JP5147319B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
201 Pウエル領域
202 Nウエル領域
301 トレンチ分離領域
501 N型の高濃度不純物領域
502 P型の高濃度不純物領域
601 第1の絶縁膜
771 P型のポリシリコン層
772 N型のポリシリコン層
801 第2の絶縁膜
901 配線
911 トレンチ側面の絶縁膜厚
912 トレンチ底面の絶縁膜厚
921 N型の反転層
Claims (3)
- 半導体基板上に高電源電圧回路部と低電源電圧回路部とを有し、前記高電源電圧回路部および前記低電源電圧回路部における各素子をトレンチ分離領域により素子分離したトレンチ分離構造を有し、前記高電源電圧回路部は、少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタ、及び各素子を電気的に接続する配線を有する半導体装置であって、前記高電源電圧回路部においては、前記配線の電位によって前記半導体基板の表面に寄生的に形成される反転層の発生を防止するために、前記ウエル領域の領域端部近傍に配置された前記トレンチ分離領域内にはポリシリコン層が埋設されており、前記ポリシリコン層の導電型は、前記ポリシリコン層の下面に位置する前記半導体基板もしくは前記ウエル領域とそれぞれ同一の導電型であり、前記ポリシリコン層は、第1の導電型の領域と第2の導電型の領域とからなり、前記第1の導電型の領域と前記第2の導電型の領域は、同一の前記ポリシリコン層内に連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 前記トレンチ分離領域内の前記ポリシリコン層は、前記トレンチ分離領域の側面と前記ポリシリコン層との間の横方向の距離が、前記トレンチ分離領域の底面と前記ポリシリコン層との間の縦方向の距離よりも広くなるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ポリシリコン層の電位は、前記ポリシリコン層の下面に位置する前記半導体基板もしくは前記ウエル領域とそれぞれ同一の電位になるように固定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
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