JP2004215226A - 弾性表面波装置の周波数調整方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 水晶基板1上に形成されるIDT電極2の厚みhを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく(S1)。次に、IDT電極2に電圧を印加させて中心周波数の測定を開始する(S2)。このとき、測定される中心周波数は、目標値よりもわずかに低めとなる。そこで、水晶基板1の裏面1bのエッチングを測定周波数を確認しながら行う(S3)。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し(S3、S4)、それが目標値になった時点でエッチングを停止する(S5)。
【選択図】 図9
Description
弾性表面波装置の特性は、圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬特性に依存しており、特に、弾性表面波装置の高周波化に対応するためには、位相速度の大きな弾性表面波の利用が求められる。
しかし、このように高周波で動作する弾性表面波装置は、電極の微細化が行われるために、電極の幅や膜厚などの出来上がり寸法のバラツキによって中心周波数が変動し、製造歩留りが大きく低下する原因となっている。
RIE装置を用いて、塩素系ガスによりアルミニウムのような電極材料を削って周波数を高め、これにより周波数を調整する方法がある。この周波数調整方法では、電極とともに電極表面に自然形成される酸化膜も削れてしまうので、周波数調整後に再び酸化現象が進行し、酸化膜の厚み変化がデバイスの中心周波数に影響する。
上記のように、電極表面の酸化膜は自然形成されるため、酸化膜厚の制御や管理を行わないと中心周波数が経年変化し、デバイスの信頼性に大きな影響を与えてしまう。特に、高周波の弾性表面波装置(弾性表面波デバイス)では、電極幅や電極膜厚が小さくなるために、周波数をより正確に調整する方法が望まれている。
この解決方法として、フッ素系ガスによる周波数調整を行う前に意図的にIDT電極の表面に酸化膜を形成し、IDT電極の表面を硬い酸化膜で保護する方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。これにより、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングを行っても、フッ素系ラジカル等の反応性フッ素によってIDT電極が侵されることはない。
さらに、電子機器の小型化に伴い、他の種々の電子部品と同様に、水晶振動子を用いた発振器に関して、プリント配線基板における部品実装密度を高めるために、小型化の工夫がなされている。例えば、特許文献3に示すように、実装面積を縮小するために発振回路本体を収容したICパッケージの上に水晶振動子のパッケージを載置したり、または特許文献4に示すように、1つのパッケージ内に水晶振動子とICチップとを収容するといった構造がある。
また、配線パターンに起因する誘導リアクタンスと浮遊容量の影響を小さくするために、高周波特性の優れる弾性表面波装置を実現できる。さらに、パッケージが1つで済むため、製品価格が低減され、製造工程も簡略化される。
このため、弾性表面波装置の周波数調整方法にあっては、より精度の高い周波数調整が求められている。また、同時に、調整後の中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定な動作ができる弾性表面波装置の出現が望まれている。
また、周波数調整工程において、プラズマ等が弾性表面波素子に照射されるとき、パッケージ内には弾性表面波素子ばかりでなく、ICチップも実装された状態で行われている。従って、ICチップがプラズマに晒されることによる動作不良等の不具合が発生するという問題がある。
また、本発明の他の目的は、弾性表面波素子とICチップをパッケージ内に収容した形態で弾性表面波装置を構成する場合に、その周波数調整が容易であって、その調整の際にICチップに不具合を発生させることがない、弾性表面波装置の周波数調整方法を提供することにある。
すなわち、第1の発明は、水晶基板と、この水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極とを備えた弾性表面波装置の周波数調整方法であって、前記周波数調整を、前記水晶基板の厚みを前記IDT電極の形成面と対向する面から調整することによって行うようにしたことを特徴とするものである。
第1および第2の発明によれば、水晶基板の電極形成面側に形成される電極パターンを一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
第3の発明は、第1の発明または第2の発明の弾性表面波装置の周波数調整方法において、前記周波数調整に先立って、前記水晶基板のIDT電極の形成面および前記IDT電極の表面のうちの少なくとも一方を削って予備周波数調整を行うようにしたことを特徴とするものである。
この場合においても、電極形成面に対しては、プラズマ等を用いたエッチングを行う必要がないため、従来のような残留アルミニウムに起因した周波数変動を防ぐことが可能であり、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を提供することができる。
第5の発明は、水晶基板と、この水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極とを備え、前記IDT電極が上向きになるように前記水晶基板を開口部が形成されたパッケージ内に収容させた弾性表面波装置を、エッチングガスを導入するチャンバ内に配置させ、前記弾性表面波装置の入出力特性の測定を行いながら、所望の周波数が得られるまで前記水晶基板の前記IDT電極の形成面と対向する面のエッチングを行い、周波数調整をするようにしたことを特徴とするものである。
これにより、周波数を大幅に調整する必要がある場合には、まず、電極形成面をウエットエッチング等により周波数の調整を粗く行い、その後に、電極形成面と対向する面をエッチングして精度の良い周波数調整を行うことができる。このため、周波数調整を短時間で行うことが可能となる。
第8の発明は、弾性表面波装置をフィルタや共振子などとして含む電子機器であって、前記弾性表面波装置は、第1の発明乃至第7の発明のいずれかの周波数調整方法で周波数調整された弾性表面波装置からなることを特徴とするものである。
以上のように、本発明によれば、精度の高い周波数調整ができる上に、調整後の中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定な動作ができる弾性表面波装置を実現できる。
また、本発明によれば、弾性表面波素子とICチップをパッケージ内に収容した形態で弾性表面波装置を構成する場合に、その周波数調整が容易であって、その調整の際にICチップに不具合を発生させることがない。
図1(a)は、本発明の周波数調整方法が適用される弾性表面波装置aの概略構成を示す斜視図、図1(b)は図1(a)のA−A線の断面図である。
この弾性表面波装置aは、図1に示すように、水晶基板1と、この水晶基板1の主平面上に形成されたIDT電極2および反射器電極3a、3bと、を備えている。
水晶基板1は、所定の厚みtを有し、擬似縦波型漏洩弾性表面波を伝搬させるものである。
反射器電極3a、3bは、アルミニウムなどからなり、IDT電極2を挟むように水晶基板1上に形成されている。この反射器電極3a、3bは、IDT電極2により励振された擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射し、閉じ込める機能を有している。
図2は、本発明の周波数調整方法が適用される弾性表面波装置bの要部の断面図である。
なお、水晶基板11上に形成されるIDT電極12などの構成は、図1の水晶基板1上に形成されるIDT電極2などと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
このような構成にすると、小型化が容易で、接着剤等が不要となるので、パッケージ内部が安定になるという利点がある。また、この利点を生かしながら、例えば、フッ素ガスを利用したプラズマエッチングを行うことにより、水晶基板11のIDT電極12の形成面と対向する面11bをエッチングさせて、目標の中心周波数になるように、水晶基板11の厚みtを調整できる。
この弾性表面波装置cは、IDT電極22などが形成された水晶基板21を、IDT電極22が上を向くようにして、接着剤24を介してセラミックパッケージ26内に接着させている。また、水晶基板21上の電極は、ボンデングワイヤ25を介してセラミックパッケージ26の電極と接続されている。
このような構成から弾性表面波装置cによれば、水晶基板21のIDT電極22の形成面にワイヤーボンディングを行うことが可能となるとともに、目標の周波数に調整することができる。
この弾性表面波装置dは、ICチップ51を、金バンプ52を介してセラミックパッケージ53内の底部に接続させ、電気的な接続と機械的な接続とを同時に行うようになっている。ICチップ51上には、水晶基板58が、IDT電極59が下を向くようにして、金バンプ54により接続されている。これは、いわゆるFDB(フェイス・ダウン・ボンディング)製造方式により実現できる。従って、ICチップ51は、図4に示すように水晶基板58により被覆された状態になっている。
このような構成からなる弾性表面波装置dでは、後述のように水晶基板58の電極形成面と対向する面58bがエッチングされ、目標の中心周波数となるように水晶基板58の厚みtが調整されている。そして、周波数の調整後には、セラミックパッケージ53は密封される。
図5は、本発明の周波数調整方法が適用される弾性表面波装置eの要部の断面図である。
凹部62の開口部の周囲にはマウント部65が形成され、そのマウント部65で囲まれた部分に、水晶基板68がIDT電極69が下を向くようにして嵌め込まれるようになっている。そして、この状態で、水晶基板68は、凹部62の開口部の周縁に封止材66により接合されると同時に、ICチップ63とは金バンプ67を介して接続されている。従って、ICチップ63は凹部62内に収容されるとともに、その凹部62内は気密封止された状態になる。
このような構成からなる弾性表面波装置eでは、後述のように水晶基板68の電極形成面と対向する面68bがエッチングされ、目標の中心周波数となるように水晶基板68の厚みtが調整されている。そして、周波数の調整後には、セラミックパッケージ61は密封される。
また、この弾性表面波装置eでは、ICチップ63を凹部62内に気密封止するようにしたので、上記のプラズマエッチング時に、プラズマによるICチップ63の不具合の発生を防止できる。
この弾性表面波装置fは、セラミックパッケージ71内の底部に凹部72が設けられ、この凹部72内にICチップ73を収容させるとともに、そのICチップ73を、金バンプ74を介して凹部72内の底部に接続させ、電気的な接続と機械的な接続とを同時に行うようになっている。
なお、水晶基板78上に形成されるIDT電極79などの構成は、図1の水晶基板1上に形成されるIDT電極2などと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
このような構成からなる弾性表面波装置fでは、後述のように水晶基板78の電極形成面と対向する面78bがエッチングされ、目標の中心周波数となるように水晶基板78の厚みtが調整されている。そして、周波数の調整後には、セラミックパッケージ71は密封される。
また、この弾性表面波装置fでは、水晶基板78によりICチップ73を被覆するようにしたので、上記のプラズマエッチング時に、水晶基板78によってICチップ73が保護された状態となり、プラズマによるICチップ73の不具合の発生を防止できる。
次に、本発明の周波数調整方法の実施形態について説明する。
図7は、水晶基板の電極形成面(表面)と対向する面(裏面)のエッチング量に対する周波数変動量の測定結果の一例を示す図である。
この測定結果は、水晶基板の厚みtをIDT波長λで規格化した規格化基板厚みt/λが「8」と「20」の場合である。また、オイラー角は(0°,143.5°,0°)とし、規格化電極厚みh/λは0.03としている。ここで、規格化電極厚みh/λは、IDT電極2の厚みhをIDT波長λで規格化したものである。
図7によれば、水晶基板の電極形成面と対向する面(裏面)をエッチングし、水晶基板の厚みを薄くすることにより中心周波数(共振周波数)が上がり、弾性表面波装置の周波数調整ができることがわかる。
そこで、本発明の周波数調整方法は、上記の点に着目して、水晶基板の電極形成面と対向する面をエッチングすることにより、精度の良い周波数調整ができるようにしたものである。
この場合には、例えば、水晶基板1上に形成されるIDT電極2の厚みhを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく(ステップS1)。
すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し(ステップS3、S4)、それが目標値になった時点でエッチングを停止する(ステップS5)。
また、水晶基板の電極形成面側に形成される電極パターンを一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
これは、弾性表面波装置aの水晶基板1上に形成されるIDT電極2の厚みhなどに製造上のバラツキがあり、周波数調整を必要とする場合に有用な方法である。
まず、IDT電極2に電圧を印加させて中心周波数の測定を開始する(ステップS11)。次に、その測定中心周波数が目標値以下または目標値以上であるかを判定する(ステップS12)。
ステップS13では、IDT電極2の表面のエッチング、例えばウエットエッチングを測定周波数を確認しながら行う。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が短時間に上がっていく。そして、その測定中心周波数が、中心周波数の目標値よりもわずかに低く設定されている「仮の目標値」になるまで、そのエッチングを継続し(ステップS13、S14)、それが「仮の目標値」になった時点でそのエッチングを停止する(ステップS15)。以上のステップS13、S14の処理は、周波数の粗調整(予備調整)となる。
また、周波数の粗調整をウエットエッチングによりIDT電極の表面あるいは水晶基板の表面について行い、微調整をプラズマエッチングにより水晶基板の裏面について行うことができるので、水晶基板の表面をプラズマなどでエッチングする場合に問題となる残留アルミニウムに起因した調整後の周波数変動を防止することができる。
すなわち、ステップS11の周波数測定の結果、その中心周波数が上記の「第1の目標値」以内の場合には、直ちに水晶基板の裏面のエッチング処理(ステップS16またはステップS22)に移行するようにする。
次に、本発明の弾性表面波装置の周波数調整方法の第3実施形態を、図2〜図6に示す弾性表面波装置b〜fに適用した場合について説明する。
このエッチング装置は、図11に示すようにチャンバ41を有し、このチャンバ41内に上部電極42aおよび下部電極42bが配置され、上部電極42aは接地されるとともに、下部電極42bはコンデンサ43を介してRF電源(高周波電源)44に接続されている。下部電極42b上には支持台45が設けられ、その支持台45上に、弾性表面波装置bなどが載置されるようになっている。
周波数測定計49は、その測定した中心周波数をRF電源制御部46に供給するようになっている。RF電源制御部46は、その供給される測定中心周波数に応じてRF電源44の動作などを制御するようになっている。
この場合には、例えば、水晶基板11上に形成されるIDT電極12の厚みhを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく。
次に、周波数測定計49により、弾性表面波装置bの中心周波数の測定を開始する。このとき、測定される中心周波数は、目標値よりもわずかに低めとなる。そこで、チャンバ41内を排気しつつ、エッチングガスをチャンバ41内に導入してプラズマを発生させる。
そのエッチング中は、周波数測定計49は、弾性表面波装置bの中心周波数の測定を行い、その測定値をRF電源制御部46に供給する。RF電源制御部46は、その測定値が予め設定されている目標値と比較し、目標値になるとRF電源44の動作を停止させる。これにより上記のエッチングは終了する。
次に、図11に示すエッチング装置を用いて、図3に示す弾性表面波装置cの周波数調整を行う場合について説明する。
次に、水晶基板21の電極形成面と対向する面が上を向くように、その弾性表面波装置cを支持台45上に載せる。この場合には、水晶基板21の凹部23の部分をエッチングすることにより、その厚さtを調整することになる(図3参照)。その調整方法は、上述の弾性表面波装置bの場合と基本的に同様であるので、その説明は省略する。
次に、図11に示すエッチング装置を用いて、図4に示す弾性表面波装置dの周波数調整を行う場合について説明する。
次に、水晶基板58の電極形成面と対向する面(裏面58b)が上を向くように、その弾性表面波装置dを支持台45上に載せる。そして、水晶基板58の裏面58bのエッチングをすることにより、その厚さtを調整する(図4参照)。その調整方法は、上述の弾性表面波装置bの場合と基本的に同様であるので、その説明は省略する。
次に、図11に示すエッチング装置を用いて、図5に示す弾性表面波装置eの周波数調整を行う場合について説明する。
次に、水晶基板68の電極形成面と対向する面(裏面68b)が上を向くように、その弾性表面波装置dを支持台45上に載せる。そして、水晶基板68の裏面68bのエッチングをすることにより、その厚さtを調整する(図5参照)。その調整方法は、上述の弾性表面波装置bの場合と基本的に同様であるので、その説明は省略する。
次に、図11に示すエッチング装置を用いて、図6に示す弾性表面波装置fの周波数調整を行う場合について説明する。
次に、水晶基板78の電極形成面と対向する面(裏面78b)が上を向くように、その弾性表面波装置dを支持台45上に載せる。そして、水晶基板78の裏面78bのエッチングをすることにより、その厚さtを調整する(図6参照)。その調整方法は、上述の弾性表面波装置bの場合と基本的に同様であるので、その説明は省略する。
ここで、上記で説明した弾性表面波装置b〜fの各周波数調整は、図9に示す手順と同様のものである。しかし、その各周波数調整を、図10に示すような手順により行うようにしても良い。この場合には、予備周波数調整により周波数の粗調整を行い、その後に、周波数の微調整を行うことになる。
この実施形態に係る電子機器としては、例えば携帯電話やキーレスエントリーシステムなどが挙げられる。そして、携帯電話の場合には、上記のような周波数調整方法により調整された図1〜図3に示すような弾性表面波装置を、携帯電話の周波数選別フィルタとして用いるようにした。また、キーレスエントリーシステムの場合には、その弾性表面波装置を、キーレスエントリーシステムの発振器の共振子として用いるようにした。さらに、各種の電子機器の発振器などとして、図4〜図6に示すような弾性表面波装置を用いることができる。
このような構成からなる電子機器によれば、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定な動作ができるフィルタ、振動子、または発振器を用いた各種の電子機器を提供できる。
Claims (8)
- 水晶基板と、この水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極とを備えた弾性表面波装置の周波数調整方法であって、
前記周波数調整を、前記水晶基板の厚みを前記IDT電極の形成面と対向する面から調整することによって行うようにしたことを特徴とする弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 前記周波数調整は、前記水晶基板の前記IDT電極の形成面と対向する面をドライエッチングで削るようにしたことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 前記周波数調整に先立って、前記水晶基板のIDT電極の形成面および前記IDT電極の表面のうちの少なくとも一方を削って予備周波数調整を行うようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 水晶基板と、この水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極とを備え、前記IDT電極が下向きになるように前記水晶基板をパッケージ内に収容させた弾性表面波装置を、エッチングガスを導入するチャンバ内に配置させ、
前記弾性表面波装置の入出力特性の測定を行いながら、所望の周波数が得られるまで前記水晶基板の前記IDT電極の形成面と対向する面のエッチングを行い、周波数調整をするようにしたことを特徴とする弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 水晶基板と、この水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極とを備え、前記IDT電極が上向きになるように前記水晶基板を開口部が形成されたパッケージ内に収容させた弾性表面波装置を、エッチングガスを導入するチャンバ内に配置させ、
前記弾性表面波装置の入出力特性の測定を行いながら、所望の周波数が得られるまで前記水晶基板の前記IDT電極の形成面と対向する面のエッチングを行い、周波数調整をするようにしたことを特徴とする弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 水晶基板、およびこの水晶基板上に形成され擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するIDT電極を有する弾性表面波素子と、この弾性表面波素子と関連して動作するICチップと、パッケージとを備え、前記ICチップを前記パッケージ内の底部側に収容させたのち、前記IDT電極が下向きになるとともに前記ICチップを覆うように前記弾性表面波素子を前記パッケージ内に収容させた弾性表面波装置を、エッチングガスを導入するチャンバ内に配置させ、
前記弾性表面波素子の入出力特性の測定を行いながら、所望の周波数が得られるまで前記水晶基板の前記IDT電極の形成面と対向する面のエッチングを行い、周波数調整をするようにしたことを特徴とする弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 前記周波数調整に先立って、前記水晶基板のIDT電極の形成面および前記IDT電極の表面のうちの少なくとも一方を削って予備周波数調整を行うようにしたことを特徴とする請求項4、請求項5または請求項6に記載の弾性表面波装置の周波数調整方法。
- 弾性表面波装置をフィルタや共振子などとして含む電子機器であって、
前記弾性表面波装置は、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の周波数調整方法で周波数調整された弾性表面波装置からなることを特徴とする電子機器。
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