JPH10221554A

JPH10221554A - 導波路型半導体光素子および光通信システム

Info

Publication number: JPH10221554A
Application number: JP2347497A
Authority: JP
Inventors: Makoto Takahashi; 誠高橋; Masahiro Aoki; 雅博青木; Hiroshi Sato; 宏佐藤; Shinji Tsuji; 伸二辻; Kazuhisa Uomi; 和久魚見; So Otoshi; 創大歳
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-02-06
Filing date: 1997-02-06
Publication date: 1998-08-21

Abstract

(57)【要約】【課題】特性を劣化することなく、導波路型半導体光素
子のスポットサイズを変換する。【解決手段】コアとクラッドの間の屈折率差を、スポッ
トサイズの大きい領域で多く、小さい領域で少なくす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型半導体光
素子および光通信システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体光モジュールに用いられ
る光ファイバ，光導波路、および半導体レーザや光変調
器の様な導波路型半導体光素子のスポットサイズは異な
っている。このため、これらの素子同士を直接結合して
も光結合効率は低い。そこで、従来は光学レンズを用い
て、どちらかの素子のスポットサイズを他方に合わせる
方法が取られていた。しかし、この方法は光学レンズと
素子との位置合わせに高い精度を要する。この精度は現
在の一般的な自動組立装置の精度を越えているため、従
来は組立の自動化による実装コストの低減は困難であっ
た。

【０００３】近年、この問題を解決するために、導波路
型半導体光素子にスポットサイズを変換するための光導
波路を集積した素子の開発が盛んになっている。集積し
た光導波路により予め素子間のスポットサイズを合わせ
ておけば、素子相互の位置合わせ精度が低い場合でも高
い光結合効率が得られる。このため、これらの素子を用
いた場合、自動装置による組立が可能になり、実装コス
トを大幅に低減することができる。本技術の公知例は、
アイイーイーイーフォトニクステクノロジーレタ
ー（IEEE Photonics Technol. Lett.,）ｖol．６，ｐ
ｐ．１０８０−１０８１，１９９４が挙げられる。本公
知例では、集積した光導波路によって半導体レーザのス
ポットサイズを拡大し、スポットサイズの大きな光ファ
イバとの結合効率を高めている。半導体レーザのスポッ
トサイズを拡大するためには、集積する光導波路のコア
厚さを出射端に向かって薄くすれば良い。コア厚さを変
調するためには、コアを領域選択成長法やシャドウマス
ク成長法によりコアを形成すれば良い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、光ファイバの
スポットサイズは半導体レーザの４倍ないしは５倍以上
ある。このため、半導体レーザのスポットサイズを光フ
ァイバに近付けて光結合効率を上げるためには、一般に
集積する光導波路内でのコア膜厚を少なくとも１／３以
下に大きく変調する必要がある。この時、光結合効率は
膜厚変調度が大きいほど高くなる。ところが、領域選択
成長法やシャドウマスク成長法では、膜厚変調度を大き
くすると結晶性が劣化しやすい。結晶性の劣化は、しき
い電流の増大やスロープ効率の低下などの素子特性の劣
化を招く。このため従来は、光結合効率を上げると素子
特性が劣化しやすいという問題があった。そこで、本発
明の目的は低い膜厚変調度で大きくスポットサイズを変
換することができる導波路型半導体光素子、およびそれ
を用いた光モジュールを提供することにある。

【０００５】また、コア厚さを低減することに加えて、
ストライプ幅を広げることも半導体レーザのスポットサ
イズを拡大するために効果がある。しかし、コアが厚い
場合にはストライプ幅を広げると、光分布が高次モード
をとりやすい。高次モードが発生すると、注入電流と光
結合効率との関係にキンクが生じやすくなってしまう。
このため、従来は膜厚変調度が低い場合には、ストライ
プ幅を大きく広げることは困難であった。そこで、本発
明の第二の目的は膜厚変調度が低い場合にストライプ幅
を広げても、光分布に高次モードが発生しにくい導波路
型半導体光素子、およびそれを用いた光モジュールを提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】コア厚さが薄くなるとス
ポットサイズが拡大するのは、光がコアから漏れ出しや
すくなるからである。しかし、光はコアとクラッドの屈
折率差が小さい場合にも漏れ出しやすくなる。このた
め、スポットサイズはコアとクラッドの屈折率差を小さ
くしても拡大できる。この場合は、従来より低い膜厚変
調でも、同等にスポットサイズを拡大することができ
る。

【０００７】しかし、一般に導波路型光素子では素子特
性の観点からスポットサイズには制限がある。例えば、
半導体レーザではスポットサイズを大きくするとコアへ
の光の閉じ込めが弱くなるため、しきい電流特性等が劣
化する。このため、スポットサイズ拡大用光導波路を集
積する場合にも、コアとクラッドの屈折率差を少なくす
るわけには行かない。

【０００８】そこで、本発明では、光素子と集積するス
ポットサイズ変換用光導波路との間でコアとクラッドの
屈折率差を変える。つまり、スポットサイズの大きい方
での屈折率差を他方より少なくする。この様にすれば、
低い膜厚変調度で素子特性を劣化させることなく、スポ
ットサイズの拡大を可能にできる。

【０００９】コアとクラッドの屈折率差を変えるために
は、たとえばスポットサイズ拡大用光導波路において、
クラッドより高い屈折率を有する層をクラッド内に形成
すれば良い。また、コアとクラッドの屈折率差を光素子
と集積するスポットサイズ変換用光導波路との間で変え
た例は従来知られていない。

【００１０】また、高次モードは、コアとクラッドの屈
折率差が小さいほど生じにくい。このため、本発明によ
れば高次モードの発生をも抑制できる。

【００１１】また、高次モードはクラッドと埋め込み層
との屈折率差が小さいほど生じにくい。そこで、本発明
では高次モードが発生しやすいコア幅が広い領域におい
て、屈折率の高い埋め込み材を用いることにより高次モ
ードを抑制する。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に本発明の第一の実施例とし
てリッジ型素子の構造を示す。本素子はレーザ部とビー
ム拡大部とからなり、図１（ａ）および（ｂ）はそれぞ
れレーザ部およびビーム拡大部での光軸に垂直な方向の
断面図である。また、図２（ａ）および（ｂ）はそれぞ
れ図１内でのＡ１−Ａ２−Ａ１′−Ａ２′を含む垂直断
面図およびＢ１−Ｂ２−Ｂ１′−Ｂ２′を含む水平断面
図である。

【００１３】図２で波線より左側がレーザ部１００，右
側がビーム拡大部１１０である。両領域ともｎ型ＩｎＰ
基板１０，ｎ型高屈折率クラッド層２０，コア層３０，
ｐ型高屈折率クラッド層２２およびｐ型ＩｎＰクラッド
４０を有する。更にレーザ部では、ｐ型ＩｎＰクラッド
４０の上に電極との導通の高いｐ型InGaAsキャップ層５
０を設ける。ここで、コア層３０は多重量子井戸活性層
および上下ガイド層より形成する。この時、図２(ａ)に
示す様にコア層３０の厚さはレーザ部１００で一定で、
ビーム拡大部１１０で減少する。また、ｎ型高屈折率ク
ラッド層２０およびｐ型高屈折率クラッド層２２はレー
ザ部１００で薄く、ビーム拡大部１１０で厚くする。こ
こで、ｎ型高屈折率クラッド層２０およびｐ型高屈折率
クラッド層２２の屈折率は、ｎ型ＩｎＰ基板１０とコア
層３０との間、もしくはｐ型InPクラッド４０とコア層
３０との間をとる。ｎ型高屈折率クラッド層２０および
ｐ型高屈折率クラッド層２２は例えば、ＩｎＰとInGaAs
P との交互成長層等により作製できる。

【００１４】この様にすれば、レーザ部１００ではクラ
ッドの等価的な屈折率はｎ型ＩｎＰ基板１０もしくはｐ
型ＩｎＰクラッド４０にほぼ等しくなり、ビーム拡大部
110ではクラッドの等価的な屈折率はｎ型高屈折率クラ
ッド層２０もしくはｐ型高屈折率クラッド層２２にほぼ
等しくなる。このため、ビーム拡大部１１０ではコアと
クラッドの屈折率差が少なくなり、コアの膜厚変調が少
ない場合でもスポットサイズが広がりやすくなる。ま
た、ストライプは、通常のエッチングによりメサを形成
した後、コア層３０およびｐ型ＩｎＰクラッド４０の表
面をＳｉＯ₂ ６０で覆い、更にポリイミド７０で埋め込
む。

【００１５】図２（ｂ）に示す様に、ストライプ幅はレ
ーザ部では一定とし、ビーム拡大部ではテーパ状に広げ
る。図では、ストライプの形状を直線で示したが、電界
の変化が準静的になる様に曲線的に変化させれば更に良
い。また、埋め込み型素子の様な場合は、ストライプ幅
を必ずしも広げる必要はなく、一定もしくは狭めても良
い。更に、ｎ電極９０を基板裏面に、ｐ電極８０をレー
ザ部に作製する。また、図２（ｃ）に示す様にビーム拡
大部１１０において、メサをポリイミド７０やＳｉＯ₂
６０よりも屈折率の高い高屈折率埋め込み層７５で形成
すれば、水平方向の光の閉じ込めを弱くできる。このた
め、ストライプ幅が等しい場合、従来より低い膜厚比で
も高次モードの発生を抑制できる。

【００１６】次に、本実施例の作製法を説明する。ま
ず、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に図３(ａ)の様な成長阻害マ
スクを形成した領域選択成長法により、図４（ａ）の様
にｎ型高屈折率クラッド層２０をビーム拡大部１１０で
厚くなる様に形成する。次に、このマスクを除去し、新
たに図３（ｂ）の様な成長阻害マスクを形成し、図４
（ｂ）の様にコア層３０をビーム拡大部１１０で薄くな
る様に形成する。さらに、このマスクを除去し、新たに
図３（ａ）の様な成長阻害マスクを形成し、ｐ型高屈折
率クラッド層２２をビーム拡大部１１０で厚くなる様に
形成する。最後に、通常の結晶成長法により、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド４０およびｐ型InGaAsキャップ層５０（図１
参照）を成長した後、通常の方法によりメサおよび電極
を形成すれば本素子は作製できる。

【００１７】高屈折率クラッド層２０，２２がビーム拡
大部１１０で厚くなる様に形成しておけば、それだけで
もビームは拡大するので、本発明では必ずしもコア厚を
薄くする必要はなく、図５（ａ）の様に広げても良く、
また変調しなくても良い。また、図５（ｂ）の様に高屈
折率クラッド層２０または２２のいずれかがコアのどち
らか片側のみにある場合も有効である。

【００１８】図６（ａ）に本発明の第二の実施例の層構
造を示す。本実施例も第一の実施例と同様に、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１０，ｎ型高屈折率クラッド層２０，コア層３
０，ｐ型高屈折率クラッド層２２およびｐ型ＩｎＰクラ
ッド４０を有する。更に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２５お
よびｐ型ＩｎＰバッファ層３５を、コア層３０とｎ型高
屈折率クラッド層２０との間、およびコア層３０とｐ型
高屈折率クラッド層２２の間に有する。本実施例では、
一回の領域選択成長によりｎ型ＩｎＰバッファ層２５，
コア層３０およびｐ型ＩｎＰバッファ層３５をビーム拡
大部１１０で厚くなる様に形成し、ｎ型高屈折率クラッ
ド層２０およびｐ型高屈折率クラッド層２２は通常成長
で成長する。

【００１９】本構造では、レーザ部１００では光の閉じ
込めが強いことに加えて両ＩｎＰバッファ層が厚いため
クラッドの等価的な屈折率はほぼＩｎＰに等しくなる。
また、ビーム拡大部１１０ではビームが広がっているこ
とに加えＩｎＰバッファ層が薄いためクラッドの等価的
な屈折率はほぼ高屈折率クラッド層に等しくなる。この
様に、高屈折率クラッド層の厚さが一定でも、本構造に
よればコアとクラッドの屈折率差両領域で変えて、スポ
ットサイズを容易に拡大することができる。また、本実
施例においても図６（ｂ）の様に高屈折率クラッド層を
コアの片側のみに設けても良い。

【００２０】また一般に、コアの両側のクラッド層の間
に屈折率差がある場合は、光は屈折率の高い方のクラッ
ドに広がりやすい。例えば、不純物濃度が同程度の場合
にはｎ型半導体の屈折率はｐ型半導体より低いので、光
はｐ型半導体の方に広がる。しかし、この時ｐ型半導体
の方にも光の広がりを抑制する様な要因がある場合に
は、光はいずれの側にも広がらないので、素子のスポッ
トサイズを拡大することは困難になる。

【００２１】例えば、ｎ型基板上に作製したリッジ型半
導体レーザでは光は、上記屈折率の導電型依存性により
ｎ型基板側ではなくｐ型ＩｎＰクラッド側へ広がりやす
い。しかし、ｐ型クラッド層は屈折率の低い材料で埋め
込まれているため、クラッド層厚が小さい場合、光はｐ
型クラッド層内でも広がりにくい。また、ｎ型基板上に
作製した埋め込み型半導体レーザでも光はｎ型基板側で
はなくｐ型ＩｎＰクラッド側へ広がりやすい。しかし、
この場合もｐ型クラッド層は屈折率の低い材料で埋め込
まれているため、光の広がりは制限されやすい。

【００２２】そこで、本発明の第三の実施例ではコアの
基板側に、基板より屈折率の高い層を挿入し、光を基板
側にも広がりやすい様にする。この様にすれば、膜厚比
が等しい場合、従来構造に比べてスポットサイズをより
広げることができる。図７および図８に本発明の第三の
実施例の層構造およびビーム拡大部端での断面構造を示
す。本実施例では、ｎ型ＩｎＰ基板１０とコア層３０の
間にｎ型高屈折率クラッド層２０を有する。ここで、ｎ
型高屈折率クラッド層２０はｎ型ＩｎＰ基板１０より高
い屈折率を有する。ｎ型バッファ層１２０は例えばＩｎ
ＰとInGaAsPとの交互成長により作製すれば良い。この
場合、ｎ型高屈折率クラッド層２０はレーザ部１００で
薄くビーム拡大部１１０で厚くすれば更に良い。また、
レーザ部１００でのコアへの光閉じ込めが素子特性の観
点から十分に得られる場合には、ｎ型高屈折率クラッド
層２０の厚さを図７の様に両領域で一定にしても良い。
また、本実施例は基板の導電型をｐ型にしたり基板の不
純物濃度を下げることによっても実現でき、この場合は
バッファ層は不要である。

【００２３】図９に本発明の第四の実施例として、本発
明の提供するビーム拡大機能集積化半導体レーザを用い
て光モジュールを形成した場合を示す。図９（ａ）に上
面図を、図９(ｂ)にＡ−Ａ′での断面図を示す。図は石
英ガラス系の光導波路８０１を上面に形成したシリコン
基板８１０上に本発明による半導体レーザ８０２および
導波路型受講素子８０３を搭載した例である。光導波路
８０１はシリコン基板８１０上に形成された、石英ガラ
スよりなる下部クラッド８１２，調整用クラッド８１
３，石英ガラスコア８１４、および上部クラッド８１５
からなる。ここで、素子搭載部８０５は電極７２０，７
２１，７２２，７３０，７３１，７３２を有する導波路
基板８００上にあり、素子と電極はワイヤ８０９で接続
されている。また、光導波路８０１は光ファイバ９０２
と結合されている。また、モジュールはパッケージ９０
１で封止され外部に電極９００が出されている。半導体
レーザはシリコン基板８１０に形成されたシリコン酸化
膜８１６上にソルダ８８２を介して、コア層８２１が下
に、基板８２０が上になる様に設置される。この際、ビ
ームが十分に拡大しているため、光学レンズを使用せず
に、１.５(ｄＢ）から２.５(ｄＢ）程度の光結合特性が
得られる。

【００２４】以上の実施例では、リッジ型半導体レーザ
を例に取って説明したが、埋め込み型半導体レーザにつ
いても埋め込み層の屈折率を低くすれば同様の効果を得
ることができる。また、ビーム変換器を集積する素子と
しては半導体レーザを例に取って説明したが、本発明は
光増幅器，光変調器，光スイッチ，光検出器，光回路等
の導波路型光素子についても有効である。また、ビーム
変換としては拡大を例に取ったが、縮小についても有効
である。更に、本発明は半導体の導電型および材料系に
依らず有効であり、上記実施例で説明した場合に制限さ
れない。

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば導波路型半導体光素子の
特性を損ねることなく、スポットサイズを変換できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第一の実施例の断面図。

【図２】本発明による第一の実施例の層構造およびスト
ライプ形状を示す説明図。

【図３】本発明による第一の実施例を作製するための成
長阻害マスクを示す説明図。

【図４】本発明による第一の実施例の作製法を示す説明
図。

【図５】本発明による第一の実施例の層構造の説明図。

【図６】本発明による第二の実施例の層構造を示す説明
図。

【図７】本発明による第三の実施例の層構造を示す説明
図。

【図８】本発明による第三の実施例の断面図。

【図９】本発明による第四の実施例を示す説明図。

【符号の説明】

１０…ｎ型ＩｎＰ基板、２０…ｎ型高屈折率クラッド、
３０…コア層、２２…ｐ型高屈折率クラッド、２５…ｎ
型ＩｎＰバッファ層、３５…ｐ型ＩｎＰバッファ層、４
０…ｐ型ＩｎＰクラッド、５０…ｐ型InGaAsキャップ
層、６０…ＳiＯ₂、７０…ポリイミド、８０…ｐ電極、
９０…ｎ電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻伸二東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者魚見和久東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者大歳創東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一の導電型の半導体基板上にコア層およ
び第二の導電型のクラッド層を含む導波路型半導体光素
子において、ストライプ幅が一定もしくは変調し上記コ
ア層の厚さが一定もしくは変調する複数のスポットサイ
ズの異なる領域が光軸方向に直列に集積化され、一つ以
上の領域で基板より高い屈折率を有する第一の導電型の
高屈折率クラッド層または第二の導電型のクラッド層よ
り高い屈折率を有する第二の導電型の高屈折率クラッド
層のいずれかもしくは双方を有し、上記第一の導電型の
高屈折率クラッド層および上記第二の導電型の高屈折率
クラッド層は各領域内で厚さが一定かもしくは変調して
おり、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層を有する
場合には、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層は、
上記基板と上記コア層の間にあり、隣り合う領域の間で
スポットサイズの大きい方のみにあるか、もしくは領域
内での平均的な厚さがスポットサイズの大きい方の領域
で他方よりも大きく、上記第二の導電型の高屈折率クラ
ッド層を有する場合には、上記第二の導電型の高屈折率
クラッド層は、上記第二の導電型のクラッド層と上記コ
ア層の間にあり、隣り合う領域の間でスポットサイズの
大きい方の領域のみにあるか、もしくは領域内での平均
的な厚さがスポットサイズの大きい方の領域で他方より
も大きいことを特徴とする導波路型半導体光素子。
【請求項２】第一の導電型の半導体基板上にコア層およ
び第二の導電型のクラッド層を含む導波路型半導体光素
子において、ストライプ幅が一定もしくは変調し上記コ
ア層の厚さが一定もしくは変調する複数のスポットサイ
ズの異なる領域が光軸方向に直列に集積化され、一つ以
上の領域で基板より高い屈折率を有する第一の導電型の
高屈折率クラッド層または第二の導電型のクラッド層よ
り高い屈折率を有する第二の導電型の高屈折率クラッド
層のいずれかもしくは双方を有し、上記第一の導電型の
高屈折率クラッド層および上記第二の導電型の高屈折率
クラッド層は各領域内で厚さが一定かもしくは変調して
おり、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層を有する
場合には、上記第一の導電型の高屈折率クラッド層は、
上記基板と上記コア層の間にあり、少なくとも一対の隣
り合う領域で上記第一の導電型の高屈折率クラッド層ま
たは上記第二の導電型の高屈折率クラッド層の一方もし
くは双方の厚さが一定で等しく、隣り合う領域の間で等
しい厚さを有する上記第一の導電型の高屈折率クラッド
層もしくは隣り合う領域の間で等しい厚さを有する上記
第二の導電型の高屈折率クラッド層の少なくとも一方に
は、スポットサイズの大きい方の領域において、光軸に
垂直な断面内での光強度の２０％以上があり、上記第一
の導電型の高屈折率クラッド層または上記第二の導電型
の高屈折率クラッド層の一方もしくは双方の厚さが一定
で等しい隣り合う領域のうちのスポットサイズの大きい
方の領域で、光軸に垂直な断面内での光強度の総和がい
ずれの導電型についても３０％以上あることを特徴とす
る導波路型半導体光素子。
【請求項３】上記第一の導電型の高屈折率クラッド層の
屈折率が上記第二の導電型のクラッド層の屈折率よりも
高いか等しい請求項１または２に記載の導波路型半導体
光素子。
【請求項４】上記第一の導電型の高屈折率クラッド層の
屈折率が上記第二の導電型のクラッド層の屈折率よりも
低く、かつ両者の屈折率差が０.０７未満である請求項
１または２に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項５】一つ以上の領域で、厚さが一定もしくは変
調し上記第一の導電型の高屈折率クラッド層より低い屈
折率を有する第一の導電型のバッファ層、もしくは厚さ
が一定もしくは変調し上記第二の導電型の高屈折率クラ
ッド層より低い屈折率を有する第二の導電型のバッファ
層のいずれかもしくは双方を有し、上記第一の導電型の
バッファ層を有する場合には、一つ以上の領域で、上記
第一の導電型の高屈折率クラッド層を有し、上記第一の
導電型のバッファ層は上記第一の導電型の高屈折率クラ
ッド層とコア層の間にあり、第二の導電型のバッファ層
を有する場合には、一つ以上の領域で、上記第二の導電
型の高屈折率クラッド層を有し、上記第二の導電型のバ
ッファ層は上記第二の導電型の高屈折率クラッド層とコ
ア層の間にある請求項１，２，３または４に記載の導波
路型半導体光素子。
【請求項６】上記第一の導電型のバッファ層が、隣り合
う領域の間でスポットサイズの小さい方の領域のみにあ
るかもしくはスポットサイズの小さい方の領域での厚さ
が他方よりも厚い、もしくは上記第二の導電型のバッフ
ァ層が、隣り合う領域の間でスポットサイズの小さい方
の領域のみにあるかもしくはスポットサイズの小さい方
の領域での厚さが他方よりも厚い請求項５に記載の導波
路型半導体光素子。
【請求項７】上記第一の導電型の高屈折率クラッド層を
有さず、上記第一の導電型の半導体基板の屈折率が上記
第二の導電型のクラッド層の屈折率よりも高いか等しい
請求項１，２，３，４，５または６に記載の導波路型半
導体光素子。
【請求項８】上記第一の導電型の高屈折率クラッド層を
有さず、上記第一の導電型の半導体基板の屈折率が上記
第二の導電型のクラッド層の屈折率よりも低く、両者の
屈折率差が０.０７未満である請求項１，２，３，４，
５または６に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項９】メサ形成材料の屈折率が、隣り合う領域の
うちのスポットサイズの大きい方の領域の全体もしくは
一部で、上記スポットサイズの小さい方の領域よりも高
くなる請求項１，２，３，４，５，６，７または８に記
載のリッジ導波路型半導体光素子。
【請求項１０】上記コア層の埋め込み材料の屈折率が、
隣り合う領域のうちのスポットサイズの大きい方の領域
の全体もしくは一部で、上記スポットサイズの小さい方
の領域よりも高くなる請求項１，２，３，４，５，６，
７または８に記載の埋め込み型導波路型半導体光素子。
【請求項１１】少なくとも一つの領域が、半導体レー
ザ、もしくは光増幅器、もしくは光変調器、もしくは光
スイッチ、もしくは光検出器、もしくは光回路である請
求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０に
記載の導波路型半導体光素子。
【請求項１２】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９，１０または１１に記載された上記導波路型半導
体光素子を少なくとも一個用いて形成する光通信システ
ム。