KR100358133B1 - 스트레인 분산 패드를 이용한 측면-테이퍼 도파로 제조방법과 이를 응용한 모드변환기 제조방법 및 그에 따른광소자 - Google Patents
스트레인 분산 패드를 이용한 측면-테이퍼 도파로 제조방법과 이를 응용한 모드변환기 제조방법 및 그에 따른광소자 Download PDFInfo
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Abstract
접촉식 노광장비를 사용하되, 측면-테이퍼 패턴 형성시 야기되는 스트레인을 흡수할 수 있는 패드를 테이퍼 끝단에 연결시킨 마스크를 사용하여 리소그라피 공정을 수행하므로써 그 끝단을 0.6um 정도로 형성한 다음, 습식식각에 의해 0.1um의 매우 균일한 측면-테이퍼 도파로(또는 활성층)을 갖는 모드변환기를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이에 따라, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고, 접촉식 노광 장비를 사용하더라도 종래와 같이 과도한 깊은 습식식각을 수행하지 않아도 되어 측면-테이퍼 패턴 제작의 재현성을 높일 수 있다. 또한 이러한 방법에 의해 제작된 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를 광소자와 함께 집적시켜 제작하므로써, 모드변환기의 위치 조절 및 재현성을 높여 수율 증대를 가져올 수 있다.
Description
본 발명은 측면-테이퍼 도파로 제조 방법 및 이를 응용한 모드변환기(spot-size converter: SSC) 제조 방법에 관한 것이다.
SOA(Semiconductor Optical Amplifier), 레이저 다이오드 등의 광통신용 광소자의 개발은 광정보를 전달시키는 광섬유와의 결합시 야기되는 광손실을 줄이는 것이 매우 중요하다. 광손실은 약 8 ~ 10 um 정도의 큰 모드 크기를 가지는 광섬유와 반도체의 큰 굴절률에 의해 1 x 0.5um 정도의 작은 모드크기를 가지는 광소자와의 모드 불일치에 의하여 생성된다.
상기와 같은 광손실은 광패키징시 보다 고정도의 광정렬을 요구함과 동시에 광소자 단면에서 야기되는 반사광에 의한 능동형 광소자의 특성에 상당한 영향을 끼침으로 모드변환기(모드확대기) 집적 광소자의 개발은 비용절감 및 광소자 간의 단일 집적화에 필수적이다.
모드 변환을 위한 통상적인 방법은 광소자의 도파로 상에서 굴절률을 점진적으로 변화시켜 도파광의 모드변화를 유도하는 것이다. 모드변환기는 공간적으로 제한된 제1도파로와, 그 상부에 형성된 능동형 광소자의 활성층인 제2도파로를 포함하며, 활성층의 제2도파로 폭을 측면-테이퍼 함으로써 광섬유의 모드 크기와 유사한 광 모드를 제1도파로 상에 생성하여 수직 도파로 간의 결합 손실(coupling loss)과 반사 손실(reflection loss)을 극소화하고 90 % 이상의 결합 효율 특성을 나타내야 한다.
이와 같은 높은 결합효율 및 낮은 반사손실은 능동형 광소자의 특성에 결정적 역할을 하고, 또한 광섬유와의 패키징 비용을 절감할 수 있어 최근에 많은 연구가 진행되어왔다. 고품위의 모드변환기를 능동형 광소자에 집적하려면 결합효율 및 반사에 결정적 영향을 미치는 테이퍼 끝단의 폭이 최소 0.2m 이하를 갖는 측면-테이퍼 도파로를 제작 하여야 한다.
이와 같이 모드변환기를 광소자와 함께 집적화하기 위해서는 모드변환기의 측면-테이퍼 도파로의 끝단 처리가 무엇보다 중요하고, 만약 이 부분에 문제가 발생하면 결합효율의 저하로 모드변환기 집적의 의미가 퇴색되고 또한 모드변환기 끝단에서 발생하는 반사광에 의해 대부분의 능동형 광소자의 특성을 저하시키므로 모드변환기 집적화 기술에서 모드변환기의 측면-테이퍼 도파로 끝단 처리는 가장 핵심 기술이 된다.
이렇듯, 모드변환기는 끝단의 폭이 0.2 um 이하의 광도파로 선폭을 요구하고 있고, 이러한 측면-테이퍼 도파로를 구현하기 위하여 종래에는 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼의 활용을 이용하고 있다. 그러나, 상기와 같은 리소그래피법의 활용은 많은 제작비용 및 제조시간의 제약 뿐만 아니라 정방형 구조를 가지는 전자소자와 달리 가로/세로비가 큰 광소자용 패턴 형성에는 비용대비 많은 단점으로 작용한다. 더구나, 전자소자에 비해 매우 낮은 광소자의 제조 수율이 모드변환기 집적화로 더 악화될 수 있다.
또한 종래에는 측면-테이퍼 도파로를 구현하기 위한 다른 방법으로서, 접촉식 노광장비와 측면-테이퍼 마스크를 사용하여 먼저 그 끝단이 1um에서 2um대의 도파로 패턴을 형성 시킨 후, 습식식각으로 0.2 um 정도의 도파로를 형성시키는 방법이 사용되고 있다. 즉, 접촉식 노광장비는 1um 이하의 패턴 형성시 끈단의 뭉그러짐이나 들뜸 현상이 발생하게 되고 이러한 현상은 가로/세로의 비가 큰 광소자 패턴(측면-테이퍼 구도)을 제작할 때 특히 심하게 나타난다. 때문에 1um에서 2um대의 패턴을 형성하고 과도한 습식식각을 실시하여 0.2um 이하의 패턴을 형성할 수 밖에 없다. 그러나 이 방법은 깊은 습식 식각에 의한 재성장면의 불균일 및 모드변환기 위치 조절, 그리고 재현성에서 많은 문제점을 가지고 있어 수율 저하를 가져오는 문제점이 있다.
앞서 언급한 바와 같이 측면-테이퍼 도파로를 이용한 모드변환기 제작의 핵심기술은 광섬유와 광도파로 집적소자의 효율적인 연결이 가능하고, 광결합시 결합 손실(coupling loss)과 반사 손실(reflection loss)을 극소화 시킬 수 있도록 함은 물론이고, 측면-테이퍼 도파로 구조 제작시 야기되는 고제작 비용 및 수율 저하를 극복할 수 있어야 한다.
본 발명의 목적은 접촉식 노광장비 및 스트레인 분산 패드를 갖는 마스크를 사용하여 그 끝단이 0.1um 이하인 테이퍼 구도를 구현하므로써, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고 재현성을 높일 수 있는 측면-테이퍼 도파로 제작 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 방법으로 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를제작하므로써 고제작 비용과 재현성 저하 및 수율 저하를 억제하는데 적합한 모드변환기 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 방법으로 제작된 모드변환기가 함께 집적화된 광소자를 제공하는데 있다.
도1a 내지 도1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측면-테이퍼 도파로를 제조하는 공정 도면.
도2는 포토리소그라피 공정시 사용되는 마스크(레티클)의 평면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 모드변환기 제조 공정을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따라 제조된 모드변환기의 SEM 사진.
도 5는반도체 광증폭기의 모드변환기부분의 결함으로 인한 ASE 스펙트럼의 불균일 특성을 나타낸 도면.
도 6은 모드변환기 끝단의 폭이 결합효율에 미치는 영향의 3 차원 BPM에 의한 시뮬레이션 도면.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 광소자의 테이퍼 패턴을 형성하기 위한 포토리소그라피용 마스크에 있어서, 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 측면-테이퍼 도파로를 형성하기 위한 방법에 있어서, 소정공정이 완료된 기판 상에 도파로층을 형성하는 단계; 양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 도파로층을 식각하는 단계; 및 상기 마스크패턴를 제거하고 상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 도파로층 패턴만을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 모드변환기 제조방법은, 반도체기판상에 제1도파로층, 제1클래드층 제2도파로층 및 제2클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계; 양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 제2클래드층과 상기 제2도파로층을 식각하는 단계: 상기 측면-테이퍼에 영역과 상기 스트레인 분산 패드 영역이 끊기도록 상기 제2도파로층을 식각하는 단계; 및 상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 상기 제2도파로층 패턴을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
본 발명에서는 접촉식 노광장비를 사용하되, 측면-테이퍼 도파로 패턴 형성시 야기되는 패턴을 따라 진행되는 스트레인을 흡수할 수 있는 패드(이하 "스트레인 분산 패드"라 칭함)를 측면-테이퍼 도파로의 끝단에 형성할 수 있는 마스크를 사용하여 리소그라피 공정을 수행하므로써 그 끝단을 0.6um 정도로 형성한 다음, 비등방성 식각에 의해 0.1um의 매우 균일한 측면-테이퍼 도파로를 형성한다.
상기 비등방성 식각은 습식 또는 건식 또는 이들을 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
이에 따라, 고분해능 전자선 리소그래피법 및 스테퍼를 사용하지 않도도 되어 제작 비용을 절감할 수 있고, 접촉식 노광 장비를 사용하더라도 종래와 같이 과도한 깊은 습식식각을 수행하지 않아도 되어 측면-테이퍼 도파로 제작의 재현성을높일 수 있다.
또한 이러한 방법에 의해 제작된 측면-테이퍼 구도의 모드변환기를 광소자와 함께 집적시켜 제작하므로써, 모드변환기의 위치 조절 및 재현성을 높여 수율 증대를 가져올 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도1a 내지 도1d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 측면-테이퍼 도파로를 제조하는 공정을 보여준다. 도2는 포토리소그라피 공정시 사용되는 마스크(레티클)의 평면도이다.
도1a는 소정 공정이 완료된 구조물(101) 상에 도파로층(102)이 형성된 상태이다.
이어서, 도 1b는 접촉식 노광 장비를 사용하되 도2와 같이 양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상(160a)을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 패드(160b)가 연결된 형상의 패턴(160a, 160b)을 갖는 마스크(레티클)(150)를 사용하여 포토리소그라피 공정을 수행하므로써, 도파로층(102) 상에 마스크패턴(103a, 103b)을 형성한 상태이다.
마스크패턴(103a, 103b)은 상기한 포토리소그라피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴일 수도 있고, 이렇게 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 형성된 실리콘질화막 등이 될 수도 있다.
이어서, 도 1c는 마스크패턴(103a, 103b)를 식각장벽으로 하여 도파로층(102)을 건식식각한 다음 다시 습식식각한 상태를 도시한 평면도로서, 상기 리소그라피 공정시 마스크패턴(103a, 103b)은 스트레인 분산 패드(160b)에 의해 그 끝단이 약 0.6um인 테이퍼 구도(103a)를 가질수 있기 때문에 이러한 마스크패턴(103a, 103b)을 식각장벽으로하여 건식식각 및 습식식각된 도파층(102a, 102b)은 깊지 않은 습식식각을 수행하여도 0.1um까지 테이퍼 끝단 형성이 가능하다.
이후, 마스크패턴(103a, 103b)를 제거하고 다시 스트레인 분산 패드에 대응되는 패턴(102b)만을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하면 도 1d와 같이 원하는 측면-테이퍼 도파로(102a)를 얻을 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명은 도 2와 같이 마스크(150)에 노광후 현상 시 발생하는 스트레인을 분산 시킬 수 있는 패드(160b)를 둠으로써, 기존의 리소그라피 공정에서 종종 발생하는 끝단의 뭉그러짐이나 들뜸 현상을 방지하면서 접촉식 노광장비의 분해능에 가까운 0.6um까지 테이퍼 끝단의 형성 가능하고, 이후 약간의 습식식각을 수행하여 매끄럽고 재현성을 가지는 0.1um의 테이퍼 끝단 제조가 가능하다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 모드변환기 제조 공정을 나타낸다.
도 3a는 InP 반도체기판(301) 위에 제1도파로층인 InGaAsP(Q=1.18)(302), 클래드층인 InP(303), 제2도파로층인 InGaAsP(Q=1.55)(304), 클래드층인 InP(305)을차레로 성장시킨 다음, 리소그래피용 마스크를 위하여 PECVD 방법으로 실리콘질화막(SiNx)(6)을 형성한 구조로서 좌측도는 평면구조이고 우측도는 a-a'선을 따른 단면구조이다. 제1도파로층인 InGaAsP(Q=1.18)(302)은 두께가 0.1∼0.3㎛, 폭이 3∼10㎛이고, 상기 제2도파로층인 InGaAsP(Q=1.55)(304)은 제1도파로층으로부터 0.1∼0.5㎛ 위에 형성되고 두께가 0.1∼0.3㎛로 형성된다.
도 3b와 같이 실리콘질화막(306)은 양끝단에 스트레인 분산 패드가 연결된 도 2와 같은 마스크를 이용하여 패터닝된다. 즉, 양단부쪽으로 점점 가늘어지되 그 가늘어지는 끝부분에 스트레인 분간패드(160a, 160b)을 갖는 마스크(도 2의 150)를 이용하여 포지티브 톤의 포토레지스트 패턴을 실리콘질화막(306) 상에 형성 시킨 후, 실리콘질화막(306)을 MERIE법으로 식각한다.
이어서, 도 3c는 이후의 일련의 모드변환기 제조공정을 보인 도면으로, 패턴된 실리콘질화막(306)을 이용하여 InP층(305)을 염산계 식각액으로 제거한 후 InGaAsP층(304)을 황산계 식각액을 이용 식각한다. 황산계 식각액은 InGaAsP 대비 InP 식각율이 매우 낮아 InGaAsP층(304) 아래쪽 InP층(303)층에서 식각을 멈추고 이후 부터는 도 3c와 같이 테이퍼 영역과 패드 영역의 연결부분이 끊어질 때 까지 InGaAsP층(304)층의 측면 식각을 계속 진행시킨다.
이어서, 도 3d와 같이 스트레인 분산 영역에 대응되는 패턴들이 제거하기 위하여 테이퍼 영역을 포토레지스트패턴(307)으로 마스킹하고 실리콘질화막(306)과 InP층(305) 및 InGaAsP층(304)을식각한다. 이는 제1도파로층을 통하여 도파중인 광이 모드변환기에 도달하기 전에 패드에 대응되는 영역으로 인하여 산란 및 흡수가발생되기 때문이다.
도 3e는 최종적으로 완성된 측면 테이퍼 도파로층(304의 형상을 평면적으로 도시한 것이다.
본 발명자는 본 발명에 의해 아주 매끄럽고 균일한 최대한 0.1um 이하의 균일하고 재현성 있는 모드 변환기를 제작할 수 있음을 실험을 통하여 확인하였다. 본 발명에서 제안한 방법으로 최종적으로 제작된 모드변환기의 SEM 사진을 도 4에 도시하였다. SEM사진에서 확인할 수 있듯이 끝단의 폭이 300Å 이하를 가짐은 물론이고 수율에 직접적인 대면적에서 아주 균일한 끝단을 가짐을 실험을 통하여 확인하였다.
이후 공정은 대부분의 이중도파로 구조를 가지는 광소자의 공정과 같은 도파로 형성 부분 및 전류 차단 과정 등이 있다. 다시 한번 전영역에 실리콘질화막을 증착 시킨 후 리소그래피법을 이용 활성층 도파형태인 직선 형태의 실리콘질화막 띠를 MERIE를 이용 제작 후 RIE 식각과정을 거치고 광소자 형태에 따른 전류차단층 및 주입층을 결정 재성장법을 이용 형성시켜 원하는 광소자를 제작 할 수 있다. 본 발명에서 사용된 선택적 식각방법은 건식식각방법 및 어떠한 식각방법을 사용하여도 제작 가능함을 쉽게 알 수 있다.
모드변환기가 특별히 중요한 최근에, 큰 비선형성으로 연구 개발에 박차를 가하고 있는 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier) 제작에 있어 모드변환기 결함이 가져오는 문제점을 실험결과를 통하여 확인한 결과를 도5에 예로써 실었다. 도면에서 위쪽 실선(B)에서는 제작된 반도체 광증폭기의 ASE(Amplifiedspontaneous emission) 스펙트럼상에 이득 중심의 불균일한 피크들을 볼 수 있고 아래쪽 실선(R)은 위의 반도체 광증폭기에 무반사막 코팅을 한 후의 ASE 스펙트럼을 보였다. 도 5에서 확인할 수 있듯이 가운데 부분의 불균일한 ASE 피크들이 무반사막 코팅으로 대부분 제거되는 특성을 가지고 있어 이는 제작된 반도체 광증폭기에 집적된 모드변환기 끝단과 광소자 단면의 반사로 인하여 하나의 공진기를 구성하여 ASE 스펙트럼상에 도면과 같은 공진기의 스펙트럼이 실렸고 코팅후 반도체 광증폭기의 단면 반사율이 급격히 떨어져 더 이상 단면과 모드변환기 부분의 공진기 형성이 어려워져 이로 인한 ASE 스펙트럼의 불균일이 제거된 것 같으나 이후 실제 광패키징시에는 이 부분의 문제가 다시 심각한 문제를 야기 시킴을 알 수 있다. 왜냐하면 광패키징시 광섬유 단면과 또다시 모드변환기 끝단 위에 언급한 공진기를 구성 광소자의 특성을 저하시킴으로 모드변환기 끝단의 반사를 줄이기 위한 아주 매끄럽고 0.2mm 이하의 끝단의 폭을 갖는 모드변환기 제작은 몇몇 광소자 제작에 필수적이다. 또한 도면에서 확인된 반사는 곧바로 반도체 광증폭기의 증폭 특성에 직접적으로 영향을 미침을 알 수 있다.
모드 확대기의 끝단의 폭이 결합효율에 미치는 영향에 대하여 3차원 BPM(Beam Propagation Method)의한 시뮬레이션 결과를 도 6에 나타냈다.
입사부와 출사부 광도파로 폭이 각각 Win= 3.0 um와 Wout= 1.2 um이고 두께가 din= 0.15 um와 dout= 0.4 um(SCH 영역포함), 입사부와 출사부 광도파로 사이의 간격이g= 0.3 um, 수동형과 능동형 굴절률이 각각 nin = 3.306과 nout = 3.55 클래드 굴절률 no= 3.17인 구조에서 테이퍼 끝단의 폭이 결합효율에 미치는 영향에 대하여 테이퍼 길이 150um 길이에 대한 3차원 BPM에 의한 시뮬레이션 결과를 도 6에서 볼 수 있고 150um 이상의 테이퍼 길이에서 90% 이상의 결합 효율을 갖는 모드변환기를 구현하려면 끝단의 폭이 0.2mm 이어야 함을 알 수 있다.
본 발명의 효과는 기존의 접촉식 노광장비 및 습식식각법을 활용하여 재현성 있는 모드변환기 집적 광소자를 구현할 수 있어 광소자 패키징시 야기되는 비용 및 시간 절감은 물론이고 모드 변환에 의한 확대된 모드에 의하여 단면 반사율을 낮추어 반사광에 의한 광소자의 특성저하를 제거 할 수 있다. 본 발명은 향후 광소자 패키징 분야나 단일 집적화에 많은 장점을 가진다. 일예로 최근에 각광을 받고 있는 반도체 광증폭기 제작에 본 발명을 활용하면 기존의 접촉식 노광장비로 고품위의 광증폭기를 높은 수율로 제작할 수 있다. 이는 경제적인 광소자 제작 및 도파로 공유형을 이용 단일 집적화된 광소자의 구현에 많은 장점을 가짐을 알 수 있다.
Claims (13)
- 측면-테이퍼 도파로를 형성하기 위한 방법에 있어서,소정공정이 완료된 기판 상에 도파로층을 형성하는 단계;양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계;상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 도파로층을 식각하는 단계; 및상기 마스크패턴를 제거하고 상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 도파로층 패턴만을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 마스크패턴의 테이퍼 끝단은 약 0.6um의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 도파로층의 식각은 건식 식각 및 습식 식각중 어느한 방법 또는 이들의 조합으로 이루어짐을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 제1항에 있어서,패턴된 상기 도파로층은 약 0.1um 이하의 테이퍼 끝단을 갖는 것을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 마스크패턴은 포토레지스트 또는 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 반도체기판상에 제1도파로층, 제1클래드층 제2도파로층 및 제2클래드층을 차례로 적층 형성하는 단계;양 끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 마스크(레티클)를 사용하여 접촉식 노광장비로 포토리소그라피 공정을 수행하여, 상기 도파로층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계;상기 마스크패턴을 식각장벽으로 하여 상기 제2클래드층과 상기 제2도파로층을 식각하는 단계:상기 측면-테이퍼에 영역과 상기 스트레인 분산 패드 영역이 끊기도록 상기 제2도파로층을 식각하는 단계; 및상기 스트레인 분산 패드에 대응되는 상기 제2도파로층 패턴을 마스크 및 식각 공정에 의해 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 모드변환기 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 마스크패턴의 테이퍼 끝단은 약 0.6um의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 모드변환기 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 도파로층의 식각은 건식 식각 및 습식 식각중 어느한 방법 또는 이들의 조합으로 이루어짐을 특징으로 하는 측면-테이퍼 도파로 제조 방법.
- 제6항에 있어서,패턴된 상기 도파로층은 약 0.1um 이하의 테이퍼 끝단을 갖는 것을 특징으로하는 모드변환기 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 마스크패턴은 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 모드변환기 제조 방법.
- 제1항의 제조방법으로 제조된 측면-테이퍼 도파로를 갖는 광소자.
- 제5항의 제조방법으로 제조된 모드변환기가 함께 집적화된 광소자.
- 광소자의 테이퍼 패턴을 형성하기 위한 포토리소그라피용 마스크에 있어서,끝단쪽으로 갈수록 테이퍼져 가늘어지는 측면-테이퍼 형상을 가지되 그 끝단에는 넓은 영역의 스트레인 분산 패드가 연결된 형상의 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 광소자 패턴 형성을 위한 포토리소그라피용 마스크.
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