JP2970575B2 - 導波路型半導体受光素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は導波路型半導体受光
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムの受信モジュールに用い
る半導体受光素子として、従来は面入射型素子が用いら
れていたが、これは光吸収層に対して垂直な方向から信
号光を入射するので、高い光電変換効率を得るためには
光吸収層を厚く形成する必要があり、キャリア走行時間
が長くなり素子応答特性の高速化の妨げとなっていた。

【０００３】そこで、光電変換効率の向上と素子応答特
性の高速化とを両立するものとして導波路型半導体受光
素子の研究開発が進められている。これは、光吸収層に
対して水平な方向から信号光を入射するので、光吸収層
が薄くても導波路長が十分長ければ高い光電変換効率が
得られる。したがって、素子応答特性の高速化（キャリ
ア走行時間短縮）と光電変換効率の向上との両立が可能
になる。

【０００４】また、導波路型半導体受光素子は、モジュ
ール化の際の組立性に優れているという特徴も併せ持
つ。たとえば石英系導波路部品と単体の半導体レーザ
ー、受光素子等を組み合わせていわゆるハイブリッド型
光送受信モジュールを構成する場合、受光素子として面
入射型素子を用いると、光の入射方向が素子の表面に対
して垂直であるため、電気の配線、あるいは入射信号光
の光路のいずれかを９０度折り曲げることが必要で、組
立性という観点からは問題があった。これに対し、導波
路型半導体受光素子を用いると、入射信号光を素子の端
面から、すなわち素子表面に対し平行な方向から入射で
きるため電気配線や光路の折り曲げが不要となる。通
常、半導体レーザーも素子の端面から光を出射する形態
であることから、半導体レーザーと導波路型半導体受光
素子とで組立工程を共通化できるということもあり、モ
ジュールの組立性の向上、コストの低減が期待できる。

【０００５】このような導波路型半導体受光素子とし
て、１９９４年６月に発行された「第５回オプトエレク
トロニクス・コンファレンス テクニカルダイジェスト
（Ｆｉｆｔｈ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔ）」の第６６〜６７頁に掲載されている論文「１１０
−ＧＨｚ、５０％−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｗａｖｅｇ
ｕｉｄｅ ｐ−ｉ−ｎ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ ｆｏｒ
ａ １．５５−μｍ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ」にその
一例が記載されている。この素子は、図１３に示すよう
に、半絶縁性ＩｎＰ基板１０１上にｎ⁺−ＩｎＰクラッ
ド層１０２、ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓＰ中間屈折率層１０３
（コア層とクラッド層との中間の屈折率を有する層、層
厚：０．８μｍ）、ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０４
（コア層、層厚：０．２μｍ）、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰ
中間屈折率層１０５（層厚：０．８μｍ）、ｐ⁺−Ｉｎ
Ｐクラッド層１０６からなる導波路メサを形成し、これ
をポリイミド１０７で埋め込み、さらにｐ電極１０８を
設けた構造となっている。結晶成長時の不純物ドーピン
グによりｐｎ接合を形成しており、ｐｎ接合の形態とし
てはいわゆるグロウンジャンクション（Ｇｒｏｗｎ ｊ
ｕｎｃｔｉｏｎ）型に属する。

【０００６】また、１９９６年電子情報通信学会総合大
会において講演番号Ｃ−３６１として発表され、かつ１
９９６年３月発行のその論文集の３６１頁に掲載された
「光ハイブリッド実装用高効率プレーナ導波路型ｐｉｎ
フォトダイオード」に、導波路型半導体受光素子の他の
例が報告されている。この素子は、図１４に示すよう
に、導波路の中央部に不純物の選択熱拡散によりｐ⁺領
域１１３が形成されたプレーナ型の素子となっている。
また、導波構造としては、Ｓｉ−ＩｎＰ基板１０９上に
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ下部中間屈折率層１１０（波長組
成：１．２μｍ）、ｎ^-−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１１
１（波長組成：１．４μｍ）、ｎ^-ＩｎＧａＡｓＰ上部
中間屈折率層１１２（波長組成：１．２μｍ）を順次積
層し、ｐ電極１１４とｎ電極１１５を形成した構造を有
する。この素子は波長１．３μｍ帯の信号光の受信に用
いられる。

【０００７】一般に導波路型半導体受光素子において
は、光吸収層を厚く形成すればそれだけ高い結合トレラ
ンスが得られる（入射光スポットの位置ずれを許容する
ことができる）ものの、光吸収層を空乏化させるために
必要な電圧、つまり素子の動作電圧が上昇するという問
題が生じる。そこで、上下の中間屈折率層１１０、１１
２を設けることによって、光吸収層自体の厚みは薄く保
ったまま等価的な層厚を増大させている。これにより、
入射光スポットの位置ずれが生じても感度があまり落ち
ずに位置ずれに対して高い結合トレランスが得られ、し
かも、中間屈折率層は高不純物濃度であるので、その挿
入により動作電圧が上昇することはなく低く保つことが
できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の導波路型半導体
受光素子においては、低暗電流かつ高信頼性の素子を作
製することが困難である。図１３の従来例のようなグロ
ウンジャンクション型素子は、メサ構造であり、光吸収
層１０４の側面が導波路の全長にわたって露出している
ため、プレーナ型と比較してリーク電流が生じ易いので
暗電流が大きく素子の信頼性という観点からも問題があ
る。一方、図１４の従来例はプレーナ型素子であるが、
電圧が印加された状態の光吸収層が入射端部に露出して
おり、この入射端部においてリーク電流が流れ易く、こ
れが暗電流を増加させ、信頼性を低下させる要因となる
からである。

【０００９】そこで本発明の目的は、暗電流が低く高信
頼な導波路型半導体受光素子を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の導波路型半導体
受光素子は、光吸収層が一部除去されており、この光吸
収層除去領域上に、前記光吸収層よりもバンドギャップ
波長が短い半導体からなるクラッド層が、空隙を介して
ひさし状に覆い被さった構造を有し、この、ひさし状に
覆い被さったクラッド層上に素子実装用位置合わせパタ
ーンが形成されていることを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。図１は、第１の参
考例の斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は製
造工程を説明するための図で、劈開により入射端面を形
成する前の状態を示す平面図である。

【００１２】（１ ０ ０）面を有するｎ⁺−ＩｎＰ基板
１上に、ｎ⁺−ＩｎＰバッファ層２（不純物濃度：１×
１０¹⁸ｃｍ^{ー 3}、層厚：０．２μｍ）、ｎ⁺−ＩｎＧａＡ
ｓＰ中間屈折率層３（不純物濃度：１×１０¹⁸ｃｍ^-3、
波長組成：１．３μｍ、層厚：４μｍ）、ｎ^-−ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層４（不純物濃度：１×１０¹⁵ｃｍ^-3、層
厚：１．５μｍ）、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰバンド不連続緩
和層５（不純物濃度：１×１０¹⁸ｃｍ^-3、波長組成：
１．３μｍ、層厚：０．１μｍ）、ｎ−ＩｎＰクラッド
層６（不純物濃度：３×１０¹⁷ｃｍ^-3、層厚：１μｍ）
が順次積層形成されている。なお、この構成において、
コア層は光吸収層４であり、クラッド層６は光吸収層４
よりも屈折率の低い層であり、中間屈折率層３は両層
４、６の中間の屈折率を有する層である。また、バッフ
ァ層２は結晶成長時の緩衝材として形成された層であ
り、バンド不連続緩和層５は屈折率の異なるクラッド層
６と光吸収層４との間をキャリアが高速で通過し得るよ
うに設けられた層である。

【００１３】さらに、不純物であるＺｎの選択熱拡散に
よりｐ⁺領域７が形成されている。このｐ⁺領域７は、幅
５０μｍ、長さ１００μｍのストライプ形状（ハッチン
グ部）であり、そのストライプの方向は基板の［０ １
１］方向と一致させてある。このストライプの部分が実
質的な導波路になる。

【００１４】また、素子の入射端部から長さ３μｍにわ
たって拡散を施さない領域、すなわち非拡散領域８が残
されている。この非拡散領域８は、各層１〜６の本来の
性質通りｎ型の導電型である。

【００１５】さらにＳｉＮパッシベーション膜９、ｐ電
極としてのＡｕＺｎ膜１０、ＴｉＰｕＡｕ膜１１、ｎ電
極としてのＡｕＧｅＮｉ膜１２（図１〜３には表れてい
ない）、ＴｉＰｕＡｕ膜１３が設けられている。ｐ電極
であるＡｕＺｎ膜１０、ＴｉＰｕＡｕ膜１１は、ｐ⁺領
域７が形成されているストライプ部分上に設けられてお
り、本参考例の主電極である。また、光の入射端部に
は、劈開時のガイド用の溝１４が形成されており、この
溝は、導波路と垂直方向すなわち［０ １ −１］方向に
沿って形成されている。さらに、この入射端部を覆うよ
うに、ＳｉＮからなる反射防止膜１５が形成されてい
る。

【００１６】本参考例において、光を入射した際に非拡
散領域８の光吸収層４で生成したキャリアは、キャリア
の濃度勾配に伴う拡散によりｐ⁺領域７の下部の空乏化
した光吸収層４へ流れ込み、光電流が生じて外部回路に
取り出される。仮に非拡散領域８の長さが長すぎると、
光吸収層４の非拡散領域８で生成したキャリアは、ｐ⁺
領域７の下部の空乏化した光吸収層４へ流れ込む前に再
結合により失われてしまい、光電流に寄与しないため感
度が低下してしまう。一方、逆に非拡散領域８の長さが
短すぎると、バイアス印加時に空乏化領域が入射端部に
まで達してしまうため、リーク電流が生じ易くなり暗電
流が増加し信頼性が低下する。

【００１７】このように、非拡散領域８の入射端部から
の長さは、ある最適範囲内に存在する必要がある。非拡
散領域８の長さは、ウェハを劈開して素子を形成する際
の劈開位置とｐ⁺領域７との間の距離によって決まるた
め、非拡散領域８の長さを正確に定めるためには劈開位
置を正確に制御する必要がある。そこで本参考例では 、
図３に示すように、予めウェハにガイド用の溝１４を形
成して、この溝１４に沿って劈開し、劈開面を素子の入
射端部としている。溝１４は、結晶の（１ ００）面上
にブロムメタノールなどのエッチング液を用いてエッチ
ング形成されており、結晶の［０ １ −１］方向に形成
されているので、エッチング速度の異方性の影響で溝の
断面形状が略Ｖ字状となっている。したがって劈開時に
力が集中しやすく、劈開作業を容易にする有効なガイド
として機能し、最適の長さを持つ非拡散領域８を精度よ
く簡単に形成できる。

【００１８】本参考例は、図１４に示す従来例と異な
り、入射端部に非拡散領域８が形成されているので、光
吸収層のうち空乏化するのはｐ⁺領域７の下部のみであ
り、ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４の入射端部には電界
が印加されない。従って、従来例のように入射端部にリ
ーク電流が発生することがないため、暗電流が低減さ
れ、素子の信頼性が向上するという効果がある。また、
本参考例では、図１３に示した従来例には存在しないＩ
ｎＰクラッド層６を設けているため、光に対する損失が
小さく、高感度が得られるという効果がある。

【００１９】このような素子の製造に際し、選択熱拡散
によりｐ⁺領域７を形成するときは、拡散の深さが光吸
収層４の直上に達するように拡散時の温度、時間を制御
する必要がある。このとき、図１４に示す従来例のよう
に上部中間屈折率層が形成される構成であると、光吸収
層４の上部の層が厚くなり、その分だけ選択熱拡散の深
さを深くしなければならず、拡散時の温度や時間の制御
が難しくなる。ところが本参考例では、中間屈折率層を
光吸収層の下側すなわち基板に近い側にのみ形成して、
上側には形成していないので、拡散の深さが浅くてす
み、拡散時の温度や時間の制御が容易になる。

【００２０】次に、第２の参考例について説明する。図
４は第２の参考例を示す斜視図、図５は断面図であり、
図６は第２の参考例の製造工程を説明する図で、劈開に
より入射端面を形成する前の状態を示す平面図である。

【００２１】図６（ａ）に示すように、本参考例では
（１ ０ ０）面を有するｐ⁺−ＩｎＰ基板１６上にｐ⁺−
ＩｎＰバッファ層１７（不純物濃度：１×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3、層厚：０．２μｍ）、ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰ中間
屈折率層１８（不純物濃度：１×１０¹⁸ｃｍ^-3、波長組
成：１．３μｍ、層厚：４μｍ）、ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ
光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰバンド不連続緩和層
５、ｎ−ＩｎＰクラッド層６が順次積層されている。そ
してＺｎの選択熱拡散によりｐ⁺−ＩｎＧａＡｓＰ中間
屈折率層１８に達する深さまでｐ⁺領域７が形成されて
いる。図４に示すように、ｐ⁺領域７の形成領域は第１
の参考例の場合とちょうど反対で、第１の参考例で拡散
を施した領域（導波路の中央に位置する主電極の下方に
あたる領域）には拡散を施さず、拡散を施さなかった領
域（ハッチング部：主電極の下方にあたる領域を除く全
域）に拡散を施している。それから、図６（ｂ）に示す
ように、第１の参考例と同様な材質で、非拡散領域上に
主電極としてｎ電極１２、１３を形成し、それ以外の部
分にｐ電極１０、１１を形成する。さらに、第１の参考
例と同様に予め形成してあるガイド用の溝１４に沿っ
て、図６（ｂ）のＡ−Ａ線の位置でウェハが劈開され、
入射端部に反射防止膜１５が形成されて、図４、５に示
す素子が完成する。なお、劈開面が素子の入射端部とな
っている。

【００２２】本参考例では、入射端部分に不純物拡散が
施されてｐ型の導電型となっている。この部分は不純物
濃度が高くなっており光吸収層が空乏化しにくい状態に
なっているので、この部分で生成した電子は濃度勾配に
伴う拡散によりｎ電極１２、１３の下方の空乏化した光
吸収層４へ流れ込む。この空乏化した部分には電界が加
わっているので、電子は電界に引っ張られてｎ電極から
外部に取り出される。これが光電流となる。一方、入射
端部で生成した正孔は、ｐ型拡散領域７を通じてｐ電極
１０、１１に伝わる。

【００２３】本参考例でも、第１の参考例と同様に、入
射端部には電界が印加されないので、この部分にリーク
電流が生じず、暗電流が低く抑えられ、信頼性が高い。
第１の参考例では、入射端部がｎ型、主電極がｐ型で、
入射端部から空乏化した光吸収層４へ流れ込むキャリア
種が正孔であったのに対し、第２の参考例では 、入射端
部の導電型がｐ型、主電極がｎ型で、入射端部から光吸
収層４へ流れ込むキャリア種は電子である。

【００２４】一般に、正孔の拡散による移動速度は電子
に比べて遅いため、入射端部から空乏化した光吸収層へ
正孔が流れ込む場合は、１ＧＨｚ程度以上の高速信号が
入射すると応答劣化が起こったり、前述のように非拡散
領域８の長さが長すぎた場合の再結合による感度劣化が
起こりやすかった。これに対し、本参考例では移動速度
の速い電子を利用するので、高速信号入射時にも応答劣
化しにくく、再結合による応答劣化も起こりにくいとい
う利点がある。

【００２５】次に、第３の参考例について説明する。図
７は、第３の参考例の斜視図、図８はＡ−Ａ線断面図で
ある。本参考例では、半導体レーザー等の他部品と組み
合せたハイブリッド型の受光モジユールを組み立てる際
に、赤外線カメラにより素子の位置合わせを行うために
用いるアラインメントパターン１９が設けられている。
具体的には、第１の参考例と同様に各層１〜６を積層構
成した後、部分的にエッチングして、光吸収層４、バン
ド不連続緩和層５、クラッド層６を除去した除去領域２
５が形成され、その除去領域２５上に通常のフォトリソ
グラフィ工程、例えばリフトオフ工程によりＴｉＰｔＡ
ｕ膜からなるアラインメントパターン１９が形成されて
いる。

【００２６】通常は赤外線によりアラインメントパター
ン１９を透視して位置合わせするが、ｎ^-−ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層４は１．６μｍ程度以下の短い波長の光に対
しては吸収係数が大きく不透明であるのに対し、赤外線
カメラは通常１．６μｍ程度以上の長い波長を有する赤
外線には感度をもたないため、光吸収層４を透過した赤
外線を赤外線カメラで検出することはできない。そこで
本参考例では、アラインメントパターン１９を形成する
除去領域２５については、ｎ^-−ＩｎＧａＡｓ光吸収層
４をエッチングして除去している。このとき、光吸収層
４上のバンド不連続緩和層５、ｎ−ＩｎＰクラッド層６
も同時にエッチングにより除去している。こうして、本
参考例によると、受光モジュールを組み立てる際に、ア
ラインメントパターン１９を用いて素子の位置合わせを
行うことができる。

【００２７】図１４に示す従来例のように上部中間屈折
率層が形成される構成であると、その分だけエッチング
深さが深くなるとともに、素子の上端からアラインメン
トパターンまでの距離が長くなり、モジュール組立工程
において素子の位置合わせを行う際、素子を実装するサ
ブマウント側のアラインメントパターンと、素子側のア
ラインメントパターン１９との距離が長く、赤外線カメ
ラの焦点が合わせにくくなる。これに対し第３の参考例
では、中間屈折率層３を光吸収層４の下側すなわち基板
に近い側にのみ形成して、光吸収層の上側には形成して
おらず、エッチングを浅くでき、かつ赤外線カメラの焦
点が合わせやすいという効果がある。

【００２８】また、ｎ−ＩｎＰクラッド層６を形成して
いるので、光に対する損失が小さく感度劣化を防止でき
るという効果がある。

【００２９】次に、本発明の一実施形態について説明す
る。図９（ａ）は本実施形態の断面図、図９（ｂ）は本
実施形態の製造工程の説明図である。

【００３０】図９（ａ）に示すように、本実施形態は、
光吸収層４、中間屈折率層３、バンド不連続緩和層５の
みが選択的にエッチングにより除去され、ｎ−ＩｎＰク
ラッド層６はエッチングされずにひさし状に残されてお
り、そのひさし状部２６上にアラインメントパターン１
９が形成されている。

【００３１】本実施形態の製造方法について説明する
と、まず図９（ｂ）に示すように、各層１〜６を積層形
成した後、ブロムメタノールなどの無選択エッチングに
より、アラインメントパターンを形成すべき部分のすぐ
横に、上面から少なくともｎ⁺−ＩｎＰバッファ層２に
達する深さの溝２１を形成する。次に、通常のフォトリ
ソグラフィ工程により、ひさし状部２６を形成する部分
以外をレジスト膜２２で覆う。その後、リン酸と過酸化
水素水と水などからなるエッチング液を用いた選択エッ
チングにより図９（ａ）に示すようなひさし状部２６を
形成する。その後、アラインメントパターン１９を形成
する。

【００３２】本実施形態によると、第３の参考例の効果
に加えて、素子実装時のサブマウント側のアラインメン
トパターンと素子側のアラインメントパターン１９との
距離が第３の参考例よりも短くなり、赤外線カメラの焦
点が合わせやすく、アラインメント精度が向上するとい
う効果がある。

【００３３】次に、第４の参考例について説明する。図
１０は、第４の参考例の斜視図、図１１はＡ−Ａ線断面
図である。

【００３４】第４の参考例は、第１の参考例と同様な積
層構造において、ｐ⁺領域７の部分が、それ以外の部分
に比べて上方に突出するように盛り上がったいわゆるリ
ッジ構造部２３となっている。このリッジ構造部２３
は、結晶成長後にブロムメタノールなどのエッチング液
を用いクラッド層６をエッチング加工することにより形
成される。それ以外の製造工程は第１の参考例と実質的
に同様である。

【００３５】リッジ構造部２３がなく、水平方向の幅が
充分に広いいわゆるスラブ構造の導波路である場合、こ
のスラブ構造の導波路には水平方向に光を閉じ込めるメ
カニズムが存在せず、入射した光は進行するに従って徐
々に水平方向に広がっていく。そして、ｐ⁺領域７より
も外側、すなわち電界が印加されていない領域に広がっ
た光は、光電流として素子外部に取り出すことができ
ず、感度劣化の原因となるおそれがある。また、光電流
として素子外部に取り出すことができたとしても、高周
波信号に対する応答が遅いので、応答劣化の原因になる
などの問題が生じる。特に、素子容量低減などのために
ｐ⁺領域７の幅を狭くした場合などに、かかる問題が顕
著である。

【００３６】これに対し第４の参考例では、ｐ⁺領域７
部にリッジ構造部２３が形成されており、水平方向に関
してはこのリッジ構造部２３内に光を閉じ込められる。
したがって入射光が水平方向に広がるのが抑制され、前
述の感度劣化、応答劣化の問題が生じにくいという効果
がある。

【００３７】次に、第５の参考例について説明する。図
１２は、第５の参考例の構成を示す断面図である。

【００３８】本参考例は、リッジ構造部２３にＩｎＧａ
ＡｓＰ導波層（波長組成：１．３μｍ）２４が設けられ
ている。本参考例の製造手順は、まず、ｎ−ＩｎＰクラ
ッド層６ａを形成し結晶成長させた後、続けて導波層２
４を形成し、さらにその上部にｎ−ＩｎＰクラッド層６
ｂを再度形成する。その後、リッジ構造部２３以外の領
域の導波層２４およびその上部のクラッド層６ｂを、ブ
ロムメタノールなどのエッチング液を用いてエッチング
して除去することにより、リッジ構造部２３を形成す
る。それ以外の製造工程は第１の参考例と実質的に同様
である。これによると、ＩｎＧａＡｓＰ導波層２４によ
りリッジ構造部２３の等価屈折率が高まり、入射光が水
平方向に広がるのを抑制する効果がさらに高まり、より
高感度、高速応答の素子が得られるという効果がある。

【００３９】以上、本発明の一実施形態および第３〜５
の参考例としては、第１の参考例と同様に導波路の中央
部にｐ電極１０、１１を主電極として形成し入射端部に
非拡散領域８を有する構成に、アラインメントパターン
１９またはリッジ構造部２３を付加した例を説明した
が、第２の参考例と同様にｎ電極１２、１３を主電極と
し入射端部にｐ型拡散領域７を形成した構成について、
本発明の一実施形態および第３〜５の参考例を採用する
ことも可能である。また、本発明の実施形態に第４，５
の参考例を組み合せて、アラインメントパターン１９と
リッジ構造部２３とを有する構成とすることも可能であ
る。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によると、
導波路型半導体受光素子の入射端部に電界が印加されな
いので、暗電流が低減され、素子の信頼性が向上する。
特に、主電極がｎ型で入射端面部がｐ型である場合、高
速信号入射時にも応答劣化しにくく、再結合による応答
劣化も起こりにくい。また、本発明によると、赤外線カ
メラで位置合わせして素子実装を行うことができ、しか
も、アライメントパターンが素子の上面に位置するの
で、位置合わせ時にカメラの焦点を合わせやすい。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の参考例の斜視図である。

【図２】第１の参考例の断面図である。

【図３】第１の参考例の製造工程を説明する平面図であ
る。

【図４】第２の参考例の斜視図である。

【図５】第２の参考例の断面図である。

【図６】第２の参考例の製造工程を説明する断面図であ
る。

【図７】第３の参考例の斜視図である。

【図８】第３の参考例の断面図である。

【図９】本発明の一実施形態の製造工程を説明する断面
図である。

【図１０】第４の参考例の斜視図である。

【図１１】第４の参考例の断面図である。

【図１２】第５の参考例の断面図である。

【図１３】従来の技術の一例を示す断面図である。

【図１４】従来の技術の他の例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１、１６ 基板 ２、１７ バッファ層 ３、１８ 中間屈折率層 ４ 光吸収層 ５ バンド不連続緩和層 ６、６ａ、６ｂ クラッド層 ７ ｐ⁺領域 ８ 非拡散領域 ９ パッシベーション膜 １０、１１ ｐ電極 １２、１３ ｎ電極 １４ ガイド用の溝 １５ 反射防止膜 １９ アラインメントパターン ２１ 溝 ２２ レジスト膜 ２３ リッジ構造部 ２４ 導波層 ２５ 光吸収層除去領域 ２６ ひさし状部 １０１、１０９ 基板 １０２、１０６ クラッド層 １０３、１０５、１１０、１１２ 中間屈折率層 １０４、１１１ 光吸収層 １０７ ポリイミド １０８、１１４ ｐ電極 １１３ ｐ⁺領域 １１５ ｎ電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−38269（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−43565（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−394（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−71989（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−283080（ＪＰ，Ａ) 1995年電子情報通信学会エレクトロニ クスソサイエティ大会 Ｃ−283 ｐ. 283 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 31/00 - 31/119 H01S 3/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導波路型半導体受光素子において、光吸
   収層が一部除去されており、この光吸収層除去領域上
   に、前記光吸収層よりもバンドギャップ波長が短い半導
   体からなるクラッド層が、空隙を介してひさし状に覆い
   被さった構造を有し、この、ひさし状に覆い被さったク
   ラッド層上に素子実装用位置合わせパターンが形成され
   ていることを特徴とする導波路型半導体受光素子。