JP2004260455A - 極超短波圧電素子の製造方法 - Google Patents
極超短波圧電素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004260455A JP2004260455A JP2003047906A JP2003047906A JP2004260455A JP 2004260455 A JP2004260455 A JP 2004260455A JP 2003047906 A JP2003047906 A JP 2003047906A JP 2003047906 A JP2003047906 A JP 2003047906A JP 2004260455 A JP2004260455 A JP 2004260455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- frequency
- main
- vibrating
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】圧電基板の一方の主面に凹陥を形成することによって薄肉の振動部を得て、基本波にて極超短波帯（ＵＨＦ帯）の共振を実現した極超短波圧電素子の製造方法、特に高効率で低コストのＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面を凹陥することにより形成した薄肉の振動部を有する極超短波圧電素子の製造方法であって、圧電ウェハの一方の主面の所定部分をエッチングにて凹陥して振動部を形成する第１の主エッチング工程と、前記振動部の共振周波数を測定する周波数測定工程と、前記周波数工程により得られた周波数に基づき前記振動部の厚みを微調整する第１の微調エッチング工程と、前記振動部を更に薄くする第２の主エッチング工程と、前記振動部の厚みを微調整する第２の微調エッチング工程と、を含み、前記エッチング工程がいずれもウェットエッチングであることを特徴とする。
【解決手段】圧電基板の一方の主面を凹陥することにより形成した薄肉の振動部を有する極超短波圧電素子の製造方法であって、圧電ウェハの一方の主面の所定部分をエッチングにて凹陥して振動部を形成する第１の主エッチング工程と、前記振動部の共振周波数を測定する周波数測定工程と、前記周波数工程により得られた周波数に基づき前記振動部の厚みを微調整する第１の微調エッチング工程と、前記振動部を更に薄くする第２の主エッチング工程と、前記振動部の厚みを微調整する第２の微調エッチング工程と、を含み、前記エッチング工程がいずれもウェットエッチングであることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電基板の一方の主面に凹陥を形成することによって薄肉の振動部を得て、基本波にて極超短波帯（ＵＨＦ帯）の共振を実現した極超短波圧電素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
伝送通信機器やＯＡ機器の処理速度の高速化、或は通信データや処理量の大容量化が進むのに伴って、それらに用いる基準周波数信号源としての水晶振動子においては、高周波化の要求が強くなっている。
【０００３】
従来の高周波化を実現した水晶振動子、特にＵＨＦ帯以上の基本波振動を実現する水晶振動子として、本発明者が電子情報通信学会の信学技報（非特許文献参照）により開示されたものがあり、図６（ａ）はＵＨＦ帯水晶振動子の斜視図、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
同図に示すように、水晶振動子１０１はＡＴカット水晶振動子の厚みすべり振動を利用した振動子であって、その共振周波数が板厚と反比例することから機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、水晶振動子１０１の一方主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部分を振動部１０１ａとすると共に振動部１０１ａの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部１０１ｂを一体的に形成する。
さらに水晶振動子１０１の平坦な他方主面の表面には主電極１０２と該主電極１０２より延出するリード１０３及びボンディングパッド１０４をマスク蒸着又はフォトリソグラフィ等により形成すると共に、前記一方主面の表面には全面蒸着により全面電極１０５を形成したものである。
【０００４】
図７はＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図、図８はエッチング工程での加工状態を示す水晶振動子の縦断面図であって、図８で示す二点鎖線Ｘは４段階の化学エッチング加工終了時における振動部の厚さを示す想像線である。
ＵＨＦ帯においては板厚変化量に対する周波数変化量が大きいことから４段階の化学エッチング加工１１１乃至１１４により水晶ウェハの板厚調整を行うことにより、所望の基本波共振周波数を励振可能な振動部１０１ａを得ることができる。
以下、図８を参照しつつ図７に基づいて、従来のＵＨＦ帯水晶振動子の製造方法を説明する。
まず主表面をポリッシュ加工した水晶ウェハに対して金／クロムの膜を真空蒸着により付着する。ここでは機械的な強度とエッチング量との兼ね合いから８０マイクロメートル（μｍ）の厚さを有する水晶ウェハを用いる。金／クロム膜に対してフォトリソグラフィ加工を用いてエッチング用のマスクパターンを形成する。図８（ａ）に示すようにエッチング用のマスクパターン１２４が形成された水晶ウェハ１２１を第１次主エッチング１１１ではウェットエッチングによってマスクパターンの開口部分を凹陥し、ＶＨＦ帯、例えば１５５ＭＨｚを共振周波数とする振動部１２２ａ、１２３ａを形成する。ここで、実際にはウェハの加工誤差等により振動部１２２ａ、１２３ａの板厚にはバラツキが生じているため、振動部１２２ａ、１２３ａ夫々の共振周波数を測定する。そして、図８（ｂ）に示す第１次微調エッチング１１２では、例えば特開平６−２１７４０号公報に開示された手法により、測定した周波数に基づいて夫々の凹陥に時間差でエッチング液を滴下してウェットエッチングを施して振動部１２２ａ、１２３ａが所望の周波数になるように個別に調整し、図８（ｃ）に示すように第２次主エッチング１１３ではウェハをウェットエッチングすることによって、所望のＵＨＦ帯、例えば７６０．９ＭＨｚの共振周波数に相当する板厚約２．２μｍを有する振動部１２２ｃ、１２３ｃを形成する。ここで再度振動部夫々の共振周波数を測定し、図８（ｄ）に示す第２次微調エッチング１１４では測定した周波数の基づいて振動部１２２ｃ、１２３ｃが所望の周波数になるように、ドライエッチングを個別に施して調整を行なう。その後、両主面夫々に電極を形成し、ウェハを分割して複数の前記水晶振動子１０１が得られる。
第２次微調エッチング１１４では７６０．９ＭＨｚ、即ち板厚約２．２μｍを実現すべく高精度な個別調整をするためエッチング速度の低いドライエッチングを採用している。
【０００５】
【特許文献】特開平６−２１７４０号公報。
【非特許文献】
石井修、岩田浩一、菅野誠、柴田恒則（共同著述）、
基本波を用いたＵＨＦ帯水晶振動子、
信学技報ＵＳ９８−２７、ＥＭＤ９８−１９、ＣＰＭ９８−５１、ＯＭＥ９８−４９（１９９８−０７）、
社団法人 電子情報通信学会
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図９は振動部の加工状態を示す縦断面図であって、前記４段階の化学エッチング加工、即ち前記振動部１２２ｄの形成を一方方向（図中矢印方向）、即ち凹陥の開口側からのみで実施すると、エッチング速度の結晶方向依存性により前記振動部１２２ａの凹陥側の面積が漸次縮小し振動部１２２ｄの凹陥側の面積が極めて小さくなり、振動部１２２ｄが備える振動領域１２２ｈが所望する振動領域より極めて狭くなる。例えば、基本周波数が７６０．９ＭＨｚの振動子を得ようとすると振動部の厚みは約２．２μｍとなり、機械的な強度との兼ね合いから水晶ウェハの厚さを８０μｍとすると約７７．８μｍの深さをエッチングにて凹陥することになる。すると凹陥の開口が０．７×０．５５ミリメートル（ｍｍ）であったとしても振動領域１２２ｈは約０．２５×０．１５ｍｍと所望する振動領域より小さいものになってしまう。所望の振動領域１２２ｈ寸法は、例えば発振周波数が６２２．３ＭＨｚの場合、振動領域１２２ｈに形成する電極（長手直径０．２５×短手直径０．１５ｍｍの楕円形）寸法の２乃至３倍（製造バラツキも踏まえて）の０．５乃至０．７５×０．３乃至０．４５ｍｍの大きさが必要である。
対して環状囲繞部１２１ｂの上面と該環状囲繞部１２１ｂの上面と振動領域１２２ｈとを繋ぐ傾斜面とが広くなり、前記リード（不図示）を形成する場合には該リードが長くなり、リードの抵抗や寄生インピーダンスが増加してまう。
【０００７】
前記第２次主エッチング１１３ではエッチャントとして低温のフッ化水素アンモニウム飽和溶液を使用しており、過剰エッチングを防止する反面エッチング速度が遅いため加工効率が低い。
【０００８】
前記第２次微調エッチング１１４では、高精度な調整を実現するためにエッチング速度を低くしたドライエッチングを採用しているため結晶欠陥の発生や不純物汚染などによるエッチングダメージが発生するという問題がある。
またドライエッチングのエッチングガスの供給制御（流量及び圧力）はエッチングの均一性との相関が大きく、エッチングガス供給穴の数、穴の大きさ等を変える必要があり最適な条件を導き出すのが困難である。
さらに、本工程における板厚調整は、図７に示すエッチングの後工程である金／クロム蒸着工程１１５における前記主電極膜１０２及び前記全面電極１０５となる導体膜を蒸着し、さらに後工程の蒸着やスパッタリング等による最終周波数調整工程１１６で高精度な周波数調整を施すので、最終周波数調整工程１１６において補償することが可能な範囲であれば構わないことから、過剰な工程能力を有している。
【０００９】
更に、ウェットエッチングとドライエッチングとを併用することによる製造工程の複雑化および設備投資の高額化が、ＵＨＦ帯水晶振動子の低価格化を阻害する要因となっていた。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、高効率で低コストの極超短波圧電素子の製造方法、特にＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項１記載の発明は、圧電基板の一方の主面を凹陥することにより形成した薄肉の振動部を有する極超短波圧電素子の製造方法であって、圧電ウェハの一方の主面の所定部分をエッチングにて凹陥して振動部を形成する第１の主エッチング工程と、前記振動部の共振周波数を測定する周波数測定工程と、前記周波数工程により得られた周波数に基づき前記振動部の厚みを微調整する第１の微調エッチング工程と、前記振動部を更に薄くする第２の主エッチング工程と、前記振動部の厚みを微調整する第２の微調エッチング工程と、を含み、前記エッチング工程がいずれもウェットエッチングであることを特徴とする。
【００１２】
また請求項２記載の発明は、請求項１において、前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１３】
また請求項３記載の発明は、請求項１において、前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１４】
また請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１５】
また請求項５記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１６】
また請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかにおいて、１枚の圧電ウェハから複数個の極超短波圧電素子を作製するべく、１枚の圧電ウェハに複数個の凹陥を形成した後に極超短波圧電素子を個片に分割する工程を有することを特徴とする。
【００１７】
また請求項７記載の発明は、請求項６において、前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部全てに対して周波数測定を行ない、前記第１の微調エッチング工程は振動部毎に個別にエッチングを施すことを特徴とする。
【００１８】
また請求項８記載の発明は、請求項６又は７において、前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部の一部に対して周波数測定を行ない、前記第２の主エッチング工程乃至前記第２の微調エッチング工程は全ての振動部に対して一括してエッチングを施すことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
図１（ａ）は本発明に係る製造方法によって得られるＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の斜視図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
同図に示すように、水晶振動子１はＡＴカット水晶振動子の厚みすべり振動を利用した振動子であって、該水晶振動子１の一方主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部分を振動部１ａとすると共に該振動部１ａの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部１ｂを一体的に形成する。
さらに水晶振動子１の平坦な他方主面の表面には主電極２と該主電極２より延出するリード３及びボンディングパッド４をマスク蒸着又はフォトリソグラフィ等により形成すると共に、前記一方主面の表面には全面蒸着により全面電極５を形成したものである。
【００２１】
図１に示した形態とは異なり、水晶振動子１の一方主面の前記振動部１ａに前記主電極２と該主電極２より延出する前記リード３を、環状囲繞部１ｂの表面にはリード３と電気的に接続した前記ボンディングパッド４を形成すると共に他方主面の表面に前記全面電極５を形成したものでも構わない。
また前記全面電極５が前記主電極２に対向配置し該主電極２とほぼ同寸法であると共に、全面電極５から延出するリードと電気的に接続されたボンディングパッドを形成しても構わない。
【００２２】
図３は本発明に係るエッチング加工時の水晶振動子の縦断面図であって、図３（ａ）は第１の微調エッチング終了後の水晶振動子の縦断面図、図３（ｂ）は第２の主エッチング乃至第２の微調エッチング終了後の水晶振動子の縦断面図である。
本発明に係る製造方法と従来の製造方法の相違はウェットエッチングとドライエッチングとの併用ではなく、加工効率が高く設備が安価なウェットエッチングのみで前記水晶振動子１を作製するところにある。本発明者は種々の実験を行ない、以下に記述する現象を見出しウェットエッチングのみであっても水晶振動子１の作製に十分耐えうる製造方法が得られたことを確認した。
図３（ａ）に示す第１の微調エッチングによるＶＨＦ帯までの個別調整が施された振動部３２ａと振動部３３ａとの板厚誤差、即ち調整精度Δ１と図３（ｂ）に示す第２の主エッチング乃至前記第２の微調エッチングによるＵＨＦ帯までの一括調整が施された振動部３２ｂと振動部３３ｂとの板厚誤差、即ち調整精度Δ２とが略一致した。即ち第１の微調エッチングによって調整精度Δ１を所望値に抑えておけば、第２の微調エッチングの段階で個別調整は必要ではなく、ウェハ上のいくつかについて周波数を測定しこれに基づいて全ての振動部に対して一括してエッチングを施せばよいのである。
【００２３】
図２は本発明実施形態のＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図であって、本発明に係る製造方法を図２及び図８に基づいて工程を説明する。
まず主表面をポリッシュ加工した水晶ウェハに対して金／クロムの膜を真空蒸着により付着する。ここでは機械的な強度とエッチング量との兼ね合いから８０マイクロメートル（μｍ）の厚さを有する水晶ウェハを用いる。金／クロム膜に対してフォトリソグラフィ加工を用いてエッチング用のマスクパターンを形成する。第１次主エッチング１１（第１の主エッチング）では、図８（ａ）に示すようにエッチング用のマスクパターン１２４が形成された水晶ウェハ１２１をウェットエッチングによってマスクパターンの開口部分を凹陥し、ＶＨＦ帯、例えば１５５ＭＨｚを共振周波数とする振動部１２２ａ、１２３ａを形成する。ここで、実際にはウェハの加工誤差等により振動部１２２ａ、１２３ａの板厚にはバラツキが生じているため、振動部１２２ａ、１２３ａ夫々の共振周波数を測定する。第１次微調エッチング１２（第１の微調エッチング）では、図８（ｂ）に示すように測定した周波数に基づいてウェットエッチングを施して振動部１２２ａ、１２３ａが所望の周波数になるように個別に調整する。以上までは従来と同一の製造方法であって、これ以後の第２次主エッチング１３（第２の主エッチング）乃至第２次微調エッチング１４（第２の微調エッチング）が従来と異なる。
第１次主エッチング１１終了後の共振周波数の測定結果に基づいてエッチング時間を算出しこの計算結果に基づいて、第２次主エッチング１３では図８（ｃ）に示すようにウェハをウェットエッチングすることによって所望のＵＨＦ帯、例えば７６０．９ＭＨｚの共振周波数に相当する板厚約２．２μｍを有する振動部１２２ｃ、１２３ｃを形成し、第２次微調エッチング１４では図８（ｄ）に示すように振動部１２２ｃ、１２３ｃが所望の周波数になるように一括してウェットエッチングを施す。
その後、両主面夫々に電極を形成し、ウェハを分割して複数の前記水晶振動子１０１が得られる。
【００２４】
図４は図２に示す製造工程を実現する場合のエッチング工程の条件の一例であって、同図に示すように前記第２次主エッチング１３乃至前記第２次微調エッチング１４における調整精度、即ちエッチング工程の最終調整精度は±１１０ｎｍであるが、エッチングの後工程である金／ニッケル蒸着工程１５（図２）における前記主電極膜２及び前記全面電極５となる導体膜の蒸着量と、さらに後工程の蒸着やスパッタリング等による最終周波数調整工程１６（図２）での高精度な周波数調整と、によって、エッチング工程の最終調整精度（±１１０ｎｍ）によるバラツキは補償することが可能な範囲であり、実際に所望の発振周波数を備えるＵＨＦ帯水晶振動子が得られている。
【００２５】
また図４に示すように、第１次微調エッチング１２及び第２次微調エッチング１４の製造条件にエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が１２％若しくはエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が２３％の２種類のエッチャントがあって、第１次微調エッチング１２及び第２次微調エッチング１４におけるエッチャントの選定は前工程である第１次主エッチング１１の調整精度次第で、調整精度が良好な場合、例えば±３００ｎｍ以下であるならばエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が１２％で微調を行なう。
【００２６】
図５は本発明の製造方法におけるエッチング加工方向を示したものであって、同図に示す二点鎖線は従来の製造方法による水晶振動子の加工形状を示すものである。
しかしながら本発明の製造方法であっても一方向からのエッチングでは従来と同様に、エッチング速度の結晶方向依存性により振動部の面積が極めて狭くなる現象に対しては効果が無い。そこで図５（ａ）に示すように、前記第２次主エッチング１３乃至前記第２次微調エッチング１４を両主面夫々に加工（図中矢印方向の加工）を施すと、振動部５２ａの凹陥内側の面積が従来と比較して広くなるだけでなく、他方主面のマスキングが不要になると共に両主面からの厚み調整となるのでエッチング作業時間の短縮が可能となる。
また図５（ｂ）に示すように、前記第１次微調エッチング１２における調整精度が高精度であった場合は、凹陥の形状を保持するために水晶ウェハ５１ｂの凹陥を備える一方主面（上面）にマスキング６９を施し他方主面（下面）の全面加工（図中矢印方向の加工）で所望の厚み調整を行なうことで振動部５２ｂの凹陥内側の面積が第１次微調エッチング１２終了時の面積となり従来と比較して格段に広くなるだけでなく、エッチング時間の短縮が可能となる。
マスキングを施す面の決定は個別調整を行なう前記第１次微調エッチング１２の結果を踏まえて行なうことができる。
【００２７】
以上、本発明の構成を水晶振動子に適用したときの形態例について説明したが、超薄肉振動部を備えたＭＣＦ（モノリシック・クリスタル・フィルタ）に適用することも可能である。
【００２８】
また水晶を用いて本発明の構成を説明したが、本発明は水晶のみに限定するものではなくランガサイト、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料に適用できることは云うまでもない。
【００２９】
また本発明の製造方法、４段階の化学エッチング加工ついて説明したが、製造タクトタイムの短縮を目的に少なくとも２段階の微調エッチング加工を含む４段階以上の化学エッチング加工でも構わない。
【００３０】
また本発明の製造方法を水晶ウェハに適用したときの形態例について説明したが、単体の素板に適用することも可能である。
【００３１】
このように構成することにより、高効率で低コストの極超短波圧電素子の製造方法、特にＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の製造方法が得られる。
【００３２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、単純な製造工程であり安価な設備で足りる極超短波圧電素子の製造方法が得られ、この製造方法によって作製された圧電素子の表面には化学反応層の付着が無いという高品質でありながら必要以上のエッチングが施されていない圧電素子が得られ、エッチング速度を一定にする制御のし易さや連続的なエッチング加工による高い生産効率を有する。
【００３３】
請求項２乃至８記載の発明によれば、エッチング速度の結晶方向依存性による振動部の面積の減少を極力抑止する製造方法が得られるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態としてのＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の構成図。
（ａ）斜視図。
（ｂ）Ａ−Ａ縦断面図。
【図２】本発明の実施の形態におけるＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図。
【図３】本発明の実施の形態におけるエッチング加工時の水晶振動子の縦断面図。
（ａ）第１次微調エッチング終了後の水晶振動子。
（ｂ）第２次微調エッチング終了後の水晶振動子。
【図４】本発明と従来との比較表
【図５】本発明の実施の形態におけるエッチング加工方向の説明図。
【図６】従来のＵＨＦ帯水晶振動子の構成図。
（ａ）斜視図。
（ｂ）Ａ−Ａ縦断面図。
【図７】従来のＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図。
【図８】エッチング工程での加工状態を示す水晶振動子の縦断面図。
【図９】従来の振動部の加工状態を示す縦断面図。
【符号の説明】
１…水晶振動子 １ａ…振動部 １ｂ…環状囲繞部 ２…主電極
３…リード ４…ボンディングパッド ５…全面電極
１１…第１次主エッチング １２…第１次微調エッチング
１３…第２次主エッチング １４…第２次微調エッチング
３２ａ、３３ａ、３２ｂ、３３ｂ、４２、４３…振動部
５１ｂ…水晶ウェハ ５２ａ、５２ｂ…振動部
１０１…水晶振動子 １０１ａ…振動部 １０１ｂ…環状囲繞部
１０２…主電極 １０３…リード １０４…ボンディングパッド
１０５…全面電極
１１１…第１次主エッチング １１２…第１次微調エッチング
１１３…第２次主エッチング １１４…第２次微調エッチング
１２１…水晶ウェハ
１２２ａ、１２３ａ、１２２ｃ、１２３ｃ…振動部 １２２ｈ…振動領域
１２４…マスクパターン
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電基板の一方の主面に凹陥を形成することによって薄肉の振動部を得て、基本波にて極超短波帯（ＵＨＦ帯）の共振を実現した極超短波圧電素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
伝送通信機器やＯＡ機器の処理速度の高速化、或は通信データや処理量の大容量化が進むのに伴って、それらに用いる基準周波数信号源としての水晶振動子においては、高周波化の要求が強くなっている。
【０００３】
従来の高周波化を実現した水晶振動子、特にＵＨＦ帯以上の基本波振動を実現する水晶振動子として、本発明者が電子情報通信学会の信学技報（非特許文献参照）により開示されたものがあり、図６（ａ）はＵＨＦ帯水晶振動子の斜視図、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
同図に示すように、水晶振動子１０１はＡＴカット水晶振動子の厚みすべり振動を利用した振動子であって、その共振周波数が板厚と反比例することから機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、水晶振動子１０１の一方主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部分を振動部１０１ａとすると共に振動部１０１ａの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部１０１ｂを一体的に形成する。
さらに水晶振動子１０１の平坦な他方主面の表面には主電極１０２と該主電極１０２より延出するリード１０３及びボンディングパッド１０４をマスク蒸着又はフォトリソグラフィ等により形成すると共に、前記一方主面の表面には全面蒸着により全面電極１０５を形成したものである。
【０００４】
図７はＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図、図８はエッチング工程での加工状態を示す水晶振動子の縦断面図であって、図８で示す二点鎖線Ｘは４段階の化学エッチング加工終了時における振動部の厚さを示す想像線である。
ＵＨＦ帯においては板厚変化量に対する周波数変化量が大きいことから４段階の化学エッチング加工１１１乃至１１４により水晶ウェハの板厚調整を行うことにより、所望の基本波共振周波数を励振可能な振動部１０１ａを得ることができる。
以下、図８を参照しつつ図７に基づいて、従来のＵＨＦ帯水晶振動子の製造方法を説明する。
まず主表面をポリッシュ加工した水晶ウェハに対して金／クロムの膜を真空蒸着により付着する。ここでは機械的な強度とエッチング量との兼ね合いから８０マイクロメートル（μｍ）の厚さを有する水晶ウェハを用いる。金／クロム膜に対してフォトリソグラフィ加工を用いてエッチング用のマスクパターンを形成する。図８（ａ）に示すようにエッチング用のマスクパターン１２４が形成された水晶ウェハ１２１を第１次主エッチング１１１ではウェットエッチングによってマスクパターンの開口部分を凹陥し、ＶＨＦ帯、例えば１５５ＭＨｚを共振周波数とする振動部１２２ａ、１２３ａを形成する。ここで、実際にはウェハの加工誤差等により振動部１２２ａ、１２３ａの板厚にはバラツキが生じているため、振動部１２２ａ、１２３ａ夫々の共振周波数を測定する。そして、図８（ｂ）に示す第１次微調エッチング１１２では、例えば特開平６−２１７４０号公報に開示された手法により、測定した周波数に基づいて夫々の凹陥に時間差でエッチング液を滴下してウェットエッチングを施して振動部１２２ａ、１２３ａが所望の周波数になるように個別に調整し、図８（ｃ）に示すように第２次主エッチング１１３ではウェハをウェットエッチングすることによって、所望のＵＨＦ帯、例えば７６０．９ＭＨｚの共振周波数に相当する板厚約２．２μｍを有する振動部１２２ｃ、１２３ｃを形成する。ここで再度振動部夫々の共振周波数を測定し、図８（ｄ）に示す第２次微調エッチング１１４では測定した周波数の基づいて振動部１２２ｃ、１２３ｃが所望の周波数になるように、ドライエッチングを個別に施して調整を行なう。その後、両主面夫々に電極を形成し、ウェハを分割して複数の前記水晶振動子１０１が得られる。
第２次微調エッチング１１４では７６０．９ＭＨｚ、即ち板厚約２．２μｍを実現すべく高精度な個別調整をするためエッチング速度の低いドライエッチングを採用している。
【０００５】
【特許文献】特開平６−２１７４０号公報。
【非特許文献】
石井修、岩田浩一、菅野誠、柴田恒則（共同著述）、
基本波を用いたＵＨＦ帯水晶振動子、
信学技報ＵＳ９８−２７、ＥＭＤ９８−１９、ＣＰＭ９８−５１、ＯＭＥ９８−４９（１９９８−０７）、
社団法人 電子情報通信学会
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図９は振動部の加工状態を示す縦断面図であって、前記４段階の化学エッチング加工、即ち前記振動部１２２ｄの形成を一方方向（図中矢印方向）、即ち凹陥の開口側からのみで実施すると、エッチング速度の結晶方向依存性により前記振動部１２２ａの凹陥側の面積が漸次縮小し振動部１２２ｄの凹陥側の面積が極めて小さくなり、振動部１２２ｄが備える振動領域１２２ｈが所望する振動領域より極めて狭くなる。例えば、基本周波数が７６０．９ＭＨｚの振動子を得ようとすると振動部の厚みは約２．２μｍとなり、機械的な強度との兼ね合いから水晶ウェハの厚さを８０μｍとすると約７７．８μｍの深さをエッチングにて凹陥することになる。すると凹陥の開口が０．７×０．５５ミリメートル（ｍｍ）であったとしても振動領域１２２ｈは約０．２５×０．１５ｍｍと所望する振動領域より小さいものになってしまう。所望の振動領域１２２ｈ寸法は、例えば発振周波数が６２２．３ＭＨｚの場合、振動領域１２２ｈに形成する電極（長手直径０．２５×短手直径０．１５ｍｍの楕円形）寸法の２乃至３倍（製造バラツキも踏まえて）の０．５乃至０．７５×０．３乃至０．４５ｍｍの大きさが必要である。
対して環状囲繞部１２１ｂの上面と該環状囲繞部１２１ｂの上面と振動領域１２２ｈとを繋ぐ傾斜面とが広くなり、前記リード（不図示）を形成する場合には該リードが長くなり、リードの抵抗や寄生インピーダンスが増加してまう。
【０００７】
前記第２次主エッチング１１３ではエッチャントとして低温のフッ化水素アンモニウム飽和溶液を使用しており、過剰エッチングを防止する反面エッチング速度が遅いため加工効率が低い。
【０００８】
前記第２次微調エッチング１１４では、高精度な調整を実現するためにエッチング速度を低くしたドライエッチングを採用しているため結晶欠陥の発生や不純物汚染などによるエッチングダメージが発生するという問題がある。
またドライエッチングのエッチングガスの供給制御（流量及び圧力）はエッチングの均一性との相関が大きく、エッチングガス供給穴の数、穴の大きさ等を変える必要があり最適な条件を導き出すのが困難である。
さらに、本工程における板厚調整は、図７に示すエッチングの後工程である金／クロム蒸着工程１１５における前記主電極膜１０２及び前記全面電極１０５となる導体膜を蒸着し、さらに後工程の蒸着やスパッタリング等による最終周波数調整工程１１６で高精度な周波数調整を施すので、最終周波数調整工程１１６において補償することが可能な範囲であれば構わないことから、過剰な工程能力を有している。
【０００９】
更に、ウェットエッチングとドライエッチングとを併用することによる製造工程の複雑化および設備投資の高額化が、ＵＨＦ帯水晶振動子の低価格化を阻害する要因となっていた。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、高効率で低コストの極超短波圧電素子の製造方法、特にＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる請求項１記載の発明は、圧電基板の一方の主面を凹陥することにより形成した薄肉の振動部を有する極超短波圧電素子の製造方法であって、圧電ウェハの一方の主面の所定部分をエッチングにて凹陥して振動部を形成する第１の主エッチング工程と、前記振動部の共振周波数を測定する周波数測定工程と、前記周波数工程により得られた周波数に基づき前記振動部の厚みを微調整する第１の微調エッチング工程と、前記振動部を更に薄くする第２の主エッチング工程と、前記振動部の厚みを微調整する第２の微調エッチング工程と、を含み、前記エッチング工程がいずれもウェットエッチングであることを特徴とする。
【００１２】
また請求項２記載の発明は、請求項１において、前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１３】
また請求項３記載の発明は、請求項１において、前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１４】
また請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１５】
また請求項５記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする。
【００１６】
また請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかにおいて、１枚の圧電ウェハから複数個の極超短波圧電素子を作製するべく、１枚の圧電ウェハに複数個の凹陥を形成した後に極超短波圧電素子を個片に分割する工程を有することを特徴とする。
【００１７】
また請求項７記載の発明は、請求項６において、前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部全てに対して周波数測定を行ない、前記第１の微調エッチング工程は振動部毎に個別にエッチングを施すことを特徴とする。
【００１８】
また請求項８記載の発明は、請求項６又は７において、前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部の一部に対して周波数測定を行ない、前記第２の主エッチング工程乃至前記第２の微調エッチング工程は全ての振動部に対して一括してエッチングを施すことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図示した本発明の実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
図１（ａ）は本発明に係る製造方法によって得られるＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の斜視図、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
同図に示すように、水晶振動子１はＡＴカット水晶振動子の厚みすべり振動を利用した振動子であって、該水晶振動子１の一方主面を化学エッチング加工によって凹陥せしめ、該凹陥部の超薄肉部分を振動部１ａとすると共に該振動部１ａの周囲を支持する厚肉の環状囲繞部１ｂを一体的に形成する。
さらに水晶振動子１の平坦な他方主面の表面には主電極２と該主電極２より延出するリード３及びボンディングパッド４をマスク蒸着又はフォトリソグラフィ等により形成すると共に、前記一方主面の表面には全面蒸着により全面電極５を形成したものである。
【００２１】
図１に示した形態とは異なり、水晶振動子１の一方主面の前記振動部１ａに前記主電極２と該主電極２より延出する前記リード３を、環状囲繞部１ｂの表面にはリード３と電気的に接続した前記ボンディングパッド４を形成すると共に他方主面の表面に前記全面電極５を形成したものでも構わない。
また前記全面電極５が前記主電極２に対向配置し該主電極２とほぼ同寸法であると共に、全面電極５から延出するリードと電気的に接続されたボンディングパッドを形成しても構わない。
【００２２】
図３は本発明に係るエッチング加工時の水晶振動子の縦断面図であって、図３（ａ）は第１の微調エッチング終了後の水晶振動子の縦断面図、図３（ｂ）は第２の主エッチング乃至第２の微調エッチング終了後の水晶振動子の縦断面図である。
本発明に係る製造方法と従来の製造方法の相違はウェットエッチングとドライエッチングとの併用ではなく、加工効率が高く設備が安価なウェットエッチングのみで前記水晶振動子１を作製するところにある。本発明者は種々の実験を行ない、以下に記述する現象を見出しウェットエッチングのみであっても水晶振動子１の作製に十分耐えうる製造方法が得られたことを確認した。
図３（ａ）に示す第１の微調エッチングによるＶＨＦ帯までの個別調整が施された振動部３２ａと振動部３３ａとの板厚誤差、即ち調整精度Δ１と図３（ｂ）に示す第２の主エッチング乃至前記第２の微調エッチングによるＵＨＦ帯までの一括調整が施された振動部３２ｂと振動部３３ｂとの板厚誤差、即ち調整精度Δ２とが略一致した。即ち第１の微調エッチングによって調整精度Δ１を所望値に抑えておけば、第２の微調エッチングの段階で個別調整は必要ではなく、ウェハ上のいくつかについて周波数を測定しこれに基づいて全ての振動部に対して一括してエッチングを施せばよいのである。
【００２３】
図２は本発明実施形態のＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図であって、本発明に係る製造方法を図２及び図８に基づいて工程を説明する。
まず主表面をポリッシュ加工した水晶ウェハに対して金／クロムの膜を真空蒸着により付着する。ここでは機械的な強度とエッチング量との兼ね合いから８０マイクロメートル（μｍ）の厚さを有する水晶ウェハを用いる。金／クロム膜に対してフォトリソグラフィ加工を用いてエッチング用のマスクパターンを形成する。第１次主エッチング１１（第１の主エッチング）では、図８（ａ）に示すようにエッチング用のマスクパターン１２４が形成された水晶ウェハ１２１をウェットエッチングによってマスクパターンの開口部分を凹陥し、ＶＨＦ帯、例えば１５５ＭＨｚを共振周波数とする振動部１２２ａ、１２３ａを形成する。ここで、実際にはウェハの加工誤差等により振動部１２２ａ、１２３ａの板厚にはバラツキが生じているため、振動部１２２ａ、１２３ａ夫々の共振周波数を測定する。第１次微調エッチング１２（第１の微調エッチング）では、図８（ｂ）に示すように測定した周波数に基づいてウェットエッチングを施して振動部１２２ａ、１２３ａが所望の周波数になるように個別に調整する。以上までは従来と同一の製造方法であって、これ以後の第２次主エッチング１３（第２の主エッチング）乃至第２次微調エッチング１４（第２の微調エッチング）が従来と異なる。
第１次主エッチング１１終了後の共振周波数の測定結果に基づいてエッチング時間を算出しこの計算結果に基づいて、第２次主エッチング１３では図８（ｃ）に示すようにウェハをウェットエッチングすることによって所望のＵＨＦ帯、例えば７６０．９ＭＨｚの共振周波数に相当する板厚約２．２μｍを有する振動部１２２ｃ、１２３ｃを形成し、第２次微調エッチング１４では図８（ｄ）に示すように振動部１２２ｃ、１２３ｃが所望の周波数になるように一括してウェットエッチングを施す。
その後、両主面夫々に電極を形成し、ウェハを分割して複数の前記水晶振動子１０１が得られる。
【００２４】
図４は図２に示す製造工程を実現する場合のエッチング工程の条件の一例であって、同図に示すように前記第２次主エッチング１３乃至前記第２次微調エッチング１４における調整精度、即ちエッチング工程の最終調整精度は±１１０ｎｍであるが、エッチングの後工程である金／ニッケル蒸着工程１５（図２）における前記主電極膜２及び前記全面電極５となる導体膜の蒸着量と、さらに後工程の蒸着やスパッタリング等による最終周波数調整工程１６（図２）での高精度な周波数調整と、によって、エッチング工程の最終調整精度（±１１０ｎｍ）によるバラツキは補償することが可能な範囲であり、実際に所望の発振周波数を備えるＵＨＦ帯水晶振動子が得られている。
【００２５】
また図４に示すように、第１次微調エッチング１２及び第２次微調エッチング１４の製造条件にエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が１２％若しくはエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が２３％の２種類のエッチャントがあって、第１次微調エッチング１２及び第２次微調エッチング１４におけるエッチャントの選定は前工程である第１次主エッチング１１の調整精度次第で、調整精度が良好な場合、例えば±３００ｎｍ以下であるならばエッチャント温度が２１℃、エッチャント希釈率が１２％で微調を行なう。
【００２６】
図５は本発明の製造方法におけるエッチング加工方向を示したものであって、同図に示す二点鎖線は従来の製造方法による水晶振動子の加工形状を示すものである。
しかしながら本発明の製造方法であっても一方向からのエッチングでは従来と同様に、エッチング速度の結晶方向依存性により振動部の面積が極めて狭くなる現象に対しては効果が無い。そこで図５（ａ）に示すように、前記第２次主エッチング１３乃至前記第２次微調エッチング１４を両主面夫々に加工（図中矢印方向の加工）を施すと、振動部５２ａの凹陥内側の面積が従来と比較して広くなるだけでなく、他方主面のマスキングが不要になると共に両主面からの厚み調整となるのでエッチング作業時間の短縮が可能となる。
また図５（ｂ）に示すように、前記第１次微調エッチング１２における調整精度が高精度であった場合は、凹陥の形状を保持するために水晶ウェハ５１ｂの凹陥を備える一方主面（上面）にマスキング６９を施し他方主面（下面）の全面加工（図中矢印方向の加工）で所望の厚み調整を行なうことで振動部５２ｂの凹陥内側の面積が第１次微調エッチング１２終了時の面積となり従来と比較して格段に広くなるだけでなく、エッチング時間の短縮が可能となる。
マスキングを施す面の決定は個別調整を行なう前記第１次微調エッチング１２の結果を踏まえて行なうことができる。
【００２７】
以上、本発明の構成を水晶振動子に適用したときの形態例について説明したが、超薄肉振動部を備えたＭＣＦ（モノリシック・クリスタル・フィルタ）に適用することも可能である。
【００２８】
また水晶を用いて本発明の構成を説明したが、本発明は水晶のみに限定するものではなくランガサイト、四方酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料に適用できることは云うまでもない。
【００２９】
また本発明の製造方法、４段階の化学エッチング加工ついて説明したが、製造タクトタイムの短縮を目的に少なくとも２段階の微調エッチング加工を含む４段階以上の化学エッチング加工でも構わない。
【００３０】
また本発明の製造方法を水晶ウェハに適用したときの形態例について説明したが、単体の素板に適用することも可能である。
【００３１】
このように構成することにより、高効率で低コストの極超短波圧電素子の製造方法、特にＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の製造方法が得られる。
【００３２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、単純な製造工程であり安価な設備で足りる極超短波圧電素子の製造方法が得られ、この製造方法によって作製された圧電素子の表面には化学反応層の付着が無いという高品質でありながら必要以上のエッチングが施されていない圧電素子が得られ、エッチング速度を一定にする制御のし易さや連続的なエッチング加工による高い生産効率を有する。
【００３３】
請求項２乃至８記載の発明によれば、エッチング速度の結晶方向依存性による振動部の面積の減少を極力抑止する製造方法が得られるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態としてのＵＨＦ帯ＡＴカット水晶振動子の構成図。
（ａ）斜視図。
（ｂ）Ａ−Ａ縦断面図。
【図２】本発明の実施の形態におけるＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図。
【図３】本発明の実施の形態におけるエッチング加工時の水晶振動子の縦断面図。
（ａ）第１次微調エッチング終了後の水晶振動子。
（ｂ）第２次微調エッチング終了後の水晶振動子。
【図４】本発明と従来との比較表
【図５】本発明の実施の形態におけるエッチング加工方向の説明図。
【図６】従来のＵＨＦ帯水晶振動子の構成図。
（ａ）斜視図。
（ｂ）Ａ−Ａ縦断面図。
【図７】従来のＵＨＦ帯水晶振動子の製造工程図。
【図８】エッチング工程での加工状態を示す水晶振動子の縦断面図。
【図９】従来の振動部の加工状態を示す縦断面図。
【符号の説明】
１…水晶振動子 １ａ…振動部 １ｂ…環状囲繞部 ２…主電極
３…リード ４…ボンディングパッド ５…全面電極
１１…第１次主エッチング １２…第１次微調エッチング
１３…第２次主エッチング １４…第２次微調エッチング
３２ａ、３３ａ、３２ｂ、３３ｂ、４２、４３…振動部
５１ｂ…水晶ウェハ ５２ａ、５２ｂ…振動部
１０１…水晶振動子 １０１ａ…振動部 １０１ｂ…環状囲繞部
１０２…主電極 １０３…リード １０４…ボンディングパッド
１０５…全面電極
１１１…第１次主エッチング １１２…第１次微調エッチング
１１３…第２次主エッチング １１４…第２次微調エッチング
１２１…水晶ウェハ
１２２ａ、１２３ａ、１２２ｃ、１２３ｃ…振動部 １２２ｈ…振動領域
１２４…マスクパターン
Claims (8)
- 圧電基板の一方の主面を凹陥することにより形成した薄肉の振動部を有する極超短波圧電素子の製造方法であって、
圧電ウェハの一方の主面の所定部分をエッチングにて凹陥して振動部を形成する第１の主エッチング工程と、
前記振動部の共振周波数を測定する周波数測定工程と、
前記周波数工程により得られた周波数に基づき前記振動部の厚みを微調整する第１の微調エッチング工程と、
前記振動部を更に薄くする第２の主エッチング工程と、
前記振動部の厚みを微調整する第２の微調エッチング工程と、を含み、
前記エッチング工程がいずれもウェットエッチングであることを特徴とする極超短波圧電素子の製造方法。 - 前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする請求項１に記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- 前記第２の主エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする請求項１に記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- 前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの他方の主面全体に施すものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- 前記第２の微調エッチング工程は、前記圧電ウェハの両主面全体に施すものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- １枚の圧電ウェハから複数個の極超短波圧電素子を作製するべく、１枚の圧電ウェハに複数個の凹陥を形成した後に極超短波圧電素子を個片に分割する工程を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- 前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部全てに対して周波数測定を行ない、前記第１の微調エッチング工程は振動部毎に個別にエッチングを施すことを特徴とする請求項６に記載の極超短波圧電素子の製造方法。
- 前記請求項１の周波数測定工程は形成した複数個の振動部の一部に対して周波数測定を行ない、前記第２の主エッチング工程乃至前記第２の微調エッチング工程は全ての振動部に対して一括してエッチングを施すことを特徴とする請求項６又は７に記載の極超短波圧電素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003047906A JP2004260455A (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 極超短波圧電素子の製造方法 |
| US10/691,238 US7098574B2 (en) | 2002-11-08 | 2003-10-22 | Piezoelectric resonator and method for manufacturing the same |
| US11/475,815 US7235913B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-06-26 | Piezoelectric substrate, piezoelectric resonating element and surface-mount piezoelectric oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003047906A JP2004260455A (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 極超短波圧電素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004260455A true JP2004260455A (ja) | 2004-09-16 |
Family
ID=33114024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003047906A Withdrawn JP2004260455A (ja) | 2002-11-08 | 2003-02-25 | 極超短波圧電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004260455A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035762A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | 共振振動デバイスの製造方法 |
| JP2006106047A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Brother Ind Ltd | 共振振動デバイスの製造方法 |
| JP2010187059A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Epson Toyocom Corp | ウォーク型振動片およびその製造方法 |
| JP2011010204A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶片の製造方法及びこの方法により製造した水晶振動子 |
-
2003
- 2003-02-25 JP JP2003047906A patent/JP2004260455A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035762A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | 共振振動デバイスの製造方法 |
| JP2006106047A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Brother Ind Ltd | 共振振動デバイスの製造方法 |
| US7793404B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-09-14 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Resonant-oscillating-device fabrication method |
| JP2010187059A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Epson Toyocom Corp | ウォーク型振動片およびその製造方法 |
| JP2011010204A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶片の製造方法及びこの方法により製造した水晶振動子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0797300B1 (en) | Piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof | |
| US9923544B2 (en) | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator, electronic device, and electronic apparatus | |
| US7924119B1 (en) | Micromechanical bulk acoustic mode resonators having interdigitated electrodes and multiple pairs of anchor supports | |
| JP2008048380A (ja) | 共振器およびその製造方法 | |
| JP3995987B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
| US8431031B2 (en) | Method for producing a bulk wave acoustic resonator of FBAR type | |
| US8319404B2 (en) | Surface-mountable quartz-crystal devices and methods for manufacturing same | |
| JP2973560B2 (ja) | 水晶振動子の加工方法 | |
| JP2002198772A (ja) | 高周波圧電デバイス | |
| KR100798550B1 (ko) | 압전 기판과 그 제조 방법 | |
| Ghatge et al. | High $ k_ {t}^{2}\cdot Q $ Waveguide-Based ScAlN-on-Si UHF and SHF Resonators | |
| JP5720152B2 (ja) | 振動子の作製方法、振動子および発振器 | |
| JPH11284484A (ja) | Ｕｈｆ帯基本波水晶振動子及びフィルタ | |
| JP2010057155A (ja) | 高周波表面音波装置 | |
| US20040061573A1 (en) | Method and apparatus for adjusting the resonant frequency of a thin film resonator | |
| JP2004260455A (ja) | 極超短波圧電素子の製造方法 | |
| JP4196641B2 (ja) | 超薄板圧電デバイスとその製造方法 | |
| JP4599231B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法、及びその水晶振動子 | |
| JP3543786B2 (ja) | 圧電振動片及び圧電振動子の製造方法 | |
| US6794212B2 (en) | Method and apparatus for fabricating a thin film bulk acoustic resonator | |
| JP4472381B2 (ja) | 水晶振動子の製造方法 | |
| JP2001326554A (ja) | 圧電振動子 | |
| JP2002368573A (ja) | 超薄板圧電振動子及びその製造方法 | |
| JP3528811B2 (ja) | 圧電振動片の電極形成方法、圧電振動片の電極形成用マスク、圧電振動子および圧電発振器 | |
| JPH11205076A (ja) | 高周波圧電振動子及びその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060207 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060207 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20070402 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20081202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20090128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090527 |