JP5157641B2 - 圧電発振器及び送信機 - Google Patents
圧電発振器及び送信機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5157641B2 JP5157641B2 JP2008136339A JP2008136339A JP5157641B2 JP 5157641 B2 JP5157641 B2 JP 5157641B2 JP 2008136339 A JP2008136339 A JP 2008136339A JP 2008136339 A JP2008136339 A JP 2008136339A JP 5157641 B2 JP5157641 B2 JP 5157641B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- oscillator
- piezoelectric oscillator
- electrode
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Description
また、圧電発振器またはこれを用いた送信機の小型化を重視して整合回路を内蔵しない場合には、圧電発振器またはこれを用いた送信機が実装される相手側の実装基板に整合回路を設ける必要があり、通信機器全体としての小型化のメリットが半減するという問題があった。
また、圧電発振器は、半導体回路素子の主面側の突部上に圧電振動片を固定していることことから、半導体回路素子の主面と圧電振動片との間の間隔を、突部の厚み分空けることができる。これにより、圧電発振器は、例えば、落下衝撃時などに半導体回路素子と圧電振動片との衝突が発生しにくくなることから、耐衝撃性が向上する。
加えて、圧電発振器は、第1の絶縁膜上に発振回路に接続される薄膜回路素子が形成されていることから、例えば、半導体回路素子内に形成することが困難な大きい回路定数の回路素子を半導体回路素子上に形成できる。これにより、圧電発振器は、パッケージ内の別スペースに、外付けの回路素子を搭載する必要がないことから、パッケージの小型化が可能となる。従って、圧電発振器は、小型化が可能となる。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態のSAW発振器に搭載される圧電振動片としてのSAW共振子を説明するものであり、(a)は斜視図、(b)は、(a)のB−B線断面図である。また、図2は、本実施形態のSAW発振器を説明するものであり、(a)は平面図、(b)は、(a)のA−A線断面図である。なお、(a)において、SAW発振器の上部に配置される蓋体としての金属リッドは、SAW発振器の内部の構成を説明する便宜上図示を省略している。また、図3は、本実施形態のSAW発振器の回路素子チップが搭載された部分を拡大して説明する図2(a)のb−b線断面図である。
まず、本実施形態のSAW発振器において、所定の基準周波数を生成するSAW共振子について説明する。
図1(a)に示すように、SAW共振子10は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板11上に、励振電極としてのIDT電極12と、反射器13と、IDT電極12に接続された一対の外部接続端子19a,19bとが備えられている。
IDT電極12は、二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指12aと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指12bとが、向かい合って互いに接触しないように配置されている。
外部接続端子19aは、電極間配線18aによりIDT電極12の一方の電極指12aを連結するバスバーに接続され、外部接続端子19bは、電極間配線18bによりIDT電極12の他方の電極指12bを連結するバスバーに接続されている。
次に、本実施形態のSAW発振器について説明する。
図2に示すように、SAW発振器1は、パッケージベース20と、パッケージベース20の凹部の凹底部分に固定された半導体回路素子としてのICチップ40と、ICチップ40の一方の主面43側に形成された突部46上に固定されたSAW共振子10とを有している。
ICチップ40には、SAW共振子10を励振させる発振回路が形成されている。
そして、突部46は、上面46aが、略平坦に形成されているとともにICチップ40の主面43と略平行になるように形成されている。
また突部46には、第1の絶縁膜42上に複数対の電極ランド75a,75a',75b,75b'が、第2の絶縁膜50に形成された開口部50aから露出するように形成されている。
これらの電極ランド75a,75a',75b,75b'には、チップ抵抗素子やチップコンデンサ素子などの複数の回路素子チップ70a,70bが接合されている。
また、パッケージベース20の外底部分となる第1層基板21の底面には、一対の実装端子28a,28bが設けられ、パッケージベース20の凹部の凹底部分となる第1層基板21上の略中央部分にはダイパッド26が設けられている。
これらの接続端子25、実装端子28a,28b、及びそれらを接続する配線パターンは、一般に、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等の金属配線材料をセラミックス絶縁材料上にスクリーン印刷して焼成し、その上にニッケル(Ni)、金(Au)などのめっきを施すことにより形成される。
伸張コイル60は、第1の絶縁膜42上にスパッタ法などにより金属膜を積層させた後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングすることにより形成することができる。
このようにして形成された伸張コイル60は、線幅や形状を比較的容易に精度よく制御して形成することができるので、低コストにて精緻なインダクタンスに調整されたインダクタとして形成することができる。加えて、伸張コイル60は、チップ型のインダクティブ素子などよりも薄く形成することができる。
また、伸張コイル60は、ICチップ40内に形成することが困難な大きい回路定数のものが形成できる。
また、伸張コイル60には、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)などの金属配線材料を用いることが好ましく、エネルギー損失の抑制のため、これらの中で抵抗値のより低い金属配線材料を用いることがより好ましい。
本実施形態の回路配線には、複数対の電極ランド75a,75a'、電極ランド75b,75b'、接続電極77が含まれている。また、本実施形態では、一部の電極ランド75a',75bが端子間配線76により接続され、この他の一部の電極ランド75b'が、端子間配線76により接続電極77と接続されている。
このような回路配線上には、上述した第2の絶縁膜50が、電極ランド75a,75a',75b,75b'、接続電極77を露出させる開口部50aを有して形成されている。
なお、回路構成によっては、伸張コイル60以外の回路配線は、形成されなくてもよく、回路素子チップ70a,70bは実装されなくてもよい。
このとき、SAW共振子10は、平面視で、IDT電極12と突部46の上面46aとが重ならないようにして、ICチップ40の一方の主面43と略平行になるように片持ち支持状態で固定されている。これにより、SAW共振子10は、ICチップ40の一方の主面43との間に、突部46の厚み分に加えて接着剤97の厚み分の間隔を有している。 また、SAW共振子10は、平面視で、ICチップ40の外形内に収まるように、突部46に固定されている。
また、接続電極77及びICチップ40の複数の電極パッド45の一部は、パッケージベース20の対応する接続端子25とボンディングワイヤ99によりそれぞれ接続されている。
SAW発振器1は、圧電振動片として原理的に高周波を発生させやすいSAW共振子10を用いた上記のような構成とすることで、高周波帯域において優れた周波数特性を有する。
これにより、SAW発振器1は、例えば、落下衝撃時などにICチップ40とSAW共振子10との衝突が発生しにくくなることから、耐衝撃性が向上する。
これによれば、SAW発振器1は、伸張コイル60に代えて、回路素子チップ70a,70bにより、SAW共振子10の入出力インピーダンスに含まれる寄生容量成分を打ち消す整合回路を、容易に形成することができる。
ここで、第1の実施形態の第1の変形例について図面を参照して説明する。
図4は、第1の実施形態の第1の変形例のSAW発振器の断面図である。なお、第1の実施形態との共通部分には同一の符号を付して、その説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
スペーサ部材80には、シリコン基板などが用いられている。スペーサ部材80は、図示しない接着剤によってICチップ40の一方の主面43に固定されている。
なお、第1の絶縁膜42、伸張コイル60、第2の絶縁膜50などをスペーサ部材80上に形成した後、スペーサ部材80をICチップ40に固定するのが好ましい。
次に、第1の実施形態の第2の変形例について図面を参照して説明する。
図5は、第1の実施形態の第2の変形例のSAW発振器の断面図である。なお、第1の実施形態との共通部分には同一の符号を付して、その説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
このような場合、第1の絶縁膜422上に、上記発振回路に接続される薄膜回路素子であるインダクティブ素子としての伸張コイル602が形成される。そして、突部462は、伸張コイル602と、第1の絶縁膜422上に略矩形に形成され、伸張コイル602を覆う第2の絶縁膜50とを有して構成されている。
そして、突部462は、上面462aが、略平坦に形成されているとともにICチップ402の主面43と略平行になるように形成されている。
なお、伸張コイル602の端部である接続電極652bと、発振回路の電極パッド452とは、接続電極パターン992により電気的に接続されている。
また、接続電極652bと、発振回路の電極パッド452とは、接続電極パターン992により電気的に接続されている。これら接続電極652b、接続電極パターン992、及び発振回路の電極パッド452は、フォトリソグラフィ等により1つの金属パターンとして形成されるため、ボンディングワイヤで接続電極と電極パッドとの間を接続する場合に比して、電気的接続の信頼性が向上する。
上記第1の実施形態のSAW発振器1では、ICチップ40の集積回路及び複数の電極パッド45が形成された側の面(能動面)である一方の主面43を、金属リッド30側に向けた状態で、ICチップ40をパッケージベース20に接合し、一方の主面43側に突部46などを形成した。
第1の実施形態以外に、SAW発振器は、ICチップをパッケージベースにフェースダウン接合により接合し、ICチップの能動面側と異なる面側に突部などを設ける構成としてもよい。
また、フェースダウン接合されたICチップ140の裏面である他方の主面144側には、第1の絶縁膜42上に形成された伸張コイル60と、第1の絶縁膜42上に形成され第2の絶縁膜50の開口部50aから露出された複数対の電極ランド75a,75a',75b,75b'とを含む回路配線及びそれぞれ接合された複数の回路素子チップ70a,70bとが設けられている。
そして、パッケージベース120上に金属リッド130が接合されてパッケージ109が構成されることにより、ICチップ140及びSAW共振子10がパッケージ109内に気密に封止されている。
また、第2層基板122の複数の接続端子125及び第1層基板121の複数の接続端子115a,115bのうちの一部は、第2層基板122及び第1層基板121に形成された図示しない配線パターンまたはスルーホールなどの層内配線パターンにより、対応する実装端子128a,128bにそれぞれ接続されている。
なお、接合部材195は金バンプに限らず、他の金属からなるバンプや、樹脂コアの表面に導電膜が形成された樹脂コアバンプなどであってもよく、また、導電性接着剤などを接合部材として接合する構成としてもよい。
更に、フェースダウン接合されたICチップ140とパッケージベース120との隙間にアンダーフィル材を充填して固化させることにより、ICチップ140の接合強度を補強することもできる。
また、外部接続端子19bは、伸張コイル60の接続電極65aとボンディングワイヤ99により接続され、伸張コイル60の接続電極65bとICチップ140の対応する電極パッド145から層内配線129を介して引き出されて形成された接続端子125とがボンディングワイヤ99により接続されていることにより、外部接続端子19bが伸張コイル60を介して電極パッド145と接続されている。
そして、パッケージベース120の上側には、金属リッド130がシールリング124を介して接合されてパッケージ109が構成されることにより、パッケージベース120内部に接合されたICチップ140及びSAW共振子10が気密に封止されている。
これにより、SAW発振器201は、第1の実施形態と同様の効果に加えて、更なる薄型化を図ることができる。
次に、上記第1及び第2の実施形態(第1の実施形態には、上述の各変形例を含む。以下同様)で説明したSAW発振器1,101,102,201のいずれかを備えた送信機の一実施形態について説明する。
送信機は、データ信号を送受信する通信機器において、発振器(SAW発振器1(101,102,201)(以下、101,102,201の記載は、煩雑さを避けるために省略する)により生成された送信するためのデータ信号を重畳させた信号(電波)を送信するための機器である。
そして、パッケージベース20または120上に金属リッド30または130が接合されて、パッケージベース20または120の内部が気密に封止されている(図2〜図6を参照)。
また、上記SAW共振子10において、反射器13のない構成としてもよい。
更に、圧電振動片には、SAW共振子などのSAW素子片に限らず、ATカット水晶板の両主面に励振電極を形成した構成の水晶振動片あるいは音叉型の水晶振動片など、他の圧電振動片を用いる構成としてもよい。
Claims (12)
- 半導体回路素子と圧電振動片とがパッケージ内に気密に収容された圧電発振器であって、
前記圧電振動片は、圧電基板及び前記圧電基板の表面に形成された励振電極を有し、
前記半導体回路素子は、前記圧電振動片を発振させる発振回路が形成され、主面に第1の絶縁膜が形成され、
少なくとも、前記第1の絶縁膜上に形成され前記発振回路に接続される薄膜回路素子と、前記第1の絶縁膜上に形成され前記薄膜回路素子を覆う第2の絶縁膜と、から形成される突部を有し、
前記突部の上面に前記圧電振動片が固定されていることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1に記載の圧電発振器において、
平面視において前記圧電振動片が前記半導体回路素子の外形内に収まるように、前記圧電振動片が前記突部の前記上面に固定されていることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1または2に記載の圧電発振器において、
前記半導体回路素子の前記主面と前記第1の絶縁膜との間に、スペーサ部材が介在していることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧電発振器において、
前記薄膜回路素子は、インダクティブ素子であることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項4に記載の圧電発振器において、
前記インダクティブ素子が、前記第1の絶縁膜上に、金属膜をパターニングして形成された伸張コイルであることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の圧電発振器において、
平面視において、前記突部の前記上面と、前記圧電振動片の前記励振電極とが重ならないように、前記圧電振動片が前記突部に接着剤を介して固定されていることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧電発振器において、
前記圧電振動片が、前記励振電極としてのIDT電極を有する弾性表面波素子片であることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1に記載の圧電発振器において、
前記圧電振動片が、前記励振電極としてのIDT電極を有する弾性表面波素子片であり、
前記薄膜回路素子が、前記第1の絶縁膜上に金属膜をパターニングして形成され、前記弾性表面波素子片と前記発振回路との間に接続される伸張コイルであることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の圧電発振器において、
前記第1の絶縁膜上に電極ランドが形成され、
前記電極ランドは、前記第2の絶縁膜に形成された開口部から露出していることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項9に記載の圧電発振器において、
前記電極ランドに、少なくとも回路素子チップであるインダクティブ素子が接合されていることを特徴とする圧電発振器。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の圧電発振器において、
前記半導体回路素子が、前記パッケージの内底部分にフェースダウン接合により接合されていることを特徴とする圧電発振器。 - 送信信号を出力する発振器と、前記発振器からの前記送信信号を電波として放出するアンテナと、を少なくとも備える送信機であって、
前記発振器が、請求項1〜11のいずれか一項に記載の圧電発振器から構成されていることを特徴とする送信機。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008136339A JP5157641B2 (ja) | 2008-01-28 | 2008-05-26 | 圧電発振器及び送信機 |
US12/174,401 US8384486B2 (en) | 2007-07-18 | 2008-07-16 | Piezoelectric oscillator and transmitter |
US13/755,565 US8860516B2 (en) | 2007-07-18 | 2013-01-31 | Piezoelectric oscillator and transmitter |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008015871 | 2008-01-28 | ||
JP2008015871 | 2008-01-28 | ||
JP2008136339A JP5157641B2 (ja) | 2008-01-28 | 2008-05-26 | 圧電発振器及び送信機 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012270095A Division JP5435114B2 (ja) | 2008-01-28 | 2012-12-11 | 圧電発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009207109A JP2009207109A (ja) | 2009-09-10 |
JP5157641B2 true JP5157641B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=41148888
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136339A Expired - Fee Related JP5157641B2 (ja) | 2007-07-18 | 2008-05-26 | 圧電発振器及び送信機 |
JP2012270095A Active JP5435114B2 (ja) | 2008-01-28 | 2012-12-11 | 圧電発振器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012270095A Active JP5435114B2 (ja) | 2008-01-28 | 2012-12-11 | 圧電発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5157641B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012090203A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器 |
JP5765119B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | Sawデバイス、saw発振器および電子機器 |
JP6436280B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 恒温槽型発振器の製造方法 |
JP6369191B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2018-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、電子機器、移動体及び無線通信システム |
US10333484B2 (en) * | 2016-11-08 | 2019-06-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Filter modules and filter arrays having inductive impedance |
JP2018164126A (ja) | 2017-03-24 | 2018-10-18 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、発振器、ジャイロセンサー、電子機器および移動体 |
CN107819450B (zh) * | 2017-11-13 | 2024-01-26 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种改进封装结构的全石英晶体谐振器及其制备方法 |
KR102032376B1 (ko) * | 2018-05-02 | 2019-10-16 | 해성디에스 주식회사 | 센서 패키지 및 이를 포함하는 센서 패키지 모듈 |
CN108417556A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-08-17 | 奥肯思(北京)科技有限公司 | 多芯片堆叠封装结构 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62199108A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-02 | Nec Corp | 複合弾性表面波デバイス |
JPH08274575A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Kokusai Electric Co Ltd | 素子複合搭載回路基板 |
JPH09162691A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-20 | Rohm Co Ltd | 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
KR100316383B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2002-02-19 | 윤덕용 | 모노리딕직접회로위에박막또는후막단결정압전소자를집적한단일칩라디오구조및그제조방법 |
JP4294135B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2009-07-08 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電発振器 |
JP3744828B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2006-02-15 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置 |
JP2003309296A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Nikon Corp | 集積回路装置及びその製造方法、並びに、圧電振動子及びその製造方法 |
JP2004215226A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-29 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置の周波数調整方法および電子機器 |
JP2005093828A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置および製造方法 |
JP2005136938A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイスを用いた装置 |
JP2005123904A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2006086197A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Renesas Technology Corp | 集積受動素子および電力増幅モジュール |
JP2006229807A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 表面弾性波装置 |
JP2007067787A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波共振子の温度補償方法および温度補償型弾性表面波発振器 |
-
2008
- 2008-05-26 JP JP2008136339A patent/JP5157641B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-11 JP JP2012270095A patent/JP5435114B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5435114B2 (ja) | 2014-03-05 |
JP2009207109A (ja) | 2009-09-10 |
JP2013059119A (ja) | 2013-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8860516B2 (en) | Piezoelectric oscillator and transmitter | |
JP5435114B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP6170349B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP4099504B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
JP6427075B2 (ja) | 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール | |
US20040174090A1 (en) | Piezoelectric component and method for manufacturing the same | |
KR100415210B1 (ko) | 탄성표면파소자와 탄성표면파장치 | |
JP6909060B2 (ja) | 電子部品 | |
JP5636933B2 (ja) | 発振器 | |
JP5910351B2 (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP5082968B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP4466691B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JPWO2018225589A1 (ja) | 電子部品モジュール | |
JP4758210B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP6310371B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2021190908A (ja) | 帯域阻止フィルタ、複合フィルタ及び通信装置 | |
JP4511216B2 (ja) | 圧力センサモジュール | |
JP7055499B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
JP6131798B2 (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP2023031986A (ja) | 振動子及び電子デバイス | |
JP2023003011A (ja) | 振動素子、振動子および電子デバイス | |
JPH10335964A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2022127791A (ja) | 振動素子、振動子および電子デバイス | |
JP6024514B2 (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
JP2013207512A (ja) | 表面実装型圧電発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110519 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110729 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |