JPH11205076A - 高周波圧電振動子及びその製造法 - Google Patents
高周波圧電振動子及びその製造法Info
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- JPH11205076A JPH11205076A JP1479298A JP1479298A JPH11205076A JP H11205076 A JPH11205076 A JP H11205076A JP 1479298 A JP1479298 A JP 1479298A JP 1479298 A JP1479298 A JP 1479298A JP H11205076 A JPH11205076 A JP H11205076A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＴカット水晶振動子の基本波周波数が１５
０ＭＨｚ以上で、共振周波数が高精度の高周波圧電振動
子とその製造法を実現する。 【解決手段】 圧電基板の一方の主面を凹陥せしめ、超
薄板部とこれを支持する環状部とを一体的に形成した圧
電基板の凹陥部側に電極を形成し、平坦側に小電極を乗
せてその振動部の周波数を測定し、ドライエッチングに
て振動部の周波数を仕上げた高周波圧電振動子。
０ＭＨｚ以上で、共振周波数が高精度の高周波圧電振動
子とその製造法を実現する。 【解決手段】 圧電基板の一方の主面を凹陥せしめ、超
薄板部とこれを支持する環状部とを一体的に形成した圧
電基板の凹陥部側に電極を形成し、平坦側に小電極を乗
せてその振動部の周波数を測定し、ドライエッチングに
て振動部の周波数を仕上げた高周波圧電振動子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波圧電振動子及
びその製造方法に関し、特にドライエッチング手法を用
い、基本波振動で１５０ＭＨｚ以上の高周波化を実現し
た高周波圧電振動子及びその製造法に関する。
びその製造方法に関し、特にドライエッチング手法を用
い、基本波振動で１５０ＭＨｚ以上の高周波化を実現し
た高周波圧電振動子及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡＴカット水晶振動子は、周波数温度特
性が２７度を変曲点として３次特性（約２７度を対称の
中心とする点対称）を呈し安定なこと、周波数が厚さの
関数となるので高周波化に適すること、容量比が比較的
小さい等から周波数基準として多くの用途で用いられ、
特に通信機器には数多く使われている。近年では、周波
数の安定に加え、携帯電話等に用いられる通信周波数帯
が高周波化し、またコンピュータのクロック周波数等も
高周波化している。図３（ａ）は上記の高周波化を図っ
た圧電振動子Ｂの構造の一例を示す斜視図であり、同図
（ｂ）はＲ−Ｒ線における圧電振動子素子のみの断面図
である。圧電振動子の構成を製造の手順を追って説明す
る。まず、圧電基板２１、例えばＡＴカット水晶基板の
一方の表面の中央部分をフォトエッチングの手段を用い
凹陥せしめて、超薄肉部２２と該超薄肉部２２の周囲を
支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成して、超薄
肉部２２の機械的強度を保持した超薄板圧電基板２１を
形成する。
性が２７度を変曲点として３次特性（約２７度を対称の
中心とする点対称）を呈し安定なこと、周波数が厚さの
関数となるので高周波化に適すること、容量比が比較的
小さい等から周波数基準として多くの用途で用いられ、
特に通信機器には数多く使われている。近年では、周波
数の安定に加え、携帯電話等に用いられる通信周波数帯
が高周波化し、またコンピュータのクロック周波数等も
高周波化している。図３（ａ）は上記の高周波化を図っ
た圧電振動子Ｂの構造の一例を示す斜視図であり、同図
（ｂ）はＲ−Ｒ線における圧電振動子素子のみの断面図
である。圧電振動子の構成を製造の手順を追って説明す
る。まず、圧電基板２１、例えばＡＴカット水晶基板の
一方の表面の中央部分をフォトエッチングの手段を用い
凹陥せしめて、超薄肉部２２と該超薄肉部２２の周囲を
支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に形成して、超薄
肉部２２の機械的強度を保持した超薄板圧電基板２１を
形成する。
【０００３】次に、超薄板圧電基板２１の凹陥部側には
導電膜を全面に蒸着して電極２３ｂを形成すると共に、
超薄板圧電基板２１の平坦側にフォトエッチング手法を
用いて、部分電極２３ａと、該部分電極２３ａから基板
周辺部に延在するリード電極２４を形成する。この様
に、超薄板圧電基板２１に電極２３ａ、２３ｂを形成し
た圧電振動素子を、セラミックパッケージ２５に収容
し、導電性接着剤を用いて超薄板圧電基板２１を片持ち
構造にて固定すると共に、電極２３ｂとセラミックパッ
ケージ２５底部の端子電極２６ｂとの電気的導通を図
る。一方、上部電極２３ａとセラミックパッケージ２５
の端子電極２６ａとはボンディングワイヤー２７にて電
気的導通を図る。
導電膜を全面に蒸着して電極２３ｂを形成すると共に、
超薄板圧電基板２１の平坦側にフォトエッチング手法を
用いて、部分電極２３ａと、該部分電極２３ａから基板
周辺部に延在するリード電極２４を形成する。この様
に、超薄板圧電基板２１に電極２３ａ、２３ｂを形成し
た圧電振動素子を、セラミックパッケージ２５に収容
し、導電性接着剤を用いて超薄板圧電基板２１を片持ち
構造にて固定すると共に、電極２３ｂとセラミックパッ
ケージ２５底部の端子電極２６ｂとの電気的導通を図
る。一方、上部電極２３ａとセラミックパッケージ２５
の端子電極２６ａとはボンディングワイヤー２７にて電
気的導通を図る。
【０００４】上記のように構成した高周波振動子Ｂの動
作は、セラミックパッケージ２５の端子電極２６ａ、２
６ｂに高周波電圧を印加すると、周知のように、凹陥部
の超薄肉部２２の厚さに反比例した周波数で共振する。
従って、高周波圧電振動子を得る場合には、超薄肉部２
２の厚さを薄くする必要がある。超薄肉部２２部に励起
された基本波主振動の変位は電極２３ａ部では該電極２
３ａの中央に対し対称な余弦状の分布になり、電極２３
ａから離れるに従いその変位分布は指数関数的に減衰
し、凹陥部の両端では振動変位は極めて小さくなり、環
状囲繞部からの支持の影響は受けない。
作は、セラミックパッケージ２５の端子電極２６ａ、２
６ｂに高周波電圧を印加すると、周知のように、凹陥部
の超薄肉部２２の厚さに反比例した周波数で共振する。
従って、高周波圧電振動子を得る場合には、超薄肉部２
２の厚さを薄くする必要がある。超薄肉部２２部に励起
された基本波主振動の変位は電極２３ａ部では該電極２
３ａの中央に対し対称な余弦状の分布になり、電極２３
ａから離れるに従いその変位分布は指数関数的に減衰
し、凹陥部の両端では振動変位は極めて小さくなり、環
状囲繞部からの支持の影響は受けない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚み滑
り振動をするＡＴカット水晶振動子の共振周波数ｆは、
周知のように、超薄肉部２２の厚さｔに反比例し、次式
であらわされる。 ｆ＝ｋ／ｔ 周波数ｆをＭＨｚ、厚さｔをμｍの単位で表すと、定数
ｋは約１６５０ＭＨｚ・μｍとなる。従って、水晶振動
子の共振周波数を１５０ＭＨｚ以上の高周波に設定する
と、超薄肉部２２の厚みが１０μｍ以下と極めて薄くな
り、厚さの偏差に対する周波数感度が極めて大きくな
る。例えば、フッ化アンモニウムを主成分とするウエッ
トエッチング手法を用いて凹陥部を形成した場合、その
濃度の変動、エッチング設定時間の誤差等のため、超薄
肉部２の厚さを精度よく制御することが極めて困難であ
り、結果として周波数のバラツキが大きく、製造歩留ま
りが低いという問題があった。本発明は上記問題を解決
するためになされたものであって、基本波振動で高周波
領域（１５０ＭＨｚ以上）の圧電振動子とその製造法を
提供することを目的とする。
り振動をするＡＴカット水晶振動子の共振周波数ｆは、
周知のように、超薄肉部２２の厚さｔに反比例し、次式
であらわされる。 ｆ＝ｋ／ｔ 周波数ｆをＭＨｚ、厚さｔをμｍの単位で表すと、定数
ｋは約１６５０ＭＨｚ・μｍとなる。従って、水晶振動
子の共振周波数を１５０ＭＨｚ以上の高周波に設定する
と、超薄肉部２２の厚みが１０μｍ以下と極めて薄くな
り、厚さの偏差に対する周波数感度が極めて大きくな
る。例えば、フッ化アンモニウムを主成分とするウエッ
トエッチング手法を用いて凹陥部を形成した場合、その
濃度の変動、エッチング設定時間の誤差等のため、超薄
肉部２の厚さを精度よく制御することが極めて困難であ
り、結果として周波数のバラツキが大きく、製造歩留ま
りが低いという問題があった。本発明は上記問題を解決
するためになされたものであって、基本波振動で高周波
領域（１５０ＭＨｚ以上）の圧電振動子とその製造法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る高周波圧電振動子及びその製造法の請求
項１記載の発明は、一方の主面に凹陥部を有する超薄板
圧電基板の凹陥側に電極を形成すると共に該凹陥側を下
向きにしてパッケージに実装し、前記超薄板圧電基板の
平坦側に上乗せ電極を近接させてその周波数を測定した
後、所望の周波数に近づけるべく前記超薄板圧電基板の
平坦側をドライエッチング手段を用いて削り、その後平
坦部に電極を形成することを特徴とする高周波圧電振動
子の製造法である。請求項２記載の発明は、一方の主面
に凹陥部を有する超薄板圧電基板の凹陥側に電極を形成
すると共に該凹陥側を下向きにしてパッケージに実装
し、前記超薄板圧電基板の平坦側に上乗せ電極を近接さ
せてその周波数を測定した後、所望の周波数に近づける
べく前記超薄板圧電基板の平坦側をドライエッチング手
段を用いて削り、その後平坦部に電極を形成することを
特徴とする高周波圧電振動子である。
に本発明に係る高周波圧電振動子及びその製造法の請求
項１記載の発明は、一方の主面に凹陥部を有する超薄板
圧電基板の凹陥側に電極を形成すると共に該凹陥側を下
向きにしてパッケージに実装し、前記超薄板圧電基板の
平坦側に上乗せ電極を近接させてその周波数を測定した
後、所望の周波数に近づけるべく前記超薄板圧電基板の
平坦側をドライエッチング手段を用いて削り、その後平
坦部に電極を形成することを特徴とする高周波圧電振動
子の製造法である。請求項２記載の発明は、一方の主面
に凹陥部を有する超薄板圧電基板の凹陥側に電極を形成
すると共に該凹陥側を下向きにしてパッケージに実装
し、前記超薄板圧電基板の平坦側に上乗せ電極を近接さ
せてその周波数を測定した後、所望の周波数に近づける
べく前記超薄板圧電基板の平坦側をドライエッチング手
段を用いて削り、その後平坦部に電極を形成することを
特徴とする高周波圧電振動子である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係る高周波振動子Ａの構造の一例を示す斜視図、同図
（ｂ）はＰ−Ｐ線における圧電振動素子の断面図、同図
（ｃ）はＱ−Ｑ線における圧電振動素子の断面図であ
る。前記圧電振動素子は圧電基板としてＡＴカット水晶
基板の一方の表面の中央部分をフォトエッチング手段を
用いて凹陥した超薄肉部２と該超薄肉部２の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部を一体的に形成した超薄板圧電基
板１を用いる。この超薄板圧電基板１の凹陥部側には部
分電極３ｂと、該部分電極３ｂから基板周辺部に延在す
るリード電極４を具備する。一方、超薄板圧電基板１の
平坦側には全面に電極３ａが形成されている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係る高周波振動子Ａの構造の一例を示す斜視図、同図
（ｂ）はＰ−Ｐ線における圧電振動素子の断面図、同図
（ｃ）はＱ−Ｑ線における圧電振動素子の断面図であ
る。前記圧電振動素子は圧電基板としてＡＴカット水晶
基板の一方の表面の中央部分をフォトエッチング手段を
用いて凹陥した超薄肉部２と該超薄肉部２の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部を一体的に形成した超薄板圧電基
板１を用いる。この超薄板圧電基板１の凹陥部側には部
分電極３ｂと、該部分電極３ｂから基板周辺部に延在す
るリード電極４を具備する。一方、超薄板圧電基板１の
平坦側には全面に電極３ａが形成されている。
【０００８】上記の圧電振動素子は、セラミックパッケ
ージ５に収容されており、導電性接着剤を用いて片持ち
固定すると共に、電極３ｂのリード電極４とセラミック
パッケージ５底部の端子電極６ｂとの電気的導通が図ら
れている。一方、上部電極３ａとセラミックパッケージ
５の端子電極６ａとの間はボンディングワイヤー７にて
電気的導通が図られている。
ージ５に収容されており、導電性接着剤を用いて片持ち
固定すると共に、電極３ｂのリード電極４とセラミック
パッケージ５底部の端子電極６ｂとの電気的導通が図ら
れている。一方、上部電極３ａとセラミックパッケージ
５の端子電極６ａとの間はボンディングワイヤー７にて
電気的導通が図られている。
【０００９】ここで、本発明に係る基本波で１５０ＭＨ
ｚ以上の高周波振動子の製造法について、図２（ａ）〜
（ｇ）を用い順を追って説明する。図２（ａ）は、従来
の超薄板圧電基板と同様に、厚さ約８０μｍのＡＴカッ
ト水晶基板１の中央にフォトエッチングの手法を用い
て、ほぼ正方形状の凹陥部２を形成した超薄板圧電基板
１の断面図である。上記の超薄板圧電基板１の凹陥部側
に、図２（ｂ）に示すようにマスクを介した蒸着あるい
はフォトエッチング等の手法を用いて、部分電極３ｂと
該部分電極３ｂから超薄板圧電基板１の周辺部へ延在す
るリード電極４とを形成する。部分電極３ｂとリード電
極４を形成した超薄板圧電基板１（圧電振動素子と称
す）を図２（ｃ）に示すように、セラミックパッケージ
５に収容し、リード電極４とセラミックパッケージ５の
底部電極（図示しない）とを導電性接着剤（図示しな
い）を用いて固定すると共に電気的導通を図る。
ｚ以上の高周波振動子の製造法について、図２（ａ）〜
（ｇ）を用い順を追って説明する。図２（ａ）は、従来
の超薄板圧電基板と同様に、厚さ約８０μｍのＡＴカッ
ト水晶基板１の中央にフォトエッチングの手法を用い
て、ほぼ正方形状の凹陥部２を形成した超薄板圧電基板
１の断面図である。上記の超薄板圧電基板１の凹陥部側
に、図２（ｂ）に示すようにマスクを介した蒸着あるい
はフォトエッチング等の手法を用いて、部分電極３ｂと
該部分電極３ｂから超薄板圧電基板１の周辺部へ延在す
るリード電極４とを形成する。部分電極３ｂとリード電
極４を形成した超薄板圧電基板１（圧電振動素子と称
す）を図２（ｃ）に示すように、セラミックパッケージ
５に収容し、リード電極４とセラミックパッケージ５の
底部電極（図示しない）とを導電性接着剤（図示しな
い）を用いて固定すると共に電気的導通を図る。
【００１０】次に、図２（ｄ）に示すように、セラミッ
クパッケージ５に収容した圧電振動素子の凹陥部２に対
向する平坦側の上に上乗せ電極８（黄銅等の材質を用
い、底部は直径２〜３ｍｍの円筒状で上部は円錐状に加
工した電極）を乗せ、該上乗せ電極８から延びるリード
線９と、セラミックパッケージ５の外部端子６ｂ’から
延びるリード線１０との間のインピーダンス、共振周波
数をネットワークアナライザー等を用いて測定する。こ
の測定した共振周波数を所定の周波数に近づけるべく、
図（ｅ）に示すようにドライエッチング手法を用いて、
超薄板圧電基板１の平坦側の全面もしくは薄肉部に対向
する部位をエッチングする。点線部を示す１１はドライ
エッチング前の超薄板圧電基板１の厚さを示し、実線は
ドライエッチング後の超薄板圧電基板１の厚さを示す。
当然のことながら、この手法を適用するに際しては超薄
肉部を目的とする厚みよりも予め厚めに形成しておくこ
とが必要となる。
クパッケージ５に収容した圧電振動素子の凹陥部２に対
向する平坦側の上に上乗せ電極８（黄銅等の材質を用
い、底部は直径２〜３ｍｍの円筒状で上部は円錐状に加
工した電極）を乗せ、該上乗せ電極８から延びるリード
線９と、セラミックパッケージ５の外部端子６ｂ’から
延びるリード線１０との間のインピーダンス、共振周波
数をネットワークアナライザー等を用いて測定する。こ
の測定した共振周波数を所定の周波数に近づけるべく、
図（ｅ）に示すようにドライエッチング手法を用いて、
超薄板圧電基板１の平坦側の全面もしくは薄肉部に対向
する部位をエッチングする。点線部を示す１１はドライ
エッチング前の超薄板圧電基板１の厚さを示し、実線は
ドライエッチング後の超薄板圧電基板１の厚さを示す。
当然のことながら、この手法を適用するに際しては超薄
肉部を目的とする厚みよりも予め厚めに形成しておくこ
とが必要となる。
【００１１】ここで、ＡＴカット水晶基板をドライエッ
チングする手法について簡単に説明する。真空容器内に
配置した２つの電極うち一方の電極上に試料（この場合
は図２（ｃ）に示す圧電振動素子）を配置し、前記容器
を真空に排気した後、容器内に反応性ガス（ハロゲン化
合物、酸素等）を導入し、前記２つの電極間に高電圧を
印加すると、反応性ガスプラズマが生成し、容器内に置
いた試料をエッチングすることができる。このエッチン
グ手法をドライエッチングと一般的に称している。
チングする手法について簡単に説明する。真空容器内に
配置した２つの電極うち一方の電極上に試料（この場合
は図２（ｃ）に示す圧電振動素子）を配置し、前記容器
を真空に排気した後、容器内に反応性ガス（ハロゲン化
合物、酸素等）を導入し、前記２つの電極間に高電圧を
印加すると、反応性ガスプラズマが生成し、容器内に置
いた試料をエッチングすることができる。このエッチン
グ手法をドライエッチングと一般的に称している。
【００１２】図２（ｄ）のように超薄板部２の周波数を
測定した圧電振動素子をドライエッチング装置の真空容
器内に入れて真空とし、該真空容器内にＣＦ4等を導入
し、そのガス圧を１〜１０パスカル（Ｐａ）、 ＣＦ4流
量をを１０〜３０ｃｃ／分、ＲＦ電源の周波数を約１５
ＭＨｚで出力を１００〜５００Ｗとして、前記容器内の
圧電振動素子の平坦基板部をドライエッチングする。上
記の条件における超薄板圧電基板１の平坦基板部のエッ
チング速度は種々の実験の結果、一例として約１８０Å
／分が得られ、所定の周波数に十分に制御することが可
能となった。超薄板圧電基板１の周波数を所定の周波数
に調整した後、図２（ｆ）に示すように前記圧電振動素
子を真空容器内に配置し、前記圧電振動素子の平坦部側
基板のみを蒸着するため、蒸着マスク１２を介して金属
膜３ａを蒸着する。
測定した圧電振動素子をドライエッチング装置の真空容
器内に入れて真空とし、該真空容器内にＣＦ4等を導入
し、そのガス圧を１〜１０パスカル（Ｐａ）、 ＣＦ4流
量をを１０〜３０ｃｃ／分、ＲＦ電源の周波数を約１５
ＭＨｚで出力を１００〜５００Ｗとして、前記容器内の
圧電振動素子の平坦基板部をドライエッチングする。上
記の条件における超薄板圧電基板１の平坦基板部のエッ
チング速度は種々の実験の結果、一例として約１８０Å
／分が得られ、所定の周波数に十分に制御することが可
能となった。超薄板圧電基板１の周波数を所定の周波数
に調整した後、図２（ｆ）に示すように前記圧電振動素
子を真空容器内に配置し、前記圧電振動素子の平坦部側
基板のみを蒸着するため、蒸着マスク１２を介して金属
膜３ａを蒸着する。
【００１３】真空容器内から前記圧電振動素子を取り出
し、上部電極３ａとセラミックパッケージの底面に焼成
してある端子電極（図示していない）とボンディングワ
イヤー１５を用いて電気的導通を図り、高周波圧電振動
子とする。さらに、前記圧電振動子の周波数を測定し、
必要がある場合には蒸着等の手段、あるいは電子ビーム
等の手段を用いて所望の周波数に微調整し、基本波で１
５０ＭＨｚ以上の高周波振動子を完成する。高周波圧電
振動子Ａの動作は、セラミックパッケージ５の端子電極
６ａ、６ｂに高周波電圧を印加すると超薄肉部２の厚さ
に反比例した周波数で共振する。
し、上部電極３ａとセラミックパッケージの底面に焼成
してある端子電極（図示していない）とボンディングワ
イヤー１５を用いて電気的導通を図り、高周波圧電振動
子とする。さらに、前記圧電振動子の周波数を測定し、
必要がある場合には蒸着等の手段、あるいは電子ビーム
等の手段を用いて所望の周波数に微調整し、基本波で１
５０ＭＨｚ以上の高周波振動子を完成する。高周波圧電
振動子Ａの動作は、セラミックパッケージ５の端子電極
６ａ、６ｂに高周波電圧を印加すると超薄肉部２の厚さ
に反比例した周波数で共振する。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、高周波領域（１５０ＭＨｚから６５０ＭＨｚ）の
振動子を製作する場合に、フォトエッチング手法を用い
て形成した超薄板圧電基板の凹陥部における超薄肉部の
周波数を測定した後、ドライエッチング手段を用いて、
前記超薄肉部の周波数を高精度に調整するので、極めて
周波数精度の高い高周波振動子を実現できるという優れ
た特徴を有する。
ので、高周波領域（１５０ＭＨｚから６５０ＭＨｚ）の
振動子を製作する場合に、フォトエッチング手法を用い
て形成した超薄板圧電基板の凹陥部における超薄肉部の
周波数を測定した後、ドライエッチング手段を用いて、
前記超薄肉部の周波数を高精度に調整するので、極めて
周波数精度の高い高周波振動子を実現できるという優れ
た特徴を有する。
【図１】（ａ）は本発明に係る高周波振動子の一構造を
示す斜視図、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれはＰ−Ｐ線及び
Ｑ−Ｑ線における断面図を示す。
示す斜視図、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれはＰ−Ｐ線及び
Ｑ−Ｑ線における断面図を示す。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は本発明に係る高周波振動子の
製造法を工程順に説明した断面図を示す。
製造法を工程順に説明した断面図を示す。
【図３】（ａ）は従来の高周波水晶振動子の構造の一例
を示す斜視図、（ｂ）はＲ−Ｒ線における断面図を示
す。
を示す斜視図、（ｂ）はＲ−Ｒ線における断面図を示
す。
１……圧電基板 ２……超薄肉部 ３ａ……上部電極 ３ｂ……下部電極 ４……リード電極部 ５……セラミックパッケージ ６ａ、６ｂ……セラミックパッケージの端子電極 ６ｂ’……外部端子 ７……ボンディングワイヤー ８……上乗せ電極 ９、１０……リード線 １１……ドライエッチングされた圧電基板部 １２……マスク Ａ……高周波圧電振動子
Claims (2)
- 【請求項１】 一方の主面に凹陥部を有する超薄板圧電
基板の凹陥側に電極を形成すると共に該凹陥側を下向き
にしてパッケージに実装し、前記超薄板圧電基板の平坦
側に上乗せ電極を近接させてその周波数を測定した後、
所望の周波数に近づけるべく前記超薄板圧電基板の平坦
側をドライエッチング手段を用いて削り、その後平坦部
に電極を形成することを特徴とする高周波圧電振動子の
製造法。 - 【請求項２】 一方の主面に凹陥部を有する超薄板圧電
基板の凹陥側に電極を形成すると共に該凹陥側を下向き
にしてパッケージに実装し、前記超薄板圧電基板の平坦
側に上乗せ電極を近接させてその周波数を測定した後、
所望の周波数に近づけるべく前記超薄板圧電基板の平坦
側をドライエッチング手段を用いて削り、その後平坦部
に電極を形成することを特徴とする高周波圧電振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1479298A JPH11205076A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高周波圧電振動子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1479298A JPH11205076A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高周波圧電振動子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11205076A true JPH11205076A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11870917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1479298A Pending JPH11205076A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高周波圧電振動子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11205076A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568284B1 (ko) * | 2003-12-09 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자의 주파수 튜닝 방법 및 이를 포함한 제조방법 |
| US7474033B2 (en) | 2004-06-09 | 2009-01-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| EP2426818A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a resonator, resonator, and oscillator |
| JP2014195182A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Seiko Epson Corp | 振動素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP1479298A patent/JPH11205076A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568284B1 (ko) * | 2003-12-09 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자의 주파수 튜닝 방법 및 이를 포함한 제조방법 |
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| JP2012060259A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Fujitsu Ltd | 振動子の作製方法、振動子および発振器 |
| JP2014195182A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Seiko Epson Corp | 振動素子の製造方法 |
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