JP2865000B2 - 出力導波路集積半導体レーザとその製造方法 - Google Patents
出力導波路集積半導体レーザとその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信用の半導体レー
ザ、特に単一モード光ファイバとの結合が容易な出力導
波路集積半導体レーザとその製造方法に関する。
ザ、特に単一モード光ファイバとの結合が容易な出力導
波路集積半導体レーザとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを各家庭まで直接、あるいは
その付近まで敷設し、従来に無い多様な情報サービスを
可能とする加入者系の光通信方式が注目されている。そ
のような加入者系のシステムを構築していく上では通信
装置に用いられる各種光部品の低価格化が大きな問題と
なっており、特に光源モジュールに関しては半導体レー
ザと単一モード光ファイバとの光接続が光源モジュール
低価格化のネックになっているのが現状である。そこで
光源にスポットサイズ変換器を集積し、単一モード光フ
ァイバとの結合を容易にする試みが種々なされるように
なってきた。一例として小林らは１９９４年電子情報通
信学会春季大会予稿集第４分冊第２４０ページに掲載さ
れたような狭放射角テーパ導波路集積型レーザを報告し
ている。これは図４にその断面斜視構造を示すように、
選択ＭＯＶＰＥ法を用いて埋め込み導波路４０２の厚さ
を徐々に変化させたものである。出力導波領域４０８で
導波路の厚さをレーザ領域４０７での導波路厚さの１／
５にまで低減して光出射端面付近でのスポットサイズを
３μm 程度に広げ、それによって結合のトレランスとし
て±２μm ＠１ｄＢの値を実現している。
その付近まで敷設し、従来に無い多様な情報サービスを
可能とする加入者系の光通信方式が注目されている。そ
のような加入者系のシステムを構築していく上では通信
装置に用いられる各種光部品の低価格化が大きな問題と
なっており、特に光源モジュールに関しては半導体レー
ザと単一モード光ファイバとの光接続が光源モジュール
低価格化のネックになっているのが現状である。そこで
光源にスポットサイズ変換器を集積し、単一モード光フ
ァイバとの結合を容易にする試みが種々なされるように
なってきた。一例として小林らは１９９４年電子情報通
信学会春季大会予稿集第４分冊第２４０ページに掲載さ
れたような狭放射角テーパ導波路集積型レーザを報告し
ている。これは図４にその断面斜視構造を示すように、
選択ＭＯＶＰＥ法を用いて埋め込み導波路４０２の厚さ
を徐々に変化させたものである。出力導波領域４０８で
導波路の厚さをレーザ領域４０７での導波路厚さの１／
５にまで低減して光出射端面付近でのスポットサイズを
３μm 程度に広げ、それによって結合のトレランスとし
て±２μm ＠１ｄＢの値を実現している。
【０００３】また第２の従来例としては、笠谷氏等が１
９９３年電子情報通信学会秋季大会予稿集第４−２６１
ページに報告しているような、集積型の素子をあげるこ
とができる。これは図５（ａ）に構造図を示すように、
ＤＢＲレーザの出力側にテーパ導波路となるＩｎＧａＡ
ｓＰガイド層５０３が形成された素子である。ガイド層
はレーザ側から出射端面に向かって幅が徐々に狭くなる
構成となっており、それによって光スポットサイズを出
力端面に向かって大きくしていく機能を有する。この例
ではスポットサイズの大きくなった光電界に対して吸収
損失が大きくならないように特にテーパ導波領域５１２
においてガイド層５０３の周囲を低ドープ層、ないしノ
ンドープ層で覆うような構成としている。すなわちガイ
ド層５０３の下側には低ドープｎ−ＩｎＰバッファ層５
０２を、上側にはノンドープＩｎＰ層５０６を形成して
いる。
９９３年電子情報通信学会秋季大会予稿集第４−２６１
ページに報告しているような、集積型の素子をあげるこ
とができる。これは図５（ａ）に構造図を示すように、
ＤＢＲレーザの出力側にテーパ導波路となるＩｎＧａＡ
ｓＰガイド層５０３が形成された素子である。ガイド層
はレーザ側から出射端面に向かって幅が徐々に狭くなる
構成となっており、それによって光スポットサイズを出
力端面に向かって大きくしていく機能を有する。この例
ではスポットサイズの大きくなった光電界に対して吸収
損失が大きくならないように特にテーパ導波領域５１２
においてガイド層５０３の周囲を低ドープ層、ないしノ
ンドープ層で覆うような構成としている。すなわちガイ
ド層５０３の下側には低ドープｎ−ＩｎＰバッファ層５
０２を、上側にはノンドープＩｎＰ層５０６を形成して
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら第１の従
来例の場合、出力導波路が上下をそれぞれｐ型のＩｎＰ
層４０３、ｎ型のＩｎＰ基板４０１で挟まれる構成とな
っており、特にテーパ導波路部分での吸収損失が無視で
きないレベルとなっている。実際結合効率は３ｄＢ程度
と十分に低減されているとはいえない。またこの例では
導波路幅は１．５μm 一定としており、そのためにレー
ザ領域４０７とテーパ導波領域４０８とで導波路の厚さ
を５：１と極端に大きな差をつける必要が生じ、素子作
製上のトレランスや、作製歩留まりが十分ではなかっ
た。
来例の場合、出力導波路が上下をそれぞれｐ型のＩｎＰ
層４０３、ｎ型のＩｎＰ基板４０１で挟まれる構成とな
っており、特にテーパ導波路部分での吸収損失が無視で
きないレベルとなっている。実際結合効率は３ｄＢ程度
と十分に低減されているとはいえない。またこの例では
導波路幅は１．５μm 一定としており、そのためにレー
ザ領域４０７とテーパ導波領域４０８とで導波路の厚さ
を５：１と極端に大きな差をつける必要が生じ、素子作
製上のトレランスや、作製歩留まりが十分ではなかっ
た。
【０００５】また第２の従来例においては平面状にガイ
ド層等を成長した後に通常の半導体のエッチングによっ
てガイド層幅を０．４５μm 程度に加工しており、やは
り製作上の再現性などに問題があった。またガイド層５
０３の周囲を低濃度のクラッド層で覆うために、選択エ
ッチング、選択再成長のプロセスによってテーパ導波路
領域５１２のみにノンドープＩｎＰ層５０６を成長する
手法を採用しており、成長回数が多く、やはり歩留まり
低下につながっていた。
ド層等を成長した後に通常の半導体のエッチングによっ
てガイド層幅を０．４５μm 程度に加工しており、やは
り製作上の再現性などに問題があった。またガイド層５
０３の周囲を低濃度のクラッド層で覆うために、選択エ
ッチング、選択再成長のプロセスによってテーパ導波路
領域５１２のみにノンドープＩｎＰ層５０６を成長する
手法を採用しており、成長回数が多く、やはり歩留まり
低下につながっていた。
【０００６】本発明の目的は上述の観点に立って、単一
モード光ファイバとの結合が容易で、かつ製造歩留まり
の高い出力導波路集積型半導体レーザ、およびその製造
方法を提供することにある。
モード光ファイバとの結合が容易で、かつ製造歩留まり
の高い出力導波路集積型半導体レーザ、およびその製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の出力導波路集積
型半導体レーザは、発光再結合する活性層と、光ファイ
バとの光結合を容易にする出力導波路とが同一基板上に
モノリシックに集積された出力導波路集積型半導体レー
ザにおいて、前記出力導波路が埋め込み構造となってお
り、その幅、厚さがそれぞれ前記活性層の幅、厚さより
も小さく、かつ、一定の幅、および一定の厚さを有し、
活性層を有するＬＤ領域には前記出力導波路と同じ幅の
遷移領域が形成されていることを特徴とする。このよう
な構成により出力導波路での伝搬損失が十分抑制され、
単一モードファイバとの結合の容易な半導体レーザが得
られる。
型半導体レーザは、発光再結合する活性層と、光ファイ
バとの光結合を容易にする出力導波路とが同一基板上に
モノリシックに集積された出力導波路集積型半導体レー
ザにおいて、前記出力導波路が埋め込み構造となってお
り、その幅、厚さがそれぞれ前記活性層の幅、厚さより
も小さく、かつ、一定の幅、および一定の厚さを有し、
活性層を有するＬＤ領域には前記出力導波路と同じ幅の
遷移領域が形成されていることを特徴とする。このよう
な構成により出力導波路での伝搬損失が十分抑制され、
単一モードファイバとの結合の容易な半導体レーザが得
られる。
【０００８】
【０００９】本発明の出力導波路集積型半導体レーザの
製造方法は、半導体基板上にノンドープのバッファ層を
形成し、前記バッファ層の一部領域に基板にとどく深さ
まで不純物を拡散する工程と、前記基板上に部分的に長
手方向に幅および空隙部間隔の異なる複数の絶縁膜マス
クを形成し、前記空隙部の広い領域、狭い領域にそれぞ
れ活性層、および出力導波路となる導波層を含む半導体
多層膜を成長する工程と、前記半導体多層膜を覆う埋め
込み層を成長する工程とを含むことを特徴とする。
製造方法は、半導体基板上にノンドープのバッファ層を
形成し、前記バッファ層の一部領域に基板にとどく深さ
まで不純物を拡散する工程と、前記基板上に部分的に長
手方向に幅および空隙部間隔の異なる複数の絶縁膜マス
クを形成し、前記空隙部の広い領域、狭い領域にそれぞ
れ活性層、および出力導波路となる導波層を含む半導体
多層膜を成長する工程と、前記半導体多層膜を覆う埋め
込み層を成長する工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【作用】活性層では十分な利得が得られるように光閉じ
込め係数を適度な大きさに設定する必要があり、一方、
出力導波路では光のスポットサイズを可能な限り大きく
したいので、導波路サイズをできる限り小さくする必要
がある。そのためには導波路の断面形状を出力導波路に
おいて活性層よりも幅、厚さとも小さく設定することが
有効となる。特に従来例のように幅か、あるいは厚さの
一方のみを変化させることによって出力導波路でのスポ
ットサイズを広げようとするとその差を相当大きくせざ
るを得なくなり、設計のトレランスが小さくなり、同時
に作製上も困難がある。それに対して本発明のように選
択成長法によって活性層幅をサブミクロンサイズに設定
しておき、出力導波路をそれよりも狭く、かつ薄く形成
することによって高性能な素子を比較的容易に実現でき
る。
込め係数を適度な大きさに設定する必要があり、一方、
出力導波路では光のスポットサイズを可能な限り大きく
したいので、導波路サイズをできる限り小さくする必要
がある。そのためには導波路の断面形状を出力導波路に
おいて活性層よりも幅、厚さとも小さく設定することが
有効となる。特に従来例のように幅か、あるいは厚さの
一方のみを変化させることによって出力導波路でのスポ
ットサイズを広げようとするとその差を相当大きくせざ
るを得なくなり、設計のトレランスが小さくなり、同時
に作製上も困難がある。それに対して本発明のように選
択成長法によって活性層幅をサブミクロンサイズに設定
しておき、出力導波路をそれよりも狭く、かつ薄く形成
することによって高性能な素子を比較的容易に実現でき
る。
【００１１】また導波路を挟むクラッド層に関しては、
活性層側では十分に良好なｐｎ接合が形成される（活性
層を挟むクラッド層として５×１０17cm-3程度のドーピ
ング濃度が望ましい。）必要があるのに対し、出力導波
路側ではそれを覆うクラッド層のドーピング濃度が可能
な限り低く吸収が小さいことが不可欠である。
活性層側では十分に良好なｐｎ接合が形成される（活性
層を挟むクラッド層として５×１０17cm-3程度のドーピ
ング濃度が望ましい。）必要があるのに対し、出力導波
路側ではそれを覆うクラッド層のドーピング濃度が可能
な限り低く吸収が小さいことが不可欠である。
【００１２】本発明では開管拡散などによる選択的な不
純物拡散の手法と選択成長手法を組み合わせることによ
って上述のような、活性層では良好なｐｎ接合が形成さ
れ、出力導波路では吸収の少ない低濃度のクラッド層で
覆われる構成を比較的容易に実現できる。
純物拡散の手法と選択成長手法を組み合わせることによ
って上述のような、活性層では良好なｐｎ接合が形成さ
れ、出力導波路では吸収の少ない低濃度のクラッド層で
覆われる構成を比較的容易に実現できる。
【００１３】
【実施例】以下実施例を示す図面を用いて本発明をより
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例である出力導波路
集積型半導体レーザの作製工程を説明するための斜視図
である。選択成長を行う前の平面図と素子完成後の出力
導波路領域、活性領域での断面図をそれぞれ図２
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す。このような半導体レー
ザは以下の要領で作製することができる。まずｐ−Ｉｎ
Ｐ基板１上にノンドープのＩｎＰバッファ層２を厚さ２
μm 成長する。続いてＬＤ領域のみに選択的にＺｎを拡
散して不純物拡散領域３を形成する。この拡散は石英反
応管中に基板を保持して、ＤＭＺ（ジメチルジンク）と
ＰＨ3 （ホスフィン）を同時に流す開管拡散法によっ
て、６００℃で３０分間程度行い、ノンドープバッファ
層２を突き抜ける深さまで拡散させた。拡散後のドーピ
ング濃度は５×１０17cm-3程度とした。この基板上にＳ
ｉＯ2 絶縁膜を形成し、図２（ａ）に示すように幅と空
隙部の間隔が長手方向に異なるような形状にパターニン
グする。不純物拡散領域３の拡散エッジから５０μm の
部分でマスク幅、空隙部間隔が変化する形状とし、マス
ク幅は出力領域６、ＬＤ領域５でそれぞれ１０μm ，５
０μm 、空隙部間隔はそれぞれ０．５μm ，０．８μm
とした。このようなマスク４を形成した基板１上にノン
ドープＩｎＰスペーサ層７（厚さ５０nm）、出力導波層
８および活性層９、ｎ−ＩｎＰクラッド層１０（厚さ
０．１μm ドーピング濃度２×１０17cm-3）を順次成長
した。出力導波層８および活性層９は選択成長法によっ
て一括して成長することができる。活性層９での多層構
造は図３に示すように、発光波長組成１．１μm の無歪
ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２１（厚さ５０nm）、発光波長
組成１．４μm で＋１．０％の圧縮歪のＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層２２（厚さ７nm）、発光波長組成１．１μm の
無歪ＩｎＧａＡｓＰバリア層２３（厚さ８nm）、発光波
長組成１．１μm の無歪ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２１
（厚さ５０nm）からなる。ウェルの層数は８とした。こ
の後、メサストライプに接するマスクの一部を両側５μ
m づつエッチングにより除去し、再び選択成長法によっ
て低濃度ｎ−ＩｎＰ埋め込み層１１（メサ上部で厚さ３
μm 、ドーピング濃度は積層方向に２×１０17cm-3から
４×１０17cm-3までほぼ線形に変化するようにした）、
高濃度ｎ−ＩｎＰ埋め込み層１２（メサ上部で厚さ４μ
m 、ドーピング濃度５×１０17cm-3）、発光波長組成
１．３μm の無歪ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１３
（厚さ０．５μm 、ドーピング濃度１×１０19cm-3）を
成長し、ＬＤ領域５部分のみに絶縁膜１６、電極１４、
１５等を形成して所望の出力導波路集積型半導体レーザ
を得る。活性層９を構成するＭＱＷ構造の発光波長は
１．３μm 、出力導波路８を形成するＭＱＷ構造の発光
波長は１．２μmであった。ＭＱＷ層の全層厚（ＳＣＨ
層を含む）は活性層９，出力導波路８でそれぞれ２１２
nm，９６nm、ＭＱＷ層の中央での幅は両者でそれぞれ７
００nm，４２０nmであった。マスク４の空隙部間隔が変
化する境界では長手方向に８０μm 程度の遷移領域が形
成され、そのような遷移領域にも電流注入できるような
構成とする事により、その部分で過剰な吸収損失が生じ
ないようにした。なお図１、図２ではマスクの外側の領
域での成長層は省略している。
集積型半導体レーザの作製工程を説明するための斜視図
である。選択成長を行う前の平面図と素子完成後の出力
導波路領域、活性領域での断面図をそれぞれ図２
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す。このような半導体レー
ザは以下の要領で作製することができる。まずｐ−Ｉｎ
Ｐ基板１上にノンドープのＩｎＰバッファ層２を厚さ２
μm 成長する。続いてＬＤ領域のみに選択的にＺｎを拡
散して不純物拡散領域３を形成する。この拡散は石英反
応管中に基板を保持して、ＤＭＺ（ジメチルジンク）と
ＰＨ3 （ホスフィン）を同時に流す開管拡散法によっ
て、６００℃で３０分間程度行い、ノンドープバッファ
層２を突き抜ける深さまで拡散させた。拡散後のドーピ
ング濃度は５×１０17cm-3程度とした。この基板上にＳ
ｉＯ2 絶縁膜を形成し、図２（ａ）に示すように幅と空
隙部の間隔が長手方向に異なるような形状にパターニン
グする。不純物拡散領域３の拡散エッジから５０μm の
部分でマスク幅、空隙部間隔が変化する形状とし、マス
ク幅は出力領域６、ＬＤ領域５でそれぞれ１０μm ，５
０μm 、空隙部間隔はそれぞれ０．５μm ，０．８μm
とした。このようなマスク４を形成した基板１上にノン
ドープＩｎＰスペーサ層７（厚さ５０nm）、出力導波層
８および活性層９、ｎ−ＩｎＰクラッド層１０（厚さ
０．１μm ドーピング濃度２×１０17cm-3）を順次成長
した。出力導波層８および活性層９は選択成長法によっ
て一括して成長することができる。活性層９での多層構
造は図３に示すように、発光波長組成１．１μm の無歪
ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２１（厚さ５０nm）、発光波長
組成１．４μm で＋１．０％の圧縮歪のＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層２２（厚さ７nm）、発光波長組成１．１μm の
無歪ＩｎＧａＡｓＰバリア層２３（厚さ８nm）、発光波
長組成１．１μm の無歪ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層２１
（厚さ５０nm）からなる。ウェルの層数は８とした。こ
の後、メサストライプに接するマスクの一部を両側５μ
m づつエッチングにより除去し、再び選択成長法によっ
て低濃度ｎ−ＩｎＰ埋め込み層１１（メサ上部で厚さ３
μm 、ドーピング濃度は積層方向に２×１０17cm-3から
４×１０17cm-3までほぼ線形に変化するようにした）、
高濃度ｎ−ＩｎＰ埋め込み層１２（メサ上部で厚さ４μ
m 、ドーピング濃度５×１０17cm-3）、発光波長組成
１．３μm の無歪ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１３
（厚さ０．５μm 、ドーピング濃度１×１０19cm-3）を
成長し、ＬＤ領域５部分のみに絶縁膜１６、電極１４、
１５等を形成して所望の出力導波路集積型半導体レーザ
を得る。活性層９を構成するＭＱＷ構造の発光波長は
１．３μm 、出力導波路８を形成するＭＱＷ構造の発光
波長は１．２μmであった。ＭＱＷ層の全層厚（ＳＣＨ
層を含む）は活性層９，出力導波路８でそれぞれ２１２
nm，９６nm、ＭＱＷ層の中央での幅は両者でそれぞれ７
００nm，４２０nmであった。マスク４の空隙部間隔が変
化する境界では長手方向に８０μm 程度の遷移領域が形
成され、そのような遷移領域にも電流注入できるような
構成とする事により、その部分で過剰な吸収損失が生じ
ないようにした。なお図１、図２ではマスクの外側の領
域での成長層は省略している。
【００１５】このようにして作製した半導体レーザで、
レーザ領域の長さ１５０μm 、出力導波領域の長さ１６
０μm とし、レーザ領域側端面、出力領域側端面にそれ
ぞれ９５％，６０％の高反射を形成して特性を評価し
た。その結果室温、８５℃におけるしきい値電流、スロ
ープ効率として、それぞれ３ｍＡ，０．３５Ｗ／Ａ，６
ｍＡ，０．２５Ｗ／Ａと単体レーザでの最高値に匹敵す
る優れた性能を得た。放射角は横方向、縦方向にそれぞ
れ７．５度、９．６度と小さな値を得た。さらにフラッ
ト端面の単一モードファイバ（コア径１０μm ）への結
合効率として２ｄＢ、最適値から１ｄＢ結合損失の増加
する範囲として上下方向、横方向とも２．５μm と高い
トレランスを実現した。
レーザ領域の長さ１５０μm 、出力導波領域の長さ１６
０μm とし、レーザ領域側端面、出力領域側端面にそれ
ぞれ９５％，６０％の高反射を形成して特性を評価し
た。その結果室温、８５℃におけるしきい値電流、スロ
ープ効率として、それぞれ３ｍＡ，０．３５Ｗ／Ａ，６
ｍＡ，０．２５Ｗ／Ａと単体レーザでの最高値に匹敵す
る優れた性能を得た。放射角は横方向、縦方向にそれぞ
れ７．５度、９．６度と小さな値を得た。さらにフラッ
ト端面の単一モードファイバ（コア径１０μm ）への結
合効率として２ｄＢ、最適値から１ｄＢ結合損失の増加
する範囲として上下方向、横方向とも２．５μm と高い
トレランスを実現した。
【００１６】なお実施例においてはＩｎＰを基板とする
半導体材料系のものを示したが、用いる材料系はもちろ
んこれに限るものではない。また埋め込み構造として選
択成長を採用した埋め込みリッジ構造のものを示した
が、これに限らず、電流ブロック層を有する埋め込み構
造としても何等差し支えない。
半導体材料系のものを示したが、用いる材料系はもちろ
んこれに限るものではない。また埋め込み構造として選
択成長を採用した埋め込みリッジ構造のものを示した
が、これに限らず、電流ブロック層を有する埋め込み構
造としても何等差し支えない。
【００１７】
【発明の効果】本発明の、単一モードファイバとの光結
合が容易な出力導波路集積型半導体レーザは、（１）出
力導波路の幅と厚さをそれぞれ活性層の幅、厚さよりも
小さく設定し、また（２）部分的な不純物拡散工程、お
よび選択成長法によって作製した。これによって出力導
波路での伝搬損失が十分抑制され、単一モードファイバ
との結合の容易な半導体レーザが、高い製造歩留まりで
提供できるようになった。
合が容易な出力導波路集積型半導体レーザは、（１）出
力導波路の幅と厚さをそれぞれ活性層の幅、厚さよりも
小さく設定し、また（２）部分的な不純物拡散工程、お
よび選択成長法によって作製した。これによって出力導
波路での伝搬損失が十分抑制され、単一モードファイバ
との結合の容易な半導体レーザが、高い製造歩留まりで
提供できるようになった。
【図１】本発明の実施例の製作工程を示すための斜視図
である。
である。
【図２】（ａ）は基板上にマスクを形成した状態での平
面図であり、（ｂ）は出力導波路領域での素子断面図で
あり、（ｃ）活性領域での素子断面図である。
面図であり、（ｂ）は出力導波路領域での素子断面図で
あり、（ｃ）活性領域での素子断面図である。
【図３】活性層での層構造を示すエネルギーバンド構造
図である。
図である。
【図４】第１の従来例の斜視図である。
【図５】第２の従来例の斜視図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ 不純物拡散領域 ４ マスク ５ ＬＤ領域 ６ 出力導波領域 ７ スペーサ層 ８ 出力導波層 ９ 活性層 １０ クラッド層 １１ 低濃度埋め込み層 １２ 高濃度埋め込み層 １３ コンタクト層 １４、１５ 電極 １６ 絶縁膜 ２１ ＳＣＨ層 ２２ ウェル層 ２３ バリア層 ４０１ 基板 ４０２ 導波路 ４０３ ｐ−ＩｎＰ層 ４０４ ｎ−ＩｎＰ層 ４０５、４０６ 電極 ４０７ レーザ領域 ４０８ テーパ導波領域 ５０１ 基板 ５０２ バッファ層 ５０３ ガイド層 ５０４ ｐ−ＩｎＰ層 ５０５ 低ドープｎ−ＩｎＰ層 ５０６ ノンドープＩｎＰ層 ５０７ クラッド層 ５１０ 活性層領域 ５１１ ＤＢＲ領域 ５１２ テーパ導波路領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−323139（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−116135（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−114767（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260727（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−37341（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−105383（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−221390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−183091（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 G02B 6/12
Claims (2)
- 【請求項１】 発光再結合する活性層と、光ファイバと
の光結合を容易にする出力導波路とが同一基板上にモノ
リシックに集積された出力導波路集積型半導体レーザに
おいて、前記出力導波路が埋め込み構造となっており、
前記出力導波路の幅、厚さがそれぞれ前記活性層の幅、
厚さよりも小さく、かつ、一定の幅、および一定の厚さ
を有し、前記活性層を有するＬＤ領域には前記出力導波
路と同じ幅の遷移領域が形成されていることを特徴とす
る出力導波路集積型半導体レーザ。 - 【請求項２】 半導体基板上にノンドープのバッファ層
を形成し、前記バッファ層の一部領域に基板にとどく深
さまで不純物を拡散する工程と、前記基板上に部分的に
長手方向に幅および空隙部間隔の異なる複数の絶縁膜マ
スクを形成し、前記空隙部の広い領域、狭い領域にそれ
ぞれ活性層、および導波路となる導波層を含む半導体多
層膜を成長する工程と、前記半導体多層膜を覆う埋め込
み層を成長する工程とを含むことを特徴とする出力導波
路集積型半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263760A JP2865000B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 出力導波路集積半導体レーザとその製造方法 |
| US08/548,912 US5657338A (en) | 1994-10-27 | 1995-10-26 | Tapered thickness waveguide integrated semiconductor laser |
| US08/799,931 US5792674A (en) | 1994-10-27 | 1997-02-13 | Method of making a tapered thickness waveguide intergrated semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263760A JP2865000B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 出力導波路集積半導体レーザとその製造方法 |
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|---|---|
| JPH08125279A JPH08125279A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2865000B2 true JP2865000B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=17393905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6263760A Expired - Lifetime JP2865000B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 出力導波路集積半導体レーザとその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2865000B2 (ja) |
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1994
- 1994-10-27 JP JP6263760A patent/JP2865000B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-26 US US08/548,912 patent/US5657338A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-13 US US08/799,931 patent/US5792674A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| US5792674A (en) | 1998-08-11 |
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