JP2010057155A - 高周波表面音波装置 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ3から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ3から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。
【選択図】図２Ａ
Description
本発明は表面音波装置、より詳細には高周波表面音波装置に関するものであり、この装置はそのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を調整することができる。
現在、材料技術の発展によって、高周波表面音波装置はフィルターとして使用され得る。高周波表面音波装置は移動通信技術で広く使用されている。その上、高周波表面音波装置は多くの利点、例えば低損失、高減衰、ならびに限られたサイズおよび重量などを有するので、高周波表面音波装置の応用は広い。しかしながら、最もよく知られている基板、すなわちＬｉＮｂＯ3基板の場合は、ＬｉＮｂＯ3基板を備える高周波表面音波装置の中心周波数が１８００ＭＨｚを達成する必要があるなら、高周波表面音波装置の入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅は０．５μｍ程度の狭さである必要があり、これは従来の接触式アライナによって製造することは困難である。
その一方で、高周波表面音波装置の応用分野を広げるために、業界は高周波表面音波装置の中心周波数を調整するためにいくつかの解決法を既に提案している。
図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、従来の高周波表面音波装置は、圧電基板１１、入力変換ユニット１２、および出力変換ユニット１３を備え、そこでは入力変換ユニット１２および出力変換ユニット１３は圧電基板１１の表面に対で形成されている。圧電基板１１は石英、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3から作られる。しかながら、いったん入力変換ユニット１２および出力変換ユニット１３の線幅が確定されると、従来の高周波表面音波装置の中心周波数は調整するのが非常に困難である。換言すれば、従来の高周波表面音波装置の中心周波数を調整する唯一の方法は、入力変換ユニット１２および出力変換ユニット１３の線幅を変更することである。さらに、入力変換ユニット１２および出力変換ユニット１３の線幅を変更するつもりである場合は、新しい線幅による新しいパターンを有する新しいフォトマスクを製造する必要がある。結果として、新しいフォトマスクに係わる余分なコストおよび時間が発生する。
従って、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置が必要である。その一方で、圧電基板から作られた層構造を有する高周波表面音波装置の中心周波数の調整が圧電層の厚さを変更することによって達成され得るけれども、その中心周波数の非常に大きい上昇は、圧電層の厚さを変更し、かつ高周波表面音波装置において高音速を有する材料、例えばナノ結晶ダイヤモンド層を用いることによってだけ達成され得る。
本発明の第１目的は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置を提供することである。
本発明の第２目的は、その中心周波数を調整する方法を簡単にし、その応用の柔軟性を拡大することができる高周波表面音波装置を提供することである。
目的を達成するために、本発明の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面に対で形成される。
その一方で、本発明の高周波表面音波装置はまた、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備えることが可能であり、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットはナノ結晶ダイヤモンド層の表面に対で形成され、圧電層は入力変換ユニットと出力変換ユニットとの間に位置するナノ結晶ダイヤモンド層の表面の一部分を覆う。
従って、本発明の高周波表面音波装置は、その入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更する必要なく、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を調整することができる。結果として、本発明の高周波表面音波装置の中心周波数を調整する方法は簡単になって、単にそのナノ結晶ダイヤモンド層の堆積時間を制御するだけである。従って、本発明の高周波表面音波装置の応用の柔軟性は従来の高周波表面音波装置のそれよりも大きい。
本発明の高周波表面音波装置の基板はどんな種類の材料からも作られ得るが、その基板はシリコン（１００）ダイであることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置のナノ結晶ダイヤモンド層は任意の厚さを有することができるが、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍの範囲であることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置の圧電層はどんな種類の材料からも作られ得るが、その圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ3から作られることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置の圧電層はどんな種類の製造プロセスによってもナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成され得るが、その圧電層は、ＲＦ（Radio Frequency）マグネトロン・スパッタリング・プロセス、電子ビーム蒸着プロセス、化学気相堆積プロセス、エキシマレーザー堆積プロセス、ゾル・ゲルプロセス、または物理気相堆積プロセスによってナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成されることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置の入力変換ユニットおよび出力変換ユニットはどんな種類の線幅も有することができるが、その線幅は０．５μｍ〜５μｍの範囲であることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置の入力変換ユニットおよび出力変換ユニットはどんな種類の材料からも作られ得るが、それはアルミニウムから作られることが好ましい。本発明の高周波表面音波装置の入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
本発明の他の目的、利点、および新規な特徴について、添付図面を用いた次の詳細な説明によってより明らかにする。
実施形態１
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、図２Ａは本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の斜視図であり、図２Ｂは図２Ａの面ＢＢ’に沿って切った断面図である。
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、図２Ａは本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の斜視図であり、図２Ｂは図２Ａの面ＢＢ’に沿って切った断面図である。
本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置は、シリコン基板２１、ナノ結晶ダイヤモンド層２２、圧電層２３、入力変換ユニット２４、および出力変換ユニット２５を備え、そこでは入力変換ユニット２４および出力変換ユニット２５は圧電層２３の表面に対で形成される。第１実施形態では、ＺｎＯから作られた圧電層２３はＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスによってナノ結晶ダイヤモンド層２２の表面に形成される。ＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスの堆積パラメーターを下の表１に示す。
次に、フォトレジスト層が圧電層２３の表面に施される。フォトリソグラフィープロセスを実行して、インターデジタル電極のパターンが形成される。後で、約１００ｎｍの厚さのアルミニウム層が蒸着プロセスによってパターン上に形成される。アルミニウム層およびフォトレジスト層の不要な部分がリフトオフプロセスによって除去される。入力変換ユニット２４および出力変換ユニット２５は圧電層２３の表面に形成される。上のプロセス完了後に、ナノ結晶ダイヤモンド層２２の厚さは約５μｍである。ＺｎＯから作られる圧電層２３の厚さは約１．２μｍである。入力変換ユニット２４および出力変換ユニット２５はアルミニウムから作られ、その線幅は約５μｍである。
本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の周波数応答を図２Ｃに示す。図に示すように、高周波表面音波装置の中心周波数は約２５５．８４ＭＨｚである。
その一方で、２つの高周波表面音波装置もまた上述の同じ製造プロセスによって形成される。これらの２つの高周波表面音波装置において、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは互いに異なり、それらはそれぞれ２．１μｍおよび４．３μｍである。その上、これらの２つの高周波表面音波装置の他の要素（例えば、シリコン基板、圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットなど）のサイズおよび材料は、本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の相当する要素と同じである。
これらの２つの高周波表面音波装置の表面音波の位相速度、および本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の表面音波のそれが測定され、測定結果を図２Ｄに示す。図に示すように、本発明の第１実施形態による高周波表面音波装置の他の要素（例えば、シリコン基板、圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットなど）のサイズおよび材料が同じままであっても、その表面音波の位相速度はそのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによって調整され得る。
実施形態２
図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、図３Ａは本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の斜視図であり、図３Ｂは図３Ａの面ＣＣ’に沿って切った断面図である。
図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、図３Ａは本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の斜視図であり、図３Ｂは図３Ａの面ＣＣ’に沿って切った断面図である。
本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置は、シリコン基板３１、ナノ結晶ダイヤモンド層３２、圧電層３３、入力変換ユニット３４、および出力変換ユニット３５を備え、そこでは入力変換ユニット３４および出力変換ユニット３５はナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面に対で形成され、圧電層３３は入力変換ユニット３４と出力変換ユニット３５との間に位置するナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面の一部分を覆う。
本実施形態では、フォトレジスト層がナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面に施される。フォトリソグラフィープロセスを実行して、インターデジタル電極のパターンが形成される。後で、約１００ｎｍの厚さのアルミニウム層が蒸着プロセスによってパターン上に形成される。アルミニウム層およびフォトレジスト層の不要な部分がリフトオフプロセスによって除去される。入力変換ユニット３４および出力変換ユニット３５はナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面に形成される。次に、ＺｎＯから作られる圧電層３３はＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスによってナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面に形成され、そこでは圧電層３３は入力変換ユニット３４と出力変換ユニット３５との間に位置するナノ結晶ダイヤモンド層３２の表面の一部分を覆う。ＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスの堆積パラメーターを上の表１に示す。
上のプロセス完了後に、ナノ結晶ダイヤモンド層３２の厚さは約３．６μｍである。ＺｎＯから作られる圧電層３３の厚さは約１．２μｍである。入力変換ユニット３４および出力変換ユニット３５はアルミニウムから作られ、その線幅は約５μｍである。
本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の周波数応答を図３Ｃに示す。図に示すように、高周波表面音波装置の中心周波数は約４２５．２２５ＭＨｚである。
その一方で、２つの高周波表面音波装置もまた上述の同じ製造プロセスによって形成される。これらの２つの高周波表面音波装置において、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは互いに異なり、それらはそれぞれ４．３μｍおよび５．０μｍである。その上、これらの２つの高周波表面音波装置の他の要素（例えば、シリコン基板、圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットなど）のサイズおよび材料は、本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の相当する要素と同じである。
これらの２つの高周波表面音波装置の表面音波の位相速度、および本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の表面音波のそれが測定され、測定結果を図３Ｄに示す。図に示すように、本発明の第２実施形態による高周波表面音波装置の表面音波の位相速度はナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによって調整され得る。その上に、それの他の要素（例えば、シリコン基板、圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットなど）のサイズおよび材料は同じままである。
上述のように、本発明の高周波表面音波装置は、その入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更する必要なく、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を調整することができる。結果として、本発明の高周波表面音波装置の中心周波数を調整する方法は簡単になって、単にそのナノ結晶ダイヤモンド層の堆積時間を制御するだけである。従って、本発明の高周波表面音波装置の応用の柔軟性は従来の高周波表面音波装置のそれよりも大きい。
本発明をその好ましい実施形態に関して説明したが、多くの他の可能な変更および改変が本発明の精神および範囲を逸脱せずに行われ得ることを理解すべきである。
１１ 圧電基板
１２ 入力変換ユニット
１３ 出力変換ユニット
２１ シリコン基板
２２ ナノ結晶ダイヤモンド層
２３ 圧電層
２４ 入力変換ユニット
２５ 出力変換ユニット
３１ シリコン基板
３２ ナノ結晶ダイヤモンド層
３３ 圧電層
３４ 入力変換ユニット
３５ 出力変換ユニット
１２ 入力変換ユニット
１３ 出力変換ユニット
２１ シリコン基板
２２ ナノ結晶ダイヤモンド層
２３ 圧電層
２４ 入力変換ユニット
２５ 出力変換ユニット
３１ シリコン基板
３２ ナノ結晶ダイヤモンド層
３３ 圧電層
３４ 入力変換ユニット
３５ 出力変換ユニット
Claims (16)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層と、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層と、
入力変換ユニットと、
出力変換ユニットと、
を備え、前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットは前記圧電層の表面に対で形成される高周波表面音波装置。 - 前記シリコン基板がシリコン（１００）ダイである請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さが０．５μｍ〜２０μｍの範囲である請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記圧電層がＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスによって前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成される請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記圧電層がＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ3から作られる請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットの線幅が０．５μｍ〜５μｍの範囲である請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットがそれぞれインターデジタル電極である請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットがアルミニウムから作られる請求項１に記載の高周波表面音波装置。
- シリコン基板と、
前記シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層と、
前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層と、
入力変換ユニットと、
出力変換ユニットと、
を備え、前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットは前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に対で形成され、前記圧電層は前記入力変換ユニットと前記出力変換ユニットとの間に位置する前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面の一部分を覆う高周波表面音波装置。 - 前記シリコン基板がシリコン（１００）ダイである請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さが０．５μｍ〜２０μｍの範囲である請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記圧電層がＲＦマグネトロン・スパッタリング・プロセスによって前記ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成される請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記圧電層がＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ3から作られる請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットの線幅が０．５μｍ〜５μｍの範囲である請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットがそれぞれインターデジタル電極である請求項９に記載の高周波表面音波装置。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットがアルミニウムから作られる請求項９に記載の高周波表面音波装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097133049A TW201010274A (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | High frequency saw device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010057155A true JP2010057155A (ja) | 2010-03-11 |
Family
ID=41724263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008309616A Abandoned JP2010057155A (ja) | 2008-08-29 | 2008-12-04 | 高周波表面音波装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100052471A1 (ja) |
| JP (1) | JP2010057155A (ja) |
| TW (1) | TW201010274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014535168A (ja) * | 2011-10-28 | 2014-12-25 | インディアン インスティテュート オブ テクノロジー マドラス | 圧電デバイスならびに圧電デバイスを準備および使用する方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011035147A2 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Delaware Capital Formation, Inc. | Controlled compressional wave components of thickness shear mode multi-measurand sensors |
| CN102122936A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-07-13 | 天津理工大学 | 一种用于声表面波器件的氮化铝压电薄膜及其制备方法 |
| CN103014654B (zh) * | 2012-12-27 | 2014-12-17 | 沈阳工程学院 | 一种AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件的制备方法 |
| CN103361629B (zh) * | 2013-07-17 | 2016-06-01 | 沈阳工程学院 | ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法 |
| CN107171653A (zh) * | 2017-04-13 | 2017-09-15 | 天津理工大学 | 一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1225694A4 (en) * | 1999-10-15 | 2005-08-03 | Seiko Epson Corp | AKUSITIC SURFACE WAVE ASSEMBLY |
| AU2003209209A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Michigan State University | Surface acoustic wave devices based on unpolished nanocrystalline diamond |
-
2008
- 2008-08-29 TW TW097133049A patent/TW201010274A/zh unknown
- 2008-10-21 US US12/289,121 patent/US20100052471A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-04 JP JP2008309616A patent/JP2010057155A/ja not_active Abandoned
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| US9362378B2 (en) | 2011-10-28 | 2016-06-07 | Indian Institute Of Technology Madras | Piezoelectric devices and methods for their preparation and use |
| US9882116B2 (en) | 2011-10-28 | 2018-01-30 | Indian Institute Of Technology Madras | Piezoelectric devices and methods for their preparation and use |
| KR101825111B1 (ko) * | 2011-10-28 | 2018-03-14 | 인디언 인스티튜트 오브 테크놀로지 마드라스 | 압전 장치 및 그 제조 및 사용 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201010274A (en) | 2010-03-01 |
| US20100052471A1 (en) | 2010-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20100721 |