JP2010045752A - 高周波表面音響波デバイスおよびその基板 - Google Patents

高周波表面音響波デバイスおよびその基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2010045752A
JP2010045752A JP2008279186A JP2008279186A JP2010045752A JP 2010045752 A JP2010045752 A JP 2010045752A JP 2008279186 A JP2008279186 A JP 2008279186A JP 2008279186 A JP2008279186 A JP 2008279186A JP 2010045752 A JP2010045752 A JP 2010045752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
wave device
frequency surface
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008279186A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5248268B2 (ja
Inventor
Wen-Ching Shih
チン シー ウェン
Hui-Min Wang
ミン ワン ヒュイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tatung Co Ltd
Tatung University
Original Assignee
Tatung Co Ltd
Tatung University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tatung Co Ltd, Tatung University filed Critical Tatung Co Ltd
Publication of JP2010045752A publication Critical patent/JP2010045752A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5248268B2 publication Critical patent/JP5248268B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

【課題】高周波SAWデバイスの製造コスト削減の為、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除する高周波SAWデバイスの提供。
【解決手段】高周波SAWデバイス２は、基板２１と、前記基板２１の表面上に形成された第1緩衝層２２と、前記第1緩衝層２２の表面上に形成された第2緩衝層２３と、前記第2緩衝層２３の表面上に形成された圧電層２４と、入力変換ユニット２５と、出力変換ユニット２６とを備えて成り、前記入力変換ユニット２５および前記出力変換ユニット２６は前記圧電層２４の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、高周波表面音響波デバイス(high frequency surface acoustic wave device)およびその基板に関し、より詳細には、その基板として従来の高価なサファイア基板を必要としない高周波表面音響波デバイスに関する。
図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、図１Ａは従来の高周波表面音響波デバイスの斜視図であり、且つ、図１Ｂは図１ＡのA-A'面に沿う断面図である。図１Ａおよび図１Ｂに示された如く、従来の高周波表面音響波デバイス1は、基板11と、該基板11の表面上に形成された圧電層12と、入力変換ユニット13と、出力変換ユニット14とを備えて成る。入力変換ユニット13および出力変換ユニット14は夫々、圧電層12の表面上に対として形成される。入力変換ユニット13および出力変換ユニット14は両者ともにインターデジタル電極であることから、インターデジタル変換器が形成される。これに加え、従来の高周波表面音響波デバイス1においては、該高周波表面音響波デバイス1の基板11はサファイア基板である。圧電層12は、好適には0.1μm〜10μmの厚みを有するZnO、AlN、LiNbO3またはLiTaO3膜である。更に、圧電層12の表面上に夫々が対として形成された入力変換ユニット13および出力変換ユニット14は、アルミニウムから成り、それらのライン幅は0.1μm〜5μmである。
しかし、発光ダイオードの如きの他の光電子用途もその基板としてサファイア基板を必要とするので、サファイア基板の価格は相当に高くなり、市場に対するサファイア基板の供給も安定しない。結果として、従来の高周波表面音響波デバイスの基板としてサファイア基板を使用すると、該デバイスの製造コストは削減され得ず、且つ、サファイア基板が品切れになることが多いので製造プロセスが中断されることもある。
故に、高周波表面音響波デバイスの製造コストを削減するためには、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除し得る高周波表面音響波デバイスが必要である。
本発明の目的は、高周波表面音響波デバイスの製造コストを削減するために、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除する高周波表面音響波デバイスを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の高周波表面音響波デバイスは、基板と、上記基板の表面上に形成された第1緩衝層と、上記第1緩衝層の表面上に形成された第2緩衝層と、上記第2緩衝層の表面上に形成された圧電層と、入力変換ユニットと、出力変換ユニットとを備えて成り、上記入力変換ユニットおよび上記出力変換ユニットは上記圧電層の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される。
故に、ケイ素基板の表面上に第1緩衝層(すなわち酸化ケイ素層)および第2緩衝層(すなわちAl2O3層)を順次的に形成してから、上記第2緩衝層(すなわちAl2O3層)上に圧電層を形成することにより、本発明の高周波表面音響波デバイスの基板は、従来の高周波表面音響波デバイスの基板と同様の構造を有し得る。これに加え、(たとえばネットワーク・スペクトル応答、および、表面音響波の音響波速度などの)本発明の高周波表面音響波デバイスの動作性能は、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに等しい。結果として、その基板として高価なサファイア基板を使用せずに、本発明の高周波表面音響波デバイスは依然として、従来の高周波表面音響波デバイスと等しいまたはそれより良好な動作性能を有し得る。故に、本発明の高周波表面音響波デバイスの製造コストは劇的に削減され得る。
更に、12インチのシリコン・ウェハの如き大寸のケイ素基板を成長させることは大寸のサファイア基板を成長させるよりも容易であり、且つ、殆どの電子的デバイスはケイ素基板上に形成され得ることから、本発明の高周波表面音響波デバイスの製造コストは効果的に削減され得ると共に、本発明の高周波表面音響波デバイスは同一のケイ素基板上の他のケイ素系の電子的デバイスと集積化され得る。
本発明の高周波表面音響波デバイスは任意の種類の基板を有し得るが、上記基板は好適にはケイ素基板である。本発明の上記高周波表面音響波デバイスの上記第1緩衝層は任意の種類の材料から成り得るが、該第1緩衝層は好適には酸化ケイ素から成ると共に、その厚みは好適には0.05μm〜0.2μmである。本発明の上記高周波表面音響波デバイスの上記第2緩衝層は任意の種類の材料から成り得るが、該第2緩衝層は好適には酸化アルミニウムから成ると共に、その厚みは好適には0.5μm〜20μmである。本発明の上記高周波表面音響波デバイスの上記第2緩衝層は任意の種類の製造プロセスにより上記第1緩衝層の表面上に形成され得るが、それは好適には、電子ビーム蒸着プロセスまたはRFマグネトロン・スパッタリング・プロセスにより形成される。本発明の上記高周波表面音響波デバイスの上記圧電層は任意の種類の圧電膜とされ得るが、それは好適にはZnO、AlN、LiNbO3またはLiTaO3膜である。本発明の上記高周波表面音響波デバイスの上記入力変換ユニットおよび上記出力変換ユニットは任意の種類の材料から成り得るが、それらは好適にはアルミニウムから成る。
本発明の他の目的、利点および新規な特徴は、添付図面と併せて以下の詳細な説明を考慮すれば更に明らかとなろう。
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、図２Ａは本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの斜視図であり且つ図２Ｂは図２ＡのB-B'面に沿う断面図であり、本発明の高周波表面音響波デバイス2は、基板21と、該基板21の表面上に形成された第1緩衝層22と、該第1緩衝層22の表面上に形成された第2緩衝層23と、該第2緩衝層23の表面上に形成された圧電層24と、入力変換ユニット25と、出力変換ユニット26とを備えて成る。入力変換ユニット25および出力変換ユニット26は夫々、圧電層24の表面において対として形成される。入力変換ユニット25および出力変換ユニット26は両者ともにインターデジタル電極であることから、インターデジタル変換器が形成される。
これに加え、本実施例において高周波表面音響波デバイス2の基板21はケイ素から成る(すなわちケイ素基板)。第1緩衝層22は酸化ケイ素から成ると共に、その厚みは好適には0.05μm〜0.2μmである。更に、第2緩衝層23は酸化アルミニウムから成ると共に、その厚みは8μmである。第2緩衝層23は、電子ビーム蒸着プロセスによって第1緩衝層22の表面上で形成される。第2緩衝層23の厚みは上述の値に限定されないことを銘記されたい。第2緩衝層23は、上記高周波表面音響波デバイスの用途に依存して、0.5μm〜20μmの間の任意の厚みを有し得る。第2緩衝層23の表面上に形成された圧電層24はAl2O3から成ると共に、その厚みは1.2μmである。圧電層24の構成材料および厚みは上記の種類の材料および値に限定されないことを銘記されたい。圧電層24は、AlN、LiNbO3またはLiTaO3膜の如き任意の種類の圧電材料から成り得る。これに加え、圧電層24は上記高周波表面音響波デバイスの用途に依存して0.1μm〜10μmの間の任意の厚みを有し得る。最後に、圧電層24の表面上に夫々が対として形成された入力変換ユニット25および出力変換ユニット26はアルミニウムから成り、それらの厚みは0.1μm〜5μmである。
図３は、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの製造プロセスを示すフローチャートであり、上記高周波表面音響波デバイスは図２Ａおよび図２Ｂに示されている。図３に示された如く、上記製造プロセスは以下の段階を備える：
（ａ）図２Ａに示された基板21として、(001)格子配向を有するケイ素基板を配備する段階；
（ｂ）上記(001)格子配向を有するケイ素基板を加熱炉内に載置し、湿式空気酸化プロセスにより、図２Ａに示された第1緩衝層22として、基板21の表面上に酸化ケイ素層を形成する段階；
（ｃ）図２Ａに示された第2緩衝層23として、(不図示の)電子ビーム蒸着システムにより、第1緩衝層22の表面上に酸化アルミニウム層を形成する段階；
（ｄ）図２Ａに示された圧電層24として、RFマグネトロン・スパッタリング・システムにより、第2緩衝層23の表面上にZnOから成る圧電層を形成する段階；および、
（ｅ）リソグラフィ・プロセスにより圧電層24の表面上に夫々を対として２つのインターデジタル電極を形成する段階であって、図２Ａに示された入力変換ユニット25および出力変換ユニット26として、これらの２つのインターデジタル電極によりインターデジタル変換器が形成されるという段階。
以下においては、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂに関して上記高周波表面音響波デバイスの動作性能が記述される。すなわち、本発明の上記高周波表面音響波デバイスのネットワーク・スペクトル応答は、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに匹敵する。更に、本発明の高周波表面音響波デバイスの表面波の位相速度もまた、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに匹敵する。
図４Ａは、従来の高周波表面音響波デバイスのネットワーク・スペクトル応答を示す概略図であり、且つ、図４Ｂは本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスのネットワーク・スペクトル応答を示す概略図である。図５Ａは、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の厚みと製造プロセスの間における該第2緩衝層の析出時間との間の関係を示す概略図である。図５Ｂは、表面音響波の音響波速度と第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の析出時間との間の関係を示す概略図である。
第1に、図４Ａに示された如く、従来の高周波表面音響波デバイスが動作しているときに動作周波数(f0)は253MHzであり、且つ、挿入損失は-25dBである。これに加え、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスが動作しているとき、動作周波数(f0)は270MHzであり、且つ、挿入損失は-15dBである。故に、動作周波数(f0)の如き、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの動作性能は、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに匹敵する。更に、挿入損失の如き、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの動作周波数の内の幾つかは、従来の高周波表面音響波デバイスのそれよりも良好である。
その後、図５Ａおよび図５Ｂに示された如く、上記第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の厚みが8μmの如き一定値より大きくなったとき、本発明の一実施例に係る上記高周波表面音響波デバイスの表面音響波の音響波速度は、サファイア基板を有する従来の高周波表面音響波デバイスのそれに等しい。換言すると、上記第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の厚みが8μmの如き一定値より大きくなると、(たとえばネットワーク・スペクトル応答、および、表面音響波の音響波速度などの)本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの動作性能は、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに等しくなる。結果として、その基板として高価なサファイア基板を使用せずに、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスは依然として、従来の高周波表面音響波デバイスに等しいまたはそれより良好な動作性能を有し得る。故に、本発明の一実施例に係る上記デバイスの製造コストは劇的に削減され得る。
以下においては、図６Ａおよび図６Ｂを参照し、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの構造が、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに類似していることが立証される。図６Ａは、従来の高周波表面音響波デバイスの基板のX線回折パターンを示す概略図である。図６Ｂは、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの基板のX線回折パターンを示す概略図である。
図６Ａおよび図６Ｂに示された如く、２つの回折パターンのピークは殆ど同一の値(すなわち2θ＝34.4°の付近)。これに加え、２つのピークの半値全幅(FWHM)は相互に接近している(すなわち0.24°対0.22°である)。故に、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの基板の構造(すなわち格子配向)は、サファイア基板である従来の高周波表面音響波デバイスの基板のそれと類似している。結果として、本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの基板は、高周波表面音響波デバイスの基板として、高価なサファイア基板に代用され得る。
上述された如く、第1緩衝層(すなわち酸化ケイ素層)および第2緩衝層(すなわちAl2O3層)をケイ素基板の表面上に順次的に形成してから、上記第2緩衝層(すなわちAl2O3層)上に圧電層を形成することにより、本発明の高周波表面音響波デバイスの基板は、従来の高周波表面音響波デバイスの基板と同様の構造を有し得る。これに加え、(たとえばネットワーク・スペクトル応答、および、表面音響波の音響波速度などの)本発明の高周波表面音響波デバイスの動作性能は、従来の高周波表面音響波デバイスのそれに等しい。結果として、その基板として高価なサファイア基板を使用せずに、本発明の高周波表面音響波デバイスは依然として、従来の高周波表面音響波デバイスと等しいまたはそれより良好な動作性能を有し得る。故に、本発明の高周波表面音響波デバイスの製造コストは劇的に削減され得る。
本発明はその好適実施例に関して説明されたが、権利請求された本発明の有効範囲から逸脱せずに他の多くの可能的な改変および変更が為され得ることは理解される。
従来の高周波表面音響波デバイスの斜視図である。 図１ＡのA-A'面に沿う断面図である。 本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの斜視図である。 図２ＡのB-B'面に沿う断面図である。 本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。 従来の高周波表面音響波デバイスのネットワーク・スペクトル応答を示す概略図である。 本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスのネットワーク・スペクトル応答を示す概略図である。 本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の厚みと製造プロセスの間における該第2緩衝層の析出時間との間の関係を示す概略図である。 表面音響波の音響波速度と第2緩衝層(すなわち酸化アルミニウム層)の析出時間との間の関係を示す概略図である。 従来の高周波表面音響波デバイスの基板のX線回折パターンを示す概略図である。 本発明の一実施例に係る高周波表面音響波デバイスの基板のX線回折パターンを示す概略図である。
符号の説明
1 従来の高周波表面音響波デバイス
2 本発明の高周波表面音響波デバイス
11 基板
12 圧電層
13 入力変換ユニット
14 出力変換ユニット
21 基板
22 第1緩衝層
23 第2緩衝層
24 圧電層
25 入力変換ユニット
26 出力変換ユニット

Claims (10)

  1. 基板と、
    上記基板の表面上に形成された第1緩衝層と、
    上記第1緩衝層の表面上に形成された第2緩衝層と、
    上記第2緩衝層の表面上に形成された圧電層と、
    入力変換ユニットと、
    出力変換ユニットとを備えて成り、
    上記入力変換ユニットおよび上記出力変換ユニットは上記圧電層の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される、
    高周波表面音響波デバイス。
  2. 前記基板はケイ素から成る、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  3. 前記第1緩衝層は酸化ケイ素から成る、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  4. 前記第1緩衝層の厚みは0.05μm〜0.2μmである、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  5. 前記第2緩衝層は酸化アルミニウムから成る、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  6. 前記第2緩衝層の厚みは0.5μm〜20μmである、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  7. 前記第2緩衝層は電子ビーム蒸着プロセスにより前記第1緩衝層の表面上に形成される、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  8. 前記圧電層はZnO、AlN、LiNbO3またはLiTaO3膜から成る、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  9. 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットは夫々インターデジタル電極である、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
  10. 前記入力変換ユニットおよび前記出力変換ユニットはアルミニウムから成る、請求項１記載の高周波表面音響波デバイス。
JP2008279186A 2008-08-12 2008-10-30 高周波表面音響波デバイスおよびその基板 Expired - Fee Related JP5248268B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW097130638 2008-08-12
TW97130638A TWI381060B (zh) 2008-08-12 2008-08-12 High frequency surface acoustic wave elements and their substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010045752A true JP2010045752A (ja) 2010-02-25
JP5248268B2 JP5248268B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=41680838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008279186A Expired - Fee Related JP5248268B2 (ja) 2008-08-12 2008-10-30 高周波表面音響波デバイスおよびその基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7741752B2 (ja)
JP (1) JP5248268B2 (ja)
TW (1) TWI381060B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013141168A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2018235605A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8689426B2 (en) 2008-12-17 2014-04-08 Sand 9, Inc. Method of manufacturing a resonating structure
JP5848131B2 (ja) * 2008-12-17 2016-01-27 アナログ デバイシス， インコーポレイテッド 機械共振構造体を備える機器
WO2011109382A1 (en) 2010-03-01 2011-09-09 Sand9, Inc. Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods
US8833161B2 (en) 2010-04-20 2014-09-16 Sand 9, Inc. Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods
US9075077B2 (en) 2010-09-20 2015-07-07 Analog Devices, Inc. Resonant sensing using extensional modes of a plate
WO2012073871A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US9013088B1 (en) * 2011-07-07 2015-04-21 Sand 9, Inc. Field effect control of a microelectromechanical (MEMS) resonator
US9590587B1 (en) 2011-07-07 2017-03-07 Analog Devices, Inc. Compensation of second order temperature dependence of mechanical resonator frequency
JP5783256B2 (ja) * 2011-08-26 2015-09-24 株式会社村田製作所 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法
US9383208B2 (en) 2011-10-13 2016-07-05 Analog Devices, Inc. Electromechanical magnetometer and applications thereof
US9214623B1 (en) 2012-01-18 2015-12-15 Analog Devices, Inc. Doped piezoelectric resonator
US9596546B2 (en) 2012-12-12 2017-03-14 Epcos Ag Electroacoustic components and methods thereof
US10800649B2 (en) 2016-11-28 2020-10-13 Analog Devices International Unlimited Company Planar processing of suspended microelectromechanical systems (MEMS) devices
US11696506B2 (en) * 2017-03-29 2023-07-04 Nitto Denko Corporation Piezoelectric device with orientation control layer formed of sazo and manufacturing method thereof
US10843920B2 (en) 2019-03-08 2020-11-24 Analog Devices International Unlimited Company Suspended microelectromechanical system (MEMS) devices

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582466A (en) * 1978-12-14 1980-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Preparation of thin-film transistor
JPS5964908A (ja) * 1982-10-05 1984-04-13 Nobuo Mikoshiba 弾性表面波素子
JPS60212018A (ja) * 1984-04-04 1985-10-24 Nec Corp 弾性表面波基板及びその製造方法
JPS62205267A (ja) * 1986-03-06 1987-09-09 Toshiba Corp 酸化アルミニウム膜の製造方法
JPH0236608A (ja) * 1988-07-27 1990-02-06 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の周波数調整方法
JPH11191721A (ja) * 1997-10-15 1999-07-13 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波素子
JP2000278084A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Yamaha Corp 弾性表面波素子
JP2001196896A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP2001196892A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP2001285021A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP2001285018A (ja) * 2000-03-28 2001-10-12 Yamaha Corp 弾性表面波素子
JP2006121228A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
JP2006229937A (ja) * 2005-01-18 2006-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2363012B (en) * 2000-05-31 2002-08-07 Acoustical Tech Sg Pte Ltd Surface acoustic wave device
JP4457587B2 (ja) * 2002-09-05 2010-04-28 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス用基体の製造方法及び電子デバイスの製造方法
JP2004224627A (ja) * 2003-01-22 2004-08-12 Seiko Epson Corp ニオブ酸カリウム単結晶薄膜の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、および電子機器
JP4600650B2 (ja) * 2003-11-05 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 圧電体膜、圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5582466A (en) * 1978-12-14 1980-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Preparation of thin-film transistor
JPS5964908A (ja) * 1982-10-05 1984-04-13 Nobuo Mikoshiba 弾性表面波素子
JPS60212018A (ja) * 1984-04-04 1985-10-24 Nec Corp 弾性表面波基板及びその製造方法
JPS62205267A (ja) * 1986-03-06 1987-09-09 Toshiba Corp 酸化アルミニウム膜の製造方法
JPH0236608A (ja) * 1988-07-27 1990-02-06 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の周波数調整方法
JPH11191721A (ja) * 1997-10-15 1999-07-13 Kazuhiko Yamanouchi 弾性表面波素子
JP2000278084A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Yamaha Corp 弾性表面波素子
JP2001196896A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP2001196892A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Seiko Epson Corp 表面弾性波素子
JP2001285018A (ja) * 2000-03-28 2001-10-12 Yamaha Corp 弾性表面波素子
JP2001285021A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP2006121228A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
JP2006229937A (ja) * 2005-01-18 2006-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013141168A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN104205629A (zh) * 2012-03-23 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
JPWO2013141168A1 (ja) * 2012-03-23 2015-08-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US9413334B2 (en) 2012-03-23 2016-08-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device using SH surface acoustic wave
CN104205629B (zh) * 2012-03-23 2016-12-28 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
WO2018235605A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20100038991A1 (en) 2010-02-18
US7741752B2 (en) 2010-06-22
TWI381060B (zh) 2013-01-01
TW201006941A (en) 2010-02-16
JP5248268B2 (ja) 2013-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5248268B2 (ja) 高周波表面音響波デバイスおよびその基板
US10862455B2 (en) Elastic wave device
US8384268B2 (en) Surface acoustic wave device having an increased surface acoustic wave velocity and an increased electromechanical coupling coefficient
WO2018163860A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路、通信装置及び弾性波装置の製造方法
JP2018088670A (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2017224890A (ja) 弾性波装置
WO2017043394A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US9368712B2 (en) Surface acoustic wave device
US10951193B2 (en) Elastic wave device
WO2017068828A1 (ja) 弾性波装置
WO2014087799A1 (ja) 圧電部材、弾性波装置及び圧電部材の製造方法
JP2011087079A (ja) 弾性表面波素子
JP6658957B2 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN109997307A (zh) 表面声波装置
US11063202B2 (en) Elastic wave device
JP4956569B2 (ja) 弾性表面波素子
WO2019049608A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2010057155A (ja) 高周波表面音波装置
JP2018101849A (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2010103621A (ja) 弾性波装置
TW201004141A (en) High frequency surface acoustic wave device
JP2007251710A (ja) 弾性表面波装置
CN107171653A (zh) 一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波器件
JP2008235979A (ja) 弾性表面波フィルタ
CN101662268B (zh) 高频表面声波组件及其基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130125

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130410

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5248268

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees