覆された芯物質の粒径のコントロールが容易であり
、また、表面層の膜厚のコントロールも容易であるため
、分解能のコントロールが容易である。
で被覆された芯物質の粒径のコントロールが容易であり
、また、表面層の膜厚のコントロールも容易であるため
、分解能のコントロールが容易である。
加えて、導電性粒子をマイクロカプセル化したことによ
り、スクリーン印刷法、1〕−ルコータ法、スプレー法
等によって所定の領域のみを容易に塗布接続することが
できる。
り、スクリーン印刷法、1〕−ルコータ法、スプレー法
等によって所定の領域のみを容易に塗布接続することが
できる。
なお、各層の材料物質としては、実施例で使用した物質
に限定されるものではなく、この他、芯物質および表面
層としては、フェノール樹脂、ユリャ樹脂、メラミン樹
脂、アリル樹脂、フラン樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシw1@、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリア
ミド−イミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂
、テフロン樹脂、ポリオレフィン樹脂、等の熱硬化性高
分子、ポリエチレン樹脂、ボリプOピレン樹脂、ボリブ
ヂレン*tri、ポリメタクリル酸樹脂、メチル樹脂、
ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、
ポリスチレン1tA111.アクリロニトリル−スチレ
ン−ブタジェン樹脂、ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエステル樹脂、ボリフ」−ボネート樹脂、ポリアセタ
ール樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエーテルスルオンv
AIlff 、ポリフェニルオキシド樹脂、ポリフェニ
レンスルフフィト樹脂。
に限定されるものではなく、この他、芯物質および表面
層としては、フェノール樹脂、ユリャ樹脂、メラミン樹
脂、アリル樹脂、フラン樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシw1@、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリア
ミド−イミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂
、テフロン樹脂、ポリオレフィン樹脂、等の熱硬化性高
分子、ポリエチレン樹脂、ボリプOピレン樹脂、ボリブ
ヂレン*tri、ポリメタクリル酸樹脂、メチル樹脂、
ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン樹脂、
ポリスチレン1tA111.アクリロニトリル−スチレ
ン−ブタジェン樹脂、ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リエステル樹脂、ボリフ」−ボネート樹脂、ポリアセタ
ール樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエーテルスルオンv
AIlff 、ポリフェニルオキシド樹脂、ポリフェニ
レンスルフフィト樹脂。
ポリスルホン樹脂、ポリウレタンvAW4.フェノール
樹脂等の熱可塑性高分子、エチルセルロース樹脂、酢酸
セルロース樹脂等のm線素系樹脂、のうちから適宜選択
可能である。ただし、表面mtよ絶縁抵抗が109Ω/
aS以上であるものを選択することが必要である。
樹脂等の熱可塑性高分子、エチルセルロース樹脂、酢酸
セルロース樹脂等のm線素系樹脂、のうちから適宜選択
可能である。ただし、表面mtよ絶縁抵抗が109Ω/
aS以上であるものを選択することが必要である。
また、中間層としては、金、白金、パラジウム。
a、 rIi4.鉄、ニッケル、チタン、スズ、コバル
ト。
ト。
テルル、マグネシウム、タングステン、バナジウム、タ
クウム、タンタル、ジルコニウム、ルビジウム、ハフニ
ウム、マンガン、イリジウム、モリブデン、ニオブ、ア
ルミニウム、クロム等の金属、ITO,ハンダ等の金属
化合物、l電性カーボン等の!I電性無機化合物及び、
有機金属化合物等の導電性有機化合物等のうちから適宜
選択可能である。
クウム、タンタル、ジルコニウム、ルビジウム、ハフニ
ウム、マンガン、イリジウム、モリブデン、ニオブ、ア
ルミニウム、クロム等の金属、ITO,ハンダ等の金属
化合物、l電性カーボン等の!I電性無機化合物及び、
有機金属化合物等の導電性有機化合物等のうちから適宜
選択可能である。
ここで、芯物質と表面層とは同一物質を使用することも
可能であるが、芯物質の方が表1lii層よりもやや融
点が高くなるように重合度等を調整するのが望ましい(
通常数〜数十℃)。また、表面層については、更に多層
構造とすることも可能であり、各層に夫々1絶Il#、
′接着9、′すべり性9等の1lfiを持たせ更に、良
好な異方導電材料を得ることもできる。(ここでマイク
ロカプセル表面の間の1すべり性1を:ll整ツること
により、1卜1の形成を容易にすることができる。)ま
た表面層を着色層とすることも可能である。
可能であるが、芯物質の方が表1lii層よりもやや融
点が高くなるように重合度等を調整するのが望ましい(
通常数〜数十℃)。また、表面層については、更に多層
構造とすることも可能であり、各層に夫々1絶Il#、
′接着9、′すべり性9等の1lfiを持たせ更に、良
好な異方導電材料を得ることもできる。(ここでマイク
ロカプセル表面の間の1すべり性1を:ll整ツること
により、1卜1の形成を容易にすることができる。)ま
た表面層を着色層とすることも可能である。
また、実施例では、中間層としての導IFi層の形成を
m電解メッキ法によって行なったが、中間層の形成は無
Ti解メッキ法の他、11IIl電解メツキー電解メツ
キ法、真空蒸着法等、使用導電材料に応じて適宜選択可
能である。また中間層は一層に限定されず多層あるいは
前記金属の合金であってもよく被接続ffi極(BP、
、 Bp、、’)に応じて適宜選択可能である。その他
気中墾濁被覆法、無i質カプセル化法等、他の方法を用
いても良いことはいうまでもない。
m電解メッキ法によって行なったが、中間層の形成は無
Ti解メッキ法の他、11IIl電解メツキー電解メツ
キ法、真空蒸着法等、使用導電材料に応じて適宜選択可
能である。また中間層は一層に限定されず多層あるいは
前記金属の合金であってもよく被接続ffi極(BP、
、 Bp、、’)に応じて適宜選択可能である。その他
気中墾濁被覆法、無i質カプセル化法等、他の方法を用
いても良いことはいうまでもない。
更に、表面層の形成についても実施例で用いたコアセル
ベーション法の他、界面重合法、1nsitu重合法、
液中硬化液ti法等の化学的製法、スプレードライング
法、気中懸濁被覆法、真空蒸着1llra法、静電的合
体法、融解分散冷却法、無磯質hプセル化法等の物!!
I!關械的製法、界面沈澱法等の物理化学的製法等、に
よることも可能である。
ベーション法の他、界面重合法、1nsitu重合法、
液中硬化液ti法等の化学的製法、スプレードライング
法、気中懸濁被覆法、真空蒸着1llra法、静電的合
体法、融解分散冷却法、無磯質hプセル化法等の物!!
I!關械的製法、界面沈澱法等の物理化学的製法等、に
よることも可能である。
そして、マイクロカプセルの粒子径についても、目的に
応じ、1〜100μmの範囲で適宜選択可能である。
応じ、1〜100μmの範囲で適宜選択可能である。
また、実装に際して、配線話板上に直接塗布する方法の
他、あらかじめローラ、あるいはヒート0−ラ等を用い
て、シート状あるいはテープ状の異方導電フィルムを形
成しておぎ、これを従来の異方11ffiフイルムと同
様に明所して使用することもできる。
他、あらかじめローラ、あるいはヒート0−ラ等を用い
て、シート状あるいはテープ状の異方導電フィルムを形
成しておぎ、これを従来の異方11ffiフイルムと同
様に明所して使用することもできる。
以上説明したように、本発明の異方導電材料によれば球
形粒子の表面に導電性の中間層を形成し、更に、その外
側を絶縁性の表面層で被覆してマイクロカプセル化して
いるため、導電粒子(すなわち、球形粒子とその表面に
形成される導電層とからなる粒子であって導電性に寄与
するもの)の粒径と導電層の膜厚を均一化することがで
きると共に任意に調整可能であり、極めて信頼性の高い
所定の分解能の異方導電接続の達成が可能となる。
形粒子の表面に導電性の中間層を形成し、更に、その外
側を絶縁性の表面層で被覆してマイクロカプセル化して
いるため、導電粒子(すなわち、球形粒子とその表面に
形成される導電層とからなる粒子であって導電性に寄与
するもの)の粒径と導電層の膜厚を均一化することがで
きると共に任意に調整可能であり、極めて信頼性の高い
所定の分解能の異方導電接続の達成が可能となる。
また、スクリーン印刷等によって部分的に塗布すること
ができ、実装工程が大幅に簡略化される。
ができ、実装工程が大幅に簡略化される。
第1図は、本発明実施例の異方導電材料〈粒子)の断面
図、第2図(a)および(b)は、同異方導電材料の製
造工程図、第3図(a)および(b)は、同異方導電材
料を用いた半導体チップの配線具板上への実装工程図、
第4図(a)および(b)、第5図は、従来の異方導電
材料を用いた実装状態を示す図である。 21・・・芯物質、22・・・中間層、23・・・表面
層、11・・・配線基板、12・・・半導体チップ、B
P、BP2・・・ポンディングパッド、1・・・プリン
ト基板、2・・・電極パターン、3・・・ガラス基板、
4・・・電極パターン、5・・・異方性導電膜、M・・
・金属粒子。 第2図((Il+ 第3図(1)) 第4図(0) 第4図(b) 第5図
図、第2図(a)および(b)は、同異方導電材料の製
造工程図、第3図(a)および(b)は、同異方導電材
料を用いた半導体チップの配線具板上への実装工程図、
第4図(a)および(b)、第5図は、従来の異方導電
材料を用いた実装状態を示す図である。 21・・・芯物質、22・・・中間層、23・・・表面
層、11・・・配線基板、12・・・半導体チップ、B
P、BP2・・・ポンディングパッド、1・・・プリン
ト基板、2・・・電極パターン、3・・・ガラス基板、
4・・・電極パターン、5・・・異方性導電膜、M・・
・金属粒子。 第2図((Il+ 第3図(1)) 第4図(0) 第4図(b) 第5図
Claims (6)
- (1)半導体チップとパッケージの間等、電気的に接続
すべき2つの物体間に介在せしめ、熱圧着することによ
り、加圧方向にのみ電気的導通をはかるようにした異方
導電材料において、 球形の芯物質と、 導電性の中間層と、 絶縁性の表面層とを具えた粒子からなり、 熱圧着時に、加圧方向の前記表面層が破れて、前記中間
層が露呈することにより加圧方向での電気的接続が達成
されるようにしたことを特徴とする異方導電材料。 - (2)前記表面層は熱可塑性高分子膜からなることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の異方導電材料
。 - (3)前記芯物質は高分子材料からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の異方
導電材料。 - (4)前記芯物質は、前記表面層よりもやや融点の高い
物質で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第(3)項記載の異方導電材料。 - (5)球形の芯物質と導電性の中間層と、絶縁性の表面
層とを具えた粒子を所定の溶剤と混合する塗布剤の調整
工程と、 該塗布剤を配線基板上の所定の領域に塗布する塗布工程
と、 接続すべき半導体装置を前記領域上に載置し、加圧しつ
つ加熱する熱圧着工程と を含む、半導体装置の実装方法。 - (6)前記塗布工程は、スクリーン印刷工程であること
を特徴とする特許請求の範囲第(5)項記載の半導体装
置の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1760486A JPS62176139A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1760486A JPS62176139A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62176139A true JPS62176139A (ja) | 1987-08-01 |
JPH053739B2 JPH053739B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=11948483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1760486A Granted JPS62176139A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62176139A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63237372A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | 日立化成工業株式会社 | 回路の接続部材およびその製造方法 |
US5034245A (en) * | 1989-03-01 | 1991-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing connection electrodes |
JP2003077335A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面処理導電性粒子、導電性粒子の処理方法及びそれを用いた回路接続用接着剤、回路接続構造体 |
KR20030047085A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 엘지전선 주식회사 | 니켈 금속을 연결수단으로 이용한 전자부품 및 접속방법 |
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