JP5040190B2 - プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 - Google Patents
プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5040190B2 JP5040190B2 JP2006177015A JP2006177015A JP5040190B2 JP 5040190 B2 JP5040190 B2 JP 5040190B2 JP 2006177015 A JP2006177015 A JP 2006177015A JP 2006177015 A JP2006177015 A JP 2006177015A JP 5040190 B2 JP5040190 B2 JP 5040190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- semiconductor wafer
- semiconductor
- wafer
- prober
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2894—Aspects of quality control [QC]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
複数の半導体ウェハを保持する第1の保持部から半導体ウェハを取り出し、該半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果が予め設定される試験条件に合致したことを検出するステップと、検出に応じて、半導体ウェハに対して行われている試験を打ち切るステップと、試験が打ち切られた半導体ウェハに未試験の半導体装置が存在する場合に、該未試験の半導体装置に対してダミーの試験結果を割り当てるステップと、試験が打ち切られた半導体ウェハを第2の保持部へ格納するステップと、を有している。
あるいは、複数の半導体ウェハを保持する第1の保持部から第1の半導体ウェハを取り出し、該第1の半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該第1の半導体ウェハ上の全ての半導体装置の試験の終了を検出するステップと、試験の終了の検出に応じて、第1の半導体ウェハを複数の第2の保持部のうちいずれか1つに格納するステップと、第1の保持部から第2の半導体ウェハを取り出し、該第2の半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果と予め設定された試験条件との合致を検出するステップと、試験の結果と試験条件との合致の検出に応じて、第2の半導体ウェハの格納先を第2の保持部のうち他の1つに切り替えるステップと、第2の半導体ウェハを、切り替えられた第2の保持部に格納するステップと、有している。この場合の試験条件は、試験が終了した半導体ウエハを他の1つの第2の保持部との間で分割格納するために、いずれか1つの第2の保持部に格納するように設定された半導体ウェハの枚数、または設定された良品半導体装置の数である。
プローバ装置に、複数の半導体ウェハを保持する第1の保持部から半導体ウェハを取り出し、該半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果が予め設定される試験条件に合致したことを検出するステップと、検出に応じて、半導体ウェハに対して行われている試験を打ち切るステップと、試験が打ち切られた半導体ウェハに未試験の半導体装置が存在する場合に、該未試験の半導体装置に対してダミーの試験結果を割り当てるステップと、試験が打ち切られた半導体ウェハを第2の保持部へ格納するステップと、を実行させる。
あるいは、プローバ装置に、複数の半導体ウェハを保持する第1の保持部から第1の半導体ウェハを取り出し、該第1の半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該第1の半導体ウェハ上の全ての半導体装置の試験の終了を検出するステップと、試験の終了の検出に応じて、第1の半導体ウェハを複数の第2の保持部のうちいずれか1つに格納するステップと、第1の保持部から第2の半導体ウェハを取り出し、該第2の半導体ウェハ上の半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果と予め設定された試験条件との合致を検出するステップと、試験の結果と試験条件との合致の検出に応じて、第2の半導体ウェハの格納先を第2の保持部のうち他の1つに切り替えるステップと、第2の半導体ウェハを、切り替えられた第2の保持部に格納するステップと、を実行させる。この場合の試験条件は、試験が終了した半導体ウエハを他の1つの第2の保持部との間で分割格納するために、いずれか1つの第2の保持部に格納するように設定された半導体ウェハの枚数、または設定された良品半導体装置の数である。
CN チップナンバ
OC1およびOC2 アウトプットカセット
IC インプットカセット
WN ウェハナンバ
WX ウェハ分割設定枚数
WY 試験済ウェハ数
X 設定良品チップ数
Y 良品チップカウント数
Claims (10)
- 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置の制御方法であって、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から前記半導体ウェハを取り出し、該半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果が予め設定される試験条件に合致したことを検出するステップと、
前記検出に応じて、前記半導体ウェハに対して行われている前記試験を打ち切るステップと、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハに未試験の前記半導体装置が存在する場合に、該未試験の前記半導体装置に対してダミーの試験結果を割り当てるステップと、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハを第2の保持部へ格納するステップと、を有することを特徴とするプローバ装置の制御方法。 - 前記試験条件は、前記半導体装置の前記試験を通過する良品の数であることを特徴とする請求項1に記載のプローバ装置の制御方法。
- 前記検出が行われることに応じて、前記第2の保持部に格納されている前記半導体ウェハについての前記試験結果を出力することを特徴とする請求項1に記載のプローバ装置の制御方法。
- 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置の制御方法であって、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から第1の半導体ウェハを取り出し、該第1の半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該第1の半導体ウェハ上の全ての前記半導体装置の試験の終了を検出するステップと、
前記試験の終了の検出に応じて、前記第1の半導体ウェハを複数の第2の保持部のうちいずれか1つに格納するステップと、
前記第1の保持部から第2の半導体ウェハを取り出し、該第2の半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果と予め設定された試験条件との合致を検出するステップと、
前記試験の結果と前記試験条件との合致の検出に応じて、前記第2の半導体ウェハの格納先を前記第2の保持部のうち他の1つに切り替えるステップと、
前記第2の半導体ウェハを、切り替えられた前記第2の保持部に格納するステップとを有し、
前記試験条件は、試験が終了した半導体ウエハを前記他の1つの第2の保持部との間で分割格納するために前記いずれか1つの第2の保持部に格納するように設定された半導体ウェハの枚数、または設定された良品半導体装置の数であることを特徴とするプローバ装置の制御方法。 - 前記検出が行われることに応じて、前記第2の保持部に格納されている前記半導体ウェハについての前記試験結果を出力することを特徴とする請求項4に記載のプローバ装置の制御方法。
- 前記切り替えるステップにおいて、前記複数の第2の保持部の切り替えは、前記第2の保持部の取出しに応じても行われることを特徴とする請求項4に記載のプローバ装置の制御方法。
- 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置を制御する制御プログラムであって、
前記プローバ装置に、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から前記半導体ウェハを取り出し、該半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果が予め設定される試験条件に合致したことを検出するステップと、
前記検出に応じて、前記半導体ウェハに対して行われている前記試験を打ち切るステップと、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハに未試験の前記半導体装置が存在する場合に、該未試験の前記半導体装置に対してダミーの試験結果を割り当てるステップと、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハを第2の保持部へ格納するステップと、を実行させるための制御プログラム。 - 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置を制御する制御プログラムであって、
前記プローバ装置に、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から第1の半導体ウェハを取り出し、該第1の半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該第1の半導体ウェハ上の全ての前記半導体装置の試験の終了を検出するステップと、
前記試験の終了の検出に応じて、前記第1の半導体ウェハを複数の第2の保持部のうちいずれか1つに格納するステップと、
前記第1の保持部から第2の半導体ウェハを取り出し、該第2の半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行い、該試験の結果と予め設定された試験条件との合致を検出するステップと、
前記試験の結果と前記試験条件との合致の検出に応じて、前記第2の半導体ウェハの格納先を前記第2の保持部のうち他の1つに切り替えるステップと、
前記第2の半導体ウェハを、切り替えられた前記第2の保持部に格納するステップとを実行させ、
前記試験条件は、試験が終了した半導体ウエハを前記他の1つの第2の保持部との間で分割格納するために前記いずれか1つの第2の保持部に格納するように設定された半導体ウェハの枚数、または設定された良品半導体装置の数であることを特徴とする制御プログラム。 - 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置であって、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から前記半導体ウェハを取り出す取出手段と、
取り出した前記半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行う試験手段と、
前記試験の結果が予め設定される試験条件に合致したことを検出する検出手段と、
前記検出に応じて、前記半導体ウェハに対して行われている前記試験を打ち切る打切手段と、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハに未試験の前記半導体装置が存在する場合に、該未試験の前記半導体装置に対してダミーの試験結果を割り当てる割当手段と、
前記試験が打ち切られた前記半導体ウェハを第2の保持部へ格納する格納手段と、を有することを特徴とするプローバ装置。 - 半導体ウェハ上の複数の半導体装置の試験を行うプローバ装置であって、
複数の前記半導体ウェハを保持する第1の保持部から半導体ウェハを取り出す取出手段と、
取り出した前記半導体ウェハ上の前記半導体装置に対して順次試験を行う試験手段と、
前記試験において、半導体ウェハ上の全ての前記半導体装置の試験の終了、および、試験の結果と予め設定された試験条件との合致を検出する検出手段と、
前記半導体ウェハを、複数の第2の保持部のうちいずれか1つに格納する格納手段と、
前記試験の結果と前記試験条件との合致を検出した場合に、前記格納手段による前記試験対象の半導体ウェハの格納先を複数の第2の保持部のうちいずれか1つから他の1つに切り替える切替手段とを備え、
前記試験条件は、試験が終了した半導体ウエハを前記他の1つの第2の保持部との間で分割格納するために前記いずれか1つの第2の保持部に格納するように設定された半導体ウェハの枚数、または設定された良品半導体装置の数であることを特徴とするプローバ装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177015A JP5040190B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 |
TW096120978A TWI397966B (zh) | 2006-06-27 | 2007-06-11 | 探測器之控制方法及控制程式 |
US11/812,648 US7768279B2 (en) | 2006-06-27 | 2007-06-20 | Control method and control program for prober |
CNB2007101124567A CN100530587C (zh) | 2006-06-27 | 2007-06-26 | 探测器的控制方法和控制程序 |
KR1020070063054A KR100922408B1 (ko) | 2006-06-27 | 2007-06-26 | 프로버 장치의 제어 방법 및 제어 프로그램을 기록한컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177015A JP5040190B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010505A JP2008010505A (ja) | 2008-01-17 |
JP5040190B2 true JP5040190B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=38872955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006177015A Expired - Fee Related JP5040190B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7768279B2 (ja) |
JP (1) | JP5040190B2 (ja) |
KR (1) | KR100922408B1 (ja) |
CN (1) | CN100530587C (ja) |
TW (1) | TWI397966B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101040579B1 (ko) * | 2008-07-24 | 2011-06-10 | 대한민국 | 스트레스 유도성 자가-절단형 식물형질전환 벡터 및 이를이용한 선발 마커 프리 식물체의 제조방법 |
WO2012033484A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Systems, methods and apparatus using virtual appliances in a semiconductor test environment |
CN102623369A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种晶圆检验方法 |
CN103943523B (zh) * | 2013-01-21 | 2016-08-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体生产过程中的抽样量测方法 |
CN112630627B (zh) * | 2021-03-08 | 2021-05-28 | 南京派格测控科技有限公司 | 一种基于多站串测的抽测方法及系统 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS544078A (en) | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Inspection method of performance of circuit element |
JPS62128134A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの表面検査装置 |
JP2716288B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1998-02-18 | 山形日本電気株式会社 | 半導体回路試験方式 |
JPH0536763A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ検査装置 |
JP2606554Y2 (ja) * | 1992-01-17 | 2000-11-27 | 株式会社東京精密 | プロービング装置 |
JP2984155B2 (ja) | 1992-09-29 | 1999-11-29 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | ウエハのicチップ検査方法 |
JP2984518B2 (ja) * | 1993-07-05 | 1999-11-29 | 山形日本電気株式会社 | 半導体試験テストシステムを制御する制御装置 |
KR100350692B1 (ko) | 1995-11-20 | 2002-12-26 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 피검사체를 검사위치에 반송하기 위한 장치 |
JP2868462B2 (ja) * | 1996-05-30 | 1999-03-10 | 山形日本電気株式会社 | 半導体集積回路テスト方法およびテスト制御装置 |
JPH10125743A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Sony Corp | 半導体装置の検査装置 |
JP3639887B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2005-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
US6097240A (en) * | 1998-11-25 | 2000-08-01 | Antec Corporation | Temperature controlled attenuator and method for stabilizing a temperature-dependent voltage |
US6137303A (en) * | 1998-12-14 | 2000-10-24 | Sony Corporation | Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing |
KR100319898B1 (ko) | 2000-03-20 | 2002-01-10 | 윤종용 | 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치 |
JP2001284416A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Nagase & Co Ltd | 低温試験装置 |
JP4034500B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-01-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の検査方法及び検査装置、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002280425A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびテスト方法 |
JP2004265895A (ja) | 2003-01-20 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法 |
US7533312B2 (en) * | 2004-07-29 | 2009-05-12 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for testing of electronic circuits |
-
2006
- 2006-06-27 JP JP2006177015A patent/JP5040190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-11 TW TW096120978A patent/TWI397966B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-06-20 US US11/812,648 patent/US7768279B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-26 KR KR1020070063054A patent/KR100922408B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-06-26 CN CNB2007101124567A patent/CN100530587C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080000531A (ko) | 2008-01-02 |
CN100530587C (zh) | 2009-08-19 |
TW200802659A (en) | 2008-01-01 |
US20070296430A1 (en) | 2007-12-27 |
KR100922408B1 (ko) | 2009-10-16 |
US7768279B2 (en) | 2010-08-03 |
CN101097877A (zh) | 2008-01-02 |
TWI397966B (zh) | 2013-06-01 |
JP2008010505A (ja) | 2008-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5040190B2 (ja) | プローバ装置の制御方法、制御プログラム、およびプローバ装置 | |
KR100430174B1 (ko) | 로트에 의거하지 않은 집적 회로 제조 방법 | |
US20040239359A1 (en) | Device test apparatus and test method | |
EP4199039A1 (en) | Method and apparatus for starting process task in semiconductor process device | |
US6830941B1 (en) | Method and apparatus for identifying individual die during failure analysis | |
TWI591356B (zh) | 圓片級晶片尺寸封裝的測試方法 | |
US20090140761A1 (en) | Method of testing semiconductor device | |
KR101362246B1 (ko) | 반도체 칩 테스트 방법 및 반도체 칩 테스트 장치 | |
TWI472778B (zh) | System - level IC test machine automatic retest method and the test machine | |
US10474139B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4570208B2 (ja) | 試験済み電子部品の分類制御方法 | |
TW201803801A (zh) | 供集成微機電裝置用的設備及方法 | |
JP2004333499A (ja) | 半導体素子の検査方法 | |
KR20160002476A (ko) | 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 테스트 시스템 및 방법 | |
CN101718989A (zh) | 抽样检验方法 | |
US8283940B2 (en) | Probe device, processing device, and probe testing method | |
JP2956663B2 (ja) | 半導体ウエハ装置のテスト方法 | |
JP2010245437A (ja) | 半導体検査装置、及びウェハ検査方法 | |
CN102004451A (zh) | 用于在线缺陷扫描的动态统计采样控制方法和装置 | |
JP2741043B2 (ja) | 半導体素子の選別方法 | |
JP3730106B2 (ja) | 半導体の選別方法 | |
JP2868462B2 (ja) | 半導体集積回路テスト方法およびテスト制御装置 | |
JPH05121496A (ja) | 不良チツプ除去方法 | |
WO2020188678A1 (ja) | 半導体装置の組立システム、半導体装置の組立方法、及び半導体装置の組立プログラム | |
JPS59145975A (ja) | 半導体素子の測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080728 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120509 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120509 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |