JP5006360B2 - スポットサイズ変換素子の作製方法 - Google Patents
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Description
始めに、本発明に係る実施の形態1について説明する。本実施の形態では、下部クラッド層の上に、シリコンからなり、一端が先端に行くほど漸次幅が狭くなるテーパ形状のテーパ部を備える第1コアを形成する工程と、第1コアを覆うレジスト膜を下部クラッド層の上に形成する工程と、上記テーパ部が中央に露出し、第1コアが延在している方向においては、第1コアが延在している方向の幅がテーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部をレジスト膜に形成する工程と、反応性イオンエッチングにより、レジスト膜および上記開口部に露出するテーパ部をエッチングし、テーパ部を、先端に行くほど漸次膜厚が小さくなる形状に加工する工程と、レジスト膜を除去した後、第1コアのテーパ部を覆い、第1コアより径の大きい第2コアを、下部クラッド層の上に形成する第5工程とを少なくとも備えるようにした。
次に、本発明に係る実施の形態2について説明する。本実施の形態では、上述した実施の形態1における開口部を、テーパ部が中央に露出する平面視矩形の主開口部と、第1コアが延在する方向において、主開口部の両脇に配置された2つの副開口部とから構成し、副開口部は、第1コアが延在している方向の幅が、テーパ部の先端部に行くほど、主開口部より離れる方向に漸次広がるように形成した。
次に、実施の形態3について説明する。本実施の形態では、下部クラッド層,シリコン層,および酸化シリコン層がこの順に積層された基板を用意する第1工程と、酸化シリコン層の上に、一端が先端に行くほど漸次幅が狭くなるテーパ形状のテーパ部を備える主パターン、および、この主パターンの両脇に配置され、テーパ部において、先端に行くほど主パターンとの間隔が広くなる2つの複パターンを備えるレジストパターン層を形成する第2工程と、ハロゲン系のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより、レジストパターン層をマスクとして酸化シリコン層にエッチングし、主パターンの下部に、先端に行くほど漸次幅および膜厚が小さくなる酸化シリコンのマスクパターンを形成する第3工程と、反応性イオンエッチングによりマスクパターンをマスクとしてシリコン層をエッチングし、先端に行くほど漸次幅および膜厚が小さくなるテーパ部を備えたシリコンよりなる第1コアを形成する第4工程と、第1コアのテーパ部を覆い、第1コアより径の大きい第2コアを、下部クラッド層の上に形成する第5工程とを少なくとも備えるようにした。
Claims (2)
- 下部クラッド層の上に、シリコンからなり、一端が先端に行くほど漸次幅が狭くなるテーパ形状のテーパ部を備える第1コアを形成する第1工程と、
前記第1コアを覆うレジスト膜を前記下部クラッド層の上に形成する第2工程と、
前記テーパ部が中央に露出し、前記第1コアが延在している方向において、前記第1コアが延在している方向の幅が、前記テーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部を、前記レジスト膜に形成する第3工程と、
反応性イオンエッチングにより、前記レジスト膜および前記開口部に露出する前記テーパ部をエッチングし、前記テーパ部を、先端に行くほど漸次膜厚が小さくなる形状に加工する第4工程と、
前記レジスト膜を除去した後、前記第1コアのテーパ部を覆い、前記第1コアより径の大きい第2コアを、前記下部クラッド層の上に形成する第5工程と
を少なくとも備え、
前記開口部は、前記テーパ部が中央に露出する平面視矩形の主開口部と、前記第1コアが延在する方向において、前記主開口部の両脇に配置された2つの副開口部とから構成し、
前記副開口部は、第1コアが延在している方向の幅が、前記テーパ部の先端部に行くほど、前記主開口部より離れる方向に漸次広がるように形成することを特徴とするスポットサイズ変換素子の作製方法。 - 請求項1記載のスポットサイズ変換素子の作製方法において、
前記反応性イオンエッチングでは、フッ化炭素系ガスおよび炭化水素系ガスのエッチングガスを用いる
ことを特徴とするスポットサイズ変換素子の作製方法。
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