JP5248268B2 - 高周波表面音響波デバイスおよびその基板 - Google Patents
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Description
(a)図2Aに示された基板21として、(001)格子配向を有するケイ素基板を配備する段階;
(b)上記(001)格子配向を有するケイ素基板を加熱炉内に載置し、湿式空気酸化プロセスにより、図2Aに示された第1緩衝層22として、基板21の表面上に酸化ケイ素層を形成する段階;
(c)図2Aに示された第2緩衝層23として、(不図示の)電子ビーム蒸着システムにより、第1緩衝層22の表面上に酸化アルミニウム層を形成する段階;
(d)図2Aに示された圧電層24として、RFマグネトロン・スパッタリング・システムにより、第2緩衝層23の表面上にZnOから成る圧電層を形成する段階;および、
(e)リソグラフィ・プロセスにより圧電層24の表面上に夫々を対として2つのインターデジタル電極を形成する段階であって、図2Aに示された入力変換ユニット25および出力変換ユニット26として、これらの2つのインターデジタル電極によりインターデジタル変換器が形成されるという段階。
2 本発明の高周波表面音響波デバイス
11 基板
12 圧電層
13 入力変換ユニット
14 出力変換ユニット
21 基板
22 第1緩衝層
23 第2緩衝層
24 圧電層
25 入力変換ユニット
26 出力変換ユニット
Claims (4)
- ケイ素から成る基板と、
上記基板の表面上に形成された、酸化ケイ素から成る第1緩衝層と、
上記第1緩衝層の表面上に形成された、酸化アルミニウムから成る第2緩衝層と、
上記第2緩衝層の表面上に形成された圧電層と、
入力変換ユニットと、
出力変換ユニットとを備えて成り、
前記圧電層はZnO、AlN、LiNbO 3 またはLiTaO 3 膜から成り、上記入力変換ユニットおよび上記出力変換ユニットは上記圧電層の表面上もしくはその下方に夫々対として形成され、前記第1緩衝層の厚みは0.05μm〜0.2μmであり、かつ前記第2緩衝層の厚みは5μm〜8μmである、
高周波表面音響波デバイス。 - 前記第2緩衝層は電子ビーム蒸着プロセスにより前記第1緩衝層の表面上に形成される、請求項1記載の高周波表面音響波デバイス。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットは夫々インターデジタル電極である、請求項1記載の高周波表面音響波デバイス。
- 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットはアルミニウムから成る、請求項1記載の高周波表面音響波デバイス。
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