JPH10125743A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ上にマーキングしたインクを短
時間で硬化処理する機能を有する半導体ウェハ状態での
半導体装置の検査装置を提供する。 【解決手段】 ウェハ検査装置において、半導体装置の
電気的特性の検査と半導体装置の不良品のバッドマーク
を付けるウェハ検査部とアンローダ部間にバッドマーク
のインクを硬化される熱風加熱のインク硬化部２０を設
ける。 【効果】 検査工程における生産性向上が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の検査装
置に関し、さらに詳しくは、半導体ウェハ状態で半導体
装置の電気的特性の検査と、検査結果を基に前記半導体
装置の不良品にマーキングする機能を有する半導体装置
の検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるウェハ工程終
了後、半導体ウェハに形成された半導体装置の電気的特
性の検査を行うウェハ検査工程を行う。このウェハ検査
工程は、ウェハ状態での半導体装置の検査装置、所謂ウ
ェハ検査装置により、半導体装置の良品と不良品を選別
し、不良品と判断された半導体装置には、マーキング
（マーク付け）を行う工程である。なお、このマーキン
グには、ウェハ検査装置での半導体装置を検査後、直ぐ
に不良品の半導体装置に不良品マーク（バッドマーク）
を付けるマーキング方法と、半導体ウェハに形成された
半導体装置の各々の半導体装置の検査段階で、半導体装
置の良品と不良品の情報と各々の半導体装置の半導体ウ
ェハ上の位置情報とを記憶装置に記憶させた後、半導体
装置の不良品の位置情報を基にして、バッドマークを付
けるマーキング方法とがある。

【０００３】バッドマークが付けられた半導体ウェハ
は、ベーキングオーブンで加熱処理され、バッドマーク
インクの硬化が行われる。その後は、半導体装置の組み
立て工程、即ち半導体ウェハを個々の半導体装置に分割
する工程、分割されたペレットの内、バッドマークの付
いたペレット以外の良品のペレットをリードフレーム等
に張り付けるダイボンド工程、ワイヤボンド程、樹脂封
止工程等の組み立て工程を行って、半導体装置が出来上
がる。

【０００４】ここで、上述したウェハ検査工程で使用す
るウェハ検査装置とベーキングオーブンのうち、ウェハ
検査装置の従来例を、図５を参照して説明する。まず、
ウェハ検査装置５０は、図５に示すように、半導体ウェ
ハ１１を多数収納したウェハカセット（図示省略）をウ
ェハ検査装置５０に設置する２個のローダ部１２、ウェ
ハカセット内の半導体ウェハ１１を一枚づつ後述するウ
ェハ検査部１５に、搬送ベルト等により搬送する自動搬
送手段１３、半導体ウェハ１１をローダ部１２よりウェ
ハ検査部１５に搬送する際、半導体ウェハ１１のオリエ
ンテーションフラット部をほぼ所定の位置にセットする
ローダ部１２側のウェハ受け渡し部１４、半導体ウェハ
に形成された半導体装置の電気的特性の検査および不良
品の半導体装置にバッドマーク付けの機能を持つウェハ
検査部１５、半導体装置１１をウェハ検査部１５より後
述するアンローダ部１７に搬送する自動搬送手段１３、
後述するアンローダ部１７側のウェハ受け渡し部１６お
よび自動搬送手段１３により送られてくる半導体ウェハ
１１を収納するウェハカセット（図示省略）が設置され
る２個のアンローダ部１７とにより概略構成されてい
る。

【０００５】上述したウェハ検査装置５０の動作は、ま
ずローダ部１２に半導体装置の製造におけるウェハ工程
が終了した半導体ウェハ１１が収納されたウェハカセッ
トを設置する。ローダ部１２にウェハカセットが設置さ
れると、ウェハカセット内の半導体ウェハ１１が一枚づ
つ自動搬送手段１３により送り出され、ウェハ受け渡し
部１４に移動し、ここで、半導体ウェハ１１をウェハホ
ルダで自動搬送手段１３上方に移動させて、その後ウェ
ハホルダの回転等を利用して、半導体ウェハ１１のオリ
エンテーションフラット部をほぼ所定の位置にセットす
る。更にその後、ウェハホルダの回転を停止し、搬送ア
ーム（図示省略）により半導体ウェハ１１をウェハホル
ダよりウェハ検査部１５のウェハステージ上に移動させ
る。

【０００６】ウェハ検査部１５では、回転方向の移動と
Ｘ−Ｙ方向の移動が可能な上記のウェハステージにより
半導体ウェハ１１の位置出しを行う。その後、半導体装
置のパッド位置に対応して多数の探針を設けて形成した
プローブカードの設置位置に、半導体ウェハ１１に形成
された半導体装置を移動すべく、ウェハステージを移動
させ、この位置でウェハステージを上方に移動させてプ
ローブカードの探針と半導体装置のパッドを接触させ、
半導体装置の電気的特性の検査する。この動作を繰り返
すことで、半導体ウェハ１１に形成された多数の半導体
装置を一つづつ検査する。上述の検査における、半導体
装置の良品、不良品の情報および検査時のウェハステー
ジの位置情報はウェハ検査装置５０の情報記憶装置（図
示省略）に記憶される。

【０００７】次に、ウェハステージはバッドマークを付
けるマーカ先端位置に移動し、この位置において、上記
の半導体装置の良品、不良品の情報および検査時のウェ
ハステージの位置情報を基にして、不良品の半導体装置
にウェハステージが移動し、バッドマーク付けが行われ
る。バッドマーク付けは、半導体ウェハ１１の不良品の
半導体装置のほぼ中央に、マーカ先端より熱硬化樹脂に
よるインクを放出させることで行う。

【０００８】バッドマーク付けが終了した半導体ウェハ
１１は、ウェハ検査部１５のウェハステージよりアンロ
ーダ部１７側のウェハ受け渡し部１６のウェハホルダ
へ、搬送アーム（図示省略）により搬送され、その後自
動搬送手段１３の搬送ベルト上に乗せられ、この自動搬
送手段１３によりアンローダ部１７に送られ、アンロー
ダ部１７に設置されているウェハカセットに収納され
る。

【０００９】上述した動作で、ウェハ検査装置５０によ
る検査工程は終了するが、バッドマークを付けた半導体
ウェハ１１をそのまま後工程の組み立て工程に送ると、
バッドマークの硬化が不十分なため組み立て工程におい
て、バッドマークが流れ出したり、剥がれたりしてしま
う。そのために、ウェハ検査装置５０による検査工程が
終了した半導体ウェハ１１は、ベーキングオーブンに
て、約１６０°Ｃで約２０分の熱処理を行い、熱硬化樹
脂によるインクによるバッドマークの硬化処理をする。

【００１０】上述した半導体装置の検査工程において
は、ウェハ検査装置５０による電気的特性の検査および
バッドマーク付け工程と、ベーキングオーブンによる熱
処理でのバッドマークの硬化処理工程という２工程をと
るため、半導体ウェハ１１を収納したカセットをウェハ
検査装置５０からベーキングオーブンへ移動させるとい
う作業工数を必要とするという問題が起こる。また、ベ
ーキングオーブンは、半導体ウェハ１１をベーキングオ
ーブンに入れる際に、ベーキングオーブン内の所定の温
度に加熱されている雰囲気ガスが逃げ、ベーキングオー
ブン内の温度が低下する。従って、ベーキングオーブン
内に入れた半導体ウェハ１１は、バッドマーク硬化処理
のための所定の温度に達するまでに時間が掛かり、ベー
キングオーブンでの処理時間を長くする必要がある。上
述した作業工数の増加や作業時間の増加は、生産性向上
を図る上での阻害要因となる。この生産性向上を阻害し
ている原因は、ウェハ検査装置５０内に、短時間でバッ
ドマークの硬化処理する機能部を持たないことにある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した半
導体装置の検査装置における問題点を解決することをそ
の目的とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハ上に
マーキングしたインクを短時間で硬化処理する機能を有
する半導体ウェハ状態での半導体装置の検査装置を提供
することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の検
査装置は、上述の課題を解決するために提案するもので
あり、半導体ウェハ状態で半導体装置の電気的特性の検
査と、検査結果を基に前記半導体装置の不良品にマーキ
ングする機能を持つウェハ検査部を有する半導体装置の
検査装置において、半導体ウェハを設置するローダ部
と、ウェハ検査部と、半導体ウェハを取り出すアンロー
ダ部とを設け、ウェハ検査部とアンローダ部間に、半導
体装置の不良品にマーキングしたインクを硬化させるイ
ンク硬化部を設け、ローダ部、ウェハ検査部、インク硬
化部、アンローダ部間には半導体ウェハを搬送する自動
搬送手段を設けたことを特徴とするものである。

【００１３】本発明によれば、半導体ウェハ状態で半導
体装置の電気的特性の検査と、検査結果を基に半導体装
置の不良品にマーキングする機能を持つウェハ検査部を
有する半導体装置の検査装置に、不良品にマーキングし
たインクを短時間で硬化させるインク硬化部を設けたこ
とで、従来例のような半導体ウェハを半導体装置の検査
装置からベーキングオーブンへ移動させるという作業工
数が削減され、またベーキングオーブンを使用すること
による熱処理時間の増加という問題が回避でき、検査工
程における生産性向上が可能になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図５中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。

【００１５】実施の形態例１ 本実施の形態例は半導体装置の検査装置に本発明を適用
した例であり、これを図１および図２を参照して説明す
る。本実施の形態例の半導体装置の検査装置は、半導体
装置の製造におけるウェハ工程の終了後、半導体ウェハ
状態で半導体装置を検査する、所謂ウェハ検査装置であ
る。このウェハ検査装置１は、図１に示すように、従来
例のウェハ検査装置５０（図５参照）と同様なローダ部
１２、自動搬送手段１３、ウェハ受け渡し部１４、ウェ
ハ検査部１５、アンローダ部１７と、ウェハ検査部１５
で半導体ウェハに形成された半導体装置の電気的特性を
検査し、半導体装置の不良品にはバッドマークをマーキ
ングした半導体ウェハが、ウェハ検査部１５より送り出
されてくる、従来例のウェハ検査装置５０のウェハ受け
渡し部１６（図５参照）の場所に、バッドマークのイン
クを硬化させる機能を有するインク硬化部２０とにより
概略構成されている。

【００１６】次に、インク硬化部２０の構造を図２を参
照して説明する。ここで、図２はインク硬化部２０の構
造の各構成部分を分離して示した概略斜視図である。図
２に示す如く、インク硬化部２０の構造は、搬送ベルト
１３ａによる自動搬送手段１３を挟んで、上部加熱室部
２１と下部加熱室部２２とで概略構成されている。上部
加熱室部２１は、上部加熱室２３とこの上部加熱室２３
に導入するガスを加熱するラインヒータ２４とで概略構
成され、ウェハ検査装置１の筐体に固定されている。下
部加熱室部２２は、下部加熱室２５と、この下部加熱室
２５を上下に移動させるエアシリンダ２６と、下部加熱
室２５内のガスを排気する排気管２７とにより概略構成
されている。下部加熱室２５には、エアシリンダ２６の
上方への移動で、搬送ベルト１３ａ上の半導体ウェハ１
１を上方に移動させる時に半導体ウェハ１１を載置す
る、熱伝導率の小さな材料、例えば石英ガラスによる複
数、例えば４本のピン２５ａと、搬送ベルト１３ａが納
まる溝２５ｂと、ガスを排気するための溝２５ｃとが設
けられている。

【００１７】次に、上述したウェハ検査装置１の動作に
ついて述べる。半導体ウェハ１１が収納されたカセット
がローダ部１２に載置されて、半導体ウェハ１１がウェ
ハ検査部１５から出るまでのウェハ検査装置１の動作は
従来例と同様なので説明を省略する。半導体ウェハ１１
がウェハ検査部１５から出て、インク硬化部２０の自動
搬送手段１３の搬送ベルト１３ａ上に載置されて搬送さ
れ、所定の位置にきた時、エアシリンダ２６により下部
加熱室２５が上方に移動し、搬送ベルト１３ａ上の半導
体ウェハ１１をピン２５ａに載置して搬送ベルト１３ａ
より引き離すと共に、上部加熱室２３と下部加熱室２５
とがほぼ密着した状態となって半導体ウェハ１１の加熱
室を構成する。

【００１８】次に、ラインヒータ２４を通して加熱され
たガスを上部加熱室２３と下部加熱室２５とで構成され
る加熱室に導入し、加熱ガスを半導体ウェハ１１に直接
吹き付ける状態での半導体ウェハ１１の加熱で、熱硬化
樹脂のインクによるバッドマークを硬化させる。この加
熱処理条件は、ラインヒータ２４により加熱されたガ
ス、例えば約１６０°Ｃに加熱された窒素ガスを約１０
分間ほど半導体ウェハ１１に吹き付けるものである。な
お、この加熱処理時間は、ウェハ検査部１５での半導体
装置の電気的特性検査やバッドマーク付け等の処理時間
より少ないので、ウェハ検査装置１の処理能力低下はな
い。

【００１９】上述した加熱処理時間が経過した後、加熱
ガス導入を停止し、エアシリンダ２６により下部加熱室
２５を下方に移動し、ピン２５ａに載置されていた半導
体ウェハ１１を自動搬送手段１３の搬送ベルト１３ａ上
に移す。その後、半導体ウェハ１１は自動搬送手段１３
によりアンローダ部１７に送られ、アンローダ部１７に
設置されているウェハカセットに収納される。

【００２０】上述したインク硬化部２０を有するウェハ
検査装置１は、従来例のような半導体ウェハを半導体装
置の検査装置からベーキングオーブンへ移動させるとい
う作業工数が削減され、またベーキングオーブンを使用
することによる熱処理時間の増加という問題が回避で
き、検査工程における生産性向上が可能になる。

【００２１】実施の形態例２ 本実施の形態例は半導体装置の検査装置に本発明を適用
した例であり、これを図１および図３を参照して説明す
る。本実施の形態例の半導体装置の検査装置は、半導体
装置の製造におけるウェハ工程が終了した後、半導体ウ
ェハ状態で半導体装置を検査するウェハ検査装置であ
る。このウェハ検査装置１の基本構成は、図１に示すよ
うに、実施の形態例１と同様であるが、インク硬化部２
０の構造が異なる。そこで、インク硬化部２０以外のウ
ェハ検査装置１の構造および動作説明は省略する。

【００２２】インク硬化部２０の構造は、図３に示すよ
うに、搬送ベルト１３ａによる自動搬送手段１３を挟ん
で、上部加熱室部３１と下部加熱室部３２とで概略構成
されている。上部加熱室部３１の上部には、半導体ウェ
ハ１１を加熱するためのハロゲンランプ等による赤外線
ランプ３３が設置されている。下部加熱室部３２は、下
部加熱室３４と、この下部加熱室３４を上下に移動させ
るエアシリンダ３５とにより概略構成されている。下部
加熱室３４には、エアシリンダ３５の上方への移動で、
搬送ベルト１３ａ上の半導体ウェハ１１を上方に移動さ
せる時に半導体ウェハ１１を載置する、熱伝導率の小さ
な材料、例えば石英ガラスによる複数、例えば４本のピ
ン３４ａと、搬送ベルト１３ａが納まる溝３４ｂが設け
られている。

【００２３】次に、ウェハ検査装置１のインク硬化部２
０における動作について述べる。半導体ウェハ１１がウ
ェハ検査部１５から出て、インク硬化部２０の自動搬送
手段１３の搬送ベルト１３ａ上に載置されて搬送され、
所定の位置にきた時、エアシリンダ３５により下部加熱
室３４が上方に移動し、搬送ベルト１３ａ上の半導体ウ
ェハ１１をピン３４ａに載置して搬送ベルト１３ａより
引き離すと共に、上部加熱室部３１と下部加熱室３４と
がほぼ密着した状態となって半導体ウェハ１１の加熱室
を構成する。その後、赤外線ランプ用電源（図示省略）
より赤外線ランプ３３に電力を供給して、半導体ウェハ
１１を加熱する。この加熱時の赤外線ランプ３３に供給
する電力は、半導体ウェハ１１の温度が約１６０°Ｃに
なる電力とする。赤外線ランプ３３による加熱を約１０
分ほど行った後、赤外線ランプ３３への電力供給を停止
し、エアシリンダ３５により下部加熱室３４を下方に移
動し、ピン３４ａに載置されていた半導体ウェハ１１を
自動搬送手段１３の搬送ベルト１３ａ上に移す。その
後、半導体ウェハ１１は自動搬送手段１３によりアンロ
ーダ部１７に送られ、アンローダ部１７に設置されてい
るカセットに収納される。

【００２４】上述したインク硬化部２０を有するウェハ
検査装置１は、従来例のような半導体ウェハを半導体装
置の検査装置からベーキングオーブンへ移動させるとい
う作業工数が削減され、またベーキングオーブンを使用
することによる熱処理時間の増加という問題が回避で
き、検査工程における生産性向上が可能になる。

【００２５】実施の形態例３ 本実施の形態例は半導体装置の検査装置に本発明を適用
した例であり、これを図１および図４を参照して説明す
る。本実施の形態例の半導体装置の検査装置は、半導体
装置の製造におけるウェハ工程が終了した後、半導体ウ
ェハ状態で半導体装置を検査するウェハ検査装置であ
る。このウェハ検査装置１の基本構成は、図１に示すよ
うに、実施の形態例１と同様であるが、ウェハ検査部１
５にて半導体装置の不良品にバッドマークのマーキング
をするマーカのインクとして紫外線硬化型インクを使用
することと、インク硬化部２０の構造とが異なる。そこ
で、インク硬化部２０以外のウェハ検査装置１の構造お
よび動作説明は省略する。

【００２６】まず、インク硬化部２０の構造を図４を参
照して説明する。ここで、図４はインク硬化部２０の構
造の各構成部分を分離して示した概略斜視図である。図
４に示す如く、インク硬化部２０の構造は、従来例のウ
ェハ検査装置５０におけるアンローダ部１７側のウェハ
受け渡し部１６に紫外線照射部４１を設置したものであ
る。紫外線照射部４１は、円筒状の紫外線ランプ４１ａ
と、紫外線ランプ４１ａの放射光をライン状に集光す
る、例えば放物線型鏡面を持つミラー４１ｂとで構成さ
れたものである。この紫外線照射部４１より放射される
照射光は、矢印Ａで示す搬送方向と直交する方向のライ
ン状照射光となって、搬送ベルト１３ａ上にある半導体
ウェハ１１上を照射する。

【００２７】次に、ウェハ検査装置１のインク硬化部２
０における動作について述べる。半導体ウェハ１１が、
ウェハ検査部１５から出て、インク硬化部２０の自動搬
送手段１３の搬送ベルト１３ａ上に載置されて搬送が開
始すると、紫外線照射部４１のシャッタ板４１ｃが、矢
印Ｂで示す方向に移動して開く。この状態で搬送ベルト
１３ａ上に載置された半導体ウェハ１１が搬送される
と、半導体ウェハ１１は紫外線照射部４１より放射され
るライン状照射光により走査された状態となり、半導体
ウェハ１１全面が均一な照射光を受けることになる。な
お、紫外線硬化型のバッドマークのインクを硬化させる
ために必要な紫外線照射量は、紫外線照度と照射時間の
積で与えられる。そこで必要な紫外線照射量を得るため
には、紫外線ランプ４１ａ用電源（図示省略）の電力調
整および自動搬送手段１３の搬送ベルト１３ａ速度調整
をすればよい。但し、搬送ベルト１３ａ速度調整は、イ
ンク硬化部２０でのインク硬化処理時間がウェハ検査部
１５での半導体装置の電気的特性検査やバッドマーク付
け等の処理時間より少なくなるような搬送ベルト１３ａ
速度以下とする。

【００２８】上述した紫外線照射部４１からのライン状
照射光の位置を半導体ウェハ１１が通過した時点で、紫
外線照射部４１のシャッタ板４１ｃが、矢印Ｂの移動を
して、閉じる。搬送ベルト１３ａ上の半導体ウェハ１１
は、そのまま自動搬送手段１３により搬送されてアンロ
ーダ部１７に送られ、アンローダ部１７に設置されてい
るウェハカセットに収納される。

【００２９】上述したインク硬化部２０を有するウェハ
検査装置１は、従来例のような半導体ウェハを半導体装
置の検査装置からベーキングオーブンへ移動させるとい
う作業工数が削減され、またベーキングオーブンを使用
することによる熱処理時間の増加という問題が回避で
き、検査工程における生産性向上が可能になる。

【００３０】以上、本発明を３例の実施の形態例により
説明したが、本発明はこれら実施の形態例に何ら限定さ
れるものではない。例えば、本発明を３例の実施の形態
例では、自動搬送手段を搬送ベルトを用いた自動搬送手
段として説明したが、搬送アームを用いた自動搬送手段
を用いてもよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内
で、インク硬化処理のプロセス条件は適宜変更が可能で
ある。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置の検査装置は、検査工程における生産性向
上が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウェハ検査装置の概略斜視図である。

【図２】本発明の実施の形態例１のウェハ検査装置にお
けるインク硬化部の構造の各構成部分を分離して示した
概略斜視図である。

【図３】本発明の実施の形態例２のウェハ検査装置にお
けるインク硬化部の構造の各構成部分を分離して示した
概略斜視図である。

【図４】本発明の実施の形態例３のウェハ検査装置にお
けるインク硬化部の構造の各構成部分を分離して示した
概略斜視図である。

【図５】従来例のウェハ検査装置の概略斜視図である。

【符号の説明】

１，５０…ウェハ検査装置、１１…半導体ウェハ、１２
…ローダ部、１３…自動搬送手段、１４，１６…ウェハ
受け渡し部、１５…ウェハ検査部、１７…アンローダ
部、２０…インク硬化部、２１，３１…上部加熱室部、
２２，３２…下部加熱室部、２３…上部加熱室、２４…
ラインヒータ、２５，３４…下部加熱室、２５ａ，３４
ａ…ピン、２５ｂ，２５ｃ，３４ｂ…溝、２６，３５…
エアシリンダ、２７…排気管、３３…赤外線ランプ、４
１…紫外線照射部、４１ａ…紫外線ランプ、４１ｂ…ミ
ラー、４１ｃ…シャッタ板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハ状態で半導体装置の電気的
   特性の検査と、検査結果を基に前記半導体装置の不良品
   にマーキングする機能を持つウェハ検査部を有する半導
   体装置の検査装置において、 半導体ウェハを設置するローダ部と、前記ウェハ検査部
   と、前記半導体ウェハを取り出すアンローダ部とを設
   け、 前記ウェハ検査部と前記アンローダ部間に、前記半導体
   装置の不良品にマーキングしたインクを硬化させるイン
   ク硬化部を設け、 前記ローダ部、前記ウェハ検査部、前記インク硬化部、
   前記アンローダ部間には前記半導体ウェハを搬送する自
   動搬送手段を設けたことを特徴とする半導体装置の検査
   装置。
2. 【請求項２】 前記半導体装置の不良品にマーキングす
   る前記インクは、熱硬化型樹脂とし、前記インク硬化部
   を加熱によるインク硬化部としたことを特徴とする請求
   項１に記載の半導体装置の検査装置。
3. 【請求項３】 前記半導体装置の不良品にマーキングす
   る前記インクは、紫外線硬化型樹脂とし、前記インク硬
   化部を紫外線照射によるインク硬化部としたことを特徴
   とする請求項１に記載の半導体装置の検査装置。
4. 【請求項４】 前記インク硬化部における硬化に要する
   時間を、前記ウェハ検査部における検査およびマーキン
   グに要する時間より少なくしたことを特徴とする請求項
   １に記載の半導体装置の検査装置。
5. 【請求項５】 前記インク硬化部の前記加熱は、熱風加
   熱であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置
   の検査装置。
6. 【請求項６】 前記インク硬化部の前記加熱は、赤外線
   ランプ加熱であることを特徴とする請求項２に記載の半
   導体装置の検査装置。