JP5032660B2 - 半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置に関し、具体的に、半導体太陽電池の製造分野において半導体基板にウェットケミカル処理を施す方法に関し、更に詳しくは、半導体基板の表面のうちいずれか一つにウェットケミカル処理を施す方法に関する。

半導体製造工業において、化学溶液を用いて半導体基板の表面に処理を施すことは通常の工程である。例えば、半導体の表面にエッチング処理を施す工程、洗浄工程などがある。通常、上記ウェットケミカル処理工程は、半導体基板を化学溶液に浸漬することによって施される。この場合、半導体基板の二つの表面にウェットケミカル処理を施す。

但し、半導体工業生産において、通常、半導体基板の表面のうちいずれか一つのみにウェットケミカル処理を施すことが要求される工程が多い。例えば、片面のシリコン表面のエッチング、片面の酸化物のエッチングなどがある。この場合、上記のような半導体基板を化学溶液に浸す処理方法によっては、半導体基板表面のいずれか一つの表面のみにウェットケミカル処理を施すことができなくなる。

従来技術において、半導体基板の片面だけにウェットケミカル処理を施すという目的を実現するために、ウェットケミカル処理を施す必要がない表面をマスクで保護することによって化学溶液と接触を遮断し化学溶液に処理されないようにして、保護されていない半導体基板の表面だけに処理を施す技術が広く使用されている。例えば、半導体工業生産において、通常、フォトレジストを用いて処理不要の表面を保護することによって片面だけにケミカル処理を施すという目的を実現している。但し、上述したマスクで表面を保護してウェットケミカル処理を施す方法において、作業工程にマスク塗布とマスク洗浄の工程が追加されるとともに、原材料コストアップ及び処理工程による廃水の量が増大されるという重大な欠点が存在している。これによって、全処理過程のステップがより繁雑になり、製品のコストも顕著に増加される。

従来技術では、上記マスクを用いた方法の欠点に対して、ある程度の改善措置が施されている。即ち、ケミカル処理において、半導体基板を垂直に化学溶液槽の化学溶液中に浸すのではなく、半導体基板を化学溶液槽の中の化学溶液の液面に水平状態で放置・浮ばせる。半導体基板が水平的に化学溶液の液面に放置・浮ばせる際に、半導体基板の下面だけが化学溶液の液面と接触するので、半導体基板の片面処理（エッチング又は洗浄）という目的を実現することができる。

但し、上記の改善された半導体基板の片面処理方法において、依然として重大な欠点と不足が存在している。化学溶液の液面には、常に環境の影響による軽微な波動が存在する。現在使用されている半導体基板は薄くなる一方なので、半導体基板の厚さが非常に薄い場合に、例えば、半導体基板の厚さが500μｍ以下である場合に、半導体基板を水平状態に化学溶液の液面に放置・浮ばせ処理すると、化学溶液の液面の軽微な波動によっても、半導体の上面、あるいは少なくとも半導体基板の上面の周縁部分が濡れることになる。そして、半導体基板を水平状態に化学溶液の液面に放置又は浮べて処理すると、溶液の表面張力によるサイフォン現象によっても、化学溶液が半導体基板の上面に吸い上げられることになる。上記二種類の状況において、処理不要の半導体基板の上面にも処理を施してしまうことによって、半導体基板の品質不良又は品質の不安定を招き、要求される品質レベルを満たすことが難しくなる。

上述した従来の問題点に鑑み、本発明は、半導体基板のいずれか一つの表面にケミカル処理を施すことが可能な新しい方法及び装置を提案する。

従って、本発明は、半導体基板の一方の表面だけにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面には如何なる保護を施す必要のない、半導体表面に対するケミカル処理方法を提供することを一つの目的とする。

また、本発明は、半導体基板の一方の表面だけにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面が化学溶液の液面の波動又はサイフォン現象によって濡れることのない、上記半導体表面に対するケミカル処理方法を提供することをもう一つの目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は、ホルダーを用いて、半導体基板の下面と化学溶液の液面との間に一定の距離を有するように半導体基板を化学溶液の上方に放置し、半導体基板の下方に設置される噴射装置によって化学溶液を半導体基板の下面に噴射することで、半導体基板の下面に対しウェットケミカル処理を施す方法及び装置を提供する。

本発明は、化学溶液を収容する化学溶液槽と、半導体基板を化学溶液の上方に放置するためのホルダーと、半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射するための噴射装置とを備える半導体基板表面のケミカル処理装置を提供する。

本発明の有益効果として、本発明のケミカル処理方法及び装置において、半導体基板の下方に設置された噴射装置から半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射する方法を用いることによって、化学溶液と半導体基板の下面とを接触させるので、半導体基板の下面と化学溶液との接触を確保した前提で、化学溶液槽に収容される化学溶液の液面と半導体基板の下面との距離を増加させることが可能なので、基板の上面が化学溶液に濡れることを有効的に防止することができる。

工業生産の条件によっては、各部品の移動による影響と周辺環境からの振動による影響によって、化学溶液の液面に常にある程度の波動が存在している。半導体基板の厚さは通常500μｍより小さいので、半導体基板の下面と化学溶液との距離が小さすぎると、半導体基板の上面は波動された液面によって濡れ易くなる。一方、半導体基板の下面と化学溶液との距離が大きすぎると、半導体基板の下面は化学溶液の液面と接触できなくなり、ウェットケミカル処理を行うことができない。本発明のケミカル処理方法及び装置を使うと、当該噴射装置が化学溶液を半導体基板の下面に向け噴射することで、半導体基板の下面との接触及び濡らすという目的を実現することができる。従って、本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、半導体基板の下面と化学溶液との接触を確保した前提で、化学溶液の液面と半導体基板の下面との距離を増加することによって、半導体基板の上面が化学溶液に濡れることを有効的に防止することができる。

如何なる振動もない環境においても、半導体基板と化学溶液の液面とが接触すると、表面張力の作用、即ちサイフォン現象によって、化学溶液が半導体基板の四周表面を経由して、徐々に半導体基板の上面を濡らす可能性がある。本発明のケミカル処理方法及び装置によると、当該噴射装置が化学溶液を半導体基板の下面に向け噴射することで、半導体基板の下面と接触し濡らすという目的を実現することができる。従って、本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、半導体基板の下面と化学溶液との接触を確保する前提で、化学溶液の液面と半導体基板の下面との距離を増加することによって、半導体基板の上面における化学溶液のサイフォン現象を有効的に阻止することができる。

同様に、本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、半導体基板の下面が化学溶液と接触しかつ濡れることを確保する前提で、化学溶液の液面と半導体基板の下面との距離を増加させることによって、半導体基板のホルダーにおける安定性を有効的に増加することができる。工業生産において、半導体基板が化学溶液の液面に浮ぶように化学溶液と接触する場合、浮力の作用と液面の波動による影響と、半導体基板自身の軽い重量などの原因で、ホルダーに半導体基板を安定的に固定するのは極めて困難なことである。特に、連続生産の場合に、半導体基板は水平方向に沿って移動されるので、その所定移動方向が、波動された液面によって変動され易い。本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離を有効的に増加することができるので、この場合、液体の表面張力が半導体基板の下面に作用する際、下方へ向けて引張力が生じ、これによりホルダーに設けられる半導体基板の安定性が増大される。

半導体工業において、半導体基板のケミカル処理に気泡が生じる場合が多く、例えば、半導体表面のケミカルエッチング過程において水素が生成される。本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離を有効的に増加することができるので、ケミカル処理で生じる気泡は半導体基板の下面から容易に離れることができ、ケミカル処理を正常的に実施させることができる。

更に、本発明に係るケミカル処理方法及び装置は、必要に応じて半導体基板の下面と化学溶液と接触されない場合にも適用可能である。この場合、本発明では、化学溶液をノズルによって連続的又は間歇的に半導体基板の下面に向け噴射することで、半導体基板が化学溶液によって充分に濡れるとともに、半導体基板の下面における化学溶液も連続的に更新されるため、半導体基板のケミカル処理に対して有利である。

本発明に係るケミカル処理方法及び装置は、一般の厚さの半導体基板の片面処理だけでなく、厚さが小さい半導体基板の片面処理に適用することもできる。特に、本発明は、厚みが300μｍより小さい半導体基板の片面を処理する場合においてより適合である。

図１は、連続処理過程において半導体基板が化学溶液槽に進入する際の状態を表す構造概略図である。 図2は、半導体基板が化学溶液槽の上方に移動され、ノズルから溶液が噴射開始される際の状態を表す構造概略図である。 図3は、半導体基板の下面の一部が化学溶液に濡れた際の状態を表す構造概略図である。 図4は、半導体基板の下面の全部が化学溶液に濡れ、且つ液面と接触した際の状態を表す構造概略図である。 図5は、半導体基板の下面の全部が化学溶液に濡れ、且つ液面と接触しなかった際の状態を表す構造概略図である。

次に、添付図面及び具体実施例を参照して、本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明における半導体基板表面に対するケミカル処理方法によると、ホルダーを用いて、処理対象である半導体基板4の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように半導体基板4を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって化学溶液５を半導体基板４の下面に向け噴射することで、半導体基板４の下面にケミカル処理を施している。

上記半導体基板とは、半導体材料で製造された薄いシート状であり、その厚さは50〜500μｍである、例えば、シリコン板、ゲルマニウム板である。

上記半導体基板４を化学溶液５の上方に放置する際、水平に放置するのが好ましい。但し、小さい角度で傾斜放置しても本発明の効果に影響はない。

半導体基板４を水平に放置するために用いられる上記ホルダー２は、本分野の通常技術で実現することができる。そこで、この装置は、半導体基板４を一定の方向に沿って水平に移動させる輸送機能を備えるのが好ましい。例えば、ローラーを備えるホルダー２によって、半導体基板の表面を連続処理する目的を実現することができる。

上記半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との間に、一定の距離を置いている。この距離は0.1〜10ｍｍであり、1〜3ｍｍが好ましく、2mmが更に好ましい。半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離が小さい場合に、噴射装置３における化学溶液５の噴射強度を適宜小さく調節し、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離が大きい場合に、噴射装置３における化学溶液５の噴射強度を適宜大きく調節することができる。噴射装置３に噴射された化学溶液５が半導体基板が移動するときの安定性を影響させないために、一般の化学溶液の噴射高度は、噴射装置の上端口と半導体基板下面との間の距離とする。

上記化学溶液は、単一成分からなる化学溶液であっても良く、複数成分を有する化学溶液であっても良い。

上記噴射装置（例えば、ノズル３）が化学溶液５を噴射する際の強度は、半導体基板４の下面を濡らすことができるとともに、半導体基板４が移動するときの安定性に影響しない程度であることが好ましい。噴射装置３に噴射される化学溶液５の液面からの高度は、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との間の距離とするのが好ましい。

半導体基板４の下面の処理過程において、半導体基板４と噴射装置３の位置は、ともに静止状態となっても良く、相対移動状態となっても良い。相対的に移動する状態とするのが好ましい。

上記相対移動状態とは、噴射装置３が静止し半導体基板４が一定方向に沿って移動する状態であっても良く、逆に半導体基板４が静止し噴射装置３が一定方向に沿って移動する状態であっても良く、または半導体基板４と噴射装置３とがそれぞれに反対方向に沿って移動する状態であっても良く、あるいは半導体基板４と噴射装置３とが同じ方向に沿って異なる速度で移動する状態であっても良い。その中、噴射装置３が静止し半導体基板４が一定方向に沿って移動する状態であるのが好ましい。

図２に示すように、半導体基板4が移動し且つその一方の端部が噴射装置３の上方を通過するとき、噴射装置３が化学溶液５の噴射を開始する。

処理過程において、上記噴射装置３が化学溶液５を噴射する方式として、間歇噴射又は連続噴射のいずれの方式を採用することができる。間歇噴射の方式を採用する場合、一回噴射しても良く、数回噴射しても良い。

半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離が小さい場合に、噴射装置３が一回だけ噴射しても良く、溶液は化学溶液５の表面張力によって徐々に半導体基板４の下面全体を濡らすことができ、これにより、半導体基板４の下面にケミカル処理を施すことができる。化学溶液５が半導体基板４の下面を濡らす速度を速めるために、噴射装置３の噴射回数を増やしても良い。勿論、噴射装置３が処理過程において連続噴射しても良い。半導体基板４が噴射装置３の上方を通過する間に、噴射装置３が化学溶液５を連続噴射するのが好ましい。上記好ましい化学溶液の噴射方法及び半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との好ましい距離を選択することによって、ケミカル処理の全過程において半導体基板４の下面と化学溶液槽１の化学溶液５の液面との接触を終始保持することができる。

半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離が大きい場合に、噴射装置３が、半導体基板４の他方の端部が噴射装置３の上方に移動されるまでに化学溶液を連続噴射する。このとき、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面とが接触しない。処理過程において、噴射装置３が化学溶液５を噴射する期間は1秒〜数秒に持続すればよく、この期間は、半導体基板４が噴射装置３の上方を通過する時間及び半導体基板４の寸法によって決定される。勿論、この期間が短いほど効果がよくなる。

本発明のケミカル処理において、上記噴射装置３は、一個設けても良く、複数個設けても良い。噴射装置が一個である場合に、一回又は数回を噴射しても良く、連続噴射しても良い。噴射装置が複数個である場合に、ノズルのそれぞれが一回又は数回を噴射しても良く、連続噴射しても良い。

上記噴射装置３が複数個である場合に、各噴射装置３に噴射される化学溶液５は、同一の溶液であっても良く、不同の溶液であっても良い。これは、各化学溶液槽に収容される化学溶液が同一又は不同であることによって決定される。

各噴射装置３が不同の化学溶液5を噴射する場合に、当該不同の化学溶液5をそれぞれ不同の化学溶液槽１に収容することが好ましい。

上記の各噴射装置３（例えば、ノズル）の合計幅は、半導体基板の幅に相当する。半導体基板の下面を全部濡らすことを前提に、噴射装置の幅は半導体基板の幅より少し小さくても良い。その合計幅が半導体基板４の幅より少し小さいのが好ましい。

上記半導体基板４と噴射装置３とが相対的に移動するとき、その移動速度は、遅くしてもよく、速くしても良い。噴射装置３が一回だけ噴射する方式を取る場合、半導体基板４の下面の他の部分も完全に濡らすことができるよう移動速度をより遅くするのが好ましい。噴射装置３が数回を噴射する方式を取る場合、移動速度をより速くしても良い。噴射装置３が連続噴射する方式を取る場合、移動速度を更に速くしても良く、これよって、処理時間を短縮することができ、大量製品の処理に適合する。

半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離が大きく、噴射装置３が連続噴射する方式を取る場合、複数の噴射装置３を使用し、各噴射装置３が不同の化学溶液５を噴射することによって、半導体基板４の下面に不同のケミカル処理を施すことができる。この場合、隣接する二つの噴射装置３の間の距離は、大きくしても良く、小さくしても良いが、半導体基板４の長さより長いのが好ましい。

従って、本発明に係るケミカル処理方法によれば、半導体基板の何れか一つの表面に一回又は数回の処理を施すことができる。

半導体製造工業において、上記化学溶液は、当業者により適用されている如何なる化学溶液でも良い。例えば、いろんな濃度の水酸化ナトリウム溶液、又はいろんな濃度のフッ化水素酸溶液が挙げられる。勿論、一種又は多種の溶液の混合溶液であっても良い。

本発明に係る半導体基板表面のケミカル処理装置には、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射する噴射装置３とを備える。

上記ホルダーは、上記半導体基板を支持する機能を備え、上記半導体基板を化学溶液の上方に位置させ且つ化学溶液の液面と一定の距離を保持させることができる。

半導体基板を放置するための上記ホルダーは輸送機能を備えるのが好ましい。例えば、ローラーを備えることによって、化学溶液の上方において半導体基板を水平に移動させることができる。

上記噴射装置は、一個であっても良く、複数個であっても良い。各噴射装置に噴射される化学溶液は、同一の溶液であっても良く、不同の溶液であっても良い。

上記噴射装置は、化学溶液の液面以下に配置されても良く、化学溶液の液面以上に配置されても良い。

上記噴射装置が化学溶液の噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離となる。

上記噴射装置の幅は、半導体基板の幅に相当し、半導体基板の下面を全部濡らすことを前提で、噴射装置の幅を半導体基板の幅より少し小さくしても良い。

勿論、上記噴射装置も水平に移動することができる。

本発明に係るケミカル処理装置によれば、半導体基板の下面に処理を施す際、半導体基板の上面が濡れることを回避できる。

本発明に係るケミカル処理方法及び装置によれば、噴射装置に噴射される化学溶液によって化学溶液と半導体基板とを接触させることでき、大規模生産時の安定性を確保することができる。

図１は、半導体基板４が化学溶液槽１に進入する際の状態を表す構造概略図である。半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的小さく、約2mm程度である。半導体基板４がローラー付ホルダー２によって水平に移動され、ノズル３に接近する。このとき、ノズル３はまだ化学溶液５を噴射していない。半導体基板４の下面は、化学溶液５の液面と接触せず、濡れていない。

図2において、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的小さく、約2mm程度である。半導体基板４がローラー付ホルダー２によって水平に移動され、その一方の端部がノズル３の上方まで移動されたとき、ノズル３が化学溶液５の噴射を開始して、半導体基板４の下面の一部を濡らす。

図３において、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的小さく、約2mm程度である。半導体基板４がローラー付ホルダー２によって水平に移動され続けて、化学溶液５は表面張力の作用によって、徐々に半導体基板４の下面の他の部分と接触して当該部分を濡らす。このとき、ノズル３は化学溶液５を連続噴射している状態であっても良く、化学溶液５の噴射を停止した状態であっても良い。ノズル３が化学溶液５を連続噴射している状態である場合に、ノズル３は移動している状態であっても良い。具体的に、ノズル３は半導体基板４の移動方向と反対する方向へ移動しても良く、半導体基板４の移動速度より遅い速度で半導体基板４と同一の方向へ移動しても良い。

図４において、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的小さく、約2mm程度である。半導体基板４がローラー付ホルダー２によって水平に移動され続け、ノズル３の上方から離脱しており、ノズル３の化学溶液の噴射は停止されている。半導体基板４の下面全体が化学溶液５によって濡れ、且つその液面と接触している。

図５において、半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的大きく、約3mm程度である。半導体基板４がローラー付ホルダー２によって水平にノズル３の上方まで移動したときに、ノズル３から化学溶液５を噴射し始める。半導体基板４の下面と化学溶液５の液面との距離は比較的大きいので、化学溶液５は表面張力の作用によって半導体基板４の下面と接触することはできない。従って、半導体基板４がノズル３の上方で移動している期間に、ノズル３は化学溶液５を連続噴射している。半導体基板４がノズル３の上方から離脱したときに、半導体基板４の下面全体は化学溶液５に濡れているが、その液面と接触しない。半導体基板４が前へ移動し続けると、次のノズル３によって再度処理を施すことができる。勿論、実際の作業要求によっては、各ノズル３に噴射される溶液は、同一の溶液であっても良く、不同の溶液であっても良い。

具体実施例１
化学溶液は、硝酸とフッ化水素酸との混合溶液である。噴射装置は、一個の固定状態のノズルから構成されている。半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離は2mmである。半導体基板の一方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、ノズルが化学溶液を一回噴射する。次に、半導体基板の移動に伴い、半導体基板の下面は、表面張力の作用によって化学溶液に濡れ始める。処理の全過程において、半導体基板の下面と化学溶液槽中の化学溶液の液面とは接触されている。処理が完了した後に、半導体基板の上面は化学溶液に濡れていなかった。

具体実施例２
噴射装置は、複数の固定状態のノズルから構成されている。半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離は10mmである。半導体基板の一方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、ノズルがフッ化水素酸溶液を連続噴射し始めて、半導体基板の他方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、噴射を停止する。次に、半導体基板が移動し続け、その一方の端部が次のノズルの上方まで移動されたときに、当該次のノズルがフッ化水素酸溶液を連続噴射し始め、半導体基板の他方の端部が当該次のノズルの上方まで移動されたときに、噴射を停止する。処理の全過程において、半導体基板の下面と化学溶液槽に収容される化学溶液の液面とは接触されていない。処理が完了した後に、半導体基板の上面は化学溶液に濡れていなかった。

具体実施例３
化学溶液は化学ニッケルメッキ溶液である。噴射装置は、一個の固定状態のノズルから構成されている。半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離は0.1mmである。半導体基板の一方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、ノズルが化学ニッケルメッキ溶液の連続噴射を開始して、半導体基板の他方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、噴射を停止する。処理の全過程において、半導体基板の下面と化学溶液槽に収容される化学溶液の液面とは接触されている。処理が完了した後に、半導体基板の上面は化学溶液に濡れていなかった。

具体実施例４
化学溶液はイソプロピルアルコール溶液である。噴射装置は、複数の固定状態のノズルから構成されている。半導体基板の下面と化学溶液の液面との距離は5mmである。半導体基板の一方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、ノズルがイソプロピルアルコール溶液の連続噴射を開始し、半導体基板の他方の端部がノズルの上方まで移動されたときに、噴射を停止する。次に、半導体基板が移動し続けて、その一方の端部が次のノズルの上方まで移動されたときに、当該次のノズルがフッ化水素酸溶液の連続噴射を開始して、半導体基板の他方の端部が当該次のノズルの上方まで移動されたときに、噴射を停止する。処理の全過程において、半導体基板の下面と化学溶液槽に収容される化学溶液の液面とは接触されていない。処理が完了した後に、半導体基板の上面は化学溶液に濡れていなかった。

本発明に係る処理方法及び装置は、半導体基板の何れか一つの表面に処理を施す状況だけに適用するものではない。本発明の思想を逸脱しない前提で、当業者は各種の変更又は改善を行うことができる。従って、本発明に係る処理方法及び処理装置を用いて他の物品の表面に処理を施すことも、本発明の所属分野及び保護範囲に含まれている。

１ 化学溶液槽、２ ローラー付ホルダー、３ ノズル（噴射装置）、４半導体基板、５ 化学溶液。

Claims (30)

1. ホルダーを用いて、半導体基板の下面と化学溶液の液面との間に一定の距離を有するように半導体基板を化学溶液の上方に放置し、噴射装置によって半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射することで、半導体基板の下面を濡らすケミカル処理を施し、ケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないことを特徴とする半導体基板表面に対するケミカル処理方法。
2. 前記半導体基板は、半導体材料で製造された薄シートであり、その厚さが50〜500μｍであることを特徴とする請求項１に記載のケミカル処理方法。
3. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は3〜10ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のケミカル処理方法。
4. 前記化学溶液は、単一又は複数の成分を有する化学溶液であることを特徴とする請求項１に記載のケミカル処理方法。
5. 噴射装置によって半導体基板の下面に化学溶液を噴射する際、間歇噴射又は連続噴射の方式を採用することを特徴とする請求項１に記載のケミカル処理方法。
6. 噴射装置の化学溶液噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離であることを特徴とする請求項１または５に記載のケミカル処理方法。
7. 噴射装置が半導体基板の下面に向け間歇的に化学溶液を噴射する際、一回又は数回の噴射を行うことを特徴とする請求項５に記載のケミカル処理方法。
8. 噴射装置は、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、かつケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面において噴射装置によって噴射された噴射領域のほかに、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないことを特徴とする請求項1に記載のケミカル処理方法。
9. 化学溶液を収容する化学溶液槽と、半導体基板を化学溶液の上方に放置するためのホルダーと、半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射するための噴射装置とを備え、ケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないことを特徴とする半導体基板表面のケミカル処理装置。
10. 前記ホルダーは、半導体基板を一定方向に沿って水平に移動させる輸送機能を備えることを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
11. 前記化学溶液槽には、化学溶液が収容されているとともに、前記噴射装置が取付けられていることを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
12. 前記化学溶液槽において、前記噴射装置が一個又は複数個が取付けられており、各噴射装置から同一又は不同の化学溶液を噴射することを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
13. 前記噴射装置の幅は、半導体基板の幅と同一又は半導体基板の幅より若干小さいことを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
14. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は3〜10ｍｍであることを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
15. 噴射装置によって半導体基板の下面に化学溶液を噴射する際、間歇噴射又は連続噴射の方式を採用することを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
16. 噴射装置の化学溶液噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離であることを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
17. 噴射装置は、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、かつケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面において噴射装置によって噴射された噴射領域のほかに、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないことを特徴とする請求項９に記載のケミカル処理装置。
18. ホルダーを用いて、半導体基板の下面と化学溶液の液面との間に一定の距離を有するように半導体基板を化学溶液の上方に放置し、化学溶液の液面付近に設けられている噴射装置によって半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射することで、半導体基板の下面を濡らすケミカル処理を施し、噴射装置は、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、かつ、
    a)ケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面において噴射装置によって噴射された噴射領域のほかに、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないこと、又は、
    b）半導体基板が移動されていた初期段階のみにおいて噴射装置によって半導体基板を濡らした後、表面張力の作用によって更に濡らすことを特徴とする半導体基板表面の下面のみを処理するためのケミカル処理方法。
19. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は0.1〜10ｍｍであることを特徴とする請求項１８に記載のケミカル処理方法。
20. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は1〜3ｍｍであることを特徴とする請求項１８に記載のケミカル処理方法。
21. 噴射装置の化学溶液噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離であることを特徴とする請求項１８に記載のケミカル処理方法。
22. 化学溶液を収容する化学溶液槽と、半導体基板を化学溶液の上方に放置するためのホルダーと、半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射するための噴射装置とを備え、前記噴射装置は、化学溶液の液面付近に設けられ、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、かつ、
    a)ケミカル処理の全過程で、半導体基板の下面において噴射装置によって噴射された噴射領域のほかに、半導体基板の下面と化学溶液の液面が接触しないこと、又は、
    b）半導体基板が移動されていた初期段階のみにおいて噴射装置によって半導体基板を濡らした後、表面張力の作用によって更に濡らすことを特徴とする、半導体基板表面の下面のみを処理するためのケミカル処理装置。
23. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は0.1〜10ｍｍであることを特徴とする請求項２２に記載のケミカル処理装置。
24. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は1〜3ｍｍであることを特徴とする請求項２２に記載のケミカル処理装置。
25. 噴射装置の化学溶液噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離であることを特徴とする請求項２２に記載のケミカル処理装置。
26. ホルダーを用いて、半導体基板の下面と化学溶液の液面との間に一定の距離を有するように半導体基板を化学溶液の上方に放置し、噴射装置によって半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射することで、半導体基板の下面を濡らすケミカル処理を施し、
    噴射装置は、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、かつ、半導体基板が移動されていた初期段階のみにおいて噴射装置によって半導体基板を濡らした後、表面張力の作用によって更に濡らすことを特徴とする、半導体基板の下面のみを処理するためのケミカル処理方法。
27. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は0.1〜2ｍｍであることを特徴とする請求項２６に記載のケミカル処理方法。
28. 半導体基板の下面と化学溶液槽内の化学溶液の液面との距離は1〜2ｍｍであることを特徴とする請求項２６に記載のケミカル処理方法。
29. 噴射装置の化学溶液噴射高度は、半導体基板の下面と噴射装置の上端口との間の距離であることを特徴とする請求項２６に記載のケミカル処理方法。
30. ホルダーを用いて、半導体基板の下面と化学溶液の液面との間に一定の距離を有するように第1端と反対の第2端とを有する半導体基板を化学溶液の上方に放置し、噴射機構によって半導体基板の下面に向け化学溶液を噴射することで、半導体基板の下面を濡らすケミカル処理を施し、噴射機構は、その噴射強度によって、半導体基板の上面ではなく、下面のみを濡らすことができ、
    半導体基板の第1端が噴射機構の上方に移動されたときに、噴射機構が化学溶液の噴射を開始し、半導体基板が移動されたとともに、その第2端が噴射機構の上方に移動されるまで噴射機構は半導体基板の下面を継続的に濡らしていたことを特徴とする、半導体基板の下面のみを処理するためのケミカル処理方法。

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