JPH10221553A

JPH10221553A - 導波路型半導体光素子および光通信システム

Info

Publication number: JPH10221553A
Application number: JP2346697A
Authority: JP
Inventors: Makoto Takahashi; 誠高橋; Masahiro Aoki; 雅博青木; Hiroshi Sato; 宏佐藤; Shinji Tsuji; 伸二辻; Kazuhisa Uomi; 和久魚見; So Otoshi; 創大歳
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-02-06
Filing date: 1997-02-06
Publication date: 1998-08-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ビーム放射角の異なる導波路型半導体光素子を
簡易な作製プロセスで集積する。【解決手段】低屈折率層をコア層の下に設け、更にスト
ライプ幅を光軸方向に変調する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は導波路型半導体光素
子および光通信システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、導波路型半導体光素子では素子
特性の観点からスポットサイズには制限がある。このた
め、光モジュールを作製するために他の素子や光ファイ
バと結合する際に問題が生じることがある。

【０００３】例えば、半導体レーザではしきい電流特性
や高次モード抑制等の観点から、スポットサイズは１μ
程度に抑えられている。このため、半導体レーザのビー
ム放射角は普通３０度程度に広がっている。従って、半
導体レーザのビームを光ファイバで直接受けた場合、コ
アに入らずに散逸してしまう光の割合が大きく、光モジ
ュールを作製するために必要な光結合効率は得られな
い。そこで、従来は光学レンズで半導体レーザのビーム
放射角を狭窄しコアへの入射効率を高める方法が用いら
れていた。

【０００４】この方法で十分な結合効率を得るために
は、半導体レーザと光学レンズの光軸を高い精度で合わ
せなければならないが、この精度は現在の一般的な自動
組立装置の精度を越えているため、光学レンズを用いる
方法には、自動化による組立コストの低減が困難である
という問題があった。

【０００５】近年、この問題を解決するために、例えば
アイイーイーイーフォトニクステクノロジーレター
ズ（IEEE Photonics Technol. Lett.），Ｖol.６，pp．
１０８０−１０８１，１９９４に記載されているよう
な、ビーム放射角を狭窄するための光導波路を集積した
半導体レーザが提案された。この様な素子では、半導体
レーザに集積した光導波路のコアを出射端に向けてテー
パ状に薄くすることによって、スポットサイズを拡大し
ビーム放射角の狭窄を行っている。ビーム放射角を狭く
すれば、素子を光ファイバと直接結合した場合でも十分
な光結合効率を得ることができる。更に、素子と光ファ
イバとの位置合わせ精度が低い場合でも光結合効率の低
下は少なく抑えられる。このため、本素子を用いれば自
動装置による組立が可能になり、光モジュールの作製コ
ストを低減することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの素子
を作製する際には、コア厚を変調するために領域選択成
長法もしくはシャドウマスク成長法等の結晶成長法を用
いる必要がある。これらの結晶成長法を用いると、結晶
成長回数が通常の半導体レーザを作製する場合に比べて
増えることに加えて、成長阻止マスクの設置等の複雑な
プロセスが必要になるという問題が生じる。

【０００７】本発明はコア厚の変調を必要としない狭ビ
ーム放射角を有する半導体レーザの素子構造およびこれ
を用いた光モジュールを提供することを目的とする。

【０００８】また、コア厚を変調してビームを狭窄する
場合、一般にビーム放射角はテーパの膜厚比が高いほど
狭くなる。しかし、領域選択成長法やシャドウマスク成
長法等では、膜厚比を高くすると結晶性の劣化が生じ易
い。結晶性の劣化は、しきい電流の上昇やスロープ効率
の低下等の半導体レーザの特性劣化を招く。

【０００９】本発明の他の目的はコアの膜厚比が低い狭
ビーム放射角を有する半導体レーザの素子構造およびこ
れを用いた光モジュールを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明では、例えばリッ
ジ型半導体レーザにおいて、コア層の基板側にクラッド
層より屈折率が低い層（以下、低屈折率バッファ層と呼
ぶ。）を形成し、更にストライプ幅をビーム拡大部でレ
ーザ部よりも狭める。

【００１１】一般に、光導波路のストライプ幅を狭める
と、光はコアから垂直方向に漏れ出す。しかし、コアの
両側の層の屈折率が同程度の場合、光は図３の様にくび
れを有する分布をとる。このため、くびれのない光分布
を有する光ファイバとの結合効率は低く、光モジュール
に用いることはできない。一方、本発明では、基板側に
クラッド層より屈折率が低い層があるため光は基板側に
は漏れにくい。このため、光はクラッド内のみに広が
り、図１（ｂ）の様なくびれがなく結合効率が高い分布
をとり、ビーム放射角も狭窄される。

【００１２】この時、コアによる導波が非常に弱くなっ
ているため、光の散逸が懸念される。しかし、クラッド
層に広がった光はメサ形成材料および低屈折率バッファ
層による閉じ込めを受け導波されるため、光の散逸は少
ない。このため、本方法によりビームを拡大した場合、
レーザ特性は影響を受けない。

【００１３】この様に、本発明によれば膜厚変調を行わ
ずに半導体レーザのビーム放射角を狭窄することができ
る。

【００１４】以上はストライプ幅の変調のみでビーム放
射角を狭窄する場合について説明したが、コア厚変調と
組み合わせることも可能である。この場合、ストライプ
幅を狭めれば、それだけでもビームが拡大されるため、
従来素子より低い膜厚比で同等にビームを拡大すること
ができる。また、コア厚変調によりビームが拡大される
ため、ストライプ幅は必ずしも狭める必要はない。従っ
て、水平方向のビーム放射角の設計自由度を増やすこと
ができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１に本発明の第一の実施例とし
て逆メサリッジ型素子の構造を示す。本素子はレーザ部
とビーム拡大部とからなり、図１（ａ）および（ｂ）は
それぞれレーザ部およびビーム拡大部での光軸に垂直な
方向の断面図である。また、図２(ａ)および（ｂ）はそ
れぞれ図１内でのＡ１−Ａ２−Ａ１′−Ａ２′を含む垂
直断面図およびＢ１−Ｂ２−Ｂ１′−Ｂ２′を含む水平
断面図である。

【００１６】図２において波線より左側がレーザ部、右
側がビーム拡大部である。両領域ともｎ型ＩｎＰ基板１
０，ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０，コア層３０お
よびｐ型ＩｎＰクラッド４０を有する。更にレーザ部で
は、ｐ型ＩｎＰクラッド４０の上に電極との導通の高い
ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層５０を設ける。ここで、ｎ
型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０は不純物のドーピング
によりｐ型ＩｎＰクラッド４０よりも屈折率を０.０３
程度低くしてある。ここで、ｎ型ＩｎＰ基板１０の屈折
率が十分に低い場合には、ｎ型ＩｎＰ基板１０をｎ型Ｉ
ｎＰ低屈折率バッファ層２０と考えても良い。

【００１７】また、コア層３０は多重量子井戸活性層お
よび上下ガイド層より形成する。この時、図２（ａ）に
示す様にｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０およびコア
層３０を含む全ての半導体層の膜厚は素子全体にわたり
一定である。このため、本実施例は、通常のリッジ型素
子と同様の結晶成長回数で作製することができる。ま
た、ストライプは、通常のエッチングにより逆メサを形
成した後、コア層３０およびｐ型ＩｎＰクラッド４０の
表面をＳｉＯ₂ ６０で覆い、更にポリイミド７０で埋め
込む。図２（ｂ）に示す様に、ストライプ幅はレーザ部
では一定とし、ビーム拡大部ではテーパ状に狭める。ビ
ーム拡大部でストライプ幅を狭める際には、変化率が素
子端に向かって少なくなる様にする。これは、図１
（ａ）中に示した様な電界強度分布１００を有するレー
ザ部でのビームを、図１（ｂ）中に示した様な電界強度
分布１１０を有するビーム拡大部でのビームへ準静的に
変化させて、光が散逸しない様にするためである。

【００１８】また、ｎ電極９０を基板裏面に、ｐ電極８
０をレーザ部に作製する。ここで、コア層３０の両側の
等価的な屈折率差を大きくするために、図４（ａ）に示
す様に、ｐ型ＩｎＰクラッド４０側にｐ型ＩｎＰクラッ
ド４０より高い屈折率を有するｐ型高屈折率クラッド３
５を設けても良い。この場合、ｐ型高屈折率クラッド３
５はビーム拡大部のみに設けても良い。ｐ型高屈折率ク
ラッド３５はInGaAsPもしくはＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰ
との交互層等で形成できる。この場合は、ｎ型ＩｎＰ低
屈折率バッファ層２０の屈折率はｐ型ＩｎＰクラッド４
０と同程度でも良い。

【００１９】また、ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０
の屈折率がレーザ部の電界分布をもｐ型ＩｎＰクラッド
４０に局在させる程低い場合には、図４(ｂ)に示す様に
ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０をビーム拡大部のみ
に形成して、レーザ部でのコア層３０の両側の等価的な
屈折率差を低減すれば良い。この場合は、ｎ型ＩｎＰ基
板１０のビーム拡大部のみに不純物を打ち込む等の方法
を用いれば良い。

【００２０】また、ビーム拡大部のストライプは図５
（ａ）に示す様に複数の直線で形成しても良い。もし、
ビーム拡大部が十分長い場合には図５（ｂ）に示す様に
単一の直線でストライプを形成しても光の散逸は低く抑
えることができる。

【００２１】図６に本発明の第二の実施例の層構造を示
す。本実施例も第一の実施例と同様に、ｎ型ＩｎＰ基板
１０，ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０，コア層３０
およびｐ型ＩｎＰクラッド４０を有する。本実施例の特
徴は、図６（ａ）に示す様に、ビーム拡大部においてコ
ア層３０が薄くなっている点にある。ビーム拡大部で
は、ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０およびメサ形成
材料により囲まれたｐ型ＩｎＰクラッド４０がコアとし
て機能するため、図６（ｂ）の様にコア層３０を途中で
除去しても良い。また、本実施例でも、第一の実施例と
同様にｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０をビーム拡大
部のみに設けることも有効である。ストライプ幅を狭め
るだけでもビームが拡大されるので、本実施例では従来
の素子に比べて低い膜厚比でも同等にビームを拡大する
ことができる。また、ストライプ幅は必ずしも図２の様
に減少させる必要はなく、図７（ａ）および（ｂ）に示
す様に一定もしくは増加させてもコア厚の変調によって
ビームは拡大する。この場合、ビーム形状、特に水平方
向の設計自由度を上げることができる。

【００２２】次に、本素子の作製方法を図６（ｃ）に示
した第二の実施例の場合を例にとって説明する。まず、
図８（ａ）に示す様にレーザ部に打ち込み阻害マスク１
２０を設ける。その後、不純物を打ち込み、図８（ｂ）
の様にビーム拡大部のみにｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ
層２０を作製する。次に、領域選択成長法もしくはシャ
ドウマスク成長法により、図８（ｃ）コア層３０をビー
ム拡大部で膜厚変調される様に形成する。この際、領域
選択成長法を用いる場合には、例えば図９に示す様にレ
ーザ部に成長阻害マスク１３０を設ければ良い。更に、
通常の結晶成長法により、ｐ型ＩｎＰクラッド４０およ
びｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層５０を成長した後、通常
の方法によりメサおよび電極を形成すれば本素子は作製
できる。

【００２３】図１０に本実施例の、遠視野像の一例を示
す。半値全幅が水平垂直とも約３０度のレーザに本実施
例のビーム拡大器を集積することにより、水平方向の遠
視野像３３の半値全幅を約１０度、垂直方向の遠視野像
３４の半値全幅を約１２度に低減できる。また、図１１
に本実施例の、電流−光出力特性の一例を示す。しきい
値および効率は室温でそれぞれ、１５（ｍＡ）および
０.４(Ｗ／Ａ）と、通常のレーザと同等の良好な特性が
得られる。

【００２４】図１２に、本発明の第三の実施例として、
本発明の提供するビーム拡大機能集積化半導体レーザを
用いて光モジュールを形成した場合を示す。図１２
（ａ）に上面図を、図１２(ｂ)にＡ−Ａ′での断面図を
示す。図は、石英ガラス系の光導波路８０１を上面に形
成したシリコン基板８１０上に本発明による半導体レー
ザ８０２および導波路型受講素子８０３を搭載した例で
ある。光導波路８０１はシリコン基板８１０上に形成さ
れた、石英ガラスよりなる下部クラッド８１２，調整用
クラッド８１３，石英ガラスコア８１４、および上部ク
ラッド８１５からなる。ここで、素子搭載部８０５は電
極７２０，７２１，７２２，７３０，７３１，７３２を
有する導波路基板８００上にあり、素子と電極はワイヤ
８０９で接続されている。また、光導波路８０１は光フ
ァイバ９０２と結合されている。また、モジュールはパ
ッケージ９０１で封止され外部に電極９００が出されて
いる。半導体レーザはシリコン基板８１０に形成された
シリコン酸化膜８１６上にソルダ８８２を介して、コア
層８２１が下に、基板８２０が上になる様に設置され
る。この際、ビームが十分に拡大しているため、光学レ
ンズを使用せずに、１.５（ｄＢ）から２.５(ｄＢ）程
度の光結合特性が得られる。

【００２５】図１３に本発明の第四の実施例の層構造を
示す。本実施例の特徴は、層厚を変調したコア３０の先
端を除去することと、ｐ型ＩｎＰクラッド４０よりも高
い屈折率の第二コア２２を有することである。本実施例
では、ビーム拡大部先端でのコアは第二コア２２とな
る。このため、第二コア２２の厚および屈折率を低く抑
えれば、コア３０の層厚変調度によらずビームを大きく
拡大できる。図１３(ａ)はコア３０の基板側に第二コア
２２がある場合である。本構造はｎ型ＩｎＰ低屈折率バ
ッファ層２０，第二コア２２，エッチング阻止層２４お
よびコア３０を結晶成長した後、コア３０の先端を除去
し、ｐ型ＩｎＰクラッド４０を結晶成長すれば形成でき
る。また、図１３（ｂ）はコア３０のｐ型ＩｎＰクラッ
ド４０側に第二コア２２がある場合である。本構造はｎ
型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０およびコア３０を結晶
成長した後、コア３０の先端を除去し、再成長バッファ
層２６，第二コア２２およびｐ型ＩｎＰクラッド４０を
結晶成長すれば形成できる。

【００２６】図１４（ａ）および（ｂ）に本発明の第五
の実施例の層構造を示す。本実施例は、上記第四の実施
例においてコア３０を層厚変調を行わずに除去する場合
に相当する。また、本実施例ではストライプを図１５に
示す構造にしても良い。図１５に示すストライプの特徴
は、ビーム拡大部において、まず幅が狭まり、次にコア
３０を除去した位置よりも先端側で幅が広がる点であ
る。本ストライプ構造では最初に幅を狭めることによ
り、コア３０に閉じ込められていた光を、ｐ型ＩｎＰク
ラッド４０へ移すことができる。このため、コア３０を
除去する際にコア３０内に存在する光は少なくなり、散
逸される光を低減することができる。更に、本ストライ
プ構造ではコア３０を除去した後に幅を広げることによ
り、水平方向にもビームを大きく拡大することが可能に
なる。

【００２７】図１６に本発明の第六の実施例の層構造を
示す。本実施例は、上記第四の実施例において、ビーム
拡大部先端にｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０を形成
しない場合に相当する。本実施例でも、図１５に示すス
トライプを用いることにより、層厚変調度が低くても散
乱損失を抑えることができる。また、本実施例ではビー
ム拡大部先端にｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０がな
いので、垂直方向のビームサイズを更に拡大することが
可能になる。

【００２８】図１７に本発明の第七の実施例の層構造を
示す。本実施例は、上記第五の実施例において、ビーム
拡大部先端にｎ型ＩｎＰ低屈折率バッファ層２０を形成
しない場合に相当する。本実施例でも、図１５に示すス
トライプを併用することにより、散乱光を抑えながら垂
直方向のビームサイズを大幅に拡大できる。

【００２９】以上の実施例では、リッジ型半導体レーザ
を例に取って説明したが、埋め込み型半導体レーザにつ
いても埋め込み層の屈折率を低くすれば同様の効果を得
ることができる。また、ビーム拡大器を集積する素子と
しては半導体レーザを例に取って説明したが、本発明は
光増幅器，光変調器，光スイッチ，光検出器等の導波路
型光素子についても有効である。更に、本発明は半導体
の導電型および材料系によらず有効であり、上記実施例
で説明した場合に制限されない。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、コアの膜厚を全く変調
することなく、もしくは低い変調で導波路型半導体光素
子のビーム放射角を変調することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第一の実施例の示す説明図。

【図２】本発明による第一の実施例の説明図。

【図３】従来の素子構造の示す説明図。

【図４】本発明による第一の実施例の層構造の示す説明
図。

【図５】本発明による第一の実施例のストライプ形状の
示す説明図。

【図６】本発明による第二の実施例の層構造の示す説明
図。

【図７】本発明による第二の実施例のストライプ形状の
示す説明図。

【図８】本発明による第二の実施例の作製方法の説明
図。

【図９】本発明による第二の実施例を作製するための領
域阻害マスクの示す説明図。

【図１０】本発明による第一の実施例の遠視野像の示す
特性図。

【図１１】本発明による第一の実施例の電流−光出力特
性の示す説明図。

【図１２】本発明による第三の実施例の示す説明図。

【図１３】本発明による第四の実施例の層構造の示す説
明図。

【図１４】本発明による第五の実施例の層構造の示す説
明図。

【図１５】本発明による第五の実施例のストライプ形状
の示す説明図。

【図１６】本発明による第六の実施例の層構造の示す説
明図。

【図１７】本発明による第七の実施例の層構造の示す説
明図。

【符号の説明】

１０…ｎ型ＩｎＰ基板、２０…ｎ型ＩｎＰ低屈折率バッ
ファ層、３０…コア層、３５…ｐ型高屈折率クラッド、
４０…ｐ型ＩｎＰクラッド、５０…ｐ型ＩｎＧａＡｓキ
ャップ層、６０…ＳｉＯ_２、７０…ポリイミド、８０
…ｐ電極、９０…ｎ電極、１００…レーザ部での電界強
度分布。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻伸二東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者魚見和久東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者大歳創東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一の導電型の半導体基板上に第一の導電
型のバッファ層，コア層、および第二の導電型のクラッ
ド層を有するリッジ導波路型半導体光素子において、ス
トライプ幅が一定である第一の領域とストライプ幅が第
一の領域から遠ざかる方向に向かい狭くなる第二の領域
とが光軸方向に直列に集積化され、バッファ層または基
板の等価的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率より
も低く、コア層の厚さが第一の領域全体および第二の領
域全体にわたって一定で、かつ第二の領域での素子端面
で導波路の光軸に垂直な断面内の光強度の７０％以上が
コア層およびクラッド層に存在することを特徴とする半
導体光素子。
【請求項２】第一の導電型の半導体基板上に第一の導電
型のバッファ層，コア層、および第二の導電型のクラッ
ド層を有するリッジ導波路型半導体光素子において、ス
トライプ幅が一定である第一の領域とストライプ幅が第
一の領域から遠ざかる方向に向かい狭くなる第二の領域
とが光軸方向に直列に集積化され、バッファ層または基
板の等価的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率より
も低く、コア層の厚さが第一の領域全体および第二の領
域では素子端に向かい減少し、上記第二の領域での素子
端面で導波路の光軸に垂直な断面内の光強度の７０％以
上がコア層およびクラッド層に存在することを特徴とす
る半導体光素子。
【請求項３】第一の導電型の半導体基板上に第一の導電
型のバッファ層，コア層、および第二の導電型のクラッ
ド層を有するリッジ導波路型半導体光素子において、ス
トライプ幅が一定である第一の領域とストライプ幅が一
定もしくは第一の領域から遠ざかる方向に向かい広がる
第二の領域とが光軸方向に直列に集積化され、バッファ
層または基板の等価的な屈折率がクラッド層の等価的な
屈折率よりも低く、コア層の厚さが第一の領域では一定
で第二の領域では素子端に向かい減少し、第二の領域で
の素子端面で導波路の光軸に垂直な断面内の光強度の７
０％以上がコア層およびクラッド層に存在することを特
徴とする半導体光素子。
【請求項４】第一の導電型の半導体基板上に第一の導電
型のバッファ層，コア層、および第二の導電型のクラッ
ド層を有する埋め込み導波路型半導体光素子において、
ストライプ幅が一定である第一の領域とストライプ幅が
第一の領域から遠ざかる方向に向かい狭くなる第二の領
域とが光軸方向に直列に集積化され、埋め込み層の等価
的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率よりも低く、
かつバッファ層または基板の等価的な屈折率がクラッド
層の等価的な屈折率よりも低く、かつコア層の厚さが第
一の領域全体および第二の領域全体にわたって一定で、
かつ第二の領域での素子端面で導波路の光軸に垂直な断
面内の光強度の７０％以上がコア層およびクラッド層に
存在することを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】第一の導電型の半導体基板上に第一の導電
型のバッファ層，コア層、および第二の導電型のクラッ
ド層を有する埋め込み導波路型半導体光素子において、
ストライプ幅が一定である第一の領域とストライプ幅が
一定もしくは変調する第二の領域とが光軸方向に直列に
集積化され、埋め込み層の等価的な屈折率がクラッド層
の等価的な屈折率よりも低く、バッファ層または基板の
等価的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率よりも低
く、コア層の厚さが第一の領域では一定で第二の領域で
は素子端に向かい減少し、第二の領域での素子端面で導
波路の光軸に垂直な断面内の光強度の７０％以上がコア
層およびクラッド層に存在することを特徴とする半導体
光素子。
【請求項６】第一の導電型のバッファ層がなく、基板の
等価的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率よりも低
い請求項１，請求項２，請求項３，請求項４または請求
項５に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項７】第二の領域でのみバッファ層または基板の
等価的な屈折率がクラッド層の等価的な屈折率よりも低
い請求項１，請求項２，請求項３，請求項４，請求項５
または請求項６に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項８】バッファ層とクラッド層との等価的な屈折
率差または基板とクラッド層との等価的な屈折率差が少
なくとも０.０３以上ある請求項１，請求項２，請求項
３，請求項４，請求項５，請求項６または請求項７に記
載の導波路型半導体光素子。
【請求項９】埋め込み層とクラッド層との等価的な屈折
率差が少なくとも０.０３以上ある請求項４，請求項
５，請求項６，請求項７または請求項８に記載の導波路
型半導体光素子。
【請求項１０】第一の領域のストライプ幅が変調する請
求項１，請求項２，請求項３，請求項４，請求項５，請
求項６，請求項７，請求項８または請求項９に記載の導
波路型半導体光素子。
【請求項１１】第一の領域および第二の領域の双方を少
なくとも一個ずつ有し、上記第一の領域および上記第二
の領域のどちらか一方もしくは双方を複数個有する請求
項１，請求項２，請求項３，請求項４，請求項５，請求
項６，請求項７，請求項８，請求項９または請求項１０
に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項１２】第一の領域が、半導体レーザ、もしくは
光増幅器、もしくは光変調器、もしくは光スイッチ、も
しくは光検出器、もしくは光回路である請求項１，請求
項２，請求項３，請求項４，請求項５，請求項６，請求
項７，請求項８，請求項９，請求項１０または請求項１
１に記載の導波路型半導体光素子。
【請求項１３】請求項１，請求項２，請求項３，請求項
４，請求項５，請求項６，請求項７，請求項８，請求項
９，請求項１０，請求項１１または請求項１２に記載さ
れた導波路型半導体光素子を少なくとも一個用いて形成
する光通信システム。