JP2023003011A - 振動素子、振動子および電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】インダクターとしての電極パターンのＱ値が大きい振動素子を提供すること。【解決手段】振動素子１は、第１面２１と、第１面２１とは反対側に位置する第２面２２と、を有する振動片２と、振動片２の第１面２１に配置される螺旋状の電極パターン６と、を有し、振動片２は、第１面２１に有底の溝部２３を有し、電極パターン６は、溝部２３の内面に沿って設けられる。【選択図】図１

Description

本発明は、振動素子、振動子および電子デバイスに関する。

従来、特許文献１に示すように、一般に伸長コイルあるいは単にコイルと称されるインダクタンス用の電極パターンを振動片の支持部に設ける振動素子が知られている。

特開２０１４－２３０１５号公報

特許文献１に記載の振動素子では、電極パターンにおける配線の幅を大きくすることにより、インダクターとしての電極パターンのＱ値を大きくすることが考えられる。しかしながら、電極パターンを平面視したときの占有面積が大きくなり、振動素子の小型化が阻害されてしまう。
そのため、電極パターンを平面視したときの占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターンのＱ値を大きくすることができる振動素子が求められていた。

振動素子は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する振動片と、前記第１面に配置される第１励振電極と、前記第２面に配置され、前記振動片を挟んで前記第１励振電極に対向する第２励振電極と、前記第１面または前記第２面に配置される第１パッド電極と、前記第１面または前記第２面に配置される第２パッド電極と、前記第１励振電極と、前記第１パッド電極と、を電気的に接続する第１引出配線と、前記第２励振電極と、前記第２パッド電極と、を電気的に接続する第２引出配線と、前記第１面に配置され、前記第１引出配線および前記第２引出配線の少なくとも一方と電気的に接続する螺旋状の電極パターンと、を有し、前記振動片は、前記第１面に有底の溝部を有し、前記電極パターンは、前記溝部の内面に沿って設けられる。

振動子は、上述の振動素子と、前記振動素子が搭載されるパッケージと、を有する。

電子デバイスは、上述の振動素子と、前記振動素子が搭載されるパッケージと、前記第１励振電極と前記第２励振電極とに駆動電圧を供給する駆動回路基板と、を備える。

実施形態１に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 図１中のＡ－Ａ線断面図。 実施形態１に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 比較例に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 図４中のＢ－Ｂ線断面図。 実施形態１および比較例に係る振動素子の電極パターンにおける周波数とＱ値との関係を示す図。 発振器の回路の一例を示す回路図。 圧電振動部の等価回路の一例を説明する回路図。 実施形態２に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 図９中のＥ－Ｅ線断面図。 実施形態２に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態３に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 図１２中のＦ－Ｆ線断面図。 実施形態３に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態４に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態４に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態５に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態６に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 図１８中のＧ－Ｇ線断面図。 実施形態７に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態８に係る振動素子の構成を示す模式平面図。 実施形態９に係る振動子の構成を示す模式側断面図。 実施形態１０に係る電子デバイスの構成を示す模式側断面図。

１．実施形態１
実施形態１に係る振動素子１について、図１～図５を参照して説明する。
図面に付記する座標においては、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸として説明する。Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」と言う。各軸の矢印の方向を「プラス方向」、矢印とは反対の方向を「マイナス方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印とは反対側を「マイナス側」とも言う。

なお、各図は、説明の便宜を考慮して、各構成要素を適宜、拡大、縮小しており、各構成要素の寸法あるいは寸法比率などは実際と異なる場合がある。例えば、後述する螺旋状の電極パターン６における配線６３の幅や配線６３の間隔、巻き数などは実際と異なる場合がある。

まず、振動素子１の概略構成について説明する。
図１～図３に示すように、振動素子１は振動片２を備える。振動片２の材質は圧電効果を有する部材であり、本実施形態では振動片２の材質は水晶である。振動片２は結晶軸を明確にした人工水晶原石の一部をブロック状に形成した水晶ランバートから所定の切断角度で切り出された単結晶基板としての水晶ウェハを用いて形成される。所定の切断角度とは、水晶の結晶軸に対して狙った角度だけ傾けたカット角を指す。振動素子１は、結晶軸から３５°１５′傾けた切断角度で切り出された所謂ＡＴカット水晶を用いて形成された厚み滑り振動モードを呈する。

振動片２は、Ｚ方向からの平面視で、長方形の１つの角が切り取られた５角形となっている。振動片２は平面視で一方向が長い。長い方向を長手方向５６およびＸ方向とする。振動片２の短い方向を幅方向５７およびＹ方向とする。振動片２の厚さ方向をＺ方向とする。振動片２における長方形の１つの角が切り取られた位置は、振動片２におけるＸ方向プラス側且つＹ方向マイナス側の位置である。

振動片２は一方の面としての第１面２１および他方の面としての第２面２２を有する。第２面２２は、第１面２１とは反対側に位置する。本実施形態では、第１面２１は、振動片２におけるＺ方向プラス側の面であり、第２面２２は、振動片２におけるＺ方向マイナス側の面である。

振動片２は、第１面２１に有底の溝部２３を有する。溝部２３は、第１面２１側から第２面２２側に向かって窪む溝状の凹部である。溝部２３は、Ｚ方向からの平面視で、螺旋状である。
なお、本実施形態における振動片２の溝部２３の深さｄ１は、４８μｍである。溝部２３の深さｄ１は、振動片２の厚さ方向であるＺ方向に沿った溝部２３の長さである。

振動片２の第１面２１には、第１励振電極３と、第１パッド電極としての第１接続電極４と、第１引出配線５と、螺旋状の電極パターン６と、第２接続電極７と、が配置される。第１励振電極３は、Ｘ方向プラス側且つＹ方向プラス側の角に位置する。第１パッド電極としての第１接続電極４は、Ｘ方向マイナス側且つＹ方向マイナス側の角に位置する。第２接続電極７は、Ｘ方向マイナス側且つＹ方向プラス側の角に位置する。

第１引出配線５は、第１励振電極３と、第１パッド電極としての第１接続電極４と、を電気的に接続する。

螺旋状の電極パターン６は、インダクターとして機能する。電極パターン６は、電極パターン６における外周側の端部としての外周側端部６１と、電極パターン６における中心側の端部としての中心側端部６２と、外周側端部６１と中心側端部６２との間に設けられる螺旋状の配線６３と、を有する。電極パターン６の外周側端部６１は、第１引出配線５と電気的に接続される。電極パターン６の中心側端部６２は、後述する第２引出配線１１と電気的に接続される。

電極パターン６は、振動片２の溝部２３の内面に沿って設けられる。本実施形態では、電極パターン６は、振動片２の溝部２３において、溝部２３の内面である溝部２３の底面および側面を被覆するように設けられる。電極パターン６は、溝部２３の底面および側面と、溝部２３の開口部を囲む第１面２１と、に設けられる導電膜である。導電膜は、例えば、ニッケルまたはクロムを下地層として、下地層の上に金などの導電性部材を積層することにより形成することができる。電極パターン６は、振動片２の溝部２３に対応する位置に、溝部６４を有する。電極パターン６の溝部６４は、第１面２１側から第２面２２側に向かって窪む溝状の凹部である。
なお、本実施形態の電極パターン６における配線６３の厚さｔ１は、１μｍである。

電極パターン６を振動片２の溝部２３の内面に沿って設けることにより、Ｚ方向からの平面視で、電極パターン６の占有面積を抑制しながら、電極パターン６の表面積を大きくすることができる。電極パターン６の表面積を大きくすることにより、インダクターとしての電極パターンのＱ値を大きくすることができる。

振動片２の第２面２２には、第２励振電極８と、第２パッド電極としての第３接続電極９と、第２引出配線１１と、第４接続電極１３と、が配置される。第２励振電極８は、振動片２を挟んで第１励振電極３に対向する位置に配置される。第３接続電極９は、振動片２を挟んで第２接続電極７に対向する位置に配置される。第４接続電極１３は、振動片２を挟んで第１接続電極４に対向する位置に配置される。

第２引出配線１１は、第２励振電極８と、第２パッド電極としての第３接続電極９と、を電気的に接続する。

また、第２引出配線１１は、接続パッド１１ａを備える。接続パッド１１ａは、振動片２を挟んで電極パターン６の中心側端部６２に対向する位置に配置される。接続パッド１１ａと、電極パターン６の中心側端部６２と、の間には貫通電極１５が設けられる。貫通電極１５は、接続パッド１１ａと、電極パターン６の中心側端部６２と、を電気的に接続する。このようにして、電極パターン６の中心側端部６２と、第２引出配線１１と、は貫通電極１５を介して電気的に接続される。

上述の構成によれば、電極パターン６は、第１引出配線５および第２引出配線１１の両方と電気的に接続する。言い換えると、電極パターン６は、第１引出配線５および第２引出配線１１を介して、第１パッド電極としての第１接続電極４と、第２パッド電極としての第３接続電極９と、の両方と電気的に接続する。

振動片２の第１面２１と第２面２２とを接続する振動片２の側面には、第１側面電極１２と、第２側面電極１４と、が配置される。第１側面電極１２は、第２接続電極７と、第３接続電極９と、を電気的に接続する。第２側面電極１４は、第１接続電極４と、第４接続電極１３と、を電気的に接続する。

次に、インダクターとしての電極パターン６のＱ値について、本実施形態と、比較例と、を対比しながら説明する。

まず、比較例の振動素子１００について、図４および図５を参照して説明する。なお、上述した本実施形態と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

比較例の振動素子１００は、本実施形態の振動素子１に比べ、振動片１０２が溝部２３を有さないことや、螺旋状の電極パターン１０６が振動片１０２の第１面２１における平坦面に配置されることや、電極パターン１０６が溝部６４を有さないこと以外は、本実施形態と同様である。

図４および図５に示すように、比較例の振動素子１００では、螺旋状の電極パターン１０６は、従来技術のように振動片１０２の第１面２１における平坦面に配置される。そのため、電極パターン１０６における第１面２１に対向する面は、平坦面となっている。また、電極パターン１０６における第１面２１に対向する面とは反対側に位置する面も、平坦面となっている。電極パターン１０６における第１面２１に対向する面は、電極パターン１０６におけるＺ方向マイナス側の面である。電極パターン１０６における第１面２１に対向する面とは反対側に位置する面は、電極パターン１０６におけるＺ方向プラス側の面である。

螺旋状の電極パターン１０６は、インダクターとして機能する。電極パターン１０６は、電極パターン１０６における外周側の端部としての外周側端部１６１と、電極パターン１０６における中心側の端部としての中心側端部１６２と、外周側端部１６１と中心側端部１６２との間に設けられる螺旋状の配線１６３と、を有する。電極パターン１０６の外周側端部１６１は、第１引出配線５と電気的に接続される。電極パターン１０６の中心側端部１６２は、貫通電極１５を介して、第２引出配線１１と電気的に接続される。
なお、比較例の電極パターン１０６における配線１６３の厚さｔ１０１は、１μｍである。

次に、本実施形態の振動素子１における電極パターン６と、比較例の振動素子１００における電極パターン１０６と、のそれぞれにおける周波数とＱ値との関係について、図６を参照して説明する。

図６は、周波数０．１ＧＨｚから１．５ＧＨｚまでの範囲における本実施形態の電極パターン６と、比較例の電極パターン１０６と、のＱ値を電子回路シミュレーターにより計算した結果を示したものである。図６中、曲線Ｃは本実施形態の電極パターン６における周波数とＱ値との関係を示し、曲線Ｄは比較例の電極パターン１０６における周波数とＱ値との関係を示す。

なお、上述したように、本実施形態の電極パターン６における配線６３の厚さｔ１と、比較例の電極パターン１０６における配線１６３の厚さｔ１０１は、それぞれ１μｍである。つまり、本実施形態の電極パターン６の厚さｔ１と、比較例の電極パターン１０６の厚さｔ１０１と、は等しい。
また、本実施形態の電極パターン６と、比較例の電極パターン１０６のそれぞれにおける配線６３，１６３の間隔、配線６３，１６３の長さ、および巻き数は等しい。本実施形態の電極パターン６と、比較例の電極パターン１０６と、のそれぞれにおける配線６３，１６３の幅は、Ｚ方向からの平面視で、等しい。
なお、本開示における「等しい」は、製造上のばらつきを含む概念である。

図６に示すように、本実施形態の電極パターン６におけるＱ値は、比較例の電極パターン１０６におけるＱ値よりも、大きい。例えば、周波数０．７GＨｚから１．２ＧＨｚまでの範囲では、本実施形態の電極パターン６は、比較例の電極パターン１０６に対して、Ｑ値を１５％～２０％大きくすることができる。

電極パターン６，１０６のＱ値は、電極パターン６，１０６のインダクタンス値に比例し、電極パターン６，１０６の抵抗値に対して反比例する。つまり、電極パターン６，１０６のインダクタンス値が大きく、抵抗値が小さいほど、電極パターン６，１０６のＱ値は大きくなる。電極パターン６，１０６の抵抗値は、周波数が高くなるに従って、表皮効果の影響を受け易くなる。表皮効果とは、周波数が高くなるに従って電流密度が配線６３，１６３の表面で高くなる現象である。そのため、配線６３，１６３の表面積が大きいほど、電流の流れる領域が大きくなり、抵抗値は小さくなる。

本実施形態の電極パターン６は、振動片２の溝部２３の内面に沿って設けられているため、Ｚ方向からの平面視で、配線６３の幅を大きくすることなく、比較例の電極パターン１０６よりも表面積を大きくすることができる。そのため、本実施形態の電極パターン６は、抵抗値を小さくすることができ、Ｑ値を大きくすることができる。

このように、本実施形態では、Ｚ方向からの平面視で電極パターン６の占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１を提供することができる。

上述したように、電極パターン６，１０６の抵抗値は、周波数が高くなるに従って、表皮効果の影響を受け易くなる。そのため、本実施形態の振動素子１は、周波数が高い領域、例えば、０．７ＧＨｚ以上の周波数において、特に好適に用いることができる。

次に、図１～図３に戻り、本実施形態に係る振動素子１の細部について説明する。
振動素子１は、振動片２が振動する振動部としての圧電振動部１６を有する。振動部としての圧電振動部１６には、第１励振電極３および第２励振電極８が設けられる。圧電振動部１６において、第１励振電極３と、第２励振電極８と、は振動片２を挟んで互いに対向する位置に配置される。振動素子１は、第１パッド電極としての第１接続電極４および第２接続電極７が固定され、圧電振動部１６が振動する。

振動素子１では、振動片２の長手方向５６において、第１パッド電極としての第１接続電極４、電極パターン６、および第１励振電極３が、第１パッド電極としての第１接続電極４、電極パターン６、第１励振電極３の順に配置されている。

この構成によれば、電極パターン６が無いときに比べて、第１パッド電極としての第１接続電極４と第１励振電極３との距離を長くすることができる。従って、第１パッド電極としての第１接続電極４側の振動片２に応力が加わるときにも、応力が圧電振動部１６に影響を及ぼすことを抑制できる。

また、振動片２は、第１面２１に凹部２４を有する。凹部２４は、第１励振電極３および第２励振電極８が設けられる圧電振動部１６に対応する位置に形成される。つまり、凹部２４は、振動片２におけるＸ方向プラス側且つＹ方向プラス側の角に位置する。

凹部２４は、第１面２１側から第２面２２側に向かって窪む形状を有する。この構成によれば、振動素子１は、圧電振動部１６がその周囲に対し凹没した所謂逆メサ構造になっている。

本実施形態では、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４と、電極パターン６が設けられる溝部２３と、は振動片２において同一面である第１面２１に備えられる。ただし、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４と、電極パターン６が設けられる溝部２３と、は振動片２において一方が第１面２１に備えられ、他方が第１面２１とは反対側に位置する第２面２２に備えられていても構わない。

また、振動片２は、第１励振電極３および第２励振電極８が設けられる第１領域１７と、電極パターン６が設けられる第２領域１８と、を有する。
第１領域１７には、上述した凹部２４が形成されている。このため、第２領域１８における振動片２の厚さは、第１領域１７における振動片２の厚さよりも大きい。言い換えると、第１領域１７は、振動片２における薄肉部であり、第２領域１８は、振動片２における厚肉部である。

このように、第１励振電極３および第２励振電極８が設けられる第１領域１７の厚さは、第２領域１８における振動片２の厚さよりも小さい。そのため、圧電振動部１６が振動する周波数を高くすることができる。従って、高周波に対応可能な振動素子１を提供することができる。

第２領域１８における振動片２の厚さは、第１領域１７における振動片２の厚さよりも大きい。そのため、電極パターン６が設けられる溝部２３の深さｄ１を大きくすることができる。溝部２３の深さｄ１を大きくすることにより、溝部２３の内面に沿って設けられる電極パターン６の表面積を大きくすることができるので、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１を提供することができる。

また、厚肉部としての第２領域１８は、凹部２４におけるＸ方向マイナス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向マイナス側の外縁部と、に設けられる。一方、凹部２４におけるＸ方向プラス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向プラス側の外縁部と、には厚肉部としての第２領域１８は設けられていない。つまり、厚肉部としての第２領域１８は、Ｚ方向からの平面視で、凹部２４を二方向から囲うように設けられる。このような構成とすることにより、圧電振動部１６の剛性を保ちつつ、圧電振動部１６の質量を低減することができる。

また、電極パターン６の厚さｔ１は、第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３よりも大きい。具体的には、本実施形態では、電極パターン６の厚さｔ１は、上述したように、１μｍである。第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３は、それぞれ４０ｎｍである。

電極パターン６の厚さｔ１を、第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３よりも大きくすることにより、電極パターン６の抵抗値を低下させ、Ｑ値を高くすることができる。一方、第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３を、電極パターン６の厚さｔ１よりも小さくすることにより、圧電振動部１６を安定して振動させることができるとともに、圧電振動部１６が振動する周波数を高くすることができる。

電極パターン６の厚さｔ１は、１μｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。電極パターン６の厚さｔ１を１μｍ以上、１０μｍ以下とすることにより、電極パターン６をフォトリソグラフィー技法を用いて安定して形成することができる。

第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３は、３０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい。第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３を３０ｎｍ以上とすることにより、第１励振電極３および第２励振電極８を安定して形成することができる。第１励振電極３の厚さｔ２および第２励振電極８の厚さｔ３を５０ｎｍ以下とすることにより、第１励振電極３および第２励振電極８の応力による振動素子１の周波数特性の低下を抑制することができる。

また、本実施形態では、第１励振電極３および第２励振電極８が振動片２を挟む圧電振動部１６に対して、電極パターン６は電気的に並列に接続する。圧電振動部１６に対して、インダクターとしての電極パターン６が電気的に並列に接続されるため、例えば、振動素子１を発振器に用いたときに、発振回路における各電極間の浮遊容量やパッケージの配線により生じる容量などの不要な容量による影響を抑制することができる。

振動素子１を用いる発振器である電子デバイス２００について、図７および図８を参照して説明する。
図７に示すように、電子デバイス２００は振動素子１および駆動回路基板２２２を備える。なお、図７は、回路の一部を抜粋して図示したものであり、発振させるための回路は省略してある。駆動回路基板２２２は第１端子２２３および第２端子２２４を備える。第１端子２２３と第２端子２２４との端子間に振動素子１が接続される。図７および図８の説明における接続は電気的な接続を示す。

駆動回路基板２２２は制御電圧入力端子２２５を備える。制御電圧入力端子２２５は制御電圧印加用抵抗２２６の一端と接続される。制御電圧印加用抵抗２２６の他端は可変容量ダイオード２２７および第１端子２２３と接続される。可変容量ダイオード２２７はカソードが制御電圧印加用抵抗２２６と接続され、アノードがアース２２８と接続される。

第２端子２２４は増幅器２２９の入力部と接続される。増幅器２２９の出力部は周波数出力端子２３１と接続される。第２端子２２４とアース２２８との間には第１コンデンサー２３２および第２コンデンサー２３３が直列接続される。第１コンデンサー２３２の一端が第２端子２２４と接続される。第１コンデンサー２３２の他端が第２コンデンサー２３３の一端および周波数出力端子２３１と接続される。第２コンデンサー２３３の他端はアース２２８と接続される。

上述したように、本実施形態では、第１励振電極３および第２励振電極８が振動片２を挟む圧電振動部１６に対して、電極パターン６は電気的に並列に接続する。

図８に示すように、圧電振動部１６の一般的な等価回路は、等価直列インダクタンス２３４、等価直列容量２３５、等価直列抵抗２３６が直列接続され、等価並列容量２３７が等価直列インダクタンス２３４、等価直列容量２３５、および等価直列抵抗２３６と並列接続された回路で示される。電極パターン６は、等価並列容量２３７を含む浮遊容量をキャンセルすることができる。なお、等価並列容量２３７をＣ０、等価直列容量２３５をＣ１とするときＣ０／Ｃ１が小さい方が好ましい。周波数レンジを広くすることができる。

圧電振動部１６の振動周波数をω、電極パターン６のインダクタンス値をＬとするとき、ωＣ０＞１／（ωＬ）の範囲にインダクタンス値Ｌを設定するのが好ましい。Ｃ０の影響をキャンセルすることができる。また、インダクタンス値Ｌを大きくするために、振動素子１と、インダクターを形成した他の振動素子と、を重ねて配置しても構わない。

電極パターン６のＱ値と圧電振動部１６のＣＩ値とを最適化するのが好ましい。ＣＩ値とは、圧電振動部１６におけるクリスタル・インピーダンスである。

なお、振動素子１は公知の方法で製造することができる。
水晶ウェハがエッチングされ、振動片２の外形形状、貫通電極１５の貫通孔、溝部２３、凹部２４などが形成される。次に、蒸着またはスパッタリングにより、ニッケルまたはクロムを下地層として、下地層の上に金などの導電性部材による導電膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー技法を用いて導電膜をパターニングし、導電膜をエッチングすることにより第１励振電極３、第２励振電極８、第１接続電極４、第２接続電極７、第３接続電極９、第４接続電極１３、電極パターン６、第１引出配線５、第２引出配線１１、貫通電極１５などが形成される。

溝部２３をエッチングにより形成する工程と、凹部２４をエッチングにより形成する工程とは、それぞれ別の工程としても構わないが、溝部２３と、凹部２４と、を同時に形成することにより、振動素子１の製造コストを抑制することができる。

また、溝部２３をエッチングにより形成する工程において、ウエットエッチング技法、ドライエッチング技法のどちらを用いても構わないが、ドライエッチング技法を用いて溝部２３を形成することにより、水晶の異方性による溝部２３の断面形状のばらつきを抑制することができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
振動素子１は、第１面２１と、第１面２１とは反対側に位置する第２面２２と、を有する振動片２と、振動片２の第１面２１に配置される螺旋状の電極パターン６と、を有し、振動片２は、第１面２１に有底の溝部２３を有し、電極パターン６は、溝部２３の内面に沿って設けられる。これにより、Ｚ方向からの平面視で電極パターン６の占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１を提供することができる。

なお、本実施形態では、振動片２の第１面２１に配置される第１接続電極４を第１パッド電極としているが、振動片２の第２面２２に配置される第４接続電極１３を第１パッド電極としても構わない。また、振動片２の第２面２２に配置される第３接続電極９を第２パッド電極としているが、振動片２の第１面２１に配置される第２接続電極７を第２パッド電極としても構わない。

２．実施形態２
次に、実施形態２に係る振動素子１ａについて、図９～図１１を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態２の振動素子１ａは、振動片２ａの第１面２１に凹部２４を有さず、第２面２２に凹部２４ａを有することや、凹部２４ａが第２面２２側から第１面２１側に向かって窪む形状を有すること以外は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図９～図１１に示すように、振動片２ａは、第２面２２に凹部２４ａを有する。凹部２４ａは、第１励振電極３および第２励振電極８が設けられる圧電振動部１６に対応する位置に形成される。凹部２４ａは、第２面２２側から第１面２１側に向かって窪む形状を有する。この構成によれば、振動素子１ａは所謂逆メサ構造になっている。

振動片２ａは、電極パターン６が設けられる溝部２３を第１面２１に有する。つまり、本実施形態では、振動片２ａにおいて、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４ａは振動片２の第２面２２に備えられ、電極パターン６が設けられる溝部２３は振動片２において第２面２２とは反対側に位置する第１面２１に設けられる。

このように、電極パターン６が設けられる溝部２３が第１面２１に備えられ、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４ａが第１面２１とは反対側に位置する第２面２２に備えられていても、Ｚ方向からの平面視で電極パターン６の占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１ａを提供することができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
つまり、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４ａと、電極パターン６が設けられる溝部２３と、は振動片２において一方が第１面２１に備えられ、他方が第１面２１とは反対側に位置する第２面２２に備えられていても構わない。

３．実施形態３
次に、実施形態３に係る振動素子１ｂについて、図１２～図１４を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態３の振動素子１ｂは、圧電振動部１６に対して電極パターン６が電気的に直列に接続すること以外は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図１２～図１４に示すように、振動片２の第１面２１には、第１パッド電極としての第２接続電極７と、第１引出配線３１と、第２パッド電極としての第１接続電極４と、第２引出配線３２に含まれる第１配線３２ａと、が配置される。第２引出配線３２は、第１配線３２ａと、後述する第２配線３２ｂと、を含む。

第１引出配線３１は、第１励振電極３と、第１パッド電極としての第２接続電極７と、を電気的に接続する。

第１配線３２ａは、第２パッド電極としての第１接続電極４と、電極パターン６の外周側端部６１と、を電気的に接続する。

振動片２の第２面２２には、第２引出配線３２に含まれる第２配線３２ｂが配置される。

第２配線３２ｂは、第２励振電極８と、貫通電極１５と、を電気的に接続する。
第２配線３２ｂは、接続パッド３２ｃを備える。接続パッド３２ｃは、振動片２を挟んで電極パターン６の中心側端部６２に対向する位置に配置される。接続パッド３２ｃと、電極パターン６の中心側端部６２と、は貫通電極１５を介して電気的に接続する。

このようにして、第２励振電極８と、第２パッド電極としての第１接続電極４と、は第２引出配線３２に含まれる第２配線３２ｂと、貫通電極１５と、電極パターン６と、第２引出配線３２に含まれる第１配線３２ａと、を介して電気的に接続する。

この構成によれば、電極パターン６は、第２引出配線３２と電気的に接続する。言い換えると、電極パターン６は、第２引出配線３２を介して、第２パッド電極としての第１接続電極４に電気的に接続する。

このように、第１励振電極３および第２励振電極８が振動片２を挟む振動部である圧電振動部１６に対して、電極パターン６は電気的に直列に接続する。従って、電極パターン６がインダクターとして機能し、振動素子１ｂを、例えば、電圧制御型の発振器に用いたときに、周波数可変幅を広げることができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
圧電振動部１６に対して電極パターン６は電気的に直列に接続することにより、周波数可変幅が大きい振動素子１ｂを提供することができる。

４．実施形態４
次に、実施形態４に係る振動素子１ｃについて、図１５および図１６を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態４の振動素子１ｃは、圧電振動部１６に対して電極パターン６が電気的に直列に接続すること以外は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図１５および図１６に示すように、振動片２の第１面２１には、第１引出配線４１に含まれる第３配線４１ａが配置される。第１引出配線４１は、第３配線４１ａと、後述する第４配線４１ｂと、を含む。

第３配線４１ａは、第１励振電極３と、電極パターン６の外周側端部６１と、を電気的に接続する。

振動片２の第２面２２には、第１パッド電極としての第４接続電極１３と、第１引出配線４１に含まれる第４配線４１ｂと、第２パッド電極としての第３接続電極９と、第２引出配線４２と、が配置される。

第４配線４１ｂは、第１パッド電極としての第４接続電極１３と、貫通電極１５と、を電気的に接続する。
第４配線４１ｂは、接続パッド４１ｃを備える。接続パッド４１ｃは、振動片２を挟んで電極パターン６の中心側端部６２に対向する位置に配置される。接続パッド４１ｃと、電極パターン６の中心側端部６２と、は貫通電極１５を介して電気的に接続する。

このようにして、第１励振電極３と、第１パッド電極としての第４接続電極１３と、は第１引出配線４１に含まれる第３配線４１ａと、電極パターン６と、貫通電極１５と、第１引出配線４１に含まれる第４配線４１ｂと、を介して電気的に接続する。

この構成によれば、電極パターン６は、第１引出配線４１と電気的に接続する。言い換えると、電極パターン６は、第１引出配線４１を介して、第１パッド電極としての第４接続電極１３に電気的に接続する。

このように、第１励振電極３および第２励振電極８が振動片２を挟む振動部である圧電振動部１６に対して、電極パターン６は電気的に直列に接続する。従って、電極パターン６がインダクターとして機能し、振動素子１ｃを、例えば、電圧制御型の発振器に用いたときに、周波数可変幅を広げることができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
圧電振動部１６に対して電極パターン６は電気的に直列に接続することにより、周波数可変幅が大きい振動素子１ｃを提供することができる。

５．実施形態５
次に、実施形態５に係る振動素子１ｄについて、図１７を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態５では、電極パターン６の好適な配置について説明する。なお、実施形態５の振動素子１ｄの基本的な構成は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図１７に示すように、振動片２の幅方向５７の中心を通り、長手方向５６に沿った中心線を第１中心線５８とする。第１中心線５８に対して、Ｙ方向プラス側に第１励振電極３が配置され、Ｙ方向マイナス側に電極パターン６の中心６ｐが配置される。従って、第１中心線５８に対して、一方側に第１励振電極３が配置され、他方側に電極パターン６の中心６ｐが配置される。一方側はＹ方向プラス側である。他方側はＹ方向マイナス側である。

この構成によれば、長手方向５６に沿った第１中心線５８に対して、一方側に第１励振電極３および電極パターン６の中心６ｐがあるときに比べて、第１励振電極３と電極パターン６との距離を長くすることができる。その結果、電極パターン６で発生する磁束が第１励振電極３と磁気結合し、第１励振電極３が電極パターン６のインダクタンス値Ｌに影響を及ぼすことを低減できる。

また、振動片２の長手方向５６の中心を通り、幅方向５７に沿った中心線を第２中心線５９とする。第２中心線５９に対して、Ｘ方向プラス側に第１励振電極３が配置され、Ｘ方向マイナス側に電極パターン６の中心６ｐが配置される。従って、第２中心線５９に対して、一方側に第１励振電極３が配置され、他方側に電極パターン６の中心６ｐが配置される。一方側はＸ方向プラス側である。他方側はＸ方向マイナス側である。

この構成によれば、幅方向５７に沿った第２中心線５９に対して、一方側に第１励振電極３および電極パターン６の中心６ｐがあるときに比べて、第１励振電極３と電極パターン６との距離を長くすることができる。その結果、電極パターン６で発生する磁束が第１励振電極３と磁気結合し、第１励振電極３が電極パターン６のインダクタンス値Ｌに影響を及ぼすことを低減できる。

また、本実施形態では、第１中心線５８および第２中心線５９に対して、一方側に第１励振電極３が配置され、他方側に電極パターン６の中心６ｐが配置される。従って、第１励振電極３が電極パターン６のインダクタンス値Ｌに影響を及ぼすことを低減できる。一方側はＸ方向プラス側且つＹ方向プラス側である。他方側はＸ方向マイナス側且つＹ方向マイナス側である。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
振動片２の幅方向５７の中心を通り、長手方向５６に沿った中心線である第１中心線５８に対して、一方側に第１励振電極３が配置され、他方側に電極パターン６の中心６ｐが配置されることにより、第１励振電極３が電極パターン６のインダクタンス値Ｌに影響を及ぼすことを低減できる。

また、振動片２の長手方向５６の中心を通り、幅方向５７に沿った中心線である第２中心線５９に対して、一方側に第１励振電極３が配置され、他方側に電極パターン６の中心６ｐが配置されることにより、第１励振電極３が電極パターン６のインダクタンス値Ｌに影響を及ぼすことを低減できる。

６．実施形態６
次に、実施形態６に係る振動素子１ｅについて、図１８および図１９を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態６の振動素子１ｅは、電極パターン６ｅが振動片２の溝部２３を埋めるように設けられること以外は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図１８および図１９に示すように、電極パターン６ｅは、振動片２の溝部２３の内面に沿って設けられる。本実施形態では、電極パターン６ｅは、溝部２３に導電性部材を充填することにより、溝部２３を埋めるように設けられる。導電性部材としては、例えば、金などを用いることができる。

電極パターン６ｅを振動片の溝部２３の内面に沿って設けることにより、Ｚ方向からの平面視で、電極パターン６の占有面積を抑制しながら、電極パターン６の表面積を大きくすることができる。電極パターン６の電極パターン６の表面積を大きくすることにより、インダクターとしての電極パターンのＱ値を大きくすることができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
つまり、電極パターン６ｅは、溝部２３に導電性部材を充填することにより、溝部２３を埋めるように設けられていても構わない。

７．実施形態７
次に、実施形態７に係る振動素子１ｆについて、図２０を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態７の振動素子１ｆは、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４におけるＹ方向プラス側の外縁部にも厚肉部としての第２領域１８が設けられること以外は、実施形態１の振動素子１と同様である。

図２０に示すように、振動片２ｆは、Ｚ方向からの平面視で、長方形となっている。振動片２ｆは平面視で一方向が長い。

本実施形態では、振動片２ｆの第１面２１に配置される第１励振電極３は、振動片２ｆにおけるＸ方向プラス側の端部と、電極パターン６と、の間に配置される。振動片２ｆの第２面２２に配置される第２励振電極８は、振動片２ｆを挟んで第１励振電極３に対向する位置に配置される。第１励振電極３と、第２励振電極８と、が振動片２ｆを挟んで互いに対向する位置に配置されている圧電振動部１６に対応する位置には凹部２４が形成される。

凹部２４におけるＸ方向マイナス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向マイナス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向プラス側の外縁部と、には厚肉部としての第２領域１８が設けられる。一方、凹部２４におけるＸ方向プラス側の外縁部には厚肉部としての第２領域１８は設けられていない。つまり、厚肉部としての第２領域１８は、Ｚ方向からの平面視で、凹部２４を三方向から囲うように設けられる。このような構成とすることにより、圧電振動部１６の剛性を高くすることができ、振動素子１ｆにおける不要スプリアスの発生を低減することができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４をＺ方向からの平面視で三方向から囲うように、厚肉部としての第２領域１８が設けられることにより、圧電振動部１６の剛性を高くすることができ、振動素子１ｆにおける不要スプリアスの発生を低減することができる。

８．実施形態８
次に、実施形態８に係る振動素子１ｇについて、図２１を参照して説明する。なお、実施形態７と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態８の振動素子１ｇは、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４におけるＸ方向プラス側の外縁部にも厚肉部としての第２領域１８が設けられること以外は、実施形態７の振動素子１ｆと同様である。

図２１に示すように、圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４におけるＸ方向マイナス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向マイナス側の外縁部と、凹部２４におけるＹ方向プラス側の外縁部と、凹部２４におけるＸ方向プラス側の外縁部と、には厚肉部としての第２領域１８が設けられる。つまり、厚肉部としての第２領域１８は、Ｚ方向からの平面視で、凹部２４を四方向から囲うように設けられる。このような構成とすることにより、圧電振動部１６の剛性をさらに高くすることができ、振動素子１ｇにおける不要スプリアスの発生をさらに低減することができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態７での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
圧電振動部１６に対応する位置に形成される凹部２４をＺ方向からの平面視で四方向から囲うように、厚肉部としての第２領域１８が設けられることにより、圧電振動部１６の剛性をさらに高くすることができ、振動素子１ｆにおける不要スプリアスの発生をさらに低減することができる。

９．実施形態９
次に、実施形態９に係る振動子３００について、図２２を参照して説明する。実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、図２２では、Ｚ方向マイナス側を「上」、Ｚ方向プラス側を「下」、Ｚ方向マイナス側の面を「上面」、この上面と反対側となるＺ方向プラス側の面を「下面」として説明する。

実施形態９に係る振動子３００には、上述した振動素子１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇのうち何れかを用いることができる。以下の説明では、振動素子１を適用した構成を例示して説明する。

図２２に示すように、振動子３００は、振動素子１と、振動素子１が搭載されているパッケージ６６とを備える。

パッケージ６６は、振動素子１を収容するパッケージ本体６７と、蓋部材６８と、を備える。

パッケージ本体６７は、実装端子７３、第１基板６９、第２基板７１、およびシールリング７２を積層して形成されている。

第１基板６９の上面には、第２基板７１が配置される。第２基板７１は中央部が除去された環状体である。第１基板６９と、第２基板７１と、により振動素子１を収容するキャビティー７４が形成される。第２基板７１の上部周縁にはシールリング７２が形成されている。

また、第１基板６９の上面には、複数の素子搭載パッド７５が設けられる。素子搭載パッド７５は、振動素子１を載置した際に、第１パッド電極としての第１接続電極４と、第２接続電極７と、に対応するように配置される。第１パッド電極としての第１接続電極４と、第２接続電極７と、を導電性接着剤７６を介して素子搭載パッド７５に接合することにより、振動素子１はパッケージ本体６７に固定される。

蓋部材６８がシールリング７２を介して第２基板７１に接合されることにより、振動素子１を収容するキャビティー７４内は気密封止される。

第１基板６９の下面には、複数の実装端子７３が設けられる。実装端子７３と、素子搭載パッド７５と、は第１基板６９の内部に形成された図示しない配線を介して電気的に接続される。

この構成によれば、振動子３００は、Ｚ方向からの平面視で電極パターン６の占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１を備える。従って、上述した実施形態１と同様の効果を得ることができる。

１０．実施形態１０
次に、実施形態１０に係る電子デバイス４００について、図２３を参照して説明する。実施形態１と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、図２３では、図２２と同様に、Ｚ方向マイナス側を「上」、Ｚ方向プラス側を「下」、Ｚ方向マイナス側の面を「上面」、この上面と反対側となるＺ方向プラス側の面を「下面」として説明する。

実施形態１０に係る電子デバイス４００には、上述した振動素子１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇのうち何れかを用いることができる。以下の説明では、振動素子１を適用した構成を例示して説明する。

図２３に示すように、発振器である電子デバイス４００は、振動素子１と、振動素子１が搭載されているパッケージ８３と、第１励振電極３と第２励振電極８とに駆動電圧を供給する駆動回路基板８４と、を備える。本実施形態では、電子デバイス４００は、表面実装が可能な所謂ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）タイプの１チップの水晶発振器である。

パッケージ８３は、振動素子１と駆動回路基板８４とを収容するパッケージ本体８２と、蓋部材６８と、を備える。
駆動回路基板８４は、図示しない発振回路を含み、第１励振電極３と第２励振電極８とに駆動電圧を供給することにより、振動素子１を励振する。駆動回路基板８４はＩＣチップの形態になっている。

パッケージ本体８２は、実装端子７３、第１基板６９、第２基板７１、第３基板８５、およびシールリング７２を積層して形成されている。

第１基板６９の上面には、第３基板８５が配置される。第３基板８５は中央部が除去された環状体である。第１基板６９と、第３基板８５と、により駆動回路基板８４を収容する凹部８６が形成される。

第３基板８５の上面には第２基板７１が配置される。第２基板７１は中央部が除去された環状体である。第１基板６９と、第２基板７１と、第３基板８５と、により振動素子１を収容するキャビティー７４が形成される。第２基板７１の上部周縁にはシールリング７２が形成されている。

凹部８６の底面となる第１基板６９の上面には、駆動回路基板８４が接続される複数のＩＣ接合端子８７が設けられる。

ＩＣ接合端子８７と、駆動回路基板８４が備える図示しない電極パットと、は電極パットに予め設けられた導電性のバンプ８８を介して、フェースダウン接合されている。

第３基板８５の上面には、複数の素子搭載パッド７５が設けられている。素子搭載パッド７５は振動素子１を載置した際に、第１パッド電極としての第１接続電極４と、第２接続電極７と、に対応するように配置される。第１パッド電極としての第１接続電極４と、第２接続電極７と、を導電性接着剤７６を介して素子搭載パッド７５に接合することにより、振動素子１はパッケージ本体８２に固定される。

蓋部材６８がシールリング７２を介して第２基板７１に接合されることにより、振動素子１を収容するキャビティー７４内は気密封止される。

第１基板６９の下面には、複数の実装端子７３が設けられる。実装端子７３と、素子搭載パッド７５と、ＩＣ接合端子８７と、は第１基板６９及び第３基板８５の内部に形成された図示しない配線を介して電気的に接続される。

この構成によれば、発振器である電子デバイス４００は、Ｚ方向からの平面視で電極パターン６の占有面積の増大を抑制しながら、インダクターとしての電極パターン６のＱ値が大きい振動素子１を備える。従って、上述した実施形態１と同様の効果を得ることができる。

なお、本開示では、振動素子１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇにおける振動片２は、ＡＴカット水晶を用いている。ただし、振動片２は、ＡＴカット水晶に限定されず、例えば、Ｚカット水晶、Ｘカット水晶、Ｙカット水晶、ＡＴカット水晶、ＢＴカット水晶、ＳＣカット水晶、ＳＴカット水晶などを用いても構わない。また、振動片２の振動モードは、厚み滑り振動に限定されず、屈曲振動、表面弾性波などであっても構わない。振動素子１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）共振子などであっても構わない。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，１００…振動素子、２，２ａ，２ｆ，１０２…振動片、３…第１励振電極、４…第１接続電極、５，３１，４１…第１引出配線、６，６ｅ，１０６…電極パターン、７…第２接続電極、８…第２励振電極、９…第３接続電極、１１，３２，４２…第２引出配線、１３…第４接続電極、１６…圧電振動部、１７…第１領域、１８…第２領域、２１…第１面、２２…第２面、２３…溝部、６１，１６１…外周側端部、６２，１６２…中心側端部、６３，１６３…配線、６４…溝部、６６，８３…パッケージ、８４…駆動回路基板、２００，４００…電子デバイス、３００…振動子。

Claims (12)

1. 第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する振動片と、
   前記第１面に配置される第１励振電極と、
   前記第２面に配置され、前記振動片を挟んで前記第１励振電極に対向する第２励振電極と、
   前記第１面または前記第２面に配置される第１パッド電極と、
   前記第１面または前記第２面に配置される第２パッド電極と、
   前記第１励振電極と、前記第１パッド電極と、を電気的に接続する第１引出配線と、
   前記第２励振電極と、前記第２パッド電極と、を電気的に接続する第２引出配線と、
   前記第１面に配置され、前記第１引出配線および前記第２引出配線の少なくとも一方と電気的に接続する螺旋状の電極パターンと、を有し、
   前記振動片は、前記第１面に有底の溝部を有し、
   前記電極パターンは、前記溝部の内面に沿って設けられる、
   振動素子。
2. 前記振動片は、前記第１励振電極と、前記第２励振電極と、が配置される第１領域と、前記電極パターンが設けられる第２領域と、を有し、
   前記第２領域における前記振動片の厚さは、前記第１領域における前記振動片の厚さよりも大きい、
   請求項１に記載の振動素子。
3. 前記電極パターンの厚さは、前記第１励振電極および前記第２励振電極の厚さよりも大きい、
   請求項１または請求項２に記載の振動素子。
4. 前記電極パターンの厚さは、１μｍ以上、１０μｍ以下であり、
   前記第１励振電極および前記第２励振電極の厚さは、３０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である、
   請求項３に記載の振動素子。
5. 前記電極パターンは、前記溝部を埋めるように設けられる、
   請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の振動素子。
6. 前記第１励振電極および前記第２励振電極が前記振動片を挟む振動部に対して前記電極パターンは電気的に並列に接続する、
   請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の振動素子。
7. 前記第１励振電極および前記第２励振電極が前記振動片を挟む振動部に対して前記電極パターンは電気的に直列に接続する、
   請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の振動素子。
8. 前記振動片の長手方向において、前記第１パッド電極、前記電極パターンおよび前記第１励振電極が前記第１パッド電極、前記電極パターン、前記第１励振電極の順に配置されている、
   請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の振動素子。
9. 前記振動片の幅方向の中心を通り、長手方向に沿った中心線に対して、
   一方側に前記第１励振電極が配置され、他方側に前記電極パターンの中心が配置される、
   請求項８に記載の振動素子。
10. 前記振動片の長手方向の中心を通り、幅方向に沿った中心線に対して、
    一方側に前記第１励振電極が配置され、他方側に前記電極パターンの中心が配置される、
    請求項８または請求項９に記載の振動素子。
11. 請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の振動素子と、
    前記振動素子が搭載されるパッケージと、を備える振動子。
12. 請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の振動素子と、
    前記振動素子が搭載されるパッケージと、
    前記第１励振電極と前記第２励振電極とに駆動電圧を供給する駆動回路基板と、を備える電子デバイス。

Images